JP5011056B2

JP5011056B2 - 渦流検査プローブ及び渦流検査装置

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Publication number: JP5011056B2
Application number: JP2007264328A
Authority: JP
Inventors: 正浩小池; 亮西水; 将史成重; 久遠藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2007-10-10
Filing date: 2007-10-10
Publication date: 2012-08-29
Anticipated expiration: 2027-10-10
Also published as: JP2009092549A

Description

本発明は、被検体の渦流検査に係り、特に、被検体に存在する欠陥などの検出に好適な渦流検査プローブ及び渦流検査装置に関する。

非破壊検査方法の一つである渦流検査方法は、励磁コイル及び検出センサを有する渦流検査プローブを導電性の被検体に近づけさせ、励磁コイルによって被検体に渦電流を誘起し、被検体に誘起した渦電流の乱れ（若しくはそれに伴う磁束密度の乱れ）を検出センサで検出して、被検体に存在する欠陥（き裂など）、板厚変化、構造不連続部などの異常部位を検出する。この渦流検査方法は、被検体の表面側（言い換えれば、渦流検査プローブの配置側）での感度が良いものの、表皮効果により板厚方向に渦電流が減少するため、厚板の裏面側の検査には不向きであり、従来、例えば厚板の表層部の検査や薄板の検査に適用されていた。

そこで、例えば厚板の裏面側（内部及び裏面）の検査に適用することを目的として、軸方向が被検体の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置された２つの励磁コイルと、これら２つの励磁コイルの間に配置された検出センサ（検出コイル）とを備えた渦流検査プローブが提唱されている（例えば、特許文献１参照）。この渦流検査プローブでは、２つの励磁コイルに互いに逆向きの電流を流し、これら励磁コイルの間の領域において誘起した渦電流を重ね合わせて、強力な渦電流を発生させるようになっている。また、例えば被検体の板厚に応じて２つの励磁コイルの間隔が最適値となるように、２つの励磁コイルの間隔を調整する距離調整機構を設けた構成が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

特許第３７９６５７０号公報特開２００５−４３１５４号公報

しかしながら、上記従来技術には以下のような課題が存在する。
すなわち、上記渦流検査プローブの検出センサは、明確に記載されていないものの、２つの励磁コイルの間の対称軸上に配置されている。そして、例えば２つの励磁コイルの配置方向に対し平行方向に延在する欠陥（き裂など）を検査する場合、欠陥の深さ位置によっては、欠陥の端部を検出できるものの端部以外の中央部を検出できないことがある。このような場合、検出結果が連続的な欠陥の端部に相当するのかそれとも欠陥単体に相当するのか不明であり、たとえ連続的な欠陥の端部に相当すると判断できても、いずれの端部の組み合わせでどのように連続的に形成されているか不明である。したがって、欠陥などの性状を的確に把握することが困難であった。

本発明は、欠陥などの性状を的確に把握することができる渦流検査プローブ及び渦流検査装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、軸方向が被検体の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置された対の励磁コイルと、前記対の励磁コイルの間に配置され、前記励磁コイルによって前記被検体に誘起された渦電流の変化を検出する１つのみの検出センサとを有する渦流検査プローブにおいて、前記１つのみの検出センサは、前記対の励磁コイルの間の対称軸より位置をずらして配置する。
好ましくは、前記１つのみの検出センサは、前記対の励磁コイルの径方向中心位置を結ぶ中心軸より位置をずらして配置する。
また、上記目的を達成するために、本発明は、軸方向が被検体の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置された対の励磁コイルと、前記対の励磁コイルの間に配置され、前記励磁コイルによって前記被検体に誘起された渦電流の変化を検出する第１及び第２の検出センサとを有する渦流検査プローブにおいて、前記第１の検出センサは、前記対の励磁コイルの間の対称軸より位置をずらしかつ前記対の励磁コイルの径方向中心位置を結ぶ中心軸より位置をずらして配置し、前記第２の検出センサは、前記対称軸と前記中心軸とが交わる位置に配置する。

本発明によれば、欠陥などの性状を的確に把握することができる。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照しつつ説明する。

図１は、本発明の第１の実施形態による渦流検査装置の構成を表す概略図であり、図２は、渦流検査プローブの構造を表す平面図である。なお、図１において、渦流検査プローブは、図２中断面Ａ−Ａによる側断面図で示している。

これら図１及び図２において、本実施形態の渦流検査装置は、励磁コイル１Ａ，１Ｂ及び検出センサ２を有する渦流検査プローブ３を被検体４に近づけさせ、励磁コイル１Ａ，１Ｂによって被検体４に渦電流を誘起し、被検体４に誘起した渦電流の変化（若しくはそれに伴う磁束密度の変化）を検出センサ２で検出して被検体４の性状（例えば欠陥の有無など）を評価するものである。この渦流検査装置のひとつは、渦流検査プローブ３の位置を制御する走査機構（図示せず）と、励磁コイル１Ａ，１Ｂに励磁信号を印加する発信器５と、検出センサ２からの検出信号を増幅する検出信号増幅部６と、この検出信号増幅部６で増幅された検出信号を予め設定された時間間隔でサンプリングする検出信号採取部７と、この検出信号採取部７から入力された検出信号に対し走査機構からの渦流検査プローブ３の位置信号（言い換えれば、検出センサ２の位置信号）を１対１で関連付けた検出データを作成するとともに、その検出データに基づいた画像を作成し、作成した検出データ及び画像をモニタ８に表示させる表示処理部９とを備えている。

他の渦流検査装置は、渦流プローブ３の移動時間を出力する手段（図示せず）と、励磁コイル１Ａ，１Ｂに励磁信号を印加する発信器５と、検出センサ２からの検出信号を増幅する検出信号増幅部６と、この検出信号増幅部６で増幅された検出信号を予め設定された時間間隔でサンプリングする検出信号採取部７と、この検出信号採取部７から入力された検出信号に対し走査開始からの渦流検査プローブ３の移動時間（言い換えれば、検出センサ２の移動時間）を１対１で関連付けた検出データを作成するとともに、その検出データに基づいた画像を作成し、作成した検出データ及び画像をモニタ８に表示させる表示処理部９とを備えている。

渦流検査プローブ３の励磁コイル１Ａ，１Ｂは、軸方向が被検体４の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置されている。そして、励磁コイル１Ａ，１Ｂは互いに逆向きの電流が流されて、励磁コイル１Ａ，１Ｂの間の領域（言い換えれば、検出センサ２が配置された領域）において誘起した渦電流を重ね合わせるようになっている。

ここで本実施形態の大きな特徴として、検出センサ２は、励磁コイル１Ａ，１Ｂの径方向中心位置を結ぶ中心軸Ｏ上で、励磁コイル１Ａ，１Ｂの間の対称軸Ｐより意図的にずらした位置に（言い換えれば、±０．２ｍｍ程度や励磁コイル１Ａ，１Ｂの間隔の１％程度の誤差範囲より大きくずらした位置が中心位置となるように）配置されている。なお、検出センサ２としては、検出コイル、磁気測定素子を利用した例えばホール素子やフラックゲート素子、巨大磁気抵抗効果を用いたＧＭＲ素子、ＭＩ効果を利用した素子等を用いることが可能である。

本実施形態の渦流検査装置の動作を図３を用いて説明する。まず、発信器５からの励磁信号を渦流検査プローブ３の励磁コイル１Ａ，１Ｂに印加するとともに（ステップ１０１）、渦流検査プローブ３を被検体４の健全部に配置し、検出センサ２からの検出信号（検出値）がゼロとなるようにバランス調整する（ステップ１０２）。そして、渦流検査プローブ３を被検体４の検査開始位置に配置し（ステップ１０３）、その後、渦流検査プローブ３を被検体４の検査面上で走査して、検出センサ２で被検体４に誘起した渦電流の変化を検出する（ステップ１０４）。そして、表示処理部９は、検出信号増幅部６及び検出信号採取部７を介し入力された検出センサ２の検出信号に基づいて検出データ及び画像を作成し（ステップ１０５）、それら検出データ及び画像をモニタ８に表示させる（ステップ１０６）。これにより、検査者は、モニタ８に表示された検出データ又は画像を目視して欠陥等の有無を判断する。

次に、本実施形態の作用効果を、比較例を用いて説明する。

図４（ａ）は、比較例による渦流検査プローブの構造を表す平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）中断面Ｂ−Ｂによる側断面図である。

本比較例の渦流検査プローブ１０では、検出センサ２は、中心軸Ｏと対称軸Ｐとが交わる位置に配置されている。

そして、例えば渦流検査プローブ１０を励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向に対し平行方向に走査機構又は手動で走査して、励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向に対し平行方向に延在する欠陥１１（以降、「平行欠陥」と称す）を検査した場合（図５（ａ）参照）、検出センサ２の位置又は移動時間が関連付けられた検出データ（波形データ）が作成される（図５（ｂ）参照）。この検出データでは、平行欠陥１１の端部近傍に相当する正負のピーク値を有し、端部以外の中央部に相当する検出値はゼロとなっている。これは、まず一方の励磁コイル１Ｂが平行欠陥１１に接近すると、励磁コイル１Ｂによって誘起された渦電流が変化して正のピーク値が得られ、その後、両方の励磁コイル１Ａ，１Ｂが平行欠陥１１に接近すると、励磁コイル１Ａ及び１Ｂによって誘起された渦電流の変化が互いに相殺されて検出値がゼロとなり、さらにその後、励磁コイル１Ｂが平行欠陥１１から離れると、励磁コイル１Ａによって誘起された渦電流が変化して負のピーク値が得られるからである。そして、この検出データに基づいた画像を作成すると、図５（ｃ）中斜線部分で示すように平行欠陥１１の端部に相当する画像だけとなり、中央部に相当する画像は作成されない（なお、図５（ｃ）中の二点鎖線は平行欠陥１１の仮想線である）。したがって、検査者は、モニタ８に表示された検出データ又は画像を目視して欠陥の有無を判断することができるものの、その欠陥の性状を的確に把握することができない。

なお、例えば渦流検査プローブ１０を励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向に対し直交方向に走査して、励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向に対し直交方向に延在する欠陥１２（以降、「直交欠陥」と称す）を検査した場合（図６（ａ）参照）、検出信号が得られない。そのため、検出データ及び画像を作成することができず（図６（ｂ）及び図６（ｃ）参照）、欠陥の有無を判断することができない。

これに対し、例えば本実施形態の渦流検査プローブ３を励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向に対し平行方向に走査して、平行欠陥１１を検査した場合（図７（ａ）参照）、例えば図７（ｂ）に示すような検出データが作成される。この検出データでは、平行欠陥１１の端部近傍に相当するピーク値を有し、さらに端部以外の中央部に相当する検出値（なお、図７（ｂ）では、前述したピーク値よりも低い検出値）を有している。これは、両方の励磁コイル１Ａ，１Ｂが平行欠陥１１に接近する場合でも、励磁コイル１Ａ，１Ｂからの距離が相違する検出センサ２の位置では、励磁コイル１Ａ及び１Ｂによって誘起された渦電流の変化（平行欠陥１１の影響による変化）に差分が生じるからである。そして、この検出データに基づいた画像を作成すると、図７（ｃ）中斜線部分で示すように欠陥全体の画像を作成することができる。したがって、検査者は、モニタ８に表示された検出データ又は画像を目視して平行欠陥１１の有無を判断するとともに、その欠陥の性状を的確に把握することができる。

本願発明者らは、上述した本実施形態の作用効果を確認するため、試験検査を行った。図８（ａ）は、試験検査に用いた被検体４Ａの構造を表す側面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）中矢印Ｃ方向から見た被検体４Ａの平面図である。

被検体４Ａには、人工的な欠陥として、水平方向（図８（ｂ）中上下方向）に延在する２つの横穴１１Ａ，１１Ｂ（但し、検査面である上面からの横穴１１Ａの深さＨ_１＜横穴１１Ｂの深さＨ_２）が形成されている。そして、被検体４Ａの横穴１１Ａ，１１Ｂの延在方向に対し励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向が平行となるように渦流検査プローブを配置し、横穴１１Ａ，１１Ｂの延在方向に渦流検査プローブを走査して試験検査を行った（これにより、被検体４Ａの横穴１１Ａ，１１Ｂは、上述した平行欠陥に相当すると言える）。このとき、表示処理部９で作成されモニタ８に表示された被検体４Ａの平面図上（但し、図８（ｂ）中に示す範囲Ｄ）の画像を図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す。比較例の渦流検査プローブ１０を用いた場合は、図９（ａ）に示すように、横穴１１Ａ，１１Ｂの端部に相当する画像が現れるものの、端部以外の中央部に相当する画像が現れない。一方、本実施形態の渦流検査プローブ３を用いた場合は、図９（ｂ）に示すように、横穴１１Ａ，１１Ｂの端部だけでなく全体の画像が現れている。

以上のように本実施形態においては、渦流検査プローブ３の検出センサ２を励磁コイル１Ａ，１Ｂの間の対称軸Ｐよりずらした位置に配置することにより、検出センサ２の位置又は移動時間が関連づけられた検出センサ２の検出データは、平行欠陥１１の端部近傍に相当するピーク値だけでなく、端部以外の中央部に相当する検出値を有することができる。そして、この検出データに基づいて欠陥全体の画像を作成することができる。したがって、検査者は、表示処理部９で作成されモニタ８に表示された検出データ又は画像を目視すれば、平行欠陥１１の性状を的確に把握することができる。

なお、例えば本実施形態の渦流検査プローブ３を用いて、直交欠陥１２を検査した場合（図１０（ａ）参照）、例えば図１０（ｂ）に示すような検出データが得られる。この検出データでは、僅かながらも直交欠陥１２のほぼ全体に相当する検出値を有している。しかし、この検出データに基づいて画像を作成することは困難である（図１０（ｃ）参照）。

本発明の第２の実施形態を説明する。

図１１（ａ）は、本実施形態による渦流検査プローブの構造を表す平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）中断面Ｅ−Ｅによる側断面図である。なお。本実施形態において、上記第１の実施形態と同等の部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

本実施形態では、渦流検査プローブ１３は、上記第１の実施形態の渦流検査プローブ３と同様、軸方向が被検体４の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置された励磁コイル１Ａ，１Ｂと、これら励磁コイル１Ａ，１Ｂの間に配置され、励磁コイル１Ａ，１Ｂによって被検体４に誘起された渦電流の変化を検出する検出センサ２とを有している。検出センサ２は、中心軸Ｏ及び対称軸Ｐより位置をずらすように配置されている。

そして、例えば渦流検査プローブ１３を励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向に対し平行方向に走査して、平行欠陥１１を検査した場合（図１２（ａ）参照）、例えば図１２（ｂ）に示すような検出データが作成される。この検出データでは、平行欠陥１１の端部近傍に相当するピーク値を有し、さらに端部以外の中央部に相当する検出値（なお、図１２（ｂ）では、前述したピーク値よりも低い検出値）を有している。そして、この検出データに基づいた画像を作成すると、図１２（ｃ）中斜線部分で示すように欠陥全体の画像を作成することができる。したがって、検査者は、モニタ８に表示された検出データ又は画像を目視して平行欠陥１１の有無を判断するとともに、その欠陥の性状を的確に把握することができる。

また、例えば渦流検査プローブ１３を励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向に対し直交方向に走査して、直交欠陥１２を検査した場合（図１３（ａ）参照）、例えば図１３（ｂ）に示すような検出データが作成される。この検出データでは、直交欠陥１２のほぼ全体に相当する検出値を有し、この検出値は、上記第１の実施形態の渦流検査プローブを用いた場合に比べて高くなっている。これは、第１の実施形態における検出センサ２では、直交欠陥１２に平行に流れる渦電流の変化を検出するのに対し、本実施形態における検出センサ２では、直交欠陥１２に斜めに流れる渦電流の変化を検出するからである。そして、この検出データに基づいて、図７（ｃ）中斜線部分で示すように欠陥全体の画像を作成することができる。したがって、検査者は、モニタ８に表示された検出データ又は画像を目視して直交欠陥１１の有無を判断するとともに、その欠陥の性状を的確に把握することができる。

本発明の第３の実施形態を説明する。

図１４は、本実施形態による渦流検査装置の全体構成を表す図であり、図１５は、本実施形態による渦流検査プローブの構造を表す平面図である。なお、図１４において、渦流検査プローブは、図１５中断面Ｆ−Ｆによる側断面図で示している。また、本実施形態において、上記実施形態と同等の部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

本実施形態では、渦流検査プローブ１４は、軸方向が被検体４の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置された励磁コイル１Ａ，１Ｂと、これら励磁コイル１Ａ，１Ｂの間に配置され、励磁コイル１Ａ，１Ｂによって被検体４に誘起された渦電流の変化を検出する検出センサ２Ａ，２Ｂとを有している。検出センサ２Ａは、中心軸Ｏ及び対称軸Ｐより位置をずらすように配置され、検出センサ２Ｂは、中心軸Ｏと対称軸Ｐとが交わる位置に配置されている。

渦流検査装置は、検出センサ２Ａ，２Ｂからの検出信号をそれぞれ増幅する検出信号増幅部６Ａ，６Ｂと、これら検出信号増幅部６Ａ，６Ｂで増幅された検出信号を予め設定された時間間隔でそれぞれサンプリングする検出信号採取部７Ａ，７Ｂと、検出信号採取部７Ａから入力された検出信号に対し検出センサ２Ａの位置又は移動時間を関連づけた検出データを作成し、検出信号採取部７Ｂから入力された検出信号に対し検出センサ２Ｂの位置又は移動時間を関連づけた検出センサ２Ｂの検出データを作成し、検出センサ２Ａの検出データ及び検出センサ２Ｂの検出データを加算処理したものに基づいた画像を作成し、作成した検出データ及び画像をモニタ８に表示させる表示処理部１５とを備えている。

そして、例えば渦流検査プローブ１４を励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向に対し平行方向に走査して、平行欠陥１１を検査した場合（図１６（ａ）参照）、例えば図１６（ｂ）に示すような検出センサ２Ａの検出データ、及び例えば図１６（ｃ）に示すような検出センサ２Ｂの検出データが作成される。検出センサ２Ａの位置は、上記第２の実施形態における検出センサ２の位置と比べ、中心軸Ｏ及び中心軸Ｐからのずれ量が大きくなるように配置されている。そのため、検出センサ２Ａの検出データは、平行欠陥１１の端部に相当する検出値ピークが小さく、反対に中央部に相当する検出値が大きくなり、それらの値がほぼ同じになっている（言い換えれば、平行欠陥１１の中央部の検出度が高められている）。一方、検出センサ２Ｂの位置は、上記比較例における検出センサ２の位置と同じである。そのため、検出センサ２Ｂの検出データは、平行欠陥１１の端部に相当する大きなピーク値を有し、中央部に相当する検出値はゼロとなっている（言い換えれば、平行欠陥１１の端部の検出度が高められている）。したがって、これら検出データを加算処理したものに基づいて、図１６（ｄ）中斜線部分で示すように欠陥全体の画像を作成することができ、その画像の精度を高めることができる。したがって、検査者は、モニタ８に表示された検出データ又は画像を目視して直交欠陥１１の有無を判断するとともに、その欠陥の性状を的確に把握することができる。

また、例えば渦流検査プローブ１４を励磁コイル１Ａ，１Ｂの配置方向に対し直交方向に走査して、直交欠陥１２を検査した場合、検出センサ２Ａの検出データは、上記第２の実施形態における検出センサ２の検出データと同様（前述の図１３（ｂ）参照）、直交欠陥１２のほぼ全体に相当する検出値を有している。そして、この検出データに基づいて、欠陥全体の画像を作成することができる。したがって、検査者は、モニタ８に表示された検出データ又は画像を目視して直交欠陥１１の有無を判断するとともに、その欠陥の性状を的確に把握することができる。

なお、以上においては、被検体の欠陥を検出する場合を例にとって説明したが、これに限られず、例えば板厚変化、構造不連続部などの異常部位を検出する場合に適用してもよいことは言うまでもない。

本発明の第１の実施形態による渦流検査装置の構成を表す概略図である。本発明の第１の実施形態による渦流検査プローブの構造を表す平面図である。本発明の第１の実施形態における動作を説明するためのフローチャートである。比較例による渦流検査プローブの構造を表す平面図及び側断面図である。比較例の渦流検査プローブを用いて平行欠陥を検査した場合に得られる検出データ及び画像を説明するための図である。比較例の渦流検査プローブを用いて直交欠陥を検査した場合に得られる検出データ及び画像を説明するための図である。本発明の第１の実施形態の渦流検査プローブを用いて平行欠陥を検査した場合に得られる検出データ及び画像を説明するための図である。試験検査に用いた被検体の構造を表す側面図及び平面図である。試験検査において比較例の渦流検査プローブを用いた場合に得られる画像、及び本発明の第１の実施形態の渦流検査プローブを用いた場合に得られる画像を表す図である。本発明の第１の実施形態の渦流検査プローブを用いて直交欠陥を検査した場合に得られる検出データ及び画像を説明するための図である。本発明の第２の実施形態による渦流検査プローブの構造を表す平面図及び側断面図である。本発明の第２の実施形態の渦流検査プローブを用いて平行欠陥を検査した場合に得られる検出データ及び画像を説明するための図である。本発明の第２の実施形態の渦流検査プローブを用いて直交欠陥を検査した場合に得られる検出データ及び画像を説明するための図である。本発明の第３の実施形態による渦流検査装置の構成を表す概略図である。本発明の第３の実施形態による渦流検査プローブの構造を表す平面図である。本発明の第３の実施形態の渦流検査プローブを用いて平行欠陥を検査した場合に得られる検出データ及び画像を説明するための図である。

符号の説明

１Ａ，１Ｂ励磁コイル
２検出センサ
２Ａ検出センサ
２Ｂ検出センサ
３渦流検査プローブ
８モニタ（表示器）
９表示処理部（表示処理手段）
１３渦流検査プローブ
１４渦流検査プローブ
１５表示処理部（表示処理手段）
Ｏ中心軸
Ｐ対称軸

Claims

軸方向が被検体の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置された対の励磁コイルと、前記対の励磁コイルの間に配置され、前記励磁コイルによって前記被検体に誘起された渦電流の変化を検出する１つのみの検出センサとを有する渦流検査プローブにおいて、
前記１つのみの検出センサは、前記対の励磁コイルの間の対称軸より位置をずらして配置したことを特徴とする渦流検査プローブ。
請求項１記載の渦流検査プローブにおいて、前記１つのみの検出センサは、前記対の励磁コイルの径方向中心位置を結ぶ中心軸より位置をずらして配置したことを特徴とする渦流検査プローブ。
軸方向が被検体の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置された対の励磁コイルと、前記対の励磁コイルの間に配置され、前記励磁コイルによって前記被検体に誘起された渦電流の変化を検出する第１及び第２の検出センサとを有する渦流検査プローブにおいて、
前記第１の検出センサは、前記対の励磁コイルの間の対称軸より位置をずらしかつ前記対の励磁コイルの径方向中心位置を結ぶ中心軸より位置をずらして配置し、
前記第２の検出センサは、前記対称軸と前記中心軸とが交わる位置に配置したことを特徴とする渦流検査プローブ。
軸方向が被検体の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置された対の励磁コイル、及び前記対の励磁コイルの間に配置され、前記励磁コイルによって前記被検体に誘起された渦電流の変化を検出する１つのみの検出センサを有する渦流検査プローブと、前記検出センサの位置又は移動時間が関連付けられた前記検出センサの検出データ又は前記検出データに基づいた画像を作成し、作成した検出データ又は画像を表示器に表示させる表示処理手段とを備えた渦流検査装置において、
前記１つのみの検出センサは、前記対の励磁コイルの間の対称軸より位置をずらして配置したことを特徴とする渦流検査装置。
請求項４記載の渦流検査装置において、前記１つのみの検出センサは、前記対の励磁コイルの中心位置を結ぶ中心軸より位置をずらして配置したことを特徴とする渦流検査装置。
軸方向が被検体の検査面に対しほぼ垂直となるようにかつ互いに径方向に離間して対称的に配置された対の励磁コイル、及び前記対の励磁コイルの間に配置され、前記励磁コイルによって前記被検体に誘起された渦電流の変化を検出する第１及び第２の検出センサを有する渦流検査プローブと、前記第１の検出センサの位置又は移動時間が関連付けられた前記第１の検出センサの検出データ及び前記第２の検出センサの位置又は移動時間が関連づけられた前記第２の検出センサの検出データを作成し、又は前記検出データに基づいた画像を作成し、作成した前記検出データ又は前記画像を表示器に表示させる表示処理手段とを備えた渦流検査装置において、
前記第１の検出センサは、前記対の励磁コイルの間の対称軸より位置をずらしかつ前記対の励磁コイルの径方向中心位置を結ぶ中心軸より位置をずらして配置し、
前記第２の検出センサは、前記対称軸と前記中心軸とが交わる位置に配置したことを特徴とする渦流検査装置。