JP5008486B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
本発明は表示装置に関するものである。
有機発光表示装置は、薄膜で自発光を特徴とした有機発光素子から構成され、新方式のフラットパネルディスプレイとして応用されている。有機発光素子は、陰極から電子を、陽極からホール（正孔）を有機層に注入し、有機層中の発光層で励起子を生成させ、これら励起子が基底状態にもどる際に光が放出される原理を利用している。発光層は、蛍光性有機化合物若しくは燐光性有機化合物、量子ドットなどの発光性材料から成る。
このような有機発光素子において、光の干渉効果を利用して発光効率を向上させたり、色度を調整することが提案されている。特許文献１などでは、発光層と反射電極との間の有機層膜厚を干渉強め合いとなるように調整することが提案されている。
また、非特許文献１などでは、光取り出し側の透明電極と空気界面での反射面と、反射電極との間で、発光を増強したり発光色度を調整するための共振器構造を構成することが提案されている。
さらに、非特許文献２などでは、光取り出し側の金属半透明電極と反射電極との間で発光を増強したり発光色度を調整するための共振器構造を構成することが提案されている。
しかしながら、上記技術においては、各発光色毎に有機層膜厚や透明電極等の厚さを変える必要があり、表示装置の製造プロセスがより煩雑になるという課題がある。
本発明は、上記課題に鑑み、高効率かつ色純度の優れた表示装置を、単純な構成で提供することを目的とする。
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板上に、赤色発光素子と、緑色発光素子と、青色発光素子とを含む、複数の有機発光素子を有し、
各有機発光素子は、第１電極と光取り出し側の透明電極からなる第２電極との間に形成されている、発光層を含む有機層を有しており、
前記発光層で発光する光を、前記発光層よりも前記第１電極側に設けられている第１反
射面と、前記発光層よりも前記第２電極側に設けられている第２反射面との間で共振させ
る共振器構造を有する、表示装置において、
前記発光層を除く前記有機層は、前記複数の有機発光素子の間を跨いで連続して形成され、
前記緑色発光素子は、発光層よりも第２電極側に金属半透明層を有し、第２反射面は前記金属半透明層の発光層側にあり、
前記赤色発光素子及び前記青色発光素子における第２反射面は、第２電極の光取り出し側にあり、
前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子の発光ピーク波長をそれぞれ、λ R 、λ G 、λ B とし、第１反射面と第２反射面との光学的距離をそれぞれ、Ｌ R 、Ｌ G 、Ｌ B とする場合、以下の数１−１又は数１−２を満たすことを特徴とする。
（ここで、φ R 、φ G 、φ B は、それぞれ前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子の第１反射面の位相シフト量と第２反射面の位相シフト量との和である。）
（ここで、φ R 、φ G 、φ B は、それぞれ前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子の第１反射面の位相シフト量と第２反射面の位相シフト量との和である。）
基板上に、赤色発光素子と、緑色発光素子と、青色発光素子とを含む、複数の有機発光素子を有し、
各有機発光素子は、第１電極と光取り出し側の透明電極からなる第２電極との間に形成されている、発光層を含む有機層を有しており、
前記発光層で発光する光を、前記発光層よりも前記第１電極側に設けられている第１反
射面と、前記発光層よりも前記第２電極側に設けられている第２反射面との間で共振させ
る共振器構造を有する、表示装置において、
前記発光層を除く前記有機層は、前記複数の有機発光素子の間を跨いで連続して形成され、
前記緑色発光素子は、発光層よりも第２電極側に金属半透明層を有し、第２反射面は前記金属半透明層の発光層側にあり、
前記赤色発光素子及び前記青色発光素子における第２反射面は、第２電極の光取り出し側にあり、
前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子の発光ピーク波長をそれぞれ、λ R 、λ G 、λ B とし、第１反射面と第２反射面との光学的距離をそれぞれ、Ｌ R 、Ｌ G 、Ｌ B とする場合、以下の数１−１又は数１−２を満たすことを特徴とする。
本発明によれば、高効率かつ色純度の優れた表示装置を、単純な構成で実現することができる。
以下、本発明の原理を構成例に基づいて説明する。
図１に、本発明のフルカラー表示装置の概略断面図を示す。つまり、本実施形態の表示装置は、複数の画素を有し、前記画素が複数色（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ））の副画素からなる表示装置である。なお、図示例では有機発光表示装置を示したが、無機発光表示装置やＱＤ−ＬＥＤ表示装置などであっても実施できる。
図１に示した有機発光表示装置を構成する３色の赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子は、基板１００上に反射電極（第１電極）１０２および反射電極上の透明電極１０３Ｂが積層され陽極が形成されている。これら陽極上に、蛍光性有機化合物若しくは燐光性有機化合物を含む有機層１０１が積層され、陰極である透明電極１０３（第２電極）が形成されている。さらに、Ｇ副画素の有機発光素子にのみ、透明電極１０３上に金属半透明電極（金属半透明層）１０４が形成されている。
有機層１０１は、図１に示すように、通常、ホール輸送層１０６、発光層１０５（Ｒ発光層１１５、Ｇ発光層１２５、Ｂ発光層１３５）、電子輸送層１０７が積層された構成をとる。発光層１０５は、それぞれの発光色に応じた蛍光性有機化合物若しくは燐光性有機化合物を含む。また、必要に応じて陽極とホール輸送層１０６との間にホール注入層１０８を、陰極と電子輸送層１０７との間に電子注入層１０９を挟持しても良い。
これらの有機発光素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が、陰極から電子が有機層１０１に注入される。注入された正孔と電子とは発光層１０５において励起子を形成し、励起子が再結合する際に光（自然放出光）を放射する。ここで、図１に示した有機発光素子の構成例では、発光層１０５に対して透明電極１０３側（第２電極側）が光取り出し側となる。
それぞれのＲＧＢ有機発光素子では、第１反射面と第２反射面との間で光共振器が構成されている。図１に示した構成例では、第１反射面は、発光層より第１電極側、つまり反射電極１０２と前記反射電極上の透明電極１０３Ｂとの界面となり、ＲＧＢ有機発光素子で共通である。一方、第２反射面は、ＲＢ２色の有機発光素子とＧ１色の有機発光素子とで異なる。ＲＢ有機発光素子では、発光層よりも第２電極側、つまり自由端である透明電極１０３と空気（第２電極より屈折率が低い低屈折率層）との界面（低屈折率層の発光層側の面）が第２反射面となる。Ｇ有機発光素子では、やはり発光層よりも第２電極側、つまり固定端である金属半透明電極１０４と透明電極１０３との界面（金属半透明層の発光層側の面）が第２反射面となる。したがって、本発明では、ＲＧＢ有機発光素子の発光ピーク波長の長い方から順に、自由端の第２反射面と固定端の第２反射面とが交互に構成されることが特徴である。
光共振器中では、多重干渉効果により自然放出光の発光特性が変化する。多重干渉の概念図を図２に示す。発光点２０１からの発光は、第１反射面と第２反射面との間で複数回反射され、共振器中の多数の反射光との間で多重干渉を起こす。光共振器の多重干渉効果により特定の発光波長を強めるためには、第１反射面と第２反射面との間の光路長（屈折率×膜厚）の調整が重要である。ちなみに、図中、符号２０２は多重反射光を示している。
有機発光素子の発光波長をλとし、波数をｋ＝２π／λとする。光取り出し側（第２反射面側）への発光強度Ｉ（λ）は、基板垂直方向で数１の右辺に比例する。但し、第２反射面の複素反射係数をｒ+＝｜ｒ+｜ｅｘｐｉφ+、第１反射面の複素反射係数をｒ-＝｜ｒ-｜ｅｘｐｉφ-、第１反射面と第２反射面との光路長（光学的距離）をＬ、発光点２０１から第１反射面までの光路長をＬ-とする。数１右辺の分子は広角干渉の効果を表し、数１右辺の分母は多重干渉の効果を表している。複素反射係数の位相成分φ-、φ+は、各反射面での位相シフト量を示す。ここで、位相シフト量の定義域を−π＜φ-、φ+＜πとする。
数１の分母の位相部分より、多重干渉の強め合いの干渉条件が、０以上の正の整数ｍとして、数２で与えられる。ここで、反射面での位相シフト量の合計をφ＝φ-＋φ+とする。したがって、波長λの発光に対する光取り出し効率を向上させるためには、数２を満たすように光路長Ｌを調整すれば良い。多重干渉が強め合う範囲は、ｍ±０．２５の範囲である。
ＲＧＢ有機発光素子に対し、それぞれ、発光ピーク波長をλR、λG、λB、第１反射面と第２反射面との間の光路長をＬR、ＬG、ＬB、反射面での位相シフト量をφR、φG、φBとする。数２より、正の整数ｍR、ｍG、ｍBを用いて、第１反射面と第２反射面との光路長ＬR、ＬG、ＬBは、数３を満たすように構成される。正の整数ｍR、ｍG、ｍBは、視野角変化による色度変化が大きく生じないように、３以下程度が望ましい。
金属反射面や低屈折率から高屈折率に変化する反射面のような固定端では位相シフト量が、約−π程度となる。一方、高屈折率から低屈折率に変化する反射面のような自由端では位相シフト量が、約０程度となる。本実施形態の例では、ＲＧＢ有機発光素子の位相シフト量をそれぞれφR、φG、φBとして、φR〜−π、φG〜−２π、φB〜−πである。ここで、正の整数をｍR＝ｍG＝２、ｍB＝３と選択すると、数３は数４の光路長の条件と成る。
Ｒの発光ピーク波長λRは約６００ｎｍから６４０ｎｍ、Ｇの発光ピーク波長λGは約５０５ｎｍから５４５ｎｍ、Ｂの発光ピーク波長λBは約４４０ｎｍから４８０ｎｍ程度である。これから、概ね、λR：λG：λB＝７：６：５、もしくは、λR：λG：λB＝６：５：４の比率の関係がある。したがって、数４の条件と組み合わせると、干渉強め合いを起こすＲＧＢの各光路長をＬR〜ＬG〜ＬBと、概ね、同程度に揃えることが可能となる。よって、ＲＧＢの有機発光素子で、第１反射面と第２反射面とに挟持される発光層以外の各層が共通である単純な素子構成で、光共振器の干渉強め合い条件を満たすことが可能となる。なお、ここで云う発光層以外の各層とは、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層、反射電極上の透明電極、透明電極、電荷生成層などをいい、さらにキャリア輸送層や電荷注入層が含まれていてもよい。
したがって、本発明によれば、高効率かつ色純度の優れた表示装置を、単純な構成で実現することができる。
本実施形態は、ＲＧＢ有機発光素子の発光波長の長い方から順に、第２反射面がＲで自由端、Ｇで固定端、Ｂで自由端と交互に構成される例である。ここで、図３に示すように、Ｇ有機発光素子の金属半透明電極１０４を透明電極１０３と有機層１０１との間に形成しても良い。この時、正の整数をｍR＝２、ｍG＝１、ｍB＝３と選択すると、数３は数５の光路長の条件と成る。この場合も、透明電極１０３の光路長を調整することにより、ＲＧＢの有機発光素子で、第１反射面と第２反射面とに挟持される発光層以外の各層が共通である単純な素子構成で、光共振器の干渉強め合い条件を満たすことが可能となる。つまり、高効率かつ色純度の優れた表示装置を、単純な構成で実現することができる。
また、金属半透明電極１０４をＧ有機発光素子ではなく、ＲＢ有機発光素子に形成してもよい。つまり、ＲＧＢ有機発光素子の発光波長の長い方から順に、第２反射面がＲで固定端、Ｇで自由端、Ｂで固定端と交互に構成してもよい。
なお、これまでは、基板側を陽極、光取り出し側を陰極とする構成で説明してきたが、基板側を陰極、光取り出し側を陽極とし、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を逆順に積層した構成においても本発明を実施することは可能である。したがって、本発明にかかる表示装置は基板側を陽極、光取り出し側を陰極とする構成に限定されるものではない。
また、図１のホール輸送層１０６、発光層１０５、電子輸送層１０７、ホール注入層１０８、電子注入層１０９に用いられる有機化合物としては、低分子材料、高分子材料若しくはその両方により構成され、特に限定されるものではない。さらに、必要に応じて無機化合物を用いても良い。
ちなみに、発光層を除く有機層は、ＲＧＢ有機発光素子の間を跨いで連続して形成すると、各層の作成が容易で好ましい。
上記実施形態の有機発光表示装置はトップエミッション構成としたが、基板側が光取出し側となるボトムエミッション構成においても実施可能である。
以下、より詳細な説明を行う。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は本実施例によって何ら限定されるものではない。
＜実施例１＞
図１に示す構成のフルカラー有機発光表示装置を以下に示す方法で作製する。つまり、本実施例１の表示装置は、前記画素が複数色（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ））の副画素からなり、第２反射面がＲ有機発光素子で自由端、Ｇ有機発光素子で固定端、Ｂ有機発光素子で自由端と交互に構成されている有機発光表示装置である。
図１に示す構成のフルカラー有機発光表示装置を以下に示す方法で作製する。つまり、本実施例１の表示装置は、前記画素が複数色（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ））の副画素からなり、第２反射面がＲ有機発光素子で自由端、Ｇ有機発光素子で固定端、Ｂ有機発光素子で自由端と交互に構成されている有機発光表示装置である。
まず、支持体としてのガラス基板上に、低温ポリシリコンからなるＴＦＴ駆動回路を形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜を形成して基板１００とする。基板１００上に、反射電極１０２として、スパッタリングによりＡｌ合金を約１５０ｎｍの膜厚で形成する。Ａｌ合金からなる反射電極１０２は、可視光の波長域（λ＝３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）で分光反射率７５％以上の高反射電極である。Ａｌ合金以外に、Ａｇ合金などを用いても良い。この上に、反射電極上の透明電極１０３Ｂとして、スパッタリングによりＩＺＯを２０ｎｍの膜厚で形成して電極のパターニングをし、陽極を形成する。
さらに、ＳｉＮｘＯｙの素子分離膜を３２０ｎｍの膜厚で形成した後、各副画素にＥＬ発光領域となる開口部をエッチングし、陽極基板を作製する。
これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥する。その後、ＵＶ／オゾン洗浄してからＲ、Ｇ、Ｂそれぞれの有機層１０１を真空蒸着により形成する。
まず、下記構造式で示される化合物［Ｉ］を、ＲＧＢ共通のホール輸送層１０６として２００ｎｍの膜厚で形成する。この際の真空度は１×１０-4Ｐａ、蒸着レートは、０．２ｎｍ／ｓｅｃである。
次に、シャドーマスクを用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの発光層を形成する。Ｒ発光層１１５としては、ホストとしてＣＢＰと、燐光発光性化合物Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）とを共蒸着して６５ｎｍの膜厚で発光層を形成する。Ｇ発光層１２５としては、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物クマリン６とを共蒸着して２０ｎｍの膜厚で発光層を形成する。Ｂ発光層１３５としては、ホストとして下記に示す化合物［ＩＩ］と発光性化合物［ＩＩＩ］とを共蒸着して８０ｎｍの膜厚で発光層を形成する。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。
さらに、共通の電子輸送層１０７として、バソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚で形成する。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。次に、共通の電子注入層１０９として、ＢｐｈｅｎとＣｓ2ＣＯ3とを共蒸着（重量比９０：１０）し、６０ｎｍの膜厚で形成する。蒸着時の真空度は３×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。
電子注入層１０９まで形成した基板を、透明電極１０３として、スパッタリングによりＩＺＯを５５ｎｍの膜厚で形成する。
さらに、シャドーマスクを用いて、Ｇの透明電極１０３上に、金属半透明電極１０４としてＡｇを１０ｎｍの膜厚で形成する。
さらに、表示装置の周辺部に吸湿剤を配置し、エッチングされたキャップガラスで封止することにより、有機発光表示装置を得る。
本実施例１では、ＲＧＢ有機発光素子の発光ピーク波長の長い方から順に、自由端の第２反射面と固定端の第２反射面が交互に構成されている。また、各ＲＧＢで数３の左辺の量を計算した値を数６に示す。正の整数ｍR＝２、ｍG＝２、ｍB＝３に対応した光路長の構成となっている。ＲＧＢそれぞれで、多重干渉が強め合う範囲ｍR±０．２５、ｍG±０．２５、ｍB±０．２５内の光路長となっている。さらに、発光層以外の有機層は、ＲＧＢで全て共通の構成である。
＜実施例２＞
図３に示す構成のフルカラー有機発光表示装置を以下に示す方法で作製する。ホール輸送層１０６の形成までは、実施例１と同様である。
図３に示す構成のフルカラー有機発光表示装置を以下に示す方法で作製する。ホール輸送層１０６の形成までは、実施例１と同様である。
次に、シャドーマスクを用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの発光層を形成する。Ｒ発光層１１５としては、ホストとしてＣＢＰと、燐光発光性化合物Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）とを共蒸着して７０ｎｍの膜厚で発光層を形成する。Ｇ発光層１２５としては、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物クマリン６とを共蒸着して１５ｎｍの膜厚で発光層を形成する。Ｂ発光層１３５としては、ホストとして化合物［ＩＩ］と発光性化合物［ＩＩＩ］とを共蒸着して８５ｎｍの膜厚で発光層を形成する。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。さらに、共通の電子輸送層１０７として、バソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚で形成する。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。次に、共通の電子注入層１０９として、ＢｐｈｅｎとＣｓ2ＣＯ3とを共蒸着（重量比９０：１０）し、１５ｎｍの膜厚で形成する。蒸着時の真空度は３×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。
ここで、本実施例２では、Ｇの電子注入層１０９上のみに、シャドーマスクを用いて、金属半透明電極１０４としてＡｇを２０ｎｍの膜厚で形成する。
さらに、ＲＧＢ共通の透明電極１０３として、スパッタリングによりＩＺＯを８５ｎｍの膜厚で形成する。
最後に、表示装置の周辺部に吸湿剤を配置し、エッチングされたキャップガラスで封止することにより、有機発光表示装置を得る。
本実施例２では、ＲＧＢ有機発光素子の発光ピーク波長の長い方から順に、自由端の第２反射面と固定端の第２反射面とが交互に構成されている。また、各ＲＧＢで数３の左辺の量を計算した値を数７に示す。正の整数をｍR＝２、ｍG＝１、ｍB＝３に対応した光路長の構成となっている。ＲＧＢそれぞれで、多重干渉が強め合う範囲ｍR±０．２５、ｍG±０．２５、ｍB±０．２５内の光路長となっている。さらに、発光層以外の有機層は、ＲＧＢで全て共通の構成である。
＜比較例１＞
Ｇ副画素において金属半透明電極１０４が形成されないこと以外は、実施例１と同様である。つまり、第２反射面が、ＲＧＢ全てで自由端となる構成である。
Ｇ副画素において金属半透明電極１０４が形成されないこと以外は、実施例１と同様である。つまり、第２反射面が、ＲＧＢ全てで自由端となる構成である。
＜比較例２＞
Ｇ副画素において金属半透明電極１０４が形成されないこと以外は、実施例２と同様である。つまり、第２反射面が、ＲＧＢ全てで自由端となる構成である。
Ｇ副画素において金属半透明電極１０４が形成されないこと以外は、実施例２と同様である。つまり、第２反射面が、ＲＧＢ全てで自由端となる構成である。
＜比較例３＞
発光層以外の有機層をＲＧＢで塗り分ける場合の比較例を示す。ホール輸送層の形成前までは、実施例１と同様である。
発光層以外の有機層をＲＧＢで塗り分ける場合の比較例を示す。ホール輸送層の形成前までは、実施例１と同様である。
化合物［Ｉ］を、シャドーマスクを用いて各副画素に、Ｒホール輸送層として２３５ｎｍの膜厚、Ｇホール輸送層として１７０ｎｍの膜厚、Ｂホール輸送層として１２０ｎｍの膜厚で形成する。この際の真空度は１×１０-4Ｐａ、蒸着レートは、０．２ｎｍ／ｓｅｃである。
次に、シャドーマスクを用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの発光層を形成する。Ｒ発光層としては、ホストとしてＣＢＰと、燐光発光性化合物Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）とを共蒸着して３０ｎｍの膜厚で発光層を形成する。Ｇ発光層としては、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物クマリン６とを共蒸着して４０ｎｍの膜厚で発光層を形成する。Ｂ発光層としては、ホストとして化合物［ＩＩ］と発光性化合物［ＩＩＩ］とを共蒸着して３５ｎｍの膜厚で発光層を形成する。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。さらに、共通の電子輸送層として、バソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚で形成する。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。次に、共通の電子注入層として、ＢｐｈｅｎとＣｓ2ＣＯ3とを共蒸着（重量比９０：１０）し、２０ｎｍの膜厚で形成する。蒸着時の真空度は３×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃである。
さらに、ＲＧＢ共通の透明電極１０３として、スパッタリングによりＩＺＯを８０ｎｍの膜厚で形成する。
最後に、表示装置の周辺部に吸湿剤を配置し、エッチングされたキャップガラスで封止することにより、有機発光表示装置を得る。
つまり、比較例３は、第２反射面が、ＲＧＢ全てで自由端となる構成であり、発光層以外の有機層（比較例３ではホール輸送層）を各ＲＧＢで塗り分けることで、共振条件を満たす場合の構成例である。
表１に、実施例１、実施例２、比較例１、比較例２、比較例３における各ＲＧＢ副画素の発光効率［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）、消費電力比、Ｇａｍｕｔの評価値を示す。消費電力比は、比較例３を基準としている。比較例１、比較例２では、いずれも、比較例３と比較して、構成の単純化に伴いＧａｍｕｔの性能が低下してしまう。それに対して、実施例１、実施例２では、比較例３と比べて単純な構成で、消費電力比、Ｇａｍｕｔで同等の性能を実現することが可能となる。
１００ 基板
１０１ 有機層
１０２ 反射電極
１０３ 透明電極
１０３Ｂ 反射電極上の透明電極
１０４ 金属半透明電極（金属半透明層）
１０５ 発光層
１０６ ホール輸送層
１０７ 電子輸送層
１０８ ホール注入層
１０９ 電子注入層
１１５ Ｒ発光層
１２５ Ｇ発光層
１３５ Ｂ発光層
２０１ 発光点
２０２ 多重反射光
１０１ 有機層
１０２ 反射電極
１０３ 透明電極
１０３Ｂ 反射電極上の透明電極
１０４ 金属半透明電極（金属半透明層）
１０５ 発光層
１０６ ホール輸送層
１０７ 電子輸送層
１０８ ホール注入層
１０９ 電子注入層
１１５ Ｒ発光層
１２５ Ｇ発光層
１３５ Ｂ発光層
２０１ 発光点
２０２ 多重反射光
Claims (3)
- 基板上に、赤色発光素子と、緑色発光素子と、青色発光素子とを含む、複数の有機発光素子を有し、
各有機発光素子は、第１電極と光取り出し側の透明電極からなる第２電極との間に形成されている、発光層を含む有機層を有しており、
前記発光層で発光する光を、前記発光層よりも前記第１電極側に設けられている第１反
射面と、前記発光層よりも前記第２電極側に設けられている第２反射面との間で共振させ
る共振器構造を有する、表示装置において、
前記発光層を除く前記有機層は、前記複数の有機発光素子の間を跨いで連続して形成され、
前記緑色発光素子は、発光層よりも第２電極側に金属半透明層を有し、第２反射面は前記金属半透明層の発光層側にあり、
前記赤色発光素子及び前記青色発光素子における第２反射面は、第２電極の光取り出し側にあり、
前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子の発光ピーク波長をそれぞれ、λ R 、λ G 、λ B とし、第１反射面と第２反射面との光学的距離をそれぞれ、Ｌ R 、Ｌ G 、Ｌ B とする場合、以下の数１又は数２を満たすことを特徴とする表示装置。
- 前記金属半透明層は、前記第２電極の前記光取り出し側に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記金属半透明層は、前記第２電極の前記発光層側に配置されることを特徴とする請求項１項に記載の表示装置。
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