JP5026946B2 - 窒化物半導体単結晶基板製造方法 - Google Patents
窒化物半導体単結晶基板製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5026946B2 JP5026946B2 JP2007327603A JP2007327603A JP5026946B2 JP 5026946 B2 JP5026946 B2 JP 5026946B2 JP 2007327603 A JP2007327603 A JP 2007327603A JP 2007327603 A JP2007327603 A JP 2007327603A JP 5026946 B2 JP5026946 B2 JP 5026946B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- semiconductor layer
- layer
- gan
- separation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
12,121,122,123 第1のGaN層
13,131,132,133 InGaN層
14,141,142,143 第2のGaN層
15 支持金属層
Claims (7)
- 第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる第1の成長工程と、
前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層とを前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層との間で分離する第1の分離工程と、
前記第1の分離工程において分離された第2の窒化物半導体層を種結晶として第3の窒化物半導体層をエピタキシャル成長によって形成する第2の成長工程と、
前記第3の窒化物半導体層上に第4の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる第3の成長工程と、
前記第3の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層とを前記第3の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層との間で分離する第2の分離工程と、
を含み、
前記第1の成長工程は、前記第1の窒化物半導体層上に第1の所定エネルギーの吸収によって相分離する第1の分離層を形成した後に前記第2の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させ、
前記第1の分離工程は、前記第1の所定エネルギーに対応する波長のレーザーを前記第1の分離層に照射して前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層とを分離し、
前記第3の成長工程は、前記第3の窒化物半導体層上に第2の所定エネルギーの吸収によって相分離する第2の分離層を形成した後に前記第4の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させ、
前記第2の分離工程は、前記第2の所定エネルギーに対応する波長のレーザーを前記第2の分離層に照射して前記第3の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層とを分離する
ことを特徴とする窒化物半導体単結晶基板製造方法。 - 第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる第1の成長工程と、
前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層とを前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層との間で分離する第1の分離工程と、
前記第1の分離工程において分離された第2の窒化物半導体層を種結晶として第3の窒化物半導体層をエピタキシャル成長によって形成する第2の成長工程と、
前記第2の窒化物半導体層と前記第3の窒化物半導体層とを前記第2の窒化物半導体層と前記第3の窒化物半導体層との間で分離する第2の分離工程と、
を含み、
前記第1の成長工程は、前記第1の窒化物半導体層上に第1の所定エネルギーの吸収によって相分離する第1の分離層を形成した後に前記第2の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させ、
前記第1の分離工程は、前記第1の所定エネルギーに対応する波長のレーザーを前記第1の分離層に照射して前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層とを分離し、
前記第2の成長工程は、前記第2の窒化物半導体層上に第2の所定エネルギーの吸収によって相分離する第2の分離層を形成した後に前記第3の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させ、
前記第2の分離工程は、前記第2の所定エネルギーに対応する波長のレーザーを前記第2の分離層に照射して前記第2の窒化物半導体層と前記第3の窒化物半導体層とを分離することを特徴とする窒化物半導体単結晶基板製造方法。 - 前記第2の窒化物半導体層上にタングステン、モリブデン、タンタル、ニオブまたはイリジウムによって形成される支持金属層を形成する支持金属層形成工程をさらに含み、
前記第1の分離工程は、前記支持金属層形成工程後に前記前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層とを分離することを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体単結晶基板製造方法。 - 前記第1の分離層または第2の分離層は、InGaN層を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の窒化物半導体単結晶基板製造方法。
- 前記InGaN層は、In組成が0.3以上、0.5以下であることを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体単結晶基板製造方法。
- 前記第1の窒化物半導体層、前記第2の窒化物半導体層、第3の窒化物半導体層および第4の窒化物半導体層は、GaN、AlN、または、GaNとAlNからなる混晶のいずれかであることを特徴とする請求項1および請求項1を引用する請求項3〜5のいずれか一つに記載の窒化物半導体単結晶基板製造方法。
- 前記第1の窒化物半導体層、前記第2の窒化物半導体層および第3の窒化物半導体層は、GaN、AlN、または、GaNとAlNからなる混晶のいずれかであることを特徴とする請求項2および請求項2を引用する請求項3〜5のいずれか一つに記載の窒化物半導体単結晶基板製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007327603A JP5026946B2 (ja) | 2007-12-19 | 2007-12-19 | 窒化物半導体単結晶基板製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007327603A JP5026946B2 (ja) | 2007-12-19 | 2007-12-19 | 窒化物半導体単結晶基板製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009152305A JP2009152305A (ja) | 2009-07-09 |
JP5026946B2 true JP5026946B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=40921126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007327603A Active JP5026946B2 (ja) | 2007-12-19 | 2007-12-19 | 窒化物半導体単結晶基板製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5026946B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010235347A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Iii族窒化物半導体自立基板の製造方法及びiii族窒化物半導体層成長用基板 |
JP5515770B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-06-11 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法および窒化物半導体デバイスの製造方法 |
CN103748662B (zh) * | 2011-06-28 | 2016-11-09 | 圣戈班晶体及检测公司 | 半导体衬底及形成方法 |
DE102011113775B9 (de) * | 2011-09-19 | 2021-10-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
KR101936060B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2019-01-09 | (재)한국나노기술원 | 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자 |
CN110534477B (zh) * | 2019-08-26 | 2022-04-15 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 激光剥离集成化设备 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19640594B4 (de) * | 1996-10-01 | 2016-08-04 | Osram Gmbh | Bauelement |
JP3788037B2 (ja) * | 1998-06-18 | 2006-06-21 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板 |
JP3525061B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2004-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
US6652648B2 (en) * | 2000-04-27 | 2003-11-25 | Samsung Corning Co., Ltd. | Method for fabricating GaN single crystal substrate |
JP3856750B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2006-12-13 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN100483612C (zh) * | 2003-06-04 | 2009-04-29 | 刘明哲 | 用于制造垂直结构的复合半导体器件的方法 |
JP4414312B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-02-10 | エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ | エピタキシャル成長のための基板の作製方法 |
-
2007
- 2007-12-19 JP JP2007327603A patent/JP5026946B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009152305A (ja) | 2009-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4117156B2 (ja) | Iii族窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP3631724B2 (ja) | Iii族窒化物半導体基板およびその製造方法 | |
US6498113B1 (en) | Free standing substrates by laser-induced decoherency and regrowth | |
JP4529846B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 | |
TWI437637B (zh) | 利用自我***來製造氮化鎵單晶基板的方法 | |
TWI479541B (zh) | A group III nitride semiconductor semiconductor substrate, a group III nitride semiconductor semiconductor substrate, a group III nitride semiconductor device, and a group III nitride semiconductor self-supporting substrate, and a method of manufacturing the same | |
JP3821232B2 (ja) | エピタキシャル成長用多孔質基板およびその製造方法ならびにiii族窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP5026946B2 (ja) | 窒化物半導体単結晶基板製造方法 | |
JP2004035275A (ja) | 多孔質基板とその製造方法、GaN系半導体積層基板とその製造方法 | |
US9252012B2 (en) | Method of fabricating a nitride substrate | |
US20090057835A1 (en) | Group III nitride semiconductor and a manufacturing method thereof | |
JP2010056555A (ja) | 半導体構造物及びそれを製造する方法 | |
US7589345B2 (en) | Nitride-based compound semiconductor substrate and method for fabricating the same | |
JP5056299B2 (ja) | 窒化物半導体下地基板、窒化物半導体積層基板および窒化物半導体下地基板の製造方法 | |
JP2001119104A (ja) | 半導体の製造方法 | |
JP2009208991A (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP2020075842A (ja) | 窒化物半導体 | |
JP2004269313A (ja) | 窒化ガリウム結晶基板の製造方法 | |
JP2017226584A (ja) | 自立基板の製造方法 | |
JP4768759B2 (ja) | Iii族窒化物半導体基板 | |
JP4907127B2 (ja) | Iii族窒化物の自立単結晶作製方法およびiii族窒化物単結晶層を含む積層体 | |
JP2017130539A (ja) | 窒化物半導体装置、窒化物半導体装置の作製方法、及び製造装置 | |
JP4711057B2 (ja) | 化合物半導体ウェーハおよびその製造方法 | |
JP2020038968A (ja) | 半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体 | |
WO2022185906A1 (ja) | 紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハの製造方法、紫外線発光素子用基板の製造方法、紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ及び紫外線発光素子用基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5026946 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |