JP4994988B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。

従来から、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる高密度多層配線基板として、ビルドアップ配線基板がある。図２８は、一般的なビルドアップ配線基板を示す概略断面図である。同図に示すように、このビルドアップ配線基板８０は、厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板８１の両面に銅箔から成る配線導体８２を有するコア基板８３と、このコア基板８３の両面に、それぞれの厚みが１０〜１００μｍ程度の樹脂から成る絶縁層８４と、めっき膜から成る配線導体８５とを交互に積層して成る。このようなビルドアップ配線基板８０は、例えば下記の方法により製作される。

まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁シートを準備する。次に、この絶縁シートの両面に銅箔を張着するとともに、絶縁シート中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて両面銅張り板を得る。この両面銅張り板に、その上下面を貫通するスルーホールを穿孔するとともに、前記スルーホール内壁にめっき膜を被着させて、上下面の銅箔をスルーホール内のめっき膜で電気的に接続する。そして、スルーホール内を樹脂で充填した後、上下面の銅箔を所定パターンにエッチングすることにより、ガラス−樹脂板８１の両面に銅箔から成る配線導体８２を有するコア基板８３を得る。

次に、このコア基板８３の上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂に無機絶縁性フィラーを分散させた樹脂フィルムを張着するとともに、樹脂フィルム中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて絶縁層８４を形成する。この絶縁層８４にレーザ加工によりビアホールを穿孔するとともに、ビアホール内を含む絶縁層８４の表面にセミアディティブ法でめっき膜から成る配線導体８５を上下面同時に形成する。そして、次層の絶縁層８４や配線導体８５の形成を複数回繰り返すことにより、ガラス−樹脂板８１の両面に銅箔から成る配線導体８２を有するコア基板８３と、このコア基板８３の両面に樹脂から成る絶縁層８４と、めっき膜から成る配線導体８５とを交互に積層して成るビルドアップ配線基板８０が製作される。

しかしながら、このようなビルドアップ配線基板８０は高密度配線が可能であるものの、コア基板８３として厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板８１を使用することから、配線基板８０の全体厚みを薄くすることが困難であるという問題点があった。

そこで、特許文献１には、金属板の一面側に配線導体と絶縁層とを、半導体素子搭載面側から外部接続端子装着面側に向けて順次多層に形成した後、前記金属板をエッチング除去することにより半導体装置用の多層基板を製造する方法が提案されている。この特許文献１に示された方法によれば、半導体素子搭載面が平坦であり、且つ薄型の半導体装置用の多層基板を提供できるとしている。

しかしながら、この特許文献１に記載された方法では、比較的厚みを必要とする金属板をエッチング除去することが必要であり、そのエッチングに長時間を要する。そのため生産効率が低いという解決すべき問題点があった。
特許第３６３５２１９号公報

本発明の課題は、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
（１）支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔の前記金属箔上に、絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成する工程と、前記積層体を前記支持フィルムから分離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
（２）前記積層体を形成する工程の前に、前記支持フィルム付き金属箔を、平坦な主面を有する支持基板の前記主面に、前記金属箔の上面が露出するようにして積層する工程を含み、前記金属箔の露出した上面上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成する前記（１）記載の配線基板の製造方法。
（３）前記支持フィルム付き金属箔を前記支持基板の主面に積層する工程は、さらに前記支持基板の主面の外周部に、前記金属箔を取り囲む金属枠を、該金属枠の上面が露出するようにして積層する工程を含む前記（２）記載の配線基板の製造方法。
（４）前記積層体を形成する工程は、前記金属箔の露出した上面と、前記金属枠の露出した上面と、前記金属箔と金属枠との間から露出した前記支持基板の主面上とに絶縁層および導体層を交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成する工程であり、前記積層体を前記支持フィルムから分離する工程の前に、前記金属枠の内側領域に位置する前記積層体および支持基板を切断する工程を含む前記（３）記載の配線基板の製造方法。

（５）前記積層体を前記支持フィルムから分離した後、前記金属箔を所定のパターンにエッチングする工程を含む前記（１）〜（４）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（６）前記積層体を形成する工程の前に、前記金属箔上に外部接続用のパッドを形成する工程を含み、この外部接続用のパッドが形成された金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層と、さらに前記外部接続用のパッドとから成る配線基板用の積層体を形成する工程と、この積層体を前記支持フィルムから分離する工程と、分離した前記積層体において、前記金属箔の全てをエッチングして除去し、前記外部接続用のパッドを露出させる前記（１）記載の配線基板の製造方法。

前記（１）によれば、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができるという効果を有する。すなわち前記（１）によれば、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔の前記金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成するので、コア基板を使用することによる配線基板の全体厚みを薄くすることができないという問題がなく、薄型で高密度の配線基板を提供することができる。

しかも、形成された積層体を前記支持フィルムから分離する際には、前記支持フィルム付き金属箔は、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持されているだけなので、支持フィルムと金属箔との間を引き剥がすだけで積層体を破損することなく、短時間かつ簡単に分離することができ、それにより薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。

特に、前記（２）によれば、支持フィルムに加えて支持基板を用いるので、配線基板を製造する際の安定性を向上させることができる。
前記（３）によれば、支持基板の主面の外周部に、支持フィルム付き金属箔を取り囲む金属枠を、該金属枠の上面が露出するようにして積層することから、該金属枠をめっきのための電荷供給用の端子として利用することができ、これにより本発明にかかる配線基板を効率よく製造することができる。この金属枠は、前記積層体を形成した後、前記（４）のように、該金属枠の内側領域に位置する積層体および支持基板を切断して除去することができる。
前記積層体を構成する金属箔は、前記（５）のように、所定パターンにエッチングし配線導体の一部として利用することができるという効果がある。

以下、本発明にかかる配線基板の製造方法の一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図１〜図１１は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す工程毎の図である。より詳細には、これらの図面のうち、図１は、支持基板３用のプリプレグ３Ｐおよび支持フィルム付き金属箔２ならびに金属枠４を準備する工程を示す概略断面図である。図２は、支持基板３用のプリプレグ３Ｐ上に支持フィルム付き金属箔２および金属枠４を載置した状態を示す概略断面図である。図３（ａ）は、支持基板３の主面上に支持フィルム付き金属箔２および金属枠４を積層した状態を示す概略断面図であり、図３（ｂ）は、その状態を示す概略斜視図である。図４（ａ）は、支持フィルム付き金属箔２上およびその周辺上に第一の絶縁層２１を積層した状態を示す概略断面図であり、図４（ｂ）は、第一の絶縁層２１に形成した切欠き部３０を示す平面図である。図５は、第１の絶縁層２１上に第２の導体層１２を形成した状態を示す概略断面図である。図６は、第１の絶縁層２１および第２の導体層１２の上に層間絶縁用の第２〜第４の絶縁層２２〜２４と配線導体用の第３〜第５の導体層１３〜１５とを順次交互に形成し、さらにその上にソルダーレジスト用の第５の絶縁層２５を形成して配線基板用の積層体１０を形成した状態を示す概略断面図である。図７は、積層体１０、支持フィルム２および支持基板３の中央部を切り出す工程を示す概略断面図である。図８は、切り出した積層体１０、支持フィルム２および支持基板３の中央部を示す概略断面図である。図９は、切り出した積層体１０を支持フィルム１から分離する工程を示す概略断面図である。図１０は、第１の導体層１１をエッチングして第一の絶縁層２１の表面に配線導体を形成する工程を示す概略断面図である。図１１は、エッチングされた金属箔１１および第１の絶縁層２１の表面にソルダーレジスト用の第６の絶縁層２６を形成する工程を示す概略断面図である。

まず、図１に示すように、支持フィルム付き金属箔２と、支持基板３用のプリプレグ３Ｐと、金属枠４とを準備する。支持フィルム付き金属箔２は、支持フィルム１上に金属箔１１が粘着層（不図示）を介して保持されたものである。

支持フィルム１は、厚みが１０〜１００μｍ程度であり、金属箔１１に破れや皺が発生するのを有効に防止するとともに、金属箔１１の取扱いを容易とするためのものである。支持フィルム１としては、例えばポリエステル樹脂等の耐熱性樹脂から成るのが好ましい。具体例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が挙げられる。

金属箔１１は、配線基板の製造における起点となる導体層を提供するためのものである。金属箔１１としては、例えば銅（銅箔）等の良導電性金属から成るのが好ましい。金属箔１１の厚みとしては、例えば１〜３５μｍ程度が挙げられる。これにより、該金属箔１１をエッチング除去する際には、短時間でエッチング除去することができる。また、このような厚みの金属箔１１は、全てエッチング除去する必要はなく、所定パターンにエッチングし配線導体の一部（外部接続用のパッド）として好適に利用することができる。これに対し、金属箔１１の厚みが１μｍより薄いと、金属箔１１の強度が低下し、この金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性が低下するおそれがあり、３５μｍより厚いと、必要以上に厚くなりすぎるとともに、エッチング除去する際に要する時間が長くなるので好ましくない。

前記粘着層としては、配線基板の製造中にかかる熱負荷に耐え得る上で、例えばシリコーン樹脂系、アクリル樹脂系、ポリオルガノシロキサン樹脂系等の耐熱性粘着材から成るのが好ましい。また、前記粘着剤層は、後述する配線基板用の積層体１０を破損することなく支持フィルム１から分離する上で、厚みが０．０１〜１．０μｍ程度であり、粘着力が１〜１０Ｎ／ｍ程度であるのが好ましい。

プリプレグ３Ｐは、後述する配線基板用の積層体１０を製造する際に該積層体１０を必要な平坦度を維持して支持するための支持基板３となるものであり、その主面に支持フィルム付き金属箔２や金属枠４を載置し、それらを上下から加圧しながら加熱することによりプリプレグ３Ｐに支持フィルム付き金属箔２や金属枠４が積層され、その状態で熱硬化する。プリプレグ３Ｐは、通常、厚み０．２〜２．０ｍｍ程度、１辺の長さ３００〜１０００ｍｍ程度の略四角形の平板で構成されるが、これに限定されるものではない。プリプレグ３Ｐとしては、例えばガラス繊維等の耐熱性繊維から成る織布にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態のシート状としたもの等が挙げられる。

金属枠４は、後述する配線基板用の積層体１０を製造する際に、めっき用の電荷供給電極として使用するためのものであり、厚みが１２〜３５μｍ程度である。金属枠４としては、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。

上記のような各材料を準備した後、図２に示すように、プリプレグ３Ｐの主面中央部上に支持フィルム付き金属箔２を、支持フィルム１がプリプレグ３Ｐの主面と対向するようにして配置するとともに、プリプレグ３Ｐの主面外周部上に金属枠４を配置する。そして、これらを上下から０．５〜９ＭＰａの圧力でプレスしながら１３０〜２００℃の温度で３０分間〜１２０分間程度加熱することにより、図３（ａ），（ｂ）に示すように、プリプレグ３Ｐが熱硬化して形成された支持基板３の主面に、支持フィルム付き金属箔２を金属箔１１の上面が露出するようにして積層するとともに、支持基板３の主面の外周部に、金属箔１１を取り囲む金属枠４をその上面が露出するようにして積層する。

積層後は、露出した金属箔１１の上面と、露出した金属枠４の上面と、金属箔１１と金属枠４との間から露出した支持基板３の主面とが、実質的に同じ高さになる。これにより、後述する配線基板用の積層体１０を平坦性に優れる面で支持することができるので、加工に伴う反りや、うねりの発生を抑制しつつ、積層体１０を得ることができる。なお、露出した金属箔１１の上面、金属枠４の上面、および金属箔１１と金属枠４との間から露出した支持基板３の主面とは、完全に同一高さである必要はなく、これらの間に５μｍ以下の高低差があってもよい。

次に、図４（ａ）に示すように、露出した金属箔（第１の導体層）１１の上面と、露出した金属枠４の上面と、金属箔１１と金属枠４との間から露出した支持基板３の主面上とに層間絶縁用の第１の絶縁層２１を積層する。第１の絶縁層２１には、図４（ｂ）に示すように、金属枠４の外周側の一部を露出させる切欠き部３０が、第１の絶縁層２１の周方向における２箇所で互いに向き合うように形成されている。第１の絶縁層２１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。あるいは、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料であってもよい。

このような第１の絶縁層２１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散させた混合物をペースト状としたものを、露出した金属箔１１の上面、露出した金属枠４の上面（切欠き部３０に対応する位置を除く）、および金属箔１１と金属枠４との間から露出した支持基板３の主面上に塗布した後に熱硬化させることによって形成される。また、これに限定されるものではなく、例えば前記混合物をフィルム状としたものやガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを、露出した金属箔１１の上面、露出した金属枠４の上面（切欠き部３０に対応する位置を除く）、および金属箔１１と金属枠４との間から露出した支持基板３の主面上に張着した後に熱硬化させることにより形成してもよい。

第１の絶縁層２１には、金属箔１１の一部を露出させるビア用の開口部Ｖを形成する。開口部Ｖは、例えばレーザ加工により形成する。あるいは第１の樹脂層２１用の混合物に感光性を持たせておき、それにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すこと等により形成することもできるが、これらに限定されるものではない。

次に、図５に示すように、第１の絶縁層２１の表面および開口部Ｖ内に配線導体用の第２の導体層１２を所定のパターンに形成する。第２の導体層１２は、例えば無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜等から成り、周知のセミアディティブ法によって形成するのが好ましい。セミアディティブ法は微細配線化に優れるので、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造するのに好適である。具体的には、まず、第１の絶縁層２１の表面を必要に応じて粗化し、次にその表面に無電解銅めっき膜を０．１〜２．０μｍ程度の厚みに被着させる。このとき、切欠き部３０から露出した金属枠４の表面にも無電解銅めっき膜を０．１〜２．０μｍ程度の厚みに被着させる。

次に、第１の絶縁層２１の表面に被着した無電解銅めっき膜の表面に、第２の導体層１２に対応した開口部を有するめっきレジスト層を形成する。このめっきレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを前記無電解銅めっき膜上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記開口部を有するように形成される。次に、めっきレジスト層の開口部内に露出する前記無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を５〜３０μｍ程度の厚みに被着させる。このとき、切欠き部３０から露出した金属枠４を電解めっき用の電荷を供給するための電荷供給電極として使用することができる。これにより、金属枠４と電解めっき装置の陰極とを電気的に確実に接続することができる。これに対し、金属枠４がない場合には、極めて薄い無電解銅めっき膜に電解めっき装置の端子を接続することになり、無電解銅めっき膜が擦れたり破れたりして安定した給電が困難になる。
次に、めっきレジスト層を剥離した後、前記無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜の露出部を電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜が消失するまで全体的にエッチングして第２の導体層１２を形成する。

このようにして第２の導体層１２を形成した後、図６に示すように、第１の絶縁層２１および第２の導体層１２の上に層間絶縁用の第２〜第４の絶縁層２２〜２４と、配線導体用の第３〜第５の導体層１３〜１５とを順次交互に形成し、さらにその上にソルダーレジスト用の第５の絶縁層２５を形成して配線基板用の積層体１０を形成する。

層間絶縁用の第２〜第４の絶縁層２２〜２４は、第１の絶縁層２１と同様の電気絶縁材料から成り、第１の絶縁層２１と同様の方法により形成することができる。また、配線導体用の第３〜第５の導体層１３〜１５は、第２の導体層１２と同様の無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜から成り、第２の導体層１２と同様のセミアディティブ法にて形成するのが好ましい。さらに、ソルダーレジスト用の第５の絶縁層２５は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた電気絶縁材料から成り、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光重合開始剤等とから成る混合物にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを含有させた感光性樹脂ペーストを、第４の絶縁層２４および第５の導体層１５の上にスクリーン印刷やロールコート法等により１０〜３０μｍ程度の厚みに塗布し、しかる後、フォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光・現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させることにより形成するのが好ましい。

次に、図７に示すように、金属枠４の内側領域に位置する積層体１０および支持基板３を切断する。かかる切断を効率よく行う上で、積層体１０および支持フィルム１および支持基板３を、金属箔１１の外周から１０〜３０ｍｍ内側に位置する部分で切断して、図８に示すように、積層体１０の中央部を支持フィルム１および支持基板３とともに切り出すのが好ましい。前記切断の方法は、本発明の効果を妨げない範囲内で任意であり、例えばダイシングやルーター装置等を用いて切断すればよい。

次に、図９に示すように、切り出した積層体１０を支持フィルム１から分離する。この分離の際には、支持フィルム１上に金属箔１１が図示しない粘着層を介して保持されているだけなので、支持フィルム１と金属箔１１間を引き剥がすだけで積層体１０を破損することなく、簡単に分離することができる。

次に、図１０に示すように、金属箔（第１の導体層）１１を所定のパターンにエッチングするエッチング工程を施して第１の絶縁層２１の表面に配線導体（外部接続用のパッド）を形成する。金属箔１１を所定のパターンにエッチングするには、例えば配線導体に対応する形状のエッチングレジスト層を金属箔１１の表面に形成するとともに、そのエッチングレジスト層から露出した金属箔１１をエッチング除去すればよい。なお、前記エッチングレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを金属箔１１上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記配線導体に対応する形状に形成され、金属箔１１をエッチングした後に剥離する。

最後に、図１１に示すように、エッチングされた金属箔１１および第１の絶縁層２１の表面にソルダーレジスト用の第６の絶縁層２６を形成して本実施形態にかかる配線基板２０を得る。このように本実施形態によれば、支持基板３上に直接積層体１０を形成するのではなく、まず支持基板３の主面に、支持フィルム付き金属箔２を金属箔１１の上面が露出するようにして積層し、ついで前記金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して積層体１０を得るので、支持フィルム付き金属箔２の支持フィルム１を積層体１０と支持基板３とを分離する際にその分離を容易とするための境界層として機能させることができ、その結果、積層体１０を支持基板３から短時間の間に容易に剥離することができる。しかも、金属箔１１は、所定パターンにエッチングして配線導体の一部として利用することができる。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板２０を効率よく製造することが可能となる。なお、ソルダーレジスト用の第６の絶縁層２６は、第５の絶縁層２５と同様の材料から成り、第５の絶縁層２５と同様の方法によって形成される。

前記した一実施形態では、１枚の支持基板３上に配線基板用の積層体１０を形成した場合について説明したが、本発明にかかる他の実施形態として、例えば２枚の支持基板３を背中合わせに重ね合わせ、それぞれの支持基板３の外側主面に配線基板用の積層体１０を同時に形成してもよい。図１２は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す概略断面図であり、上記で説明した図１に相当する図である。なお、図１２においては、前述した図１〜１１と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。

図１２に示すように、本実施形態にかかる積層体１０を形成する工程は、まず、支持フィルム付き金属箔２と、支持基板３用のプリプレグ３Ｐと、金属枠体４と、分離フィルム５とをそれぞれ２枚ずつ準備する。分離フィルム５は、各支持基板３上に積層体１０を形成した後、２枚の支持基板３同士を容易に分離させるための境界層として機能するものである。分離フィルム５は、例えば銅箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の耐熱フィルム等から成るのが好ましい。分離フィルム５の厚さとしては、例えば１〜３５μｍ程度であるのが好ましい。

このような分離フィルム５を含む各材料を準備した後、図１３〜図１８に示すようにして積層体１０を得、この積層体１０を用いて配線基板２０を得る。すなわち、図１３に示すように、２枚のプリプレグ３Ｐにおける中央部の間に分離フィルム５を２枚重ねて挟持するとともに、各プリプレグ３Ｐの外側の主面中央部上に支持フィルム付き金属箔２と、前記外側主面の外周部に金属枠４とをそれぞれ配置する。次に、これらを上下からプレスしながら加熱することにより、図１４に示すように、プリプレグ３Ｐが熱硬化して形成一体化された２枚の支持基板３の間に、２枚の分離フィルム５を互いに重なった状態で封入するとともに、各支持基板３の外側主面に支持フィルム付き金属箔２および金属枠４を積層する。このとき、２枚の分離フィルム５は、互いに接着されておらず、支持基板３とのみ接着している。

次に、図１５に示すように、２枚の支持基板３の各外側主面上に配線基板用の積層体１０をそれぞれ同時に形成する。なお、各積層体１０の形成は、前記一実施形態において図４〜図６を基にして説明した工程と同様にして行なう。

次に、図１６に示すように、積層体１０、支持フィルム１および支持基板３ならびに分離フィルム５を、金属箔１１の外周から１０〜３０ｍｍ内側に位置する部分で切断することにより、図１７に示すように、各積層体１０の中央部を支持フィルム１および支持基板３ならびに剥離フィルム５とともに切り出す。このとき、剥離フィルム５同士は接着されていないので、両者は容易に分離される。

次に、図１８に示すように、切り出した各積層体１０を前記一実施形態の場合と同様にして支持フィルム１から分離する。これにより、２つの積層体１０を得ることができるので、前記一実施形態よりも積層体１０を形成する際の効率を約２倍に高めることができる。その後、分離した各積層体１０に、前記一実施形態において図１０，図１１を基に説明した工程を施すことにより、２つの配線基板２０を得る。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板２０を更に効率よく製造することが可能となる。

本発明にかかる更に他の実施形態として、２枚の支持基板３を、これら間に両者の分離を容易とするための別の分離用基板を介在させて重ね合わせ、それぞれの支持基板３の外側主面に配線基板用の積層体１０を同時に形成してもよい。図１９は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す概略断面図であり、上記で説明した図１，図１２に相当する図である。なお、図１９においては、前述した図１〜１８と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。

図１９に示すように、本実施形態にかかる積層体１０を形成する工程は、まず、支持フィルム付き金属箔２と、支持基板３用のプリプレグ３Ｐと、金属枠体４と、分離フィルム５とをそれぞれ２枚ずつ準備するとともに、分離用基板６を１枚準備する。分離用基板６は、各支持基板３上に積層体１０を形成した後、２枚の支持基板３同士を容易に分離させるための境界層として機能するものである。分離用基板６は、例えば厚みが５０〜４００μｍ程度のガラス−エポキシ板７の両面に、厚みが１２〜３５μｍ程度の銅箔８を積層した両面銅張板等から成る。

このような分離用基板６を含む各材料を準備した後、図２０〜図２４に示すようにして積層体１０を得、この積層体１０を用いて配線基板２０を得る。すなわち、図２０に示すように、２枚のプリプレグ３Ｐ間に分離用基板６を挟むとともに、分離用基板６とプリプレグ３Ｐとの間の中央部に分離フィルム５を配置し、さらに各プリプレグ３Ｐの外側の主面中央部上に支持フィルム付き金属箔２と、前記外側主面の外周部に金属枠４とをそれぞれ配置する。

次に、これらを上下からプレスしながら加熱することにより、図２１に示すように、プリプレグ３Ｐが熱硬化した２枚の支持基板３の間に分離用基板６を積層一体化するとともに、分離用基板６と支持基板３との間に分離フィルム５を封入し、さらに各支持基板３の外側主面に支持フィルム付き金属箔２および金属枠４を積層する。このとき、分離用基板６と分離フィルム５とは互いに接着されておらず、支持基板３とのみ接着している。

次に、図２２に示すように、２枚の支持基板３の各外側主面上に配線基板用の積層体１０をそれぞれ同時に形成する。なお、各積層体１０の形成は、前記一実施形態において図４〜図６を基にして説明した工程と同様にして行なう。

次に、図２３に示すように、積層体１０、支持フィルム１、支持基板３および分離フィルム５ならびに分離用基板６を、金属箔１１の外周から１０〜３０ｍｍ内側に位置する部分で切断することにより、図２４に示すように、各積層体１０の中央部を支持フィルム１および支持基板３ならびに剥離フィルム５とともに切り出す。このとき、分離フィルム５と分離用基板６とは接着されていないので、両者は容易に分離される。

次に、前記他の実施形態において図１８を基に説明したのと同様にして、切り出した積層体１０を支持フィルム１から分離する。これにより、２つの積層体１０を得ることができるので、前記一実施形態よりも積層体１０を形成する効率を約２倍に高めることができる。その後、分離した各積層体１０に、前記一実施形態において図１０，図１１を基に説明した工程を施すことにより、２つの配線基板２０を得る。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板２０を更に効率よく製造することが可能となる。

かくして本発明の配線基板の製造方法によれば、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。なお、本発明は、上述の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更が可能であることは言うまでもない。例えば、前記したいくつかの実施形態では、金属箔１１は、所定パターンにエッチングして配線導体の一部として利用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図２５に示すように、必要に応じて該金属箔１１を全てエッチング除去してもよい。この場合には、絶縁層２１のビア内に露出する導体層１２が外部接続用のパッドとなる。

さらには、図２６に示すように、金属箔１１の上に、例えば銅等から成る外部接続用のパッドＰをセミアディティブ法やフルアディティブ法等により形成し、その上に絶縁層２１〜２５と導体層１２〜１５とを交互に積層し、パッドＰを構成要素として含む配線基板用の積層体１０を形成し、これを切り出して支持フィルム１より分離した後、図２７に示すように、金属箔１１を全てエッチング除去してパッドＰを露出させてもよい。

金属枠４を電荷供給電極として使用する上で、絶縁層２１に切欠き部３０を形成した場合について説明したが、切欠き部３０に代えて、例えば金属枠４の全ての外周側が枠状に露出するように絶縁層２１を積層してもよい。

本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図であり、（ｂ）は、その概略斜視図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。 本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板を示す概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。 一般的なビルドアップ配線基板を示す概略断面図である。

符号の説明

１ 支持フィルム
２ 支持フィルム付き金属箔
３Ｐ プリプレグ
３ 支持基板
４ 金属枠
５ 分離フィルム
６ 分離用基板
１０ 配線基板用の積層体
１１ 金属箔
１２〜１５ 導体層
２１〜２６ 絶縁層
２０ 配線基板
３０ 切欠き部

Claims (4)

1. 支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔を、支持基板の主面中央部上に、前記金属箔の周囲に前記主面が露出するとともに前記金属箔の上面が該金属箔周囲の前記主面と実質的に同じ高さで露出するように積層する工程と、前記金属箔の露出した上面上および前記支持基板の露出した主面上に、絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成する工程と、前記積層体および前記支持フィルムおよび前記支持基板を前記金属箔の外周から内側に位置する部分で切断して、前記積層体の中央部を前記支持フィルムおよび前記支持基板とともに切り出す工程と、切り出した前記積層体を前記支持フィルムから分離する工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記支持フィルム付き金属箔を前記支持基板の主面に積層する工程は、さらに前記支持基板の主面の外周部に、前記金属箔を取り囲む金属枠を、該金属枠の上面が前記金属箔の周囲の前記主面と実質的に同じ高さで露出するようにして積層する工程を含む請求項１記載の配線基板の製造方法。
3. 前記積層体を前記支持フィルムから分離した後、前記金属箔を所定のパターンにエッチングする工程を含む請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記積層体を形成する工程の前に、前記金属箔上に外部接続用のパッドを形成する工程を含み、
   この外部接続用のパッドが形成された金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層と、さらに前記外部接続用のパッドとから成る配線基板用の積層体を形成する工程と、
   この積層体を前記支持フィルムから分離する工程と、
   分離した前記積層体において、前記金属箔の全てをエッチングして除去し、前記外部接続用のパッドを露出させる工程とを含む請求項１記載の配線基板の製造方法。

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