JP4414312B2 - エピタキシャル成長のための基板の作製方法 - Google Patents
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Claims (18)
- エピタキシャル成長のための基板の作製方法であって、
補助基板(7)上に、前記補助基板(7)と格子整合していない緩和されたエピタキシャルベース層(5)を得るステップと、
前記エピタキシャルベース層(5,52)の少なくとも一部をキャリア基板(10)上に移し、ベース基板(17)を形成するステップと、
前記エピタキシャルベース層(5,52)の材料を前記キャリア基板(10)上でさらに成長させるステップとを含み、
前記ベース基板(17)が、前記移すステップの後に熱処理され、
前記キャリア基板(10)上でさらに成長した前記エピタキシャルベース層(520)の材料の少なくとも一部が別の基板(12)に移転され、さらなる組合せ構造(20,21)を形成することを特徴とする基板の作製方法。 - 緩和された前記エピタキシャルベース層(5)が前記補助基板(7)上で0.1μm〜5μmの厚さ(t0)に成長されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記エピタキシャルベース層(5,52)の少なくとも一部を前記キャリア基板(10)上に移すステップが、
原子種(8)を前記ベースエピタキシャル層(5)に注入し、予め脆弱化された領域(9)を形成するステップと、
注入が行われた前記エピタキシャル層(5)を前記キャリア基板(10)と接合させるステップと、
接合された構造物を予め脆弱化された前記領域(9)にて分離させるステップとを用いて行われることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。 - 前記キャリア基板(10)が、シリコン、二酸化シリコン、溶融シリカ、酸化シリコン、ゲルマニウム、窒化ガリウム、リン化インジウム及び砒化ガリウムから成る群の少なくとも1つから選択されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記エピタキシャルベース層(5,52)の面(13)が、前記移すステップの後に、エピタキシーのために前処理されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記エピタキシャル層(5,52)のさらに成長した材料が、前記補助基板(7)上に得られた前記エピタキシャルベース層(5)よりも小さい転位密度を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記エピタキシャルベース層の移された部分が、前記補助基板(7)上で成長した前記エピタキシャルベース層(5)の転位密度よりも小さい転位密度を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記エピタキシャルベース層(5,52)の少なくとも一部が、前記キャリア基板(10)上で、0.1μm〜5μmの厚さ(t2)にさらに成長されることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- さらに成長した前記エピタキシャルベース層がシリコンゲルマニウムから作られていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- さらに成長した前記層(520)の少なくとも一部を別の基板(12)に移すことが、前記キャリア基板(1)上のさらに成長した前記層(520)の残りの部分を用いて繰り返されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記移すことが、さらに成長した前記層(520)の残りの部分の再生及び/又は平坦化後に繰り返されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 少なくとも1つの第2のエピタキシャル層(11)が、前記キャリア基板(10)上にさらに成長した層(520)の上で成長されることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも1つの前記第2エピタキシャル層(11)がシリコン製であることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 少なくとも1つの前記第2エピタキシャル層(11)が10ナノメータ〜20ナノメータの厚さ(ts)を有して形成されることを特徴とする請求項12又は13に記載の方法。
- 前記エピタキシャルベース層(5)の材料からのエピタキシャル層(521)が前記第2エピタキシャル層(11)上で成長されることを特徴とする請求項12又は13に記載の方法。
- エピタキシャルベース層(520,521)と少なくとも1つの第2エピタキシャル層(11)とを交互に有する周期構造(16)が形成されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記エピタキシャルベース層(520)の材料の少なくとも一部が前記第2エピタキシャル層(11,111)の少なくとも一部と共に別の基板(12)に移されることを特徴とする請求項12〜16のいずれか一項に記載の方法。
- 前記さらなる組合せ構造物(20,21)の面(15)が仕上処理されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
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