JP5003033B2 - GaN薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにGaN系半導体デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明にかかるGaN薄膜貼り合わせ基板の一実施形態は、図1(d)を参照して、GaNと化学組成の異なる異種基板20と、異種基板20に貼り合わせられている0.1μm以上100μm以下の厚さのGaN薄膜10aとを含む。本実施形態のGaN薄膜貼り合わせ基板1は、異種基板20上に貼り合わせられたGaN薄膜10aの厚さが0.1μm以上100μm以下であるため、GaNバルク結晶から多数のGaN薄膜貼り合わせ基板が得られる。このため、半導体デバイス用基板および半導体デバイスの製造コストが低減できる。
実施形態1Aは、異種基板との界面からの距離が0.1μm以上100μm以下、好ましくは0.1μm以上50μm以下、より好ましくは0.1μm以上10μm以下の面で分割される場合に適用される。実施形態1AのGaN薄膜貼り合わせ基板の製造方法は、図2を参照して、GaNバルク結晶10に異種基板20を貼り合わせる工程(図2(c))前に、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面から0.1μm以上100μm以下の深さTの面10tの位置に、水素イオン、ヘリウムイオンおよび窒素イオンからなる群から選ばれるいずれかのイオン140を注入する工程(図2(a))を含み、GaNバルク結晶10を分割する工程(図2(d))は、GaNバルク結晶10を熱処理することにより行うことを特徴とする。かかる方法により、異種基板との界面からの距離が小さい面において、精度よく、容易かつ確実に、GaN結晶を分割することができる。
実施形態1Bは、異種基板との界面からの距離が0.1μm以上100μm以下、好ましくは10μm以上100μm以下、より好ましくは50μm以上100μm以下の面で分割される場合に適用される。実施形態1BのGaN薄膜貼り合わせ基板の製造方法は、図3を参照して、GaNバルク結晶に、水素イオン、ヘリウムイオンおよび窒素イオンからなる群から選ばれるいずれかのイオンを注入する工程は含まれず、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10n)をエッチング150により清浄面とする工程(図3(a))、GaNバルク結晶10に異種基板20を貼り合わせる工程(図3(b))およびGaNバルク結晶10を分割する工程(図3(c))が含まれる。GaNバルク結晶10を分割する工程(図3(c))は、異種基板との界面から0.1μm以上100μm以下の距離Tを有する面10tでGaNバルク結晶10を切断することにより行うことを特徴とする。かかる方法により、異種基板との界面からの距離が大きい面において、精度よく、容易かつ確実に、GaN結晶を分割することができる。こうして、異種基板20上にGaN薄膜10aが貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板1が得られる。
本発明にかかる第1のGaN系半導体デバイスの一実施形態は、図1(e)を参照して、GaNと化学組成の異なる異種基板20と、異種基板20に貼り合わせられている0.1μm以上100μm以下の厚さのGaN薄膜10aと、GaN薄膜10a上に形成されている少なくとも1層のGaN系半導体層30とを含む。かかる第1のGaN系半導体デバイス2は、GaN薄膜10上にGaN系半導体層30が形成されているため、安価で特性のよい半導体デバイスが得られる。ここで、GaN系半導体とは、化学組成中にGaNが含まれている半導体をいい、たとえば、Al1-x-yGaxInyN(0<x、0≦y、x+y≦1)半導体が挙げられる。なお、図1においては、異種基板20として導電性の基板が図示されているが、絶縁性の基板であってもよい。
本発明にかかる第2のGaN系半導体デバイスの一実施形態は、図1(g)を参照して、0.1μm以上100μm以下の厚さのGaN薄膜10aと、GaN薄膜10a上に形成されている少なくとも1層のGaN系半導体層と、GaN系半導体層30の最外層側に貼り合わせられている放熱導電基板40とを含む。かかる第2のGaN系半導体デバイス3は、GaN薄膜10上にGaN系半導体層30が形成されているため、安価で特性のよい半導体デバイスが得られる。また、第2のGaN系半導体デバイス3は、GaN系半導体層30の最外層側に放熱導電基板40が貼り合わせられているため、高電流を流した際に発生する熱を効果的に放出することが可能となり高出力のGaN系半導体デバイス(特に、GaN系高輝度LED)が得られる。
(1)GaNバルク結晶の作製・研磨
まず、図1(a)を参照して、HVPE法により、下地基板100であるGaAs基板(結晶成長面として(111)Ga面を用いる)またはサファイア基板(結晶成長面として(0001)面を用いる)上に、直径2インチ(50.8mm)のGaNバルク結晶10を10mmの厚さに成長させた。
次に、図2(a)を参照して、イオン注入装置により、ドース量1×1017cm-2および加速電圧50keVの条件で、GaNバルク結晶10のN面10n(貼り合わせ面)からの深さtが0.1μmの面10tの位置に水素イオン140を注入した。
次に、図2(b)を参照して、GaNバルク結晶10のN面10n(貼り合わせ面)を、ドライエッチング装置を用いて、Ar(アルゴン)ガスによるエッチング150を行なうことにより、清浄面とした。このArガスによるエッチングは、RFパワーが100W、Arガス流量が50sccm(sccmは、標準状態(273K、1013hPa)の気体が1分間に流れる体積(cm3)をいう、以下同じ)、雰囲気圧力が13.3Paの条件で行なった。一方、GaNバルク結晶に貼り合わせる異種基板20として、サファイア基板の貼り合わせ面をArガスでエッチングして清浄面とした。このArガスによるエッチングは、RFパワーが100W、Arガス流量が50sccm、雰囲気圧力が6.7Paの条件で行なった。GaNバルク結晶の貼り合わせ面(N面10nに相当)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面に対するオフ角は、それぞれ28μm、12.8nmおよび0.01°であった。ここで、オフ角0.01°は、測定方法の精度の観点から、N面は(0001)面と一致していることを示すものと考える。なお、最大表面粗さRmaxは貼り合わせ面全体についてフラットネステスタを用いて測定を行ない、平均表面粗さRaは貼り合わせ面の100μm×100μmの範囲において中心1点および外周4点の合計5点について光干渉式段差計を用いて測定を行ない、(0001)面に対する貼り合わせ面のオフ角はGaNバルク結晶の貼り合わせ面の中央部をX線回折法を用いて測定を行なった。
次に、図2(d)を参照して、上記のそれぞれの異種基板20が貼り合わせられたGaNバルク結晶10を400℃で熱処理して、水素イオン注入面(1−2.において水素イオンが注入された面をいう、以下同じ)を脆化させて、水素イオン注入面でGaNバルク結晶を分割した。こうして、それぞれの異種基板20上に膜厚0.1μmのGaN薄膜が貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板1が得られた。上記の工程を繰り返すことでGaN薄膜貼り合わせ基板1を24枚得た。
得られたGaN薄膜貼り合わせ基板1の貼り合わせ強度を調べるため、GaN薄膜と異種基板との密着性を以下のようにして評価した。MOCVD装置内に上記GaN薄膜貼り合わせ基板を配置して、NH3(アンモニア)ガス雰囲気中で600℃から1200℃までの昇降温を昇温速度、降温速度ともに10℃/minで3回繰り返した。その後、MOCVD装置からGaN薄膜貼り合わせ基板を取り出し、光学式顕微鏡でGaN薄膜の剥がれの有無を観察し、基板面積のうちGaN薄膜が90%以上異種基板上に残っているものを良品、それ以外を不良品と判定した。その結果、GaN薄膜貼り合わせ基板24枚中2枚のみが良品であった。
GaNバルク結晶10のN面10n(貼り合わせ面)を研削および粗研磨(ラッピング)により鏡面加工したこと以外は、比較例1と同様にしてGaNバルク結晶を得た。得られたGaNバルク結晶の貼り合わせ面(N面)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面に対するオフ角は、それぞれ18μm、5.1nmおよび0.01°であった。このGaNバルク結晶を、比較例1と同様にして、サファイア基板(異種基板)に貼りあわせてGaN薄膜貼り合わせ基板を作製し、GaN薄膜と異種基板との密着性を評価した。その結果、GaN薄膜貼り合わせ基板24枚中13枚が良品であった。
GaNバルク結晶10のN面10n(貼り合わせ面)を研削、粗研磨および微研磨(ポリシング)により鏡面加工したこと以外は、比較例1と同様にしてGaNバルク結晶を得た。得られたGaNバルク結晶の貼り合わせ面(N面)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面に対するオフ角は、それぞれ7μm、5.1nmおよび0.01°であった。このGaNバルク結晶を、実施例1と同様にして、サファイア基板(異種基板)に貼りあわせてGaN薄膜貼り合わせ基板を作製し、GaN薄膜と異種基板との密着性を評価した。その結果、GaN薄膜貼り合わせ基板24枚中16枚が良品であった。
GaNバルク結晶10のN面(貼り合わせ面)10nを研削、粗研磨および微研磨(ポリシング)により鏡面加工した後、Cl2(塩素)ガスによるエッチングを行なうことにより清浄面としたこと以外は、実施例2と同様にしてGaNバルク結晶を得た。ここで、このCl2ガスによるエッチングは、RFパワーが100W、Cl2ガス流量が100sccm、雰囲気圧力が13.3Paの条件で行なった。得られたGaNバルク結晶の貼り合わせ面(N面)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面に対するオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび0.01°であった。このGaNバルク結晶を、実施例1と同様にして、サファイア基板(異種基板)に貼りあわせてGaN薄膜貼り合わせ基板を作製し、GaN薄膜と異種基板との密着性を評価した。その結果、GaN薄膜貼り合わせ基板24枚中17枚が良品であった。
下地基板として、結晶成長面が(111)Ga面から15°傾いたGaAs基板を用いて、直径2インチ(50.8mm)のGaNバルク結晶を10mmの厚さに成長させて、GaNバルク結晶の貼り合わせ面(下地基板側の面)を、研削、粗研磨および微研磨したこと以外は、実施例3と同様にして、GaNバルク結晶を得た。得られたGaNバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面に対するオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび15°であった。このGaNバルク結晶を、実施例1と同様にして、サファイア基板(異種基板)に貼りあわせてGaN薄膜貼り合わせ基板を作製し、GaN薄膜と異種基板との密着性を評価した。その結果、GaN薄膜貼り合わせ基板24枚中19枚が良品であった。
下地基板として、結晶成長面が(111)Ga面から1.7°傾いたGaAs基板を用いた以外は、実施例4と同様にして、GaNバルク結晶を得た。得られたGaNバルク結晶の貼り合わせ面(下地基板側の面)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面に対するオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび1.7°であった。このGaNバルク結晶を、実施例1と同様にして、サファイア基板(異種基板)に貼りあわせてGaN薄膜貼り合わせ基板を作製し、GaN薄膜と異種基板との密着性を評価した。その結果、GaN薄膜貼り合わせ基板24枚中21枚が良品であった。
下地基板として、結晶成長面が(111)Ga面から0.8°傾いたGaAs基板を用いた以外は、実施例4と同様にして、GaNバルク結晶を得た。得られたGaNバルク結晶の貼り合わせ面(下地基板側の面)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面に対するオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび0.8°であった。このGaNバルク結晶を、実施例1と同様にして、サファイア基板(異種基板)に貼りあわせてGaN薄膜貼り合わせ基板を作製し、GaN薄膜と異種基板との密着性を評価した。その結果、GaN薄膜貼り合わせ基板24枚中22枚が良品であった。
下地基板として、(111)Ga面から0.2°傾いたGaAs基板を用いた以外は、実施例4と同様にして、GaNバルク結晶を得た。得られたGaNバルク結晶の貼り合わせ面(下地基板側の面)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面に対するオフ角は、それぞれ7μm、0.7nm、0.2°であった。このGaNバルク結晶を、実施例1と同様にして、サファイア基板(異種基板)に貼りあわせてGaN薄膜貼り合わせ基板を作製し、GaN薄膜と異種基板との密着性を評価した。その結果、GaN薄膜貼り合わせ基板24枚中22枚が良品であった。
(1)GaNバルク結晶の作製・研磨
GaNバルク結晶10の成長を、下地基板100上に図5(a)または(b)に示す第1のマスク層110および第2のマスク層120を含むマスク層130を形成した後に行なったこと以外は、実施例1と同様にして、直径2インチ(50.8mm)のGaNバルク結晶10を10mmの厚さに成長させた。ここで、下地基板100としては、結晶成長面が(111)Ga面から0.5°傾いたGaAs基板を用いた。
次に、図7(b)を参照して、実施例1と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10n(第1の領域11のN面11nおよび第2の領域12の多結晶面12p)で近似される面)からの深さTが0.1μmの面10tの位置に水素イオン140を注入した。
次に、図7(c)を参照して、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10n(第1の領域11のN面11nおよび第2の領域12の多結晶面12p)で近似される面)を、ドライエッチング装置を用いて、Cl2ガスによるエッチング150を行なうことにより、清浄面とした。一方、GaNバルク結晶に貼り合わせる異種基板20として、サファイア基板の貼り合わせ面をArガスでエッチングして清浄面とした。ここで、Cl2ガスによるエッチングおよびArガスによるエッチングは、実施例3と同様の条件で行なった。ここで、図7(c)を参照して、第2の領域12が平均粒径が5μm程度以上の多結晶で形成されている場合、第1の領域11のN面11nは、第2の領域12の多結晶面12pに比べてエッチング速度が大きいため、GaNバルク結晶の貼り合わせ面(GaNバルク結晶10のN面10nで近似される面)には、図7(c)に示すような数十nm程度の凹凸(空隙部10v)が生じる。GaNバルク結晶の貼り合わせ面(空隙部10vを除いた部分)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面からのオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび0.5°であった。このGaNバルク結晶を、実施例1と同様にして、サファイア基板(異種基板)に貼り合わせた。
実施例9は、実施形態1および実施形態1AのGaN薄膜貼り合わせ基板の一具体例として、膜厚0.1μmの導電性のGaN薄膜が貼り合わせられたGaN薄膜貼り合わせ基板である。実施例9のGaN薄膜貼り合わせ基板は、LED(発光ダイオード)、LD(半導体レーザ)などの発光デバイス用基板として好ましく用いられる。
まず、図1(a)を参照して、HVPE法により、下地基板100である結晶成長面が(111)Ga面から0.4°傾いたGaAs基板上に、直径2インチ(50.8mm)のGaNバルク結晶10を10mmの厚さに成長させた。
次に、図2(a)を参照して、イオン注入装置により、ドース量1×1017cm-2および加速電圧50keVの条件で、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10nで近似される面)からの深さtが0.1μmの面10tの位置に水素イオン140を注入した。
次に、図2(b)を参照して、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10nで近似される面)を、ドライエッチング装置を用いて、Cl2ガスによるエッチング150を行なうことにより、清浄面とした。このCl2ガスによるエッチングは、RFパワーが100W、Cl2ガス流量が100sccm、雰囲気圧力が13.3Paの条件で行なった。一方、GaNバルク結晶に貼り合わせる異種基板20として、サファイア基板、AlN基板、SiC基板、ZnSe基板、Si基板、MgO基板、ZnO基板、ZnS基板、石英基板、カーボン基板およびダイヤモンド基板のそれぞれの基板の貼り合わせ面をArガスでエッチングして清浄面とした。このArガスによるエッチングは、RFパワーが100W、Arガス流量が50sccm、雰囲気圧力が6.7Paの条件で行なった。ここで、GaNバルク結晶のエッチングにおいてCl2ガスを用いて化学的エッチングを行なうことにより、GaNバルク結晶表面に形成される酸化層を化学的に除去することができ、Arガスを用いた物理的エッチングを行なうよりも、平面平坦性が高くなり、接着強度を高めることができる。GaNバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面からのオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび0.4°であった。
次に、図2(d)を参照して、上記のそれぞれの異種基板20が貼り合わせられたGaNバルク結晶10を400℃で熱処理して、水素イオン注入面((2)において水素イオンが注入された面)を脆化させて、水素イオン注入面でGaNバルク結晶を分割した。こうして、それぞれの異種基板20上に膜厚0.1μmのGaN薄膜が貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板1が得られた。ここで、GaN薄膜10aが分割された後のGaNバルク結晶10bは次のGaN薄膜貼り合わせ基板の製造に用いられる。
実施例10は、実施形態1および実施形態1BのGaN薄膜貼り合わせ基板の一具体例として、膜厚100μmの導電性のGaN薄膜が貼り合わせられたGaN薄膜貼り合わせ基板である。実施例10のGaN薄膜貼り合わせ基板は、LED、LDなどの発光デバイス用基板として好ましく用いられる。
実施例9と同様にして、直径2インチ(50.8mm)で厚さ10mmの自立性(フリースタンディング)のGaNバルク結晶10(転位密度:1×105cm-2以上1×109cm-2以下、キャリア濃度:2×1018cm-3、比抵抗:0.02Ωcm)を得た。次いで、実施例9と同様にして、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10nで近似される面)を研磨により鏡面加工した。
次に、図3(a)を参照して、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10nで近似される面)を、ドライエッチング装置を用いて、Cl2ガスによるエッチング150を行なうことにより、清浄面とした。一方、GaNバルク結晶に貼り合わせる異種基板20として、サファイア基板、AlN基板、SiC基板、ZnSe基板、Si基板、MgO基板、ZnO基板、ZnS基板、石英基板、カーボン基板、ダイヤモンド基板、Ga2O3基板およびZrB2基板のそれぞれの基板の貼り合わせ面をArガスでエッチングして清浄面とした。ここで、Cl2ガスによるエッチングおよびArガスによるエッチングは、実施例9と同様の条件で行なった。GaNバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面からのオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび0.4°であった。次に、図3(b)参照して、実施例9と同様に、GaNバルク結晶10と上記のそれぞれの異種基板20とを貼り合わせた。
次に、図3(c)を参照して、異種基板20との界面からの距離Tが100μmの面10tで、放電加工機、ワイヤーソー、外周刃または内周刃を用いて、GaNバルク結晶10を切断して、異種基板20上に厚さ100μmのGaN薄膜10aが貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板1が得られた。ここで、GaN薄膜10aが分割された後のGaNバルク結晶10bは次のGaN薄膜貼り合わせ基板の製造に用いられる。
実施例11は、実施形態1および実施形態1AのGaN薄膜貼り合わせ基板の他の具体例として、単結晶で形成されている第1の領域と第1の領域に対して[0001]方向が反転している単結晶で形成されている領域である第2の領域とを含む膜厚0.1μmの導電性のGaN薄膜が貼り合わせられたGaN薄膜貼り合わせ基板である。実施例11のGaN薄膜貼り合わせ基板は、LED、LDなどの発光デバイス用基板として好ましく用いられる。
GaNバルク結晶10の成長を、下地基板100上に図5(a)または(b)に示す第1のマスク層110および第2のマスク層120を含むマスク層130を形成した後に行なったこと以外は、実施例9と同様にして、直径2インチ(50.8mm)のGaNバルク結晶10を10mmの厚さに成長させた。
次に、図7(b)を参照して、実施例9と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10n(第1の領域11のN面11nおよび第2の領域12のGa面12g)で近似される面)からの深さTが0.1μmの面10tの位置に水素イオン140を注入した。
次に、図7(c)を参照して、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10n(第1の領域11のN面11nおよび第2の領域12のGa面12g)で近似される面)を、ドライエッチング装置を用いて、Cl2ガスによるエッチング150を行なうことにより、清浄面とした。一方、GaNバルク結晶に貼り合わせる異種基板20として、サファイア基板、AlN基板、SiC基板、ZnSe基板、Si基板、MgO基板、ZnO基板、ZnS基板、石英基板、カーボン基板、ダイヤモンド基板、Ga2O3基板およびZrB2基板のそれぞれの基板の貼り合わせ面をArガスでエッチングして清浄面とした。ここで、Cl2ガスによるエッチングおよびArガスによるエッチングは、実施例9と同様の条件で行なった。ここで、第1の領域11のN面11nは、第2の領域のGa面12gに比べてエッチング速度が大きいため、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10nで近似される面)には、図7(c)に示すような数十nm程度の凹凸(空隙部10v)が生じる。GaNバルク結晶の貼り合わせ面(空隙部10vを除いた部分)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面からのオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび0.4°であった。
次に、図7(e)を参照して、上記のそれぞれの異種基板20が貼り合わせられたGaNバルク結晶10を400℃で熱処理して、水素イオン注入面((2)において水素イオンが注入された面)を脆化させて、水素イオン注入面でGaNバルク結晶を分割した。こうして、それぞれの異種基板20上に膜厚0.1μmのGaN薄膜10aが貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板1が得られた。ここで、GaN薄膜10aが分割された後のGaNバルク結晶10bは次のGaN薄膜貼り合わせ基板の製造に用いられる。
実施例12は、実施形態1および実施形態1AのGaN薄膜貼り合わせ基板のさらに他の具体例として、膜厚0.1μmの半絶縁性のGaN薄膜が貼り合わせられたGaN薄膜貼り合わせ基板である。実施例12のGaN薄膜貼り合わせ基板は、高周波デバイス、HEMT(High Electron Mobility Transistor;高電子移動トランジスタ)などの電子デバイス用基板として好ましく用いられる。
GaNバルク結晶成長の際にFe、CrまたはVを4×1018cm-3だけドーピングしたこと以外は、実施例9と同様にして、直径2インチ(50.8mm)で厚さ10mmの自立性(フリースタンディング)の半絶縁性のGaNバルク結晶10(転位密度:1×105cm-2以上1×109cm-2以下、比抵抗:1×107Ωcm)を得た。次いで、実施例9と同様にして、GaNバルク結晶10のN面10nを研磨により鏡面加工した。
次に、実施例9と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶の貼り合わせ面(N面で近似される面)からの深さTが0.1μmの面の位置に水素イオンを注入した。
次に、実施例9と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶の貼り合わせ面(N面で近似される面)を、Cl2ガスによるエッチングを行なうことにより、清浄面とした。一方、実施例9と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶に貼り合わせる異種基板として、サファイア基板、AlN基板、SiC基板、ZnSe基板、Si基板、MgO基板、ZnO基板、ZnS基板、石英基板、カーボン基板、ダイヤモンド基板、Ga2O3基板およびZrB2基板のそれぞれの基板の貼り合わせ面をArガスでエッチングして清浄面とした。GaNバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面からのオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび0.4°であった。次に、実施例9と同様にして、GaNバルク結晶と上記のそれぞれの異種基板とを貼り合わせた。
次に、実施例9と同様にして、上記のそれぞれの異種基板が貼り合わせられたGaNバルク結晶を400℃で熱処理して、水素イオン注入面((2)において水素イオンが注入された面)を脆化させて、水素イオン注入面でGaNバルク結晶を分割した。こうして、それぞれの異種基板上に膜厚0.1μmの半絶縁性のGaN薄膜が貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板が得られた。ここで、GaN薄膜が分割された後のGaNバルク結晶は次のGaN薄膜貼り合わせ基板の製造に用いられる。
実施例13は、実施形態1および実施形態1AのGaN薄膜貼り合わせ基板のさらに他の具体例として、単結晶で形成されている第1の領域と多結晶で形成されている第2の領域とを含む膜厚0.1μmの半絶縁性のGaN薄膜が貼り合わせられたGaN薄膜貼り合わせ基板である。実施例13のGaN薄膜貼り合わせ基板は、高周波デバイス、HEMT(High Electron Mobility Transistor;高電子移動トランジスタ)などの電子デバイス用基板として好ましく用いられる。
GaNバルク結晶成長の際にFe、CrまたはVを5×1018cm-3だけドーピングしたことおよび窒素原料ガスの分圧を高く(具体的には23kPa以上と)したこと以外は、実施例11と同様にして、単結晶で形成されている第1の領域と多結晶で形成されている第2の領域とを含む、厚さ10mmの自立性(フリースタンディング)の半絶縁性のGaNバルク結晶10(転位密度:1×104cm-2以上1×108cm-2以下、比抵抗:1×107Ωcm)を得た。したがって、図6(c)を参照して、GaNバルク結晶10のN面10には第1の領域11のN面11nと第2の領域の多結晶面12pが含まれ、GaNバルク結晶10のGa面10gには第1の領域のGa面11gと第2の領域の多結晶面12qが含まれる。次いで、実施例11と同様にして、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10nで近似される面)を研磨により鏡面加工した。
次に、実施例11と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶のN面(第1の領域のN面および第2の領域のGa面)からの深さが0.1μmの面の位置に水素イオンを注入した。
次に、実施例11と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶の貼り合わせ面(N面10n(第1の領域11のN面11nおよび第2の領域12の多結晶面12p)で近似される面)を、Cl2ガスによるエッチングを行なうことにより、清浄面とした。ここで、図7(c)を参照して、第2の領域12が平均粒径が5μm程度以上の多結晶で形成されている場合、第1の領域11のN面11nは、第2の領域12の多結晶面12pに比べてエッチング速度が大きいため、GaNバルク結晶10の貼り合わせ面(N面10nで近似される面)には、図7(c)に示すような数十nm程度の凹凸(空隙部10v)が生じる。GaNバルク結晶の貼り合わせ面(空隙部を除いた部分)の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面からのオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび0.4°であった。
次に、実施例11と同様に、上記のそれぞれの異種基板が貼り合わせられたGaNバルク結晶を400℃で熱処理して、水素イオン注入面((2)において水素イオンが注入された面)を脆化させて、水素イオン注入面でGaNバルク結晶を分割した。こうして、それぞれの異種基板上に膜厚0.1μmのGaN薄膜が貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板が得られた。ここで、GaN薄膜が分割された後のGaNバルク結晶は次のGaN薄膜貼り合わせ基板の製造に用いられる。
実施例14は、実施形態1および実施形態1AのGaN薄膜貼り合わせ基板のさらに他の具体例として、単結晶で形成されている第1の領域と第1の領域に対して[0001]方向が反転している単結晶で形成されている第2の領域とを含む膜厚0.1μmの導電性のGaN薄膜が貼り合わせられたGaN薄膜貼り合わせ基板である。実施例14のGaN薄膜貼り合わせ基板は、縦型トランジスタなどの電子デバイス用基板として好ましく用いられる。
実施例11と同様にして、単結晶で形成されている第1の領域と第1の領域に対して[0001]方向が反転している単結晶で形成されている第2の領域とを含む、直径2インチ(50.8mm)で厚さ10mmの自立性(フリースタンディング)の導電性のGaNバルク結晶(転位密度:1×104cm-2以上1×108cm-2以下、キャリア濃度:4×1018cm-3、比抵抗:0.01Ωcm)を得た。次いで、実施例3と同様にして、GaNバルク結晶のN面を研磨により鏡面加工した。
次に、実施例11と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶の貼り合わせ面(N面(第1の領域のN面および第2の領域のGa面)で近似される面)からの深さが0.1μmの面の位置に水素イオンを注入した。
次に、実施例11と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶の貼り合わせ面(N面(第1の領域のN面および第2の領域のGa面)で近似される面)を、Cl2ガスによるエッチングを行なうことにより、清浄面とした。ここで、図7(c)を参照して、第1の領域11のN面11nは、第2の領域12のGa面12gに比べてエッチング速度が大きいため、GaNバルク結晶10のN面10nには、図7(c)に示すような数十nm程度の凹凸が生じる。一方、実施例11と同様の方法および条件で、GaNバルク結晶に貼り合わせる異種基板として、サファイア基板、AlN基板、SiC基板、ZnSe基板、Si基板、MgO基板、ZnO基板、ZnS基板、石英基板、カーボン基板、ダイヤモンド基板、Ga2O3基板およびZrB2基板のそれぞれの基板の貼り合わせ面をArガスでエッチングして清浄面とした。GaNバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さRmax、平均表面粗さRaおよび(0001)面からのオフ角は、それぞれ7μm、0.7nmおよび0.4°であった。
次に、実施例11と同様に、上記のそれぞれの異種基板が貼り合わせられたGaNバルク結晶を400℃で熱処理して、水素イオン注入面((2)において水素イオンが注入された面)を脆化させて、水素イオン注入面でGaNバルク結晶を分割した。こうして、それぞれの異種基板上に膜厚0.1μmのGaN薄膜が貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板が得られた。ここで、GaN薄膜が分割された後のGaNバルク結晶は次のGaN薄膜貼り合わせ基板の製造に用いられる。
実施例15は、図8を参照して、実施形態2の第1のGaN系半導体デバイスの一具体例として、片面電極型(一方の主面側に電極を有する型をいう、以下同じ)のLEDである。実施例15のLEDにおいては、基板として実施例11において作製された、絶縁性のサファイア基板(異種基板20)に単結晶で形成されている第1の領域と第1の領域に対して[0001]方向が反転している単結晶で形成されている第2の領域とを含む厚さ0.1μmのGaN薄膜10aが貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板1が用いられている。
図8を参照して、実施例15のLEDは、以下の製造方法により作製された。すなわち、上記のGaN薄膜貼り合わせ基板1(サファイア基板(異種基板20)上にGaN薄膜10aが貼り合わせられている)のGaN薄膜10a上に、MOCVD法により、GaN系半導体層30として、厚さ5μmのn型GaN層31、厚さ0.5μmのn型Al0.05Ga0.95N層32、6対のIn0.15Ga0.85N層およびIn0.01Ga0.99N層からなるMQW(多重量子井戸)構造を有する厚さ100nmの発光層33、厚さ20nmのp型Al0.20Ga0.80N層34、厚さ0.15μmのp型GaN層35を順次成長させた。こで、実施例11において作製された本GaN薄膜貼り合わせ基板は、異種基板とGaN薄膜との間に空隙部が形成されているため、上記GaN系半導体層をエピタキシャル成長させる際に、異種基板とGaN薄膜との間の熱膨張係数の差に由来する応力が緩和され、異種基板、GaN薄膜およびGaN系半導体層のいずれにもクラックの発生は見られなかった。
上記実施例15、比較例R15について、それぞれのLEDのピーク波長450nmにおける発光スペクトルの発光強度をEL(エレクトロルミネッセンス)法により測定したところ、比較例R15に対する実施例15のLEDの相対発光強度は1.2であった。さらに、実施例15’、比較例R15’について、それぞれのLEDのピーク波長350nmにおける発光スペクトルの発光強度をEL(エレクトロルミネッセンス)法により測定したところ、比較例R15’に対する実施例15’のLEDの相対発光強度は10であった。このことより、GaN薄膜貼り合わせ基板を用いることにより、発光強度が高く特性の高いLEDを低コストで製造することができたことがわかる。
実施例16は、図9を参照して、実施形態2の第1のGaN系半導体デバイスのさらに他の具体例として、両面電極型(両方の主面側に電極を有する型をいう、以下同じ)のLEDである。実施例16のLEDにおいては、基板として実施例11において作製された、導電性のSi基板(異種基板20)に単結晶で形成されている第1の領域と第1の領域に対して[0001]方向が反転している単結晶で形成されている第2の領域とを含む厚さ0.1μmの導電性のGaN薄膜10aが貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板1が用いられている。
図9を参照して、実施例16のLEDは、以下の製造方法により作製された。すなわち、上記のGaN薄膜貼り合わせ基板1(Si基板(異種基板20)上にGaN薄膜10aが貼り合わせられている)のGaN薄膜10a上に、MOCVD法により、GaN系半導体層30として、厚さ2μmのn型GaN層31、厚さ0.5μmのn型Al0.05Ga0.95N層32、6対のIn0.15Ga0.85N層およびAl0.01Ga0.99N層からなるMQW構造を有する厚さ100nmの発光層33、厚さ20nmのp型Al0.20Ga0.80N層34、厚さ0.15μmのp型GaN層35を順次成長させた。ここで、実施例11において作製された本GaN薄膜貼り合わせ基板は、異種基板とGaN薄膜との間に空隙部が形成されているため、上記GaN系半導体層をエピタキシャル成長させる際に、異種基板とGaN薄膜との間の熱膨張係数の差に由来する応力が緩和され、異種基板、GaN薄膜およびGaN系半導体層のいずれにもクラックの発生は見られなかった。
実施例17は、図10を参照して、実施形態3の第2のGaN系半導体デバイスの一具体例として、両面電極型のLEDである。実施例17のLEDは、厚さ0.1μmの導電性のGaN薄膜10a上に少なくとも1層のGaN系半導体層30が形成され、かかるGaN系半導体層30の最上層側に放熱導電基板40が貼り合わせられた構造を有する。
図10を参照して、実施例17のLEDは、以下の製造方法により作製された。すなわち、まず、図10(a)を参照して、実施例11において作製されたGaN薄膜貼り合わせ基板1(絶縁性のサファイア基板(異種基板20)上に厚さ0.1μmのGaN薄膜10aが貼り合わせられている)のGaN薄膜10a上に、MOCVD法により、GaN系半導体層30として、厚さ2μmのn型GaN層31、厚さ0.5μmのn型Al0.05Ga0.95N層32、6対のIn0.15Ga0.85N層およびAl0.01Ga0.99N層からなるMQW構造を有する厚さ100nmの発光層33、厚さ20nmのp型Al0.20Ga0.80N層34、厚さ0.15μmのp型GaN層35を順次成長させた。ここで、実施例11において作製された本GaN薄膜貼り合わせ基板は、異種基板とGaN薄膜との間に空隙部が形成されているため、上記GaN系半導体層をエピタキシャル成長させる際に、異種基板とGaN薄膜との間の熱膨張係数の差に由来する応力が緩和され、異種基板、GaN薄膜およびGaN系半導体層のいずれにもクラックの発生は見られなかった。次いで、真空蒸着法により、p型GaN層35上にp側電極51を形成した。
上記実施例17および比較例R17について、それぞれのLEDのピーク波長450nmにおける発光スペクトルの発光強度を測定したところ、比較例R17に対する実施例17のLEDの相対発光強度は1.2であった。このことより、GaN薄膜貼り合わせ基板を用いることにより、発光強度が高く特性の高いLEDを低コストで製造することができたことがわかる。また、実施例17のLEDは、サファイア基板(異種基板20)が除去されたことにより、光の取り出し効率がより高められた。また、実施例17のLEDは、両方の主面側に電極を有するため両側の主面間で導電することから、チップサイズが小型化された。
実施例18は、図11を参照して、実施形態2の第1のGaN系半導体デバイスのさらに他の具体例として、HEMTである。実施例18のHEMTにおいては、基板として実施例12において作製された、絶縁性のサファイア基板(異種基板20)に厚さ0.1μmの半絶縁性のGaN薄膜10aが貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板1が用いられている。
図11を参照して、実施例18のHEMTは、以下の製造方法により作製された。すなわち、上記のGaN薄膜貼り合わせ基板1(サファイア基板(異種基板20)上にGaN薄膜10aが貼り合わせられている)のGaN薄膜10a上に、MOCVD法により、GaN系半導体層30として、厚さ3μmのi型GaN層36、厚さ30nmのi型Al0.25Ga0.75N層37を順次成長させた。次に、フォトリソグラフィ法およびリフトオフ法を用いて、i型Al0.25Ga0.75N層37上にソース電極53およびドレイン電極54を形成した。ここで、ソース電極53およびドレイン電極54は、いずれも50nmのTi層、100nmのAl層、20nmのTi層および200nmのAu層を積層し、800℃で30秒間熱処理することにより合金化することにより形成した。また、同様の方法を用いて、i型Al0.25Ga0.75N層37上にゲート電極55として、厚さ300nmのAu層を、ゲート幅2μm、ゲート長さ150μmとなるように形成した。こうして、HEMTを形成し、その動作確認を行った。
実施例19は、図12を参照して、実施形態2の第1のGaN系半導体デバイスのさらに他の具体例となる縦型トランジスタである。実施例19の縦型トランジスタにおいては、基板として実施例14において作製された、導電性の基板(異種基板20)に、単結晶で形成されている第1の領域と第1の領域に対して[0001]方向が反転している単結晶で形成されている第2の領域とを含む厚さ0.1μmの導電性のGaN薄膜10aが貼り合わせられているGaN薄膜貼り合わせ基板1が用いられている。
図12を参照して、実施例19の縦型トランジスタは、以下の製造方法により作製された。まず、上記のGaN薄膜貼り合わせ基板1(導電性のSi基板(異種基板20)上にGaN薄膜10aが貼り合わせられている)のGaN薄膜10a上に、MOCVD法により、GaN系半導体層30として、厚さ10μmのn-型GaN層38(電子濃度:1×1016cm-3)を成長させた。
Claims (12)
- GaN薄膜貼り合わせ基板の製造方法であって、
GaNバルク結晶にGaNと化学組成の異なる異種基板を貼り合わせる工程と、前記異種基板との界面から0.1μm以上100μm以下の距離を有する面で前記GaNバルク結晶を分割して前記異種基板上にGaN薄膜を形成する工程とを含み、
前記GaNバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さRmaxが20μm以下であり、前記GaNバルク結晶の貼り合わせ面と(0001)面とのオフ角が0.03°以上20°以下であることを特徴とするGaN薄膜貼り合わせ基板の製造方法。 - 前記GaNバルク結晶に前記異種基板を貼り合わせる工程前に、前記GaNバルク結晶の貼り合わせ面から0.1μm以上100μm以下の深さの面の位置に、水素イオン、ヘリウムイオンおよび窒素イオンからなる群から選ばれるいずれかのイオンを注入する工程を含み、
前記GaNバルク結晶を分割する工程は、前記GaNバルク結晶を熱処理することにより行うことを特徴とする請求項1に記載のGaN薄膜貼り合わせ基板の製造方法。 - 前記GaNバルク結晶を分割する工程は、前記異種基板との界面から0.1μm以上100μm以下の距離を有する面で前記GaNバルク結晶を切断することにより行うことを特徴とする請求項1に記載のGaN薄膜貼り合わせ基板の製造方法。
- 請求項1から請求項3までのいずれかの製造方法により得られたGaN薄膜貼り合わせ基板を用いた第1のGaN系半導体デバイスの製造方法であって、
前記GaN薄膜貼り合わせ基板の前記GaN薄膜上に、少なくとも1層のGaN系半導体層を成長させる工程を含む第1のGaN系半導体デバイスの製造方法。 - 請求項4の製造方法により得られた第1のGaN系半導体デバイスを用いた第2のGaN系半導体デバイスの製造方法であって、
前記第1のGaN系半導体デバイスの前記GaN系半導体層の最外層側に放熱導電板を貼り付ける工程と、前記GaN薄膜と前記異種基板とを分離する工程を含む第2のGaN系半導体デバイスの製造方法。 - GaNと化学組成の異なる異種基板と、前記異種基板に貼り合わせられている0.1μm以上100μm以下の厚さのGaN薄膜とを含み、
前記GaN薄膜の貼り合わせ面と(0001)面とのオフ角が0.03°以上20°以下であるGaN薄膜貼り合わせ基板。 - 前記GaN薄膜は、転位密度が1×109cm-2以下である請求項6に記載のGaN薄膜貼り合わせ基板。
- 前記GaN薄膜は、キャリア濃度が1×1017cm-3以上である請求項6または請求項7に記載のGaN薄膜貼り合わせ基板。
- 前記GaN薄膜は、単結晶で形成されている第1の領域と前記第1の領域に対して[0001]方向が反転している単結晶で形成されている領域および多結晶で形成されている領域の少なくともいずれかの領域である第2の領域とを含む請求項6から請求項8までのいずれかに記載のGaN薄膜貼り合わせ基板。
- 前記異種基板は、熱膨張係数が1×10-8以上1×10-5以下である請求項6から請求項9までのいずれかに記載のGaN薄膜貼り合わせ基板。
- GaNと化学組成の異なる異種基板と、前記異種基板に貼り合わせられている0.1μm以上100μm以下の厚さのGaN薄膜と、前記GaN薄膜上に形成されている少なくとも1層のGaN系半導体層とを含み、
前記GaN薄膜の貼り合わせ面と(0001)面とのオフ角が0.03°以上20°以下である第1のGaN系半導体デバイス。 - 0.1μm以上100μm以下の厚さのGaN薄膜と、前記GaN薄膜上に形成されている少なくとも1層のGaN系半導体層と、前記GaN系半導体層の最外層側に貼り合わせられている放熱導電基板とを含み、
前記GaN薄膜の主面と(0001)面とのオフ角が0.03°以上20°以下である第2のGaN系半導体デバイス。
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