JP4986307B2

JP4986307B2 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP4986307B2
Application number: JP2010019589A
Authority: JP
Inventors: 昭横川
Original assignee: Japan Display Central Inc
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2010-01-29
Filing date: 2010-01-29
Publication date: 2012-07-25
Anticipated expiration: 2030-01-29
Also published as: JP2011158663A; US8537321B2; US20110187951A1

Description

この発明は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。

例えば、特許文献１によれば、対向基板に配置された対向電極に対してアレイ基板側から電位を供給するための給電構造が提案されている。特に、この特許文献１には、アレイ基板は、対向電極に対して所定電位を供給するための給電配線を備え、この給電配線が、給電パッドと、この給電パッドと電気的に接続された第１配線と、第１配線とは異なる導電層に含まれる第２配線と、第１配線と第２配線とを電気的に接続するブリッジ配線と、を有する構成が開示されている。

特開２００８−２５７１９２号公報

この発明の目的は、給電配線と対向電極との導通を確保することが可能な給電構造を備えた液晶表示装置を提供することにある。

この発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された給電配線と、前記絶縁基板上に形成され前記給電配線から離間した給電電極と、前記絶縁基板上に形成され前記給電配線と前記給電電極との間を横切る信号配線と、前記給電配線、前記給電電極、及び、前記信号配線を覆うとともに前記給電配線まで貫通した第１コンタクトホール及び前記給電電極まで貫通した第２コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され前記第１コンタクトホールを介して前記給電配線にコンタクトするとともに前記第２コンタクトホールを介して前記給電電極にコンタクトして前記給電配線と前記給電電極とを電気的に接続し且つ前記信号配線の直上において前記信号配線と交差する方向に延在した少なくとも１つのスリットが形成された接続電極と、前記給電電極に電気的に接続された給電パッドと、前記絶縁基板の上方にマトリクス状に配置された画素電極と、を備えた第１基板と、前記画素電極と向かい合うとともに前記給電パッドの直上に延在した対向電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記給電パッドと前記対向電極とを電気的に接続する導電部材と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。

この発明によれば、給電配線と対向電極との導通を確保することが可能な給電構造を備えた液晶表示装置を提供することができる。

図１は、この発明の一実施の形態における液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。図２は、図１に示した液晶表示パネルの構成及び等価回路を概略的に示す図である。図３は、図２に示した液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。図４は、本実施形態に適用可能なアレイ基板に形成された給電部を概略的に示す平面図である。図５は、図４に示した給電部をＡ−Ｂ線で切断したときの液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。図６は、図４に示した給電部をＣ−Ｄ線で切断したときのアレイ基板の断面構造を概略的に示す図である。図７は、図４に示した給電部において静電破壊が発生した場合のクラック断線を説明するための図である。図８は、本実施形態に適用可能な給電部の他の構成例を概略的に示す平面図である。図９は、本実施形態に適用可能な接続電極に形成されるスリットの他の形状を説明するための概略平面図である。図１０は、本実施形態に適用可能な接続電極に形成されるスリットの他の形状を説明するための概略平面図である。

以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本実施形態における液晶表示装置の構成を模式的に示す図である。

すなわち、液晶表示装置１は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮ、液晶表示パネルＬＰＮに接続された駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル配線基板３などを備えている。

液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、図示しないシール材によって貼り合わせられている。

このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示する表示エリアすなわちアクティブエリアＡＣＴを備えている。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。

駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル配線基板３は、アクティブエリアＡＣＴの外側でアレイ基板ＡＲに実装され、画素ＰＸの駆動に必要な信号を供給する信号供給源として機能する。

図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。

液晶表示パネルＬＰＮは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、ｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｎ本の補助容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、ｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、第１方向Ｈにそれぞれ沿って延在している。ソース配線Ｓは、ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃと交差する第２方向Ｙに沿ってそれぞれ延在している。

各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。これらのゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤは、例えば、アレイ基板ＡＲに形成され、コントローラを内蔵した駆動ＩＣチップ２と接続されている。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、対向電極ＣＥなどを備えている。保持容量Ｃｓは、例えば補助容量線Ｃと画素電極ＰＥとの間に形成される。

なお、本実施形態においては、液晶表示パネルＬＰＮは、縦電界モードを適用した構成であり、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに形成されるとともに対向電極ＣＥが対向基板ＣＴに形成されており、これらの画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に形成される縦電界（すなわち基板の主面に略垂直な電界）を主に利用して液晶層ＬＱを構成する液晶分子をスイッチングする。

スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。アクティブエリアＡＣＴには、ｍ×ｎ個のスイッチング素子ＳＷが形成されている。

画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。アクティブエリアＡＣＴには、ｍ×ｎ個の画素電極ＰＥが形成されている。対向電極ＣＥは、コモン電位であり、液晶層ＬＱを介してｍ×ｎ個の画素電極ＰＥと向かい合っている。この対向電極ＣＥは、図示しない導電部材を介して、アレイ基板ＡＲに形成された給電部１０と電気的に接続されている。補助容量線Ｃは、補助容量電圧が印加される電圧印加部ＶＣＳと電気的に接続されている。

図３は、図２に示した液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。この図３には、アクティブエリアＡＣＴにおける一画素ＰＸの断面が図示されている。

すなわち、アレイ基板ＡＲは、ガラス板などの光透過性を有する絶縁基板２０を用いて形成されている。このアレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、絶縁基板２０の上にスイッチング素子ＳＷを備えている。ここに示したスイッチング素子ＳＷは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。

スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、絶縁基板２０の上に形成されている。このゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇに電気的に接続されている。図示した例では、ゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇと一体的に形成されている。このようなゲート電極ＷＧは、ゲート絶縁膜２１によって覆われている。このゲート絶縁膜２１は、絶縁基板２０の上にも配置されている。

スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜２１の上に形成されている。この半導体層ＳＣは、例えば、アモルファスシリコンによって形成されている。スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、半導体層ＳＣにコンタクトしている。

ソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓに電気的に接続されている。図示した例では、ソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓと一体的に形成されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、層間絶縁膜２２によって覆われている。また、この層間絶縁膜２２は、ゲート絶縁膜２１の上にも配置されている。これらのゲート絶縁膜２１及び層間絶縁膜２２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。

画素電極ＰＥは、層間絶縁膜２２の上に形成さている。この画素電極ＰＥは、層間絶縁膜２２を貫通するコンタクトホールを介してドレイン電極ＷＤに接続されている。画素電極ＰＥ及び層間絶縁膜２２は、第１配向膜２３によって覆われている。

一方、対向基板ＣＴは、ガラス板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、絶縁基板３０の上にブラックマトリクス３１、カラーフィルタ層３２、対向電極ＣＥなどを備えている。

ブラックマトリクス３１は、アクティブエリアＡＣＴにおいて画素ＰＸの間に形成され、アレイ基板ＡＲに形成されたスイッチング素子ＳＷや上述したゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓなどの各種配線に対向している。このようなブラックマトリクス３１は、黒色に着色された樹脂材料やクロム（Ｃｒ）などの遮光性を有する金属材料などによって形成可能である。カラーフィルタ層３２は、アクティブエリアＡＣＴにおいて各画素ＰＸに配置され、その一部がブラックマトリクス３１に積層されている。

対向電極ＣＥは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、カラーフィルタ層３２の上に延在した連続膜であり、各画素ＰＸの画素電極ＰＥと対向している。また、この対向電極ＣＥは、アクティブエリアＡＣＴの外側にも延在しているが、詳細は後述する。この対向電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。対向電極ＣＥは、第２配向膜３３によって覆われている。

なお、対向基板ＣＴには、カラーフィルタ層３２の表面の凹凸の影響を緩和するために、カラーフィルタ層３２と対向電極ＣＥとの間に、透明な樹脂材料などからなるオーバーコート層を配置しても良い。

上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜２３及び第２配向膜３３が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜２３と対向基板ＣＴの第２配向膜３３との間には、図示しないスペーサ（例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサ）が配置され、これにより、所定のギャップが形成される。

液晶層ＬＱは、上述したセルギャップに封入されている。すなわち、液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲの画素電極ＰＥと対向基板ＣＴの対向電極ＣＥとの間に保持された液晶組成物によって構成されている。

次に、アレイ基板ＡＲから対向電極ＣＥへの給電構造について説明する。

図４は、アレイ基板ＡＲに形成された給電部１０を概略的に示す平面図である。

給電部１０は、給電配線１１、給電電極１２、接続電極１３、給電パッド１４などによって構成されている。給電配線１１は、詳述しないが、アレイ基板ＡＲの周縁部に沿って形成されている。図４には、アクティブエリアＡＣＴの外側に位置する給電配線１１の端部１１Ａが図示されている。また、給電電極１２、接続電極１３、及び、給電パッド１４は、アクティブエリアＡＣＴの外側に位置している。

給電電極１２は、給電配線１１から離間しており、直接電気的には接続されていない。この給電電極１２は、島状に形成され、例えば、アレイ基板ＡＲの角部近傍に配置されている。また、給電電極１２は、給電配線１１に向かって突出した凸部１２Ａを有している。

給電配線１１の端部１１Ａと給電電極１２の凸部１２Ａとの間には、信号配線４０が配置されている。図示した例では、給電配線１１と給電電極１２との間を６本の信号配線４０が横切っている。このような信号配線４０としては、各種信号電圧が印加される配線が含まれるが、給電部１０とは電気的に絶縁される必要がある。一例を示すと、信号配線４０の幅は５０μｍ程度であり、隣り合う信号線４０の間の幅は３０μｍ程度である。

これらの給電配線１１、給電電極１２、及び、信号配線４０は、図示を省略した絶縁膜によって覆われている。この絶縁膜には、上述したゲート絶縁膜２１や層間絶縁膜２２が含まれる。また、この絶縁膜には、給電配線１１まで貫通した第１コンタクトホールＣＨ１、及び、給電電極１２まで貫通した第２コンタクトホールＣＨ２が形成されている。

接続電極１３は、給電配線１１と給電電極１２とを電気的に接続している。すなわち、この接続電極１３は、給電配線１１と給電電極１２との間のすべての信号配線４０を跨ぎ、第１コンタクトホールＣＨ１を介して給電配線１１にコンタクトするとともに、第２コンタクトホールＣＨ２を介して給電電極１２にコンタクトしている。図示した例では、接続電極１３は、給電配線１１の端部１１Ａの直上から信号配線４０の直上を経て給電電極１２の凸部１２Ａの直上まで延在している。

また、この接続電極１３には、少なくとも１つのスリットＳＬが形成されている。このスリットＳＬは、信号配線４０の直上において信号配線４０と交差する方向に延在している。また、このスリットＳＬは、給電配線１１と給電電極１２との間に形成され、これらの給電配線１１及び給電電極１２の直上には位置していない。

図示した例では、接続電極１３には、２本のスリットＳＬが略平行に並んで形成されている。つまり、１本の給電配線１１に接続された接続電極１３は、信号配線４０の直上で３本に分岐した後、再び１つに結合されて単一の給電電極１２に接続される。接続電極１３において、３本に分岐した部分の幅はいずれも略同等である。一例を示すと、スリットＳＬの幅が１０μｍ程度であり、２本のスリットによって３本に分岐した部分のそれぞれの幅は１００μｍ程度である。なお、本実施形態における「幅」とは、信号配線４０が延在している方向に沿った長さである。

また、図示した例では、スリットＳＬは、給電配線１１と給電電極１２との間のすべての信号配線４０（つまり６本の信号配線４０）と交差し、信号配線４０と略直交する方向に長辺を有するとともに信号配線４０と略平行な方向に短辺を有する長方形状に形成されている。なお、スリットＳＬの４つの角部は、いずれも略直角であるが、僅かに丸みを持っていても良い。

給電パッド１４は、給電電極１２の直上に位置し、給電電極１２に電気的に接続されている。図示した例では、給電パッド１４は、第２コンタクトホールＣＨ２を介して給電電極１２にコンタクトしている。また、ここに示した給電パッド１４は接続電極１３と一体的に形成されており、接続電極１３と給電パッド１４とは途切れることなく繋がっている。

図５は、図４に示した給電部１０をＡ−Ｂ線で切断したときの液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。この図５には、接続電極１３における２本のスリットＳＬの間での液晶表示パネルＬＰＮの断面が図示されている。

アレイ基板ＡＲを構成する絶縁基板２０の上には、給電配線１１及び給電電極１２が形成され、これらの給電配線１１と給電電極１２との間に信号配線４０が形成されている。給電配線１１、給電電極１２、及び、信号配線４０は、先に説明したゲート配線Ｇと同一の導電層であり、これらはゲート配線Ｇと同一材料によって形成されている。

ゲート絶縁膜２１は、給電配線１１、給電電極１２、及び、信号配線４０を覆っている。また、このゲート絶縁膜２１は、給電配線１１と信号配線４０との間、信号配線４０間、及び、信号配線４０と給電電極１２との間の絶縁基板２０も覆っている。このようなゲート絶縁膜２１の上には層間絶縁膜２２が積層されている。

第１コンタクトホールＣＨ１は、ゲート絶縁膜２１及び層間絶縁膜２２を貫通し、給電配線１１に到達している。第２コンタクトホールＣＨ２も同様にゲート絶縁膜２１及び層間絶縁膜２２を貫通し、給電電極１２に到達している。

接続電極１３は、層間絶縁膜２２の上に形成されている。この接続電極１３は、第１コンタクトホールＣＨ１を介して給電配線１１にコンタクトし、信号配線４０の直上を通り、第２コンタクトホールＣＨ２を介して給電電極１２にコンタクトしている。給電パッド１４は、層間絶縁膜２２の上に形成されている。この給電パッド１４は、第２コンタクトホールＣＨ２を介して給電電極１２にコンタクトしている。これらの接続電極１３及び給電パッド１４は、先に説明した画素電極ＰＥと同一の導電層であり、これらは画素電極ＰＥと同一材料によって形成されている。なお、図示した例では、接続電極１３と給電パッド１４とは、層間絶縁膜２２の上で繋がっている。

対向電極ＣＥを備えた対向基板ＣＴは、シール材５０によりアレイ基板ＡＲと貼り合わせられている。シール材５０は、例えば、信号配線４０の直上付近に配置されている。シール材５０よりも内側では、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱが保持されている。図示しないが、アクティブエリアＡＣＴは、シール材５０よりも内側に形成される。

給電パッド１４は、シール材５０よりも外側に形成されている。対向電極ＣＥは、シール材５０が配置される位置を跨いで形成されている。つまり、対向電極ＣＥは、シール材５０よりも内側のアクティブエリアＡＣＴでは、図３に示したように、画素電極ＰＥと向かい合い、シール材５０が配置される位置を越えて給電パッド１４の直上にまで延在している。

導電部材６０は、給電パッド１４及び対向電極ＣＥにコンタクトし、両者を電気的に接続している。これにより、給電配線１１に印加された電圧は、接続電極１３及び給電電極１２を介して給電パッド１４に供給され、さらに、導電部材６０を介して対向電極ＣＥに給電される。

図６は、図４に示した給電部１０をＣ−Ｄ線で切断したときのアレイ基板ＡＲの断面構造を概略的に示す図である。この図６には、接続電極１３に形成されたスリットＳＬでのアレイ基板ＡＲの断面が図示されている。アレイ基板ＡＲの給電部１０における構造の詳細な説明は上述した通りであり省略する。

接続電極１３に形成されたスリットＳＬは、接続電極１３の下地である層間絶縁膜２２まで貫通している。つまり、スリットＳＬにおいては、接続電極１３は除去されている。図示した例では、スリットＳＬは、６本の信号配線４０に跨るように形成されている。

上述した構成において、信号配線４０を覆うゲート絶縁膜２１の段差及びゲート絶縁膜２１を覆う層間絶縁膜２２の段差が急峻であるため、層間絶縁膜２２の上に形成された接続電極１３の膜厚は、局所的に薄くなりやすい。特に、接続電極１３は、信号配線４０が延在している方向（図５における紙面の法線方向）に沿って膜厚が薄くなりやすい。また、信号配線４０の直上であって、ゲート絶縁膜２１と層間絶縁膜２２との間に半導体層ＳＣが介在した場合には、接続電極１３の下地となる層間絶縁膜２２の表面には、より大きな段差が形成され、この部分を覆うように形成される接続電極１３の膜厚はより薄くなる傾向にある。

このため、接続電極１３や信号配線４０で静電破壊が発生した際には、接続電極１３の膜厚が薄い部分、つまり、信号配線４０によって形成された段差を覆っている部分に沿って信号配線４０が延在している方向に略直線的にクラックが進展し、断線（クラック断線）に発展するおそれがある。

接続電極１３にスリットＳＬが形成されていない場合には、クラックの進展を留めることができず、最悪の場合、信号配線４０に跨って配置された接続電極１３が給電配線１１に接続された部分と、給電電極１２に接続された部分とに分断され、給電配線１１から対向電極ＣＥへの給電が不可能となってしまうことがある。

一方、本実施形態においては、接続電極１３には、信号配線４０に交差する方向に延びたスリットＳＬが形成されている（つまり、接続電極１３がスリットＳＬの位置で途切れている）。このため、静電破壊の発生に伴って、たとえクラックが信号配線４０の延在方向に進展したとしても、クラックの進展がスリットＳＬの位置で留まる。すなわち、スリットＳＬを越えて接続電極１３にクラックが進展することを抑制できる。

本実施形態のように、接続電極１３に２本のスリットＳＬが形成されている構成では、図７に示すように、スリットＳＬによって接続電極１３が分岐した３本の電極部１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを有している。このため、接続電極１３のいずれかの箇所、例えば、接続電極１３の電極部１３Ｂの図中の×で示した箇所で発生した静電破壊に伴い、クラックが進展し、電極部１３Ｂでクラック断線が発生したとしても、電極部１３Ｂを挟む２つのスリットＳＬによってクラックの進展が止まる。

したがって、接続電極１３は、他の２本の電極部、ここでは電極部１３Ａ及び１３Ｃにおいて給電配線１１と給電電極１２（及び給電パッド１４）とを電気的に接続している。これらの電極部１３Ａ及び１３Ｃは、それぞれ給電に十分な幅（例えば１００μｍ）を有しているため、電極部１３Ａが断線したとしても極端な配線抵抗値の上昇を招くことなく、給電配線１１から対向電極ＣＥまでの導通を確保することが可能となる。

本実施形態において、接続電極１３と給電パッド１４とは層間絶縁膜２２の上で分離されていても良い（つまり、接続電極１３と給電パッド１４とが一体ではなく、途切れていても良い）が、図４などを参照して説明したように、接続電極１３と給電パッド１４とが一体的に形成されていることにより、より静電破壊による断線の発生を防止することが可能となる。

図８は、本実施形態に適用可能な給電部１０の他の構成例を概略的に示す平面図である。図８では、説明に必要な給電部１０の一部を拡大している。

図４などに示した構成と比較して、接続電極１３には、さらに、給電配線１１の角部１１Ｃの直上に開口ＯＰが形成されている点で相違している。図示した例では、開口ＯＰは、接続電極１３が重なる給電配線１１の２つの角部１１Ｃのいずれの直上にも形成されている。この開口ＯＰにおいては、接続電極１３が除去され、接続電極１３の下地である層間絶縁膜２２まで貫通している。このような開口ＯＰは、例えば、略正方形状に形成されているが、その形状は特に制限はなく、円形などであっても良い。

給電配線１１のエッジ部分１１Ｅには、先に説明した信号配線４０と同様に段差が形成されるため、給電配線１１や給電配線１１の直上の接続電極１３において静電破壊が発生した際に、給電配線１１のエッジ部分１１Ｅに沿ってクラックが進展し、クラック断線を生ずるおそれがある。

このため、給電配線１１の角部１１Ｃの直上に位置する接続電極１３に開口ＯＰが形成されたことにより、エッジ部分１１Ｅに沿って進展したクラックを開口ＯＰで止めることが可能となり、静電破壊の被害を最小限に留めることが可能となる。

なお、図示は省略したが、接続電極１３には、さらに、給電電極１２の角部の直上に開口ＯＰが形成されていても良い。このような構成を適用した場合には、給電電極１２のエッジ部分に沿って進展したクラックを止めることが可能となり、静電破壊の被害を最小限に留めることが可能となる。

また、クラックは、段差を覆う箇所や局所的に膜厚が薄くなっている箇所などで略直線的に進展しやすい。このため、接続電極１３において、その他のクラックが進展しやすい他の箇所にも開口やスリットを形成し、接続電極１３を除去することにより、クラック断線の発生を防止し、静電破壊の被害を最小限に留めることが可能である。

また、本実施形態によれば、層間絶縁膜２２の上に形成される接続電極１３及び給電パッド１４は、同じく層間絶縁膜２２の上に形成される画素電極ＰＥと同一材料によって形成されている。このため、製造工程を増やすことなく、接続電極１３や給電パッド１４、さらには、接続電極１３に形成されるスリットＳＬを画素電極ＰＥと同時に形成することが可能となる。

なお、本実施形態においては、接続電極１３に形成されたスリットＳＬは、略直角の４つの角部を有する略長方形であったが、この例に限らない。

例えば、図９に示すように、スリットＳＬは、信号配線４０と略直交する方向に長軸を有する長円形状に形成されても良い。ここでの長円形状とは、楕円形状に限らず、半径の等しい二つの円を共通外接線でつないだトラック形状も含む。

また、図１０に示すように、スリットＳＬは、略長方形状であって、その４つの角部がスリットＳＬの外側に向かって切り欠いた形状であっても良い。

本実施形態の給電部１０について、静電耐圧試験を行った。これによれば、給電部１０に対して５ｋＶの電圧を印加した際には接続電極１３のいずれにも静電破壊の痕跡がなく、１０ｋＶの電圧を印加した際には接続電極１３において分岐した３本のうちの１箇所に静電破壊の痕跡が見られ、１５ｋＶの電圧を印加した際には接続電極１３において分岐した３本のうちの２箇所に静電破壊の痕跡が見られ、さらに、２０ｋＶの電圧を印加した際には接続電極１３において分岐した３本のすべてに静電破壊の痕跡が見られた。

本試験により、本実施形態の給電部１０における静電耐圧が１５ｋＶであることが確認された。つまり、１５ｋＶ以下であれば、接続電極１３を構成する少なくとも１本の電極部において静電破壊が発生することなく、給電配線１１と対向電極ＣＥとの確実な導通を確保することができる。

なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

本実施形態は、アレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴに給電するための給電構造を備えた液晶表示装置に適用可能であり、液晶モードは特に問わない。また、液晶表示パネルＬＰＮは、光を選択的に透過する透過型であっても良いし、光を選択的に反射する反射型であっても良い。

また、本実施形態では、接続電極１３に２本のスリットＳＬが形成された場合について説明したが、少なくとも１本のスリットＳＬが形成されていれば、接続電極１３に生じたクラック断線の進展を留めることが可能であり、給電配線１１と給電電極１２との断線を抑制することができる。当然のことながら、接続電極１３に３本以上のスリットＳＬが形成されていても良い。なお、スリットＳＬによって分岐した接続電極１３の各電極部においては、給電配線１１から対向電極ＣＥへの給電を阻害するほどの配線抵抗の上昇を招くことがないように、給電に十分な幅を有することが望ましい。

また、本実施形態では、スイッチング素子ＳＷを構成する薄膜トランジスタがアモルファスシリコンによって形成された半導体層ＳＣを備えている場合について説明したが、ポリシリコンによって形成された半導体層を備えていても良い。

１…液晶表示装置
ＬＰＮ…液晶表示パネルＡＲ…アレイ基板ＣＴ…対向基板ＬＱ…液晶層
ＡＣＴ…アクティブエリアＰＸ…画素
１０…給電部
１１…給電配線
１２…給電電極
１３…接続電極ＳＬ…スリットＯＰ…開口
１４…給電パッド
４０…信号配線
６０…導電部材
ＰＥ…画素電極ＣＥ…対向電極

Claims

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された給電配線と、前記絶縁基板上に形成され前記給電配線から離間した給電電極と、前記絶縁基板上に形成され前記給電配線と前記給電電極との間を横切る信号配線と、前記給電配線、前記給電電極、及び、前記信号配線を覆うとともに前記給電配線まで貫通した第１コンタクトホール及び前記給電電極まで貫通した第２コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され前記第１コンタクトホールを介して前記給電配線にコンタクトするとともに前記第２コンタクトホールを介して前記給電電極にコンタクトして前記給電配線と前記給電電極とを電気的に接続し且つ前記信号配線の直上において前記信号配線と交差する方向に延在した少なくとも１つのスリットが形成された接続電極と、前記給電電極に電気的に接続された給電パッドと、前記絶縁基板の上方にマトリクス状に配置された画素電極と、を備えた第１基板と、
前記画素電極と向かい合うとともに前記給電パッドの直上に延在した対向電極を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
前記給電パッドと前記対向電極とを電気的に接続する導電部材と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
前記絶縁膜上において、前記接続電極と前記給電パッドとが一体的に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記接続電極には、前記給電配線の角部の直上に開口が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記接続電極及び前記給電パッドは、前記画素電極と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記スリットは、前記信号配線と略直交する方向に長辺を有するとともに前記信号配線と略平行な方向に短辺を有する長方形状、または、前記信号配線と略直交する方向に長軸を有する長円形状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。