JP5006015B2 - 半導体ウェハ表面保護テープおよびそれを用いた半導体チップの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハの裏面研削後、研削面にダイボンドシートを貼合する工程で使用する耐熱性を持つ半導体ウェハ表面保護テープ及びそれを使用する半導体チップの製造方法に関する。

ここ最近において、実装部品の小型化のニーズはより一層高まり、半導体パッケージングの小型化技術はますます進化してきている。これに伴い、半導体チップも薄膜化・小チップ化を余儀なくされ、同時に、それら薄膜・小チップの半導体チップをコンパクトにパッケージングするための技術的ニーズは今後も高まる傾向にある。望ましくは半導体チップの寸法とほぼ同じサイズでパッケージングされることが求められている。
従来、これらの半導体チップは、半導体ウェハの回路パターン面に表面保護テープを貼合した状態でバックグラインド工程にて所定の厚みになるまで回路パターンの無い裏面側を研削した後、該表面保護テープを剥離し、次いでダイシング工程にてダイシングテープに支持固定した状態にてダイシング装置等にて切断分離されチップ化されることにより得られる。その後、チップ化された半導体チップは、ピックアップダイボンダ等により、連続的に流れるリードフレームにダイボンディングされ、最終的にモールド樹脂にてモールドされパッケージングされることになる。

このリードフレームへのダイボンディングの方法であるが、従来はチップ化された半導体チップを、ピックアップダイボンダ等により液状接着剤が塗布されたリードフレームのダイパッドにダイボンディングする方法が一般的であったが、この場合ダイボンディング毎の必要塗布量の制御が非常に困難であり、更には液状であるため、半導体チップをダイボンディングした際に半導体チップの寸法よりも液状接着剤が若干はみ出すことになる。その結果、半導体チップの寸法よりも幾分大きい寸法でパッケージングする必要があり、これは、前述の通り半導体チップの寸法とほぼ同じサイズでパッケージングする観点から、望ましい方法とは言えない。

一方、ダイボンディング用の接着剤としてシート状の接着剤（ダイボンドシート）を使用する方法がある。このダイボンドシートを使用する方法として、半導体チップと同寸法のダイボンドシートの小片を準備し、リードフレーム上に予め搭載しておく、或いは、チップ裏面に一枚一枚貼り付ける、という方法が広く知られている。しかしながら、この場合、作業が非常に煩雑であり好ましくないのに加え、リードフレーム、或いはチップ裏面にダイボンドシートの小片を貼り付ける際に微小なズレが生じてしまうことがあり、これらの理由により望ましい方法とは言えない。
そこで最近では、バックグラインド工程にて所定の厚みになるまで半導体ウェハの回路パターンの無い裏面側を研削した後（必要であればストレスリリーフ等の処理をかけ）、その裏面側一面にダイボンドシートを貼合し、次いでこれをダイシングテープに貼合支持固定させ、ウェハダイシング装置等にて半導体ウェハとダイボンドシートを同時にフルカットする方式が提案されている。

この方式では、ダイシングされたチップとダイボンドシートの小片の寸法は完全に一致し、且つ、両者が全くズレの無い状態で貼り合わされた状態を作ることが出来る。この場合、図１０に示すように半導体ウェハ９の裏面側にダイボンドシート１２を貼合する際には、半導体ウェハ９の回路パターン８面を下側にして貼合ロール１１等にて圧着しながら貼合する必要があるため、回路パターン８は貼合ロール１１の貼合圧により損傷を受ける可能性があり、よって回路パターン８面の保護が必要となる。そこで、バックグラインド工程後に基材フィルム１４に粘着剤層１３を形成した表面保護テープ１５を剥離せず、そのまま貼合した状態で半導体ウェハ９の裏面側にダイボンドシート１２を貼合すれば、該表面保護テープ１５が回路パターン８を保護する役目を果たすことになるため、この方式では一般的にこのような方法がとられることになるのである。
また、この場合、ダイボンドシート１２は半導体ウェハへの密着性のためその殆どの種類が加熱した状態で貼合される必要があり、一般的には、半導体ウェハ９の表面保護テープ１５が貼合された面を下側にして加熱吸着台１０に載せ吸着固定し、上側となった裏面一面に貼合ロール１１にてダイボンドシート１２を貼合する方法がとられる。加熱用吸着台１０上では半導体ウェハ自体が高温状態にあり、その状態でダイボンドシートが貼合されるため半導体ウェハへの密着性は良好となる。

しかしながら、貼合の際、表面保護テープ１５は直接加熱吸着台１０に接触し加熱されることになるため、この方法に適用される表面保護テープ１５には耐熱性が要求されることになる。具体的には、表面保護テープ１５の基材フィルム１４が加熱吸着台にて直接接触し加熱されることになるが、この際、基材フィルム１４が熱収縮を起こすことにより表面保護テープ１５の貼合面側に半導体ウェハ９を反らせる力が働く。その結果、反らせる力が加熱吸着台による吸着力以上になると、ウェハごと加熱吸着台から外れてしまうといった問題が発生してしまう。また、仮に吸着台から外れなくても、ダイボンドシート貼合後、図１１に示すように吸着を開放した瞬間にウェハが勢いよく反るため、その衝撃によりウェハが損傷する、あるいは損傷しなくても反りを生じたままの状態で保持されるため、その後の工程においてハンドリング性が著しく悪くなってしまう等の問題が生じる。

このような工程に使用される表面保護テープ１５として、例えば下記文献１、２に示すものがある。これらは基本的には基材フィルムとして高融点のフィルムを用いることによって加熱による軟化を防止するものである。すなわち、上記の２つの提案の中で具体的に挙げられている基材フィルムの例としては、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系、ナイロン（登録商標）、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン等である。これらのフィルムは高融点を持つため熱軟化防止の点では１８０℃程度の加熱温度においても問題は無い。
しかし、これらの表面保護テープは、基材フィルムの熱収縮によるウェハ反り等を防止するものではなく、この点においてはいずれも不十分なものであった。

とりわけ、従来の上記の表面保護テープの基材層となるこれらのフィルムはフィルム成形後に加熱延伸がかけられており、これが加熱時に緩和し熱収縮を引き起こす原因となり、非常に大きなウェハの反りを生じさせる結果となる。また、これらの延伸がかけられていないフィルムであっても、例えばＴダイ法やインフレーション法で成形した時点で成形歪みが生じているため、その程度にもよるがこれがやはり加熱時に熱収縮し、大きな反りを生じさせる結果となる。
特開２００２−２４６３４５号公報、 特開２００３−１７６４６４号公報

したがって本発明の目的は、加熱時の基材層の挙動に起因するウェハ反りが小さく、耐熱性に優れ加熱吸着台への接着が少なく、柔軟性を有し十分な圧力吸収ができ、ディンプルの発生が殆どなく、また研削後のウェハ仕上げ厚み精度が良好な表面保護テープおよびその表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法を提供することにある。

本発明の上記の課題は次の手段によって達成される。
すなわち本発明は、
（１）半導体ウェハの回路パターン面に貼合し、該半導体ウェハの回路パターンのない面を研削し、その後該テープの貼合された面を加熱吸着台に吸着させた状態で加熱する際に使用される半導体ウェハの回路面の表面保護テープであって、該テープの基材層が不織布および／または織物を使用してなり、該基材層の背面側に架橋層が設けられたことを特徴とする半導体ウェハ表面保護テープ、
（２）前記架橋層が放射線で硬化されたものであることを特徴とする（１）記載の半導体ウェハ表面保護テープ、
（３）前記架橋層の厚さが２０μｍ以上であることを特徴とする（１）または（２）記載の半導体ウェハ表面保護テープ、
（４）前記不織布および／または織物がポリエステル樹脂および／またはナイロン樹脂よりなることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項記載の半導体ウェハ表面保護テープ、
（５）前記（１）〜（４）のいずれか１項記載の半導体ウェハ表面保護テープを半導体ウェハの回路パターン面に該テープの粘着剤層を貼合し、該半導体ウェハの回路パターンのない面を研削後、該テープの貼合された面を加熱吸着台に吸着させた状態で、回路パターンのない研削した面側にダイボンドシートを貼合することを特徴とする半導体チップの製造方法、
を提供するものである。

本発明の表面保護テープは、ダイボンドシート貼合時、表面保護テープの基材層が加熱吸着台に直接接触し加熱されても軟化したり、熱収縮を起こしたりせず、半導体ウェハを大きく反らせることはない。また基材層が加熱吸着台に接着してしまうようなことも防止できる。
更には、半導体ウェハ裏面研削時において表面保護テープの基材層の厚みが均一で平滑であるためディンプルの発生を防止し、研削後のウェハの仕上げ厚みの精度は極めて優れている。
したがって、この表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法は、優れた品質の半導体チップの製造を可能にする。

以下、図面を参照して、本発明に係る表面保護テープについて、好ましい実施形態を説明する。
本発明の表面保護テープは、図１に示すように基材層２の面に粘着剤層１が形成された表面保護テープ３である。

基材層２は不織布および／または織物で構成されるのが好ましく、基本的には天然繊維や合成の樹脂繊維にて構成されている。不織布の場合は個々の繊維が平面的に積み重ねられ、繊維と繊維の接点のみが融着されることにより、非融着部が通気性の空隙を有するフィルム状とされた構造をしており、また、織物の場合には、図２に拡大図で示すように、繊維４が縦方向、横方向に織られ気孔５を有するフィルム状とされている。
このフィルム状の基材層は、従来のＴダイ法やインフレーション法等で作成されフィルムと異なり、天然繊維や樹脂繊維から構成されるものであるから、その層は通気性の空隙を有するものである。

本発明において基材層が内部に空隙を有するとは、基材層に用いられる不織布や織物が少なくともそれを構成する繊維や糸の間で通気性の空隙を有することを意味し、空隙は気孔をも含む意味であり、基材層が加熱貼合時に熱収縮を起こしたときに、それを吸収するだけの十分な空隙をいう。
本発明の基材層はフィルム状にされる過程において、前述のような熱収縮を引き起こす原因となる加熱延伸や成形歪みなどの熱履歴がかかることがないので、結果的にダイボンドシートの加熱貼合時に非常に大きなウェハ反りを生じさせる様な問題を引き起こすことが無い。本発明の基材層を構成する繊維が樹脂繊維の場合は、それが成形される過程において幾分か繊維に熱履歴がかかることになるが、フィルム状への過程ではないのでその影響は小さい。更に、構造上これらの基材層は繊維間に通気性の空隙が存在するため、収縮の影響をその空隙に逃がす効果もあり、反り軽減に有効な構造であるものと言える。
なお、本発明の基材層は、通気性の空隙を有する不織布および／または織物を含有し、さらにその他に通気孔を有するフィルムを含有していてもよい。

本発明におけるダイボンドシートの貼合温度はその種類により一般的には１００〜１８０℃程度であり、貼合に要する時間は約３分程度である。この際、表面保護テープ３の基材層２に貼合温度に耐えうるだけの耐熱性が無いと、直接加熱吸着台に接触している基材層２が加熱により軟化し、その結果加熱吸着台に接着してしまう現象が起こる。特に、加熱吸着台として加熱吸着テーブルを用いた場合には、加熱吸着テーブルの熱により基材層２が軟化すると加熱吸着テーブルの吸着力によってより密着度が増し、強固に接着してしまうことになる。その結果、吸着を開放しても半導体ウェハをその加熱吸着テーブルから取り出すことが出来なくなってしまう。また、これを無理に引き剥がすとその衝撃によりウェハに損傷を与えてしまう、といった不具合が発生する。

ダイボンドシートの貼合温度が１００℃前後の場合は、基材層としてポリエチレン等のポリオレフィン系でも特に問題無いが、１５０〜１８０℃程度の貼合温度になるとこれらの材質では軟化し吸着台に接着してしまう。１５０〜１８０℃程度の貼合温度の場合、材質としてはポリエステル系、ナイロン系のものが好ましく、これらの耐熱レベルであれば特に加熱による軟化の心配は無い。よって、本発明の基材層は、ダイボンドシート貼合温度が１００℃程度の場合は不織布や織物を構成する繊維がポリオレフィン系のものでも特に問題ないが、貼合温度が１５０〜１８０℃程度の場合は、繊維の材質がポリエステル樹脂またはナイロン樹脂の不織布又は織物であるのが望ましい。

本発明における不織布又は織物を構成する繊維の径としては種々存在し特に限定されるものではないが、一般的には３０〜９０μｍ程度のものが好ましい。また、厚さも特に限定されず、一般的には４０〜１００μｍ程度のものを使用すれば良い。
一方、この不織布や織物は、種類によっては基材層としての厚み精度が通常のＴダイ法やインフレーション法にて成形されたフィルムに比べて若干劣る場合がある。
不織布の場合は、不織布を成形した後、厚み方向に熱プレスをかける等の処方によって厚み精度を向上させることが可能であるが、熱プレスをかけないタイプのものでは厚み精度があまり良くなく、１５〜２０μｍ程度の厚みばらつきを持つ場合もある。ちなみに、熱プレスは厚み方向にかけるだけなので、後工程での加熱により熱収縮を引き起こしてしまう様な熱履歴ではない。

また、織物の場合は全体的な厚み精度は非常に良いが、図３に示した様な、繊維４と繊維４の継ぎ目４ａに段差が存在する場合がある。織物の場合、ボビン状の治具に巻かれた繊維を供給しながら織られていくわけであるが、何らかの理由で繊維の巻き径に十分な余裕がなく限界がある場合、成形途中に繊維が途切れてしまい、繊維と繊維を継ぐ必要がある。この場合、一般的には繊維と繊維の端部を結ぶ方式、或いは融着する方式が採られているが、それらによって出来る段差が繊維径によっては２０μｍ程度になるケースもある。この２０μｍの段差がウェハ貼合エリアに来てしまうと、裏面研削時において回路パターン面の段差がウェハ裏面の研削面に転写される現象である、ディンプルとなって現れる可能性があり好ましくない。

そこで、本発明はこのようなケースでのディンプルの発生を防止することをも目的とするものである。不織布および／又は織物で構成された基材層の背面側（粘着剤層１のある面の反対側の面を意味する）を架橋層で覆うことによって解決した。架橋層としては、放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層が好ましく、その他加熱により架橋構造を構成する熱架橋型粘着剤層、あるいは主剤と硬化剤を混合することにより架橋構造を構成する２液混合型粘着剤層などがある。
すなわち、図４に示すように、本発明の他の態様である表面保護テープ７は、不織布および／又は織物の基材層２と粘着剤層１と、背面側の面に架橋層、例えば放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層６を設けた構成とするものである。厚みの不均一性や、継ぎ部の段差を架橋層、例えば放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層で覆うことにより平滑化され、前述を原因とした厚み精度の悪さを解消することが可能となる。
さらに、この放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層６の厚みとしては、前述の通り不織布の厚みばらつきが場合によっては１５〜２０μｍ、又、織物の継ぎ部に出来る段差が場合によっては２０μｍ程度であるため、これを完全に覆う構成とするためには、その厚さは２０μｍ以上必要であり、好ましくは２０〜２００μｍ、更に好ましくは２５〜１００μｍである。２０μｍ未満ではばらつきを完全に覆えず、特に織物の段差の場合は局所的に段差が存在することになるためディンプルとして発生し易くなり、２００μｍを越えるとコストの点で問題となるものである。

この構成の表面保護テープ７の場合、最初に、不織布および／又は織物の基材層２の片側面に放射線硬化型粘着剤を塗布し、形成した放射線硬化型粘着剤層６に放射線を照射して硬化させ、次いで放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層６とは反対側の面に粘着剤層１を形成することで得られる。その順序として、得られた基材層に粘着剤を塗布した後に、反対側の面に放射線硬化型粘着剤を塗布し、放射線を照射して硬化させる順序でも良いが、粘着剤が放射線硬化型である場合には、放射線硬化型粘着剤に放射線を照射する際に粘着剤も同時に硬化してしまうことになるため、基本的には前者の順序で得るのが望ましい方法と言える。

この放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層６は、一般的には通常のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物を混合してなる構成、或いは放射線重合性化合物単独でなる構成を持つもので、このうち放射線重合性化合物の場合は、放射線の照射によって三次元網状の構造を形成、すなわち一種の架橋構造を形成するものである。分子構造が架橋構造をとる場合、通常は加熱状態にあっても熱可塑化する性質はなく、従って加熱により軟化もしない。よって、前述の加熱吸着台にて軟化することもない。通常の放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層６は１８０℃程度であれば軟化することは無く、仮に不織布、又は織物の材質としてポリオレフィン系のものを用いたとしても、放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層６を背面に設けた構成であれば、ダイボンドシートの貼合温度が１８０℃であっても問題なく使用可能となる。

本発明で言う放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層６は特に限定されるものではなく、一般的には、通常のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなるものである。又、粘着剤層１も特に限定されるものではなく、通常のアクリル系粘着剤等が適用可能であり、又、放射線硬化型である場合は上記と同じようにアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなる組成のものが適用される。これらアクリル系粘着剤、及び放射線重合性化合物については具体的には例えば、以下のものが適用可能である。

アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を成分とするものである。（メタ）アクリル系共重合体は、例えば（メタ）アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、及び（メタ）アクリル酸エステル系共重合体の（メタ）アクリル系重合体、或いは(メタ)アクリル酸エステルと官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては重量平均分子量が５０万〜１００万程度の高分子量のものが一般的に適用される。
また、硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ′−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。
硬化剤の添加量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、好ましくは（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部である。

放射線硬化型粘着剤は、前記のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなるのが一般的である。放射線重合性化合物とは、例えば紫外線の照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。

また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
放射線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着剤層の粘着力は大きく低下する。
さらには、放射線硬化型粘着剤は、上記の様にアクリル系粘着剤に放射線重合性化合物を配合する替わりに、アクリル系粘着剤自体を放射線重合性アクリル酸エステル共重合体とすることも可能である。

また、放射線により粘着剤を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することができる。これらのうち少なくとも１種類を粘着剤に添加することにより、効率よく重合反応を進行させることが出来る。なお、ここで言う放射線とは、紫外線のような光線、または電子線のような電離性放射線のことをさす。

次に、本発明の表面保護テープを用いる半導体チップの製造方法の好ましい実施形態について記載する。
本発明の半導体チップの製造方法は、先ず図５に示すように、半導体ウェハ９の回路パターン８面に、図１に示す本発明の表面保護テープ３の粘着剤層１が貼合面となるように、この表面保護テープを貼合する。次に、図６に示すように半導体ウェハ９の回路パターン８の無い面側を半導体ウェハ９の厚さが所定の厚さ、例えば５０〜２００μｍになるまで研削する。その後、図７、図８に示すように、この表面保護テープ３の貼合された面を下側にして加熱吸着台１０に載せ、その状態で、回路パターン８の無い研削した面側に貼合用ロール１１を使用してダイボンドシート１２を貼合する工程からなる。
これらの工程おいては前述の通り、貼合の際に表面保護テープ３の基材層２の背面側は直接、高温の加熱吸着台１０に接触し加熱されることになる。しかしながら、上記の通り、本発明の表面保護テープ３は、加熱しても熱軟化しない基材層２を有し、加熱吸着台の熱により基材層２が加熱吸着台１０に接着してしまうような不具合は発生しなく、ウェハの反りも生起しない。
したがって、図９に示すように加熱吸着台１０の吸着機構を開放すれば、表面保護テープおよびダイボンドシート付の半導体ウェハを容易に取り出すことができ、加熱吸着台を汚すこともほとんど無い。

また、本発明の半導体チップの製造方法には、図４に示す基材層２の背面側に架橋層６が設けられた表面保護テープ７も前記と同様に使用することができる。
この場合、表面保護テープ７は、厚みが均一であり、平滑化されているので、特に半導体ウェハ厚みの精度が高く、ディンプルの発生を防ぐことができる。

次に、本発明を実施例、参考例および比較例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでない。

［参考例１〜６］および［比較例１，２］
表１に記載したように基材層の片面側に、各表示の下記の「アクリル系粘着剤ａ」または「紫外線硬化型粘着剤Ｂ」を３０μｍの厚みで塗布し、図１に示す構造の各表面保護テープを作製した。
［実施例１，２，３］
表１に記載したように基材層の片面側に、下記の紫外線硬化型粘着剤Ａを２０μｍの厚みにて塗布し、紫外線硬化型粘着剤Ａに紫外線を照射して硬化させた。更に、基材層の紫外線により硬化された紫外線硬化型粘着剤Ａが設けられた面とは反対側の面に紫外線硬化型粘着剤Ｂを３０μｍの厚みで塗布し、図４に示す構造の各表面保護テープを作製した。

基材層として用いた表１記載の不織布、織物およびフィルムは以下の通りである。
（１）「ＴＮｏ１８０」（商品名、日本特殊織物（株）製）
ポリエステル繊維の織物で、繊維と繊維の継ぎ目の無い部分と、繊維と繊維の継ぎ目のある部分（段差１７μｍ）をそれぞれ採取し実施例に用いた。繊維と繊維の継ぎ目のある部分を含んだ参考例５，実施例２（表中、継ぎ目有りと記載）については、後述するウェハ貼合時において、その継ぎ目部がウェハ面内に来るように貼合した。
（２）「ＮＮｏ１８０」（商品名、日本特殊織物（株）製）
ナイロン繊維の織物で、繊維と繊維の継ぎ目の無い部分を用いた。
（３）「ＰＥ１５０」（商品名、日本特殊織物（株）製）
ポリエチレン繊維の織物で、繊維と繊維の継ぎ目の無い部分を用いた。
（４）「ボンデン」（商品名、呉羽テック（株）製）
ポリエステル繊維の熱プレスをかけた不織布（サーマルボンドタイプ：厚み精度±４μｍ）である。
（５）「ダイナック」（商品名、呉羽テック（株）製）
ポリエステル繊維の不織布（スパンボンドタイプ：厚み精度±１８μｍ）である。
（６）「アクリフトＷＤ−２１０」（商品名、住友化学（株）製）
エチレン−メタクリル酸メチル共重合体（ＥＭＭＡ）フィルムである。
（７）「エステルフィルムＥ５１００−１００」（商品名、東洋紡（株）製）
ポリエステルフィルムである。

用いた紫外線硬化型粘着剤Ａ、紫外線硬化型粘着剤Ｂ、アクリル系粘着剤ａの構成は以下の通りである。
（紫外線硬化型粘着剤Ａ）
アクリル酸エステル共重合体 １００質量部
硬化剤（「コロネートＬ」（商品名、日本ポリウレタン（株）製） ２質量部
ウレタンアクリレート系オリゴマー １５０質量部
光重合開始剤（「イルガキュアー１８４」（商品名）、日本チバガイギー社製）
２質量部
（紫外線硬化型粘着剤Ｂ）
アクリル酸エステル共重合体 １００質量部
硬化剤（「コロネートＬ」（商品名、日本ポリウレタン（株）製） ２質量部
ウレタンアクリレート系オリゴマー １００質量部
光重合開始剤（「イルガキュアー１８４」（商品名）、日本チバガイギー社製）
２質量部
（アクリル系粘着剤ａ）
アクリル酸エステル共重合体 １００質量部
硬化剤（「コロネートＬ」（商品名、日本ポリウレタン（株）製） ２質量部

（ウェハ裏面研削）
上記の方法にて得られた各実施例、参考例および比較例の耐熱性表面保護テープを厚さ６５０μｍの８インチシリコンウェハの表面に貼合し、ディスコ製グラインダー「ＤＦＧ８５６０」（商品名）にて面粗さ「＃２０００」で最終仕上げ厚さ１００μｍになるようウェハ裏面研削を行った。更に、研削後、１５０℃に設定された加熱機構付の吸着台に、基材層の背面側（紫外線により硬化された紫外線硬化型粘着剤層Ａが背面にある場合はその面側）を下側にして置き、吸着固定した状態で研削されたウェハ裏面にダイボンドシートとして「ＤＦ−４７０」（商品名、日立化成（株）製）を貼合した。貼合後、加熱吸着台の吸着を開放して表面保護テープおよびダイボンドシート付きのウェハを取り出した。

（ダイボンドシート貼合の評価）
以上の工程を実施し、次の点について評価を行い、その結果を表１に示した。
（１）ディンプルの発生
ウェハ裏面研削後にウェハの研削面にディンプルが発生しているか否かを目視により観察した。
（２）ウェハ仕上げ厚み精度
ウェハ裏面研削後のウェハ厚（狙い値：１００μｍ厚）のＴＴＶをＡＤＥ完全互換ｗａｆｅｒｃｏｍ２００ＸＪにより測定した。
（３）ダイボンドシート貼合後のウェハ反り
１５０℃に設定された加熱機構付の吸着台上で貼合ロールを用いて、ダイボンドシート「ＤＦ−４７０」を貼合し、吸着を開放した後、表面保護テープおよびダイボンドシート付きのウェハを取り出した。取り出した後水平台に静置し、ウェハの水平台からの反りの最大値を測定した。
（４）加熱吸着台への接着の有無
１５０℃に設定された加熱機構付の吸着台上で貼合ロールを用いてダイボンドシート「ＤＦ−４７０」を貼合し、吸着を開放した後、表面保護テープおよびダイボンドシート付きのウェハを取り出した。その際、表面保護テープが加熱軟化により吸着台に接着しているか否かを目視により観察した。

各実施例、参考例および比較例の評価結果について以下に述べる。
（参考例１）基材層が十分な通気性空隙を有するポリエステル繊維からなる不織布で、更に熱プレスをかけ厚み精度をコントロールしたタイプであるため、ダイボンドシート加熱貼合後のウェハ反り量も小さく、ポリエステルであるため加熱軟化もなく、加熱吸着台への接着は無かった。又、ウェハ裏面研削によるディンプルの発生もなく、ＴＴＶも比較的良好であった。
（参考例２）基材層が十分な通気性空隙を有するポリエステル繊維からなる織物であるため、ウェハ裏面研削によるディンプルの発生もなく、ＴＴＶも良好であった。又、ダイボンドシート加熱貼合後のウェハ反り量も小さく、ポリエステルであるため加熱軟化もなく、加熱吸着台への接着は無かった。
（参考例３）基材層が十分な通気性空隙を有するナイロン繊維からなる織物であるため、ウェハ裏面研削によるディンプルの発生もなく、ＴＴＶも良好であった。又、ダイボンドシート加熱貼合後のウェハ反り量も小さく、ナイロンであるため加熱軟化もなく、加熱吸着台への接着は無かった。

（参考例４）基材層が十分な通気性空隙を有するポリエステル繊維からなる不織布であり、特に熱プレス等の処理をしていないタイプ（スパンボンドタイプ）であったため厚み精度が良好ではなく、ウェハ裏面研削により若干のディンプルの発生が観られ、ＴＴＶも悪かったが、場合によりかろうじて使用できるレベルであった。また、ダイボンドシート加熱貼合後のウェハ反り量は小さく、又、ポリエステルであるため加熱軟化もなく、加熱吸着台への接着は無かった。
（実施例１）基材層が十分な通気性空隙を有するポリエステル繊維からなる不織布であり、特に熱プレス等の処理をしていないタイプ（スパンボンドタイプ）であるが、その背面側に紫外線で硬化された紫外線硬化型粘着剤層Ａが設けられた構成であるため、ウェハ裏面研削によるディンプルの発生はなく、ＴＴＶも比較的良好であった。又、ダイボンドシート加熱貼合後のウェハ反り量も小さく、又、紫外線で硬化された紫外線硬化型粘着剤層Ａにより加熱軟化もなく、加熱吸着台への接着は無かった。
（参考例５）基材層が十分な通気性空隙を有するポリエステル繊維からなる織物であるが繊維と繊維の継ぎ部（段差１７μｍ）を含んでいるため、その継ぎ目部においてウェハ裏面研削によるディンプルの発生が観られた。又、これによりＴＴＶも若干悪かったが、場合により使用できるレベルであった。ダイボンドシート加熱貼合後のウェハ反り量は小さく、ポリエステルであるため加熱軟化もなく、加熱吸着台への接着は無かった。

（実施例２）基材層がポリエステル繊維からなる織物であるが繊維と繊維の継ぎ部（段差１７μｍ）を含んでいるが、背面側に紫外線で硬化された紫外線硬化型粘着剤層Ａが設けられた構成としているため継ぎ目部においてもウェハ裏面研削によるディンプルの発生は観られなかった。ＴＴＶも良好であった。又、ダイボンドシート加熱貼合後のウェハ反り量は小さく、紫外線で硬化された紫外線硬化型粘着剤層Ａであるため加熱軟化もなく、加熱吸着台への接着は無かった。
（参考例６）基材層がポリエチレン繊維からなる織物であるため、ウェハ裏面研削によるディンプルの発生もなく、ＴＴＶも良好であった。但し、ポリエチレンであるためダイボンドシート加熱貼合時に加熱軟化により吸着台に少し接着した。接着したサンプルを引き剥がして取り出した後、ウェハ反り量を測定したところ小さく良好であった。
（実施例３）基材層がポリエチレン繊維からなる織物であるが、背面側に紫外線で硬化された紫外線硬化型粘着剤層Ａが設けられた構成としているため、ウェハ裏面研削によるディンプルの発生は無く、ＴＴＶも良好であった。又、ダイボンドシート加熱貼合後のウェハ反り量は小さく、実用上問題がなかった。紫外線で硬化された紫外線硬化型粘着剤層Ａであるため加熱軟化もなく、加熱吸着台への接着は無かった。

（比較例１）基材フィルムがＥＭＭＡからなる通気性空隙のないフィルムであるため、ウェハ裏面研削によるディンプルの発生は観られなかったが、ＴＴＶが若干悪かった。又、ＥＭＭＥであるため、ダイボンドシート加熱貼合時に加熱軟化により吸着台へ強固に接着した。接着したサンプルを引き剥がして取り出した後、ウェハ反り量を測定したところ非常に大きい反り量であった。
（比較例２）基材フィルムが通気性の空隙のないポリエステルフィルムであるため、ウェハ裏面研削によるディンプルの発生は観られず、ＴＴＶも良好であった。但し、ダイボンドシート加熱貼合後のウェハ反り量は非常に大きく、吸着台の吸着を開放する以前に反り力により吸着台から外れてしまった。加熱吸着台への接着についてはポリエステルであるため観られなかった。

本発明の表面保護テープの断面図である。 織物を示す拡大図である。 繊維と繊維の継ぎ目部を持つ織物を示す拡大図である。 本発明の他の態様の表面保護テープの断面図である。 半導体ウェハの回路パターン面に表面保護テープを貼合した状態を示す断面図である。 半導体ウェハの回路パターンの無い面側を所定の厚みになるまで研削した後の状態を示す断面図である。 半導体ウェハを表面保護テープの貼合された面を下側にして加熱吸着台に載せた状態を示す断面図である。 半導体ウェハの研削した面側にダイボンドシートを貼合ローラーで貼合する状態を示す断面図である。 加熱吸着台から表面保護テープとダイボンドシート付の半導体ウェハを取り出した状態を示す断面図である。 半導体ウェハの研削した面側にダイボンドシートを貼合ローラーで貼合する状態を示す従来技術の断面図である。 加熱吸着台から表面保護テープとダイボンドシート付の半導体ウェハを取り出した際にウェハに反りが生じた状態を示す従来技術の断面図である。

符号の説明

１ 粘着剤層
２ 基材層
３ 表面保護テープ
４ 織物を形成する繊維
４ａ 織物中にある繊維と繊維の継ぎ目
５ 気孔
６ 放射線で硬化された放射線硬化型粘着剤層
７ 表面保護テープ
８ 回路パターン
９ 半導体ウェハ
１０ 加熱吸着用台
１１ 貼合ロール
１２ ダイボンドシート
１３ 粘着剤層
１４ 基材フィルム
１５ 表面保護テープ

Claims (5)

1. 半導体ウェハの回路パターン面に貼合し、該半導体ウェハの回路パターンのない面を研削し、その後該テープの貼合された面を加熱吸着台に吸着させた状態で加熱する際に使用される半導体ウェハの回路面の表面保護テープであって、該テープの基材層が不織布および／または織物を使用してなり、該基材層の背面側に架橋層が設けられたことを特徴とする半導体ウェハ表面保護テープ。
2. 前記架橋層が放射線で硬化されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ表面保護テープ。
3. 前記架橋層の厚さが２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウェハ表面保護テープ。
4. 前記不織布および／または織物がポリエステル樹脂および／またはナイロン樹脂よりなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体ウェハ表面保護テープ。
5. 前記請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体ウェハ表面保護テープを半導体ウェハの回路パターン面に該テープの粘着剤層を貼合し、該半導体ウェハの回路パターンのない面を研削後、該テープの貼合された面を加熱吸着台に吸着させた状態で、回路パターンのない研削した面側にダイボンドシートを貼合することを特徴とする半導体チップの製造方法。
   

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