JP4996637B2 - リソグラフィ装置及び方法 - Google Patents
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Description
− 放射ビームPB(例えばUV放射、DUV放射又はEUV放射)を調節する照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、アイテムPLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置PMに接続された支持構造(例えば支持構造)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持し、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に結像するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PLと、
− リソグラフィ装置の少なくとも一部を制御して、アラインメントマークを含む層上に提供された1つ又は複数の層の厚さ又は屈折率、又はこれらの層の平坦度、又はアラインメントマークを含む層の平坦度を考慮に入れる制御装置CRとを備える。
APD≒TH(α/n)
ここで、THは第二層16の厚さである。第二層16の厚さが、さらに入射放射ビーム18の屈折率n及び入射角が一定である場合、アラインメントマーク14の決定された位置DPの逸脱APDも、基板10全体で一定で、一貫している。つまり、アラインメントマークの決定された位置DPを使用して、基板10上に提供された層にパターンを適用する場合、例えば1つ又は複数の要素を逸脱APDに比例する、又はそれに対応する量だけ移動させることによって、逸脱APDを考慮することができる。
APD≒(TH+dTH)α/n
又は言い換えると、図3と比較して、逸脱APDは下式の量だけ増加している。
APDの増加≒(dTH)α/n
厚さの変化dTHが第二層16の全体で一定であった場合は、再び逸脱APDを考慮に入れた補正が、基板及び第二層16の全体で一定になる。しかし、厚さの変化が一定になる可能性は低く、例えば回転付着効果(spinning deposition effects)、又は機械的又は化学的研磨プロセスなどの処理状態により、基板全体で変化することがある。つまり、補正が必要な逸脱APDが、実際には基板10全体で一定ではない。予想される一定の逸脱APDに対して一定の補正をすると、実際には基板全体で(及び異なる基板にわたって)様々な程度のオーバレイ誤差が生じることになる。
APD≒TH(α/n+2θ)
したがって、基板が提供されている1つ又は複数の層が均一の厚さではないか、基板に対して平坦ではなく、これらの不均一性が基板全体で変化する場合、アラインメントマーク14の決定された位置DPと実際の位置RPとの間の逸脱APDも、基板全体で変化することが分かる。
Claims (8)
- 基板上に提供されている第一層上に設けられたアラインメントマークを使用するリソグラフィ方法であって、
複数のアライメントマークの位置の変化が、前記基板の方向の変化を反映することに基づいて、前記アラインメントマークの位置を決定し、前記複数のアラインメントマークのうち、前記基板に対して平坦である又は指定された角度範囲内に配向されたアラインメントマークのみを使用して、その後に適用されるパターンを位置合わせすること、
を含み、
前記第一層上に提供された前記アラインメントマークが第二層で覆われ、
前記アラインメントマークの位置の変化APDが、下記式(1)及び/又は下記式(2);
APD≒(TH+dTH)α/n …(1)、
APD≒TH(α/n+2θ) …(2)、
(式(1)及び式(2)中、THは、前記第二層の厚さを示し、dTHは、前記第二層の厚さの変化を示し、αは、前記アラインメントマークの位置を決定するための入射放射ビームの入射角を示し、nは、前記第二層における前記入射放射ビームの屈折率を示し、θは、前記第一層の上面が前記基板に対してなす角度を示す。)、
で表される関係に起因する、
方法。 - 前記角度範囲が0から300μラジアンである、
請求項1に記載の方法。 - 前記角度範囲が0から50μラジアンである、
請求項1に記載の方法。 - 放射ビームを提供する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
使用時に、前記基板上に提供された第一層上に設けられたアラインメントマークを使用し、複数のアライメントマークの位置の変化が、前記基板の方向の変化を反映することに基づいて、前記アラインメントマークの位置を決定し、前記複数のアラインメントマークのうち、前記基板に対して平坦である又は指定された角度範囲内に配向されたアラインメントマークのみを使用して、その後に適用されるパターンを位置合わせするように構成された制御装置と、
を備え、
前記第一層上に提供された前記アラインメントマークが第二層で覆われ、
前記アラインメントマークの位置の変化APDが、下記式(1)及び/又は下記式(2);
APD≒(TH+dTH)α/n …(1)、
APD≒TH(α/n+2θ) …(2)、
(式(1)及び式(2)中、THは、前記第二層の厚さを示し、dTHは、前記第二層の厚さの変化を示し、αは、前記アラインメントマークの位置を決定するための入射放射ビームの入射角を示し、nは、前記第二層における前記入射放射ビームの屈折率を示し、θは、前記第一層の上面が前記基板に対してなす角度を示す。)、
で表される関係に起因する、
リソグラフィ装置。 - 基板上に提供されている第一層上に設けられたアラインメントマークを使用するリソグラフィ方法であって、
複数のアライメントマークの位置の変化が、前記基板の方向の変化を反映することに基づいて、前記アラインメントマークの位置を決定し、前記複数のアラインメントマークのうち、前記基板に対して平坦である又は指定された角度範囲内にある前記第一層の部分の中又は上に設けられたアラインメントマークのみを使用して、その後に適用されるパターンを位置合わせすること、
を含み、
前記第一層上に提供された前記アラインメントマークが第二層で覆われ、
前記アラインメントマークの位置の変化APDが、下記式(1)及び/又は下記式(2);
APD≒(TH+dTH)α/n …(1)、
APD≒TH(α/n+2θ) …(2)、
(式(1)及び式(2)中、THは、前記第二層の厚さを示し、dTHは、前記第二層の厚さの変化を示し、αは、前記アラインメントマークの位置を決定するための入射放射ビームの入射角を示し、nは、前記第二層における前記入射放射ビームの屈折率を示し、θは、前記第一層の上面が前記基板に対してなす角度を示す。)、
で表される関係に起因する、
方法。 - 前記角度範囲が0から300μラジアンである、
請求項5に記載の方法。 - 前記角度範囲が0から50μラジアンである、
請求項5に記載の方法。 - 放射ビームを提供する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
使用時に、前記基板上に提供された第一層上に設けられたアラインメントマークを使用し、複数のアライメントマークの位置の変化が、前記基板の方向の変化を反映することに基づいて、前記アラインメントマークの位置を決定し、前記複数のアラインメントマークのうち、前記基板に対して平坦である又は指定された角度範囲内にある前記第一層の部分の中又は上に設けられたアラインメントマークのみを使用して、その後に適用されるパターンを位置合わせするように構成された制御装置と、
を備え、
前記第一層上に提供された前記アラインメントマークが第二層で覆われ、
前記アラインメントマークの位置の変化APDが、下記式(1)及び/又は下記式(2);
APD≒(TH+dTH)α/n …(1)、
APD≒TH(α/n+2θ) …(2)、
(式(1)及び式(2)中、THは、前記第二層の厚さを示し、dTHは、前記第二層の厚さの変化を示し、αは、前記アラインメントマークの位置を決定するための入射放射ビームの入射角を示し、nは、前記第二層における前記入射放射ビームの屈折率を示し、θは、前記第一層の上面が前記基板に対してなす角度を示す。)、
で表される関係に起因する、
リソグラフィ装置。
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