JP5005905B2 - 化合物半導体素子および化合物半導体素子製造方法 - Google Patents
化合物半導体素子および化合物半導体素子製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5005905B2 JP5005905B2 JP2005312758A JP2005312758A JP5005905B2 JP 5005905 B2 JP5005905 B2 JP 5005905B2 JP 2005312758 A JP2005312758 A JP 2005312758A JP 2005312758 A JP2005312758 A JP 2005312758A JP 5005905 B2 JP5005905 B2 JP 5005905B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- hexagonal
- boron phosphide
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
坂 公恭著、「結晶電子顕微鏡学」、(株)内田老鶴圃、1997年11月25日発行、第1刷、64〜65頁 Y.Abe他、ジャーナル オブ クリスタル グロ−ス(J.Crystal Growth),(オランダ)、第283巻、2005年、41〜47頁
10a 六方晶の化合物半導体材料の表面
11 {0.0.0.1}結晶面
11a III族原子面
11b V族原子面
12 六方晶の燐化硼素系半導体材料
12a 六方晶の燐化硼素系半導体材料の表面
13 {0.0.0.1.}結晶面
13a III族原子面
13b V族原子面
20,30 LED
200,300 LED用途積層構造体
201,301 単結晶基板
202,302 六方晶III族窒化物半導体層(GaN層)
203,303 六方晶燐化硼素系半導体層(単量体BP層)
204,304 六方晶III族窒化物半導体層(GaN層)
205,305 下部クラッド層
206,306 発光層
207,307 上部クラッド層
208,308 コンタクト層
209,309 p形オーミック電極
210、310 n形オーミック電極
Claims (4)
- 単結晶材料の表面上に形成された燐化硼素系半導体層と、その燐化硼素系半導体層上に形成された化合物半導体層と、を備えてなる化合物半導体素子において、
上記燐化硼素系半導体層は、反位相粒界を含まない六方晶の燐化硼素系半導体からなる層であり、
上記化合物半導体層は、六方晶でかつ反位相粒界を含まない層であり、
上記燐化硼素系半導体層と上記化合物半導体層とは、{1.0.−1.0.}結晶面を界面として接合している、
ことを特徴とする化合物半導体素子。 - 上記燐化硼素系半導体層および上記化合物半導体層は何れも、{0.0.0.1.}結晶面を垂直方向に配列した単結晶層から構成されている、請求項1に記載の化合物半導体素子。
- 上記燐化硼素系半導体層は、六方晶の単量体の燐化硼素からなる層である、請求項1又は2に記載の化合物半導体素子。
- 単結晶材料の表面上に形成された燐化硼素系半導体層と、その燐化硼素系半導体層上に形成された化合物半導体層とを備えてなる化合物半導体素子を製造する化合物半導体素子製造方法において、
上記単結晶材料の表面をなす{1.0.−1.0.}結晶面上に、その表面と{1.0.−1.0.}結晶面をもって接合し、且つ{1.0.−1.0.}結晶面を表面とし、内部に{0.0.0.1.}結晶面が垂直方向に配列されている六方晶の燐化硼素系半導体層を形成する第1の工程と、
上記燐化硼素系半導体層の表面をなす{1.0.−1.0.}結晶面上に、その表面と{1.0.−1.0.}結晶面をもって接合し、且つ{1.0.−1.0.}結晶面を表面とし、その内部に{0.0.0.1.}結晶面が垂直方向に配列されている六方晶のIII族窒化物半導体からなる化合物半導体層を形成する第2の工程と、
を含むことを特徴とする化合物半導体素子製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005312758A JP5005905B2 (ja) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 化合物半導体素子および化合物半導体素子製造方法 |
PCT/JP2006/318098 WO2007029865A1 (en) | 2005-09-07 | 2006-09-06 | Compound semiconductor device |
KR1020087008310A KR100981077B1 (ko) | 2005-09-07 | 2006-09-06 | 화합물 반도체 소자 |
DE112006002403T DE112006002403T5 (de) | 2005-09-07 | 2006-09-06 | Verbindungshalbleiter-Bauelement |
US12/066,055 US8084781B2 (en) | 2005-09-07 | 2006-09-06 | Compound semiconductor device |
TW95133090A TWI310247B (en) | 2005-09-07 | 2006-09-07 | Compound semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005312758A JP5005905B2 (ja) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 化合物半導体素子および化合物半導体素子製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007123497A JP2007123497A (ja) | 2007-05-17 |
JP5005905B2 true JP5005905B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=38147026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005312758A Expired - Fee Related JP5005905B2 (ja) | 2005-09-07 | 2005-10-27 | 化合物半導体素子および化合物半導体素子製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5005905B2 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2809690B2 (ja) * | 1989-01-13 | 1998-10-15 | 株式会社東芝 | 化合物半導体材料とこれを用いた半導体素子およびその製造方法 |
JP2809692B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1998-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH03211888A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3754120B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2006-03-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP3646655B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2005-05-11 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光ダイオード |
JP3700609B2 (ja) * | 2001-06-04 | 2005-09-28 | 昭和電工株式会社 | 化合物半導体発光素子、その製造方法、ランプ及び光源 |
JP3567926B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2004-09-22 | 昭和電工株式会社 | pn接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源 |
JP3779255B2 (ja) * | 2002-10-22 | 2006-05-24 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体素子、その製造方法および発光ダイオード |
JP4282976B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2009-06-24 | 昭和電工株式会社 | リン化硼素系化合物半導体素子、及びその製造方法、並びに発光ダイオード |
JP2005005657A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Sc Technology Kk | 電界効果トランジスタの結晶層構造 |
JP4063801B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2008-03-19 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード |
-
2005
- 2005-10-27 JP JP2005312758A patent/JP5005905B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007123497A (ja) | 2007-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11646395B2 (en) | High efficiency ultraviolet light emitting diode with electron tunnelling | |
EP0783768B1 (en) | Vertical geometry light emitting diode with group iii nitride active layer and extended lifetime | |
KR101855053B1 (ko) | 질화물 반도체 자외선 발광 소자 | |
US7695991B2 (en) | Method for manufacturing GaN semiconductor light-emitting element | |
JP4652888B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体積層構造体の製造方法 | |
JP2006108585A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
WO2011040331A1 (ja) | 発光素子 | |
JP2009129941A (ja) | 発光デバイス | |
JP4917301B2 (ja) | 半導体発光ダイオード | |
JP2007073873A (ja) | 半導体素子 | |
JP4791075B2 (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
JP4700464B2 (ja) | 化合物半導体素子 | |
US7994520B2 (en) | Semiconductor light emitting device having multiple single crystalline buffer layers | |
JP2007073732A (ja) | 化合物半導体素子 | |
JP5005905B2 (ja) | 化合物半導体素子および化合物半導体素子製造方法 | |
JP3541775B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子用ウェハ、その製造方法およびiii族窒化物半導体発光素子 | |
JP2005340762A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP2006024903A (ja) | 窒化ガリウム系半導体積層構造体 | |
JP5005902B2 (ja) | 化合物半導体素子 | |
JP4809669B2 (ja) | 積層構造体、その形成方法および半導体素子 | |
US9076913B2 (en) | Group iii nitride semiconductor light-emitting element | |
JP5005900B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP2012028444A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2007081084A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2006032738A (ja) | 発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120522 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120524 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |