JP4941290B2 - クロロフルオロベンゼン系液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは液晶性化合物であるクロロフルオロベンゼン誘導体、この化合物を含有したネマチック相を有する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。

液晶表示パネル、液晶表示モジュール等に代表される液晶表示素子は、液晶性化合物（本発明では、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称を意味する。）が有する光学異方性、誘電率異方性などを利用したものであるが、この液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（phase change）モード、ＴＮ（twisted nematic）モード、ＳＴＮ（super twisted nematic）モード、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）モード、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）モード、ＯＣＢ（optically compensated bend）モー
ド、ＩＰＳ（in-plane switching）モード、ＶＡ（vertical alignment）モードなどの様々なモードが知られている。

これら動作モードの中でもＥＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモードなどは、液晶分子の垂直配向性を利用した動作モードであり、特にＩＰＳモードおよびＶＡモードは、ＴＮモード、ＳＴＮモード等の従来の表示モードの欠点である視野角の狭さを改善可能であることが知られている。
そして、従来からこれら動作モードの液晶表示素子に使用可能な、負の誘電率異方性を有する液晶組成物の成分として、ベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられた液晶性化合物が数多く検討されてきている（例えば、特許文献１および４参照。）。

例えば、下記構造式で示される化合物（Ａ）が検討されている（例えば、特許文献１参照。）が、この化合物（Ａ）に例示されるベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられた化合物は、他の液晶性化合物に対して、低い温度領域での相溶性に乏しい。
一方、ベンゼン環上の水素が塩素とフッ素とで置き換えられた化合物として、例えば、下記構造式で示される化合物（Ｂ）が報告されている（例えば、特許文献２参照。）。しかし、化合物（Ｂ）は高い透明点を有さず、粘度も大きい。

さらに、ベンゼン環上の水素が塩素で置き換えられた化合物として、例えば、化合物（Ｃ）が報告されている（例えば、非特許文献１参照。）。しかし、化合物（Ｃ）は、化合物が液晶性を示す範囲（メソフェース範囲）が極めて狭く、負の誘電率異方性も小さい。
また、特許文献４には電気光学ディスプレーに用いる液晶媒体のためのドープ剤として末端基に分岐構造を有する化合物（４）が開示されている。その化合物が液晶性を示すメソフェース範囲は極めて狭い。

特表平０２−５０３４４１号公報 国際公開第９８／２３５６１号パンフレット 特開平０２−４７２５号公報 特開平１０−１５８６５２号公報 Molecular Crystals and Liquid Crystals (1995), 260, 227-240

したがって、ＩＰＳモードおよびＶＡモード等の動作モードの液晶表示素子であっても、ＣＲＴと比較すれば表示素子としてはいまだ問題があり、例えば、応答速度の向上、コントラストの向上、駆動電圧の低下が望まれている。
上述したＩＰＳモード、あるいはＶＡモードで動作する表示素子は、主として、負の誘電率異方性を有する液晶組成物から構成されているが、上記特性等をさらに向上させるためには、上記液晶組成物に含まれる液晶性化合物が、以下（１）〜（８）で示す特性を有することが必要である。すなわち、
（１）化学的に安定であること、および物理的に安定であること、
（２）高い透明点（液晶相−等方相の転移温度）を有すること、
（３）液晶相（ネマチック相、スメクチック相等）の下限温度、特にネマチック相の下限温度が低いこと、
（４）粘度が小さいこと、
（５）適切な光学異方性を有すること、
（６）適切な負の誘電率異方性を有すること、
（７）適切な弾性定数Ｋ₃₃、およびＫ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）を有すること、および
（８）他の液晶性化合物との相溶性に優れること、
である。

（１）のように化学的、物理的に安定な液晶性化合物を含む組成物を表示素子に用いると、電圧保持率を大きくすることができる。
また、（２）、（３）のように、高い透明点、あるいは液晶相の低い下限温度を有する液晶性化合物を含む組成物ではネマチック相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度領域で表示素子として使用することが可能となる。

さらに、（４）のように粘度の小さい化合物、（７）のように適切な弾性定数Ｋ₃₃、およびＫ₁₁を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いると応答速度を向上することができ、（５）のように適切な光学異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合は、表示素子のコントラストの向上を図ることができる。
加えて、液晶性化合物が負の大きな誘電率異方性を有する場合には、この化合物を含む液晶組成物のしきい値電圧を低くすることができるので、（６）のように適切な負の誘電率異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合には、表示素子の駆動電圧を低くし、消費電力も小さくすることができる。さらに（７）のように適切な弾性定数Ｋ₃₃を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いることで表示素子の駆動電圧を調整することができ、消費電力も調整することができる。

液晶性化合物は、単一の化合物では発揮することが困難な特性を発現させるために、他の多くの液晶性化合物と混合して調製した組成物として用いることが一般的である。したがって、表示素子に用いる液晶性化合物は、（８）のように、他の液晶性化合物等との相溶性が良好であることが好ましい。また、表示素子は、氷点下を含め幅広い温度領域で使用することもあるので、低い温度領域から良好な相溶性を示す化合物であることが好ましい場合もある。

本発明の第一の目的は、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、適切な光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ₃₃、Ｋ₁₁を有し、さらに、適切な負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を提供することである。
本発明の第二の目的は、粘度が低く、適切な光学異方性、および適切な負の誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度（ネマチック相−等方相の相転移温度）が高く、ネマチック相の下限温度が低い、上記化合物を含有する液晶組成物を提供することである。

本発明の第三の目的は、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能である、上記組成物を含有する液晶表示素子を提供することである。

本発明者らは上記課題に鑑み鋭意研究を行った結果、ベンゼン環上の水素が塩素とフッ素とで置き換えられた特定構造を有する液晶性化合物が、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、適切な光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ₃₃、Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）を有し、さらに、適切な負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有していること、
また、上記化合物を含有する液晶組成物が、粘度が小さく、適切な光学異方性、および適切な負の誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低いこと、
さらに、上記組成物を含有する液晶表示素子が、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能であること、
加えて、熱、光などに対する安定性を有し、幅広い反応に用いることが可能な本発明の液晶性化合物を容易に製造できる中間体化合物、
を見い出し、本発明を完成するに到った。

すなわち、本発明は、以下〔１〕〜〔２０〕に示す構成を有している。
〔１〕：下記一般式（ａ）から（ｄ）のいずれか一つで表される液晶性化合物。

上記各式中、ＲａおよびＲｂは、独立して、水素、または炭素数１〜１０の直鎖アルキルのいずれかであるが、上記アルキルにおいて、−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はハロゲンで置き換えられていてもよく；
環Ａ¹、Ａ²、B、およびＣは、独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、または１，４−フェニレンであり；
Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²、およびＺ³は、独立して、単結合、炭素数２または４のアルキレンのいずれかであるが、上記アルキレンにおいて、−（ＣＨ₂）−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく；
Ｘ₁およびＸ₂は、一方がフッ素であり、他方が塩素である。
ただし、式（ａ）において、
環Ｂ、およびＣが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、
Ｚ²およびＺ³が単結合のとき；
式（ｂ）において、
環Ａ¹およびＢが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、
Ｚ¹¹が単結合、Ｚ²が−ＣＨ₂Ｏ−のとき、および；
式（ｄ）において、
環Ａ¹、Ａ²、およびBが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、
Ｚ¹¹およびZ¹²が単結合であり、
Ｚ²が単結合、もしくは−ＣＨ₂Ｏ−のときには；
Ｒｂは、炭素数１〜９の直鎖アルコキシ、炭素数２〜９の直鎖アルコキシアルキル、炭素数２〜１０の直鎖アルケニル、炭素数２〜９の直鎖アルケニルオキシ、炭素数１〜１０の直鎖フルオロアルキル、および炭素数１〜９の直鎖フルオロアルコキシからなる群より選ばれる基である。

〔２〕：下記一般式（ａ−１）から（ｄ−１）のいずれか一つで表される液晶性化合物。

上記各式中、Ｒａ₁およびＲｂ₁は、独立して、炭素数１〜１０の直鎖アルキルであるが、上記アルキルにおいて、−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はハロゲンで置き換えられていてもよく；
環Ａ¹、Ａ²、およびＢは、独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、または１，４−フェニレンであり；
Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³は、独立して、単結合、または炭素数２もしくは４のアルキレンのいずれかであるが、上記アルキレンにおいて、−（ＣＨ₂）−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく；
Ｘ₁およびＸ₂は、一方がフッ素であり、他方が塩素である。
ただし、
式（ｂ−１）において、
環Ａ¹およびＢが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、
Ｚ¹¹が単結合、Ｚ²が−ＣＨ₂Ｏ−のとき、および；
式（ｄ−１）において、
環Ａ¹、Ａ²、およびＢが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、
Ｚ¹¹、およびＺ¹²が単結合であり、
Ｚ²が単結合、もしくは−ＣＨ₂Ｏ−のときには、
Ｒｂ₁は、炭素数１〜９の直鎖アルコキシ、炭素数２〜９の直鎖アルコキシアルキル、炭素数２〜１０の直鎖アルケニル、炭素数２〜９の直鎖アルケニルオキシ、炭素数１〜１０の直鎖フルオロアルキル、または炭素数１〜９の直鎖フルオロアルコキシからなる群より選ばれる基である。

〔３〕：Ｒａ₁およびＲｂ₁が、独立して、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、炭素数１〜９の直鎖アルコキシ、炭素数１〜９の直鎖アルコキシアルキル、炭素数２〜１０の直鎖アルケニル、炭素数２〜９の直鎖アルケニルオキシ、炭素数１〜１０の直鎖フルオロアルキル、または炭素数１〜９の直鎖フルオロアルコキシからなる群より選ばれる基であり、
Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³が、独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−のいずれかである、
上記一般式（ａ−１）、または（ｂ−１）で表される項〔２〕に記載の液晶性化合物。

〔４〕：Ｒａ₁およびＲｂ₁が、独立して、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、炭素数１〜９の直鎖アルコキシ、炭素数１〜９の直鎖アルコキシアルキル、炭素数２〜１０の直鎖アルケニル、炭素数１〜１０の直鎖フルオロアルキル、または炭素数１〜９の直鎖フルオロアルコキシからなる群より選ばれる基であり、
Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³が、独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−のいずれかである、
上記一般式（ｃ−１）、または（ｄ−１）で表される項〔２〕に記載の液晶性化合物。

〔５〕：Ｒａ₁が、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、
Ｒｂ₁が、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、
Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²、およびＺ³が、独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−のいずれかである、
上記一般式（ａ−１）から（ｄ−１）のいずれか一つで表される項〔２〕に記載の液晶性化合物。

〔６〕：Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²、およびＺ³が、独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、または−ＣＨ＝ＣＨ−のいずれかである、
上記一般式（ａ−１）から（ｄ−１）のいずれか一つで表される項〔２〕に記載の液晶性化合物。
〔７〕：Ｒａ₁が、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、
Ｒｂ₁が炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、
Ｚ¹¹、Ｚ¹²、およびＺ³が、独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−のいずれかであり、
Ｚ²が−ＣＨ₂Ｏ−である、
上記一般式（ａ−１）から（ｄ−１）のいずれか一つで表される項〔２〕に記載の液晶性化合物。

〔８〕：Ｘ₁がフッ素、Ｘ₂が塩素である、上記一般式（ａ−１）から（ｄ−１）のいずれか一つで表される項〔２〕から〔７〕のいずれか１項に記載の液晶性化合物。
〔９〕：Ｘ₁が塩素、Ｘ₂がフッ素である、上記一般式（ａ−１）から（ｄ−１）のいずれか一つで表される項〔２〕から〔７〕のいずれか１項に記載の液晶性化合物。
〔１０〕：下記一般式（ｂ−２−１）から（ｂ−７−１）のいずれか１つで表される液晶性化合物。

上記各式中、Ｒａ₂は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、Ｒｂ₂は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、シクロへキシレン環はトランス−１，４−シクロへキシレンである。
〔１１〕：下記一般式（ｂ−２−２）から（ｂ−７−２）のいずれか１つで表される液晶性化合物。

上記各式中、Ｒａ₂は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、Ｒｂ₂は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、シクロへキシレン環はトランス−１，４−シクロへキシレンである。
〔１２〕：Ｒａ₂が炭素数１〜１０の直鎖アルキルであり、Ｒｂ₂が炭素数１〜９の直鎖アルコキシである、上記一般式（ｂ−２−１）から（ｂ−７−１）のいずれか一つで表される項〔１０〕に記載の液晶性化合物。

〔１３〕：Ｒａ₂が炭素数１〜１０の直鎖アルキルであり、Ｒｂ₂が炭素数１〜９の直鎖アルコキシである、一般式（ｂ−２−２）から（ｂ−７−２）のいずれか一つで表される項〔１１〕に記載の液晶性化合物。
〔１４〕：下記一般式（ｂ−８−１）から（ｂ−１０−１）のいずれか１つで表される液晶性化合物。

上記各式中、Ｒａ₃は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、Ｒｂ₃は、炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、シクロへキシレン環はトランス−１，４−シクロへキシレンである。
〔１５〕：下記一般式（ｂ−８−２）から（ｂ−１０−２）のいずれか１つの式で表される液晶性化合物。

上記各式中、Ｒａ₃は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、Ｒｂ₃は、炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、シクロへキシレン環はトランス−１，４−シクロへキシレンである。
〔１６〕：Ｒａ₃が炭素数１〜１０の直鎖アルキルである、上記一般式（ｂ−８−１）から（ｂ−１０−１）のいずれか一つで表される項〔１４〕に記載の液晶性化合物。

〔１７〕：Ｒａ₃が炭素数１〜１０の直鎖アルキルである、上記一般式（ｂ−８−２）から（ｂ−１０−２）のいずれか一つで表される項〔１５〕に記載の液晶性化合物。
〔１８〕：下記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物。

上記各式中、Ｒｃは、炭素数１〜１０のアルキルであるが、上記アルキルにおいて、−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はハロゲンで置き換えられていてもよく；
Ｘ₃は臭素、またはヨウ素である。
〔１９〕：下記一般式（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で表され、項〔１〕から〔１７〕のいずれか１項に記載の液晶性化合物の中間体として用いる化合物。

（各式中、Ｒｄは、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、Ｘ₃は臭素、またはヨウ素である。）
〔２０〕：下記一般式（V）または（ＶI）で表され、項〔１〕から〔１７〕のいずれか１項に記載の液晶性化合物の中間体として用いる化合物。

上記各式中、Ｒｅは、炭素数１〜１０の直鎖アルキルであるが、上記アルキルにおいて、−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はハロゲンで置き換えられていてもよい。
〔２１〕：項〔１〕〜〔１７〕に記載の化合物を含有する液晶組成物。
〔２２〕：項〔１〕〜〔１７〕に記載の化合物を含有する液晶組成物を含む液晶表示素子。

本発明の液晶性化合物は、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、適切な光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ₃₃、Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）を有し、さらに、適切な負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有している。そして特に、適切な負の誘電率異方性を有し、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する点で優れている。この液晶性化合物は、熱、光などに対する安定性を有し、幅広い反応に用いることが可能な本発明の中間体化合物によって容易に製造することができる。

また、本発明の液晶組成物は、粘度が小さく、適切な光学異方性、および適切な負の誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い。特に、本発明の液晶性化合物が適切な負の誘電率異方性を有し、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有するがゆえ、幅広い組成範囲で本発明の化合物を使用することができ、適切な負の誘電率異方性を有する液晶組成物が調製できる点で優れている。

さらに、本発明の液晶表示素子は上記組成物を含有することを特徴とし、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能であり、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＥＣＢモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモードなどの表示モードの液晶表示素子に好適に使用することができ、特に、ＩＰＳモード、ＶＡモードの液晶表示素子に好適に使用することができる。

以下、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、以下説明中では、特に断りのない限り、百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。
〔液晶性化合物〕
本発明の液晶性化合物は、上記一般式（ａ）〜（ｄ）で示される構造を有する（以下、これら化合物を総称して「液晶性化合物（１）」ともいう。）。

これら液晶性化合物（１）中のＲａおよびＲｂは、水素または炭素数１〜１０の直鎖アルキルであるが、このアルキルでは、−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよい。
例えば、直鎖アルキルがＣＨ₃（ＣＨ₂）₃−であった場合には、−ＣＨ₂−を−Ｏ−で、あるいは−（ＣＨ₂）₂−を−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えた、
ＣＨ₃（ＣＨ₂）₂Ｏ−、ＣＨ₃−Ｏ−（ＣＨ₂）₂−、ＣＨ₃−Ｏ−ＣＨ₂−Ｏ−；
Ｈ₂Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ₂）₂−、ＣＨ₃−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂−、ＣＨ₃−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−であってもよい。

ＲａおよびＲｂでは、２以上の−ＣＨ₂−を−Ｏ−で置き換えていてもよいが、化合物の安定性を考慮すると、ＣＨ₃−Ｏ−Ｏ−ＣＨ₂−などの酸素と酸素とが隣接した基ではなく、ＣＨ₃−Ｏ−ＣＨ₂−Ｏ−などの酸素と酸素とが隣接しない基である方が好ましい。
ＲａまたはＲｂとしては、より具体的には、水素、あるいは、直鎖アルキル、直鎖アルコキシ、直鎖アルコキシアルキル、直鎖アルコキシアルコキシ、直鎖アルケニル、直鎖アルケニルオキシ、直鎖アルケニルオキシアルキル、および直鎖アルコキシアルケニルからなる群より選ばれる基が挙げられる。

また、これら基中の１つ以上の水素が、ハロゲンで置き換えられていてもよく、水素を置き換えるハロゲンとしては、フッ素、塩素が好ましい。
これら基中の炭素鎖は、分岐のない直鎖である。直鎖であると、液晶相の温度範囲を広くでき、粘度を小さくできる。一方、炭素鎖に一つあるいは複数の分岐を有する分岐鎖である場合には、液晶相の温度範囲が狭まったり、粘度が大きくなる傾向にある。また、ＲａまたはＲｂのいずれかが光学活性基である場合には、キラルドーパントとして有用であり、該化合物を液晶組成物に添加することにより、液晶表示素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Reverse twisted domain）を防止することができる。

これらＲａおよびＲｂとしては、直鎖アルキル、直鎖アルコキシ、直鎖アルコキシアルキル、直鎖アルケニル、直鎖フルオロアルキル、および直鎖フルオロアルコキシからなる群より選ばれる基が好ましく、
直鎖アルキル、直鎖アルコキシ、直鎖アルコキシアルキル、直鎖アルケニル、−ＣＨ₂Ｆ、および−ＯＣＨ₂Ｆからなる群より選ばれる基がより好ましく、
直鎖アルキル、直鎖アルコキシ、および直鎖アルケニルからなる群より選ばれる基がさらに好ましい。

ＲａおよびＲｂが上記基である場合には、液晶性化合物の液晶相の温度範囲を広げることができる。
上記直鎖アルケニルには、アルケニル中の二重結合の位置に依存して、−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置がある。
−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇、−ＣＨ＝ＣＨＣ₄Ｈ₉、−Ｃ₂Ｈ₄ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−Ｃ₂Ｈ₄ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅などのように奇数位に二重結合を有するアルケニルでは、立体配置はトランス配置が好ましい。

一方、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇などのように偶数位に二重結合を有するアルケニルでは、立体配置はシス配置が好ましい。上述のような好ましい立体配置を有する直鎖アルケニル化合物は、液晶相の温度範囲が広く、大きな弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）を有し、化合物の粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_NI）を高くすることができる。

上記直鎖アルキルの具体例としては、−ＣＨ₃、−Ｃ₂Ｈ₅、−Ｃ₃Ｈ₇、−Ｃ₄Ｈ₉、−Ｃ₅Ｈ₁₁、−Ｃ₆Ｈ₁₃、−Ｃ₇Ｈ₁₅;
上記直鎖アルコキシの具体例としては、−ＯＣＨ₃、−ＯＣ₂Ｈ₅、−ＯＣ₃Ｈ₇、−ＯＣ₄Ｈ₉、−ＯＣ₅Ｈ₁₁、−ＯＣ₆Ｈ₁₃；
上記直鎖アルコキシアルキルの具体例としては、−ＣＨ₂ＯＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ₂ＯＣ₃Ｈ₇、−（ＣＨ₂）₂ＯＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＯＣ₂Ｈ₅、−（ＣＨ₂）₂ＯＣ₃Ｈ₇、−（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₄ＯＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₅ＯＣＨ₃；
上記直鎖アルケニルの具体例としては、−ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₃ＣＨ＝ＣＨ₂；
上記直鎖アルケニルオキシの具体例としては、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅を挙げられる。

また、水素をハロゲンで置き換えた直鎖アルキルの具体例としては、−ＣＨ₂Ｆ、−ＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−（ＣＨ₂）₂Ｆ、−ＣＦ₂ＣＨ₂Ｆ、−ＣＦ₂ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂ＣＦ₃、−ＣＦ₂ＣＦ₃、−（ＣＨ₂）₃Ｆ、−（ＣＦ₂）₂ＣＦ₃、−ＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃、−ＣＨＦＣＦ₂ＣＦ₃；
水素をハロゲンで置き換えた直鎖アルコキシの具体例としては、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＯＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＦ₃、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、−ＯＣＦ₂ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₃、−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃、−ＯＣＨＦＣＦ₂ＣＦ₃；
水素をハロゲンで置き換えた直鎖アルケニルの具体例としては、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ₂、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₂Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ₃、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＦ₂を挙げることができる。

これらＲａおよびＲｂの具体例の中でも、
−ＣＨ₃、−Ｃ₂Ｈ₅、−Ｃ₃Ｈ₇、−Ｃ₄Ｈ₉、−Ｃ₅Ｈ₁₁、−ＯＣＨ₃、−ＯＣ₂Ｈ₅、−ＯＣ₃Ｈ₇、−ＯＣ₄Ｈ₉、−ＯＣ₅Ｈ₁₁、−ＣＨ₂ＯＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＯＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃、−ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₃ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＯＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＦ₃、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、−ＯＣＦ₂ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₃、−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃、および−ＯＣＨＦＣＦ₂ＣＦ₃が好ましく、
−ＣＨ₃、−Ｃ₂Ｈ₅、−Ｃ₃Ｈ₇、−Ｃ₄Ｈ₉、−Ｃ₅Ｈ₁₁、−ＯＣＨ₃、−ＯＣ₂Ｈ₅、−ＯＣ₃Ｈ₇、−ＯＣ₄Ｈ₉、−ＯＣ₅Ｈ₁₁、−ＣＨ₂ＯＣＨ₃、−ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₃ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ₂Ｆ、および−ＯＣＨ₂Ｆがより好ましく、
−ＣＨ₃、−Ｃ₂Ｈ₅、−Ｃ₃Ｈ₇、−Ｃ₄Ｈ₉、−Ｃ₅Ｈ₁₁、−ＯＣＨ₃、−ＯＣ₂Ｈ₅、−ＯＣ₃Ｈ₇、−ＣＨ₂ＯＣＨ₃、−ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃がさらに好ましい。

環Ａ¹、Ａ²、Ｂ、およびＣは、独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、または１，４−フェニレンである。
中でも、これら環のうち少なくとも二つの環が、トランス−１，４−シクロヘキシレンであるときには、光学異方性（Δｎ）を小さくし、粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_NI）を高くすることができる。

また、これら環のうち少なくとも一つの環が、１，４−フェニレンのときは、光学異方性（Δｎ）を比較的大きくすることができるとともに、配向秩序パラメーター（orientational order parameter）を大きくすることができる。
さらに、少なくとも二つの環が１，４−フェニレンであるときは、光学異方性を大きくすることができる。

Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³の例としては、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂Ｏ−、および−ＯＣＨ₂−ＣＨ＝ＣＨ−を挙げることができる。
ここで、Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³が、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂Ｏ−、および−ＯＣＨ₂−ＣＨ＝ＣＨ−のような結合基の場合には、二重結合に対する他の基の立体配置は、トランス配置が好ましく、−ＣＨ₂−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂−の場合には、シス配置が好ましい。このような立体配置であることにより、この液晶性化合物の液晶相の温度範囲を広げることができ、弾性定数Ｋ₃₃を大きくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_NI）を高くすることができる。

これら、Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³の中でも、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ₂）₄−が好ましく、
単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、および−ＣＨ＝ＣＨ−、がより好ましく、
単結合、および−（ＣＨ₂）₂−がさらに好ましい。

上記Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³が、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または−（ＣＨ₂）₄−である場合は、化合物の粘度を小さくすることができる。特に、上記Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³が、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは、さらに化合物の粘度を小さくすることができる。
また、上記Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³中に−ＣＨ＝ＣＨ−が含まれている場合には、液晶相の温度範囲を広げること、弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁を大きくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加したときにはネマチック相の上限温度（Ｔ_NI）を高くすることができる。

上記Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³が、単結合のときは、Ｋ₃₃を小さくすることができる。
Ｘ₁およびＸ₂は、一方がフッ素であり、他方が塩素であり、Ｘ₁とＸ₂とは異なるハロゲンである。このように、一方がフッ素、他方が塩素とすることにより、同一のハロゲン、特にＸ₁とＸ₂とがフッ素の場合と比較して、他の液晶性化合物との相溶性を高めることが可能となる。したがって、他の液晶性化合物に対して、液晶性化合物（１）をより多く添加することが可能となるので、従来の液晶組成物と比較して誘電率異方性（Δε）の高い液晶組成物を得ることができ、さらに液晶組成物を液晶素子として用いることができる温度範囲も広げることが可能になる。

また、Ｘ₁が塩素であり、Ｘ₂がフッ素の場合には、さらに他の液晶性化合物との相溶性に優れる。
ただし、式（ａ）において、
環Ｂ、およびＣが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、
Ｚ²およびＺ³が単結合であるとき；
式（ｂ）において、
環Ａ¹およびＢが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、
Ｚ¹¹が単結合、Ｚ²が−ＣＨ₂Ｏ−であるとき、および；
式（ｄ）において、
環Ａ¹、Ａ²、およびＢが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、
Ｚ¹¹およびＺ¹²が単結合であり、
Ｚ²が単結合、もしくは−ＣＨ₂Ｏ−であるときには；
Ｒｂは、炭素数１〜９の直鎖アルコキシ、炭素数２〜９の直鎖アルコキシアルキル、炭素数２〜１０の直鎖アルケニル、炭素数２〜９の直鎖アルケニルオキシ、炭素数１〜１０の直鎖フルオロアルキル、および炭素数１〜９の直鎖フルオロアルコキシからなる群より選ばれる基である。

なお、化合物の物性に大きな差異がないので、液晶性化合物（１）は²Ｈ（重水素）、¹³Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。
液晶性化合物（１）が、１,４−フェニレン環骨格、および／またはトランス−１，４−シクロへキシレン環骨格、を有する環を３つ有している場合には、粘度を小さくすることができ、ネマチック相の上限温度を高くすることができる。

また、液晶性化合物（１）が上記環を４つ有している場合には、ネマチック相の上限温度をさらに高めることができる。
これら液晶性化合物（１）では、末端基ＲａおよびＲｂ、環Ａ¹、Ａ³、Ｂ、およびＣ、結合基Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³を上記範囲で適宜選択することにより、光学異方性（Δｎ）、誘電率異方性（Δε）などの物性を所望の物性に調整することが可能である。

＜液晶性化合物（１）の好ましい態様＞
これら液晶性化合物（１）の中でも、上記一般式（ａ−１）から（ｄ−１）で表される化合物が好ましい。上記一般式（ａ−１）から（ｄ−１）で表される化合物は、液晶相の温度範囲を広くすること、粘度を小さくすること、光学異方性（Δｎ）が大きくすることができ、さらに、誘電率異方性（Δε）を負に大きくすることができる。

上記一般式（ａ−１）から（ｄ−１）中、Ｒａ₁およびＲｂ₁は、独立して、炭素数１〜１０の直鎖アルキルであるが、上記アルキルにおいて、−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はハロゲンで置き換えられていてもよい。
環Ａ¹、Ａ²、およびＢ、結合基Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³、基Ｘ₁およびＸ₂については、上述の液晶性化合物（１）の場合と同様である。

ただし、式（ｂ−１）において、
環Ａ¹およびＢが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、
Ｚ¹¹が単結合、Ｚ²が−ＣＨ₂Ｏ−のとき、および；
式（ｄ−１）において、
環Ａ¹、Ａ²、およびＢが、トランス−１，４−シクロへキシレンであり、Ｚ¹¹、およびＺ¹²が単結合であり、
Ｚ²が単結合、もしくは−ＣＨ₂Ｏ−のときには、
Ｒｂ₁は、炭素数１〜９の直鎖アルコキシ、炭素数２〜９の直鎖アルコキシアルキル、炭素数２〜１０の直鎖アルケニル、炭素数２〜９の直鎖アルケニルオキシ、炭素数１〜１０の直鎖フルオロアルキル、または炭素数１〜９の直鎖フルオロアルコキシからなる群より選ばれる基である。

一般式（ａ−１）から（ｄ−１）で示される化合物の中でも、Ｒａ₁およびＲｂ₁が、独立して、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、炭素数１〜９の直鎖アルコキシ、炭素数１〜９の直鎖アルコキシアルキル、炭素数２〜１０の直鎖アルケニル、炭素数２〜９の直鎖アルケニルオキシ、炭素数１〜１０の直鎖フルオロアルキル、または炭素数１〜９の直鎖フルオロアルコキシからなる群より選ばれる基であり、Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²およびＺ³が、独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−のいずれかである化合物が好ましい。

これら好ましい液晶化合物の中でも、Ｒａ₁が、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、
Ｒｂ₁が、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、
Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²、およびＺ³が、独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−のいずれかであることも好ましい。

さらに、Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²、およびＺ³が、独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、または−ＣＨ＝ＣＨ−のいずれかであることも好ましい。化合物（ａ−１）から（ｄ−１）が上記構造を有することにより、液晶性化合物の粘度をさらに低くすること、他の液晶性化合物との相溶性を優れたものとすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加したときには、ネマチックの上限温度（Ｔ_NI）を高くすることができる。

また、Ｒａ₁が、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、Ｒｂ₁が炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、Ｚ²が−ＣＨ₂Ｏ−であることも好ましい。化合物（ａ−１）から（ｄ−１）が上記構造を有することにより、誘電率異方性を負にさらに大きくすることができる。
＜液晶性化合物（ｂ）の好ましい態様＞
一般式（ｂ）で示される液晶性化合物（１）の中でも、（ｂ−２−１）から（ｂ−７−１）、および（ｂ−２−２）から（ｂ−７−２）で示される液晶性化合物は、好ましい液晶性化合物として例示することができる。

これらの液晶性化合物は、特に、他の液晶性化合物との相溶性を特に優れたものとすることができる。
また、一般式（ｂ）で示される液晶性化合物の中でも、（ｂ−８−１）から（ｂ−１０−１）、および（ｂ−８−２）から（ｂ−１０−２）で示される液晶性化合物も好ましい液晶性化合物として例示することができる。

これらの液晶性化合物は他の液晶性化合物との相溶性に特に優れ、誘電率異方性を負に大きくすることができる。特に、Ｒｂ₃が直鎖アルコキシである化合物はさらに誘電率異方性を負に大きくすることができる。
液晶性化合物がこれら液晶性化合物（１）で示される構造を有する場合には、適切な負の誘電率異方性を有し、他の液晶性化合物との相溶性が極めてよい。さらに、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、適切な光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ₃₃、Ｋ₁₁を有している。また、この液晶性化合物（１）を含有する液晶組成物は、液晶表示素子が通常使用される条件下で安定であり、低い温度で保管してもこの化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。

したがって、液晶性化合物（１）は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に好適に適用することができ、ＩＰＳ、ＶＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に、特に好適に適用することができる。
〔液晶性化合物（１）の合成〕
液晶性化合物（１）は、有機合成化学の合成手法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、例えば、オーガニックシンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載されている。

＜結合基Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²またはＺ³の形成＞
結合基Ｚ¹¹、Ｚ¹²、Ｚ²またはＺ³を形成する方法の一例を示す。結合基を形成するスキームを以下示す。このスキームにおいて、ＭＳＧ¹またはＭＳＧ²は１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ¹（またはＭＳＧ²）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）から（１Ｇ）は液晶性化合物（１）に相当する。

（I）２重結合の生成 その１
一価の有機基ＭＳＧ²を有する有機ハロゲン化合物（ａ１）とマグネシウムとを反応させ、グリニャール試薬を調製する。この調製したグリニャール試薬と、アルデヒド誘導体（ａ４）もしくは（ａ５）とを反応させることにより、対応するアルコール誘導体を合成する。ついで、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒を用いて、得られたアルコール誘導体の脱水反応を行うことにより、対応する２重結合を有する化合物（１Ａ）もしくは（１Ｂ）を合成することができる。

（II）２重結合の生成 その２
有機ハロゲン化合物（ａ１）を、ブチルリチウム、もしくはマグネシウムで処理して得られた化合物を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させて、アルデヒド（ａ６）を得る。ついで、得られたアルデヒド（ａ６）と、ホスホニウム塩（ａ７）、または（ａ８）をカリウムｔ−ブトキシド等の塩基で処理して得られるリンイリドとを反応させ、対応する２重結合を有する化合物（１Ａ）、または（１Ｂ）を合成することができる。なお、上記反応では、反応条件によってシス体が生成する場合もあるので、トランス体を得る必要がある場合には、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（III）単結合の生成 その１
有機ハロゲン化合物（ａ１）とマグネシウムとを反応させ、グリニャール試薬を調製する。この調製したグリニャール試薬と、シクロヘキサノン誘導体（ａ２）とを反応させることにより、対応するアルコール誘導体を合成する。ついで、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒を用いて、得られたアルコール誘導体の脱水反応を行うことにより、対応する２重結合を有する化合物（ａ３）を合成する。得られた化合物（ａ３）をＲａｎｅｙ−Ｎｉのような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｃ）を合成することができる。なお、シクロヘキサノン誘導体（ａ２）は、例えば、特開昭５９−７１２２号に記載の方法に従い合成することができる。

（IV）単結合の生成 その２
ジヒドロキシボラン誘導体（ａ９）と有機ハロゲン化合物（ａ１）とを、例えば、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄）とからなる触媒の存在下で反応させることにより、化合物（１Ｆ）を合成することができる。
また、一価の有機基ＭＳＧ¹を有する有機ハロゲン化合物（ａ１０）にブチルリチウムを反応させ、さらに塩化亜鉛を反応させた後、得られた化合物を、例えば、ビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₂Ｃｌ₂）触媒の存在下で化合物（ａ１）と反応させることにより、化合物（１Ｆ）を合成することもできる。

（V）−（ＣＨ₂）₂−の生成
化合物（１Ａ）を炭素担持パラジウム（Ｐｄ／Ｃ）のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｄ）を合成することができる。
（VI）−（ＣＨ₂）₄−の生成
化合物（１Ｂ）をＰｄ／Ｃのような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｅ）を合成することができる。

（VII）−ＣＨ₂Ｏ−または−ＯＣＨ₂−の生成
ジヒドロキシボラン誘導体（ａ１１）を過酸化水素等の酸化剤により酸化し、アルコール誘導体（ａ１２）を得る。別途、アルデヒド誘導体（ａ６）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（ａ１３）を得る。得られた化合物（ａ１３）を臭化水素酸等でハロゲン化して有機ハロゲン化合物（ａ１４）を得る。このようにして得られた化合物（ａ１２）と化合物（ａ１４）とを炭酸カリウムなどの存在下反応させることにより化合物（１Ｇ）を合成することができる。

〔化合物（Ｉ）および（ＩＩ）の製造方法〕
次に、液晶性化合物（１）の原料ともなり得る、化合物（Ｉ）および（ＩＩ）の製造方法の一例を示す。

アニリン誘導体（ｂ１）を、氷冷下、亜硝酸ナトリウムおよび鉱酸と反応させてジアゾニウム塩を得る。ついで、得られたジアゾニウム塩を、塩酸、および塩化第一銅と反応させ、さらに水蒸気蒸留することにより化合物（ｂ２）を得る。得られた化合物（ｂ２）を、水酸化カリウム等の塩基の存在下、アルコール誘導体（Ｒ'ＯＨ）と反応させエーテル化することにより化合物（ｂ３）を得る。得られた化合物（ｂ３）を、臭素、ヨウ素等のハロゲン分子と反応させることにより、本発明の化合物（Ｉ）の一例である（Ｉ'）を製造することができる。

アニリン誘導体（ｂ４）を、まず氷冷下、亜硝酸ナトリウムおよび鉱酸と反応させてジアゾニウム塩を得る。ついで、得られたジアゾニウム塩を、水中で煮沸する。この操作により、分解反応が起こり、（ｂ４）中のアミノの位置が、ヒドロキシルとなったフェノール誘導体（ｂ５）が得られる。得られた化合物（ｂ５）を、炭酸カリウム等の塩基の存在下、対応する有機ハロゲン化合物（Ｒ'−Ｘ）と反応させエーテル化することにより化合物（ｂ６）が得られる。得られた化合物（ｂ６）を、臭素、ヨウ素等のハロゲン分子と反応させることにより、本発明の化合物（ＩＩ）の一例である（ＩＩ'）を製造することができる。

〔液晶性化合物（１）の製造方法〕
以下、液晶性化合物（１）、すなわち上記一般式（ａ）〜（ｄ）で示される液晶性化合物の製造例を示す。

化合物（ｂ７）とマグネシウムとを反応させてグリニャール試薬を調製する。このグリニャール試薬とカルボニル誘導体（ｂ８）とを反応させて、アルコール誘導体（ｂ９）を得る。ｐ−トルエンスルホン酸（ＰＴＳ）等の酸触媒の存在下、得られたアルコール誘導体（ｂ９）の脱水反応を行い、化合物（ｂ１０）を得る。ついで、Ｐｄ／Ｃ、Ｒａｎｅｙ−Ｎｉ等の触媒存在下、化合物（ｂ１０）の水素付加反応を行うことにより本発明の液晶性化合物（１）の一例である（ｂ１１）を製造することができる。

化合物（ｂ７）とマグネシウムとを反応させグリニャール試薬を調製する。このグリニャール試薬とホウ酸エステルとを反応させ、酸性雰囲気で加水分解することによりジヒドロキシボラン誘導体（ｂ１２）を得る。このジヒドロキシボラン誘導体（ｂ１２）と化合物（ｂ１３）とを炭酸カリウム、水酸化ナトリウム等の塩基、およびＰｄ／Ｃ、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₂Ｃｌ₂等の触媒存在下、反応させることにより本発明の液晶性化合物（１）の一例である（ｂ１４）を製造することができる。

化合物（ｂ７）とマグネシウムとを反応させグリニャール試薬を調製する。このグリニャール試薬と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとを反応させ、さらに、酸性雰囲気下、加水分解することによりアルデヒド誘導体（ｂ１５）を得る。得られたアルデヒド誘導体（ｂ１５）を水素化ホウ素ナトリウム等で還元して、ついで、塩化チオニル等で塩素化し、さらに亜燐酸トリエチルとＡｒｂｕｓｏｖ反応させることで化合物（ｂ１８）を得る。この化合物（ｂ１８）とアルデヒド誘導体（ｂ１９）とを、ナトリウムエトキシド等の塩基の存在下、反応させる。さらに必要な場合には、生成する異性体（Ｅ体またはＺ体）をベンゼンスルフィン酸等により異性化して本発明の液晶性化合物（１）の一例である（ｂ２０）を製造することができる。

化合物（ｂ７）とマグネシウムとを反応させグリニャール試薬を調製する。このグリニャール試薬とカルボニル誘導体（ｂ２１）とを反応させて、アルコール誘導体（ｂ２２）を得る。ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下、得られたアルコール誘導体（ｂ２２）の脱水反応を行い、化合物（ｂ２３）を得る。ついで、Ｐｄ／Ｃ等の触媒存在下、化合物（ｂ２３）の水素付加反応を行うことにより化合物（ｂ２４）を得る。この化合物（ｂ２４）を、蟻酸等の酸雰囲気下、加水分解することでカルボニル誘導体（ｂ２５）を得る。得られたカルボニル誘導体（ｂ２５）を、メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドと、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）等の塩基とから調製されるリンイリドと、Ｗｉｔｔｉｇ反応させてエノールエーテル誘導体（ｂ２６）を得る。得られたエノールエーテル誘導体（ｂ２６）を、酸雰囲気下、加水分解して、さらに必要な場合には、塩基性条件下、異性化してアルデヒド誘導体（ｂ２７）を得る。このアルデヒド誘導体（ｂ２７）を、メチルトリフォニルホスホニウムブロミドと、ｔ−ＢｕＯＫ等の塩基とから調製されるリンイリドと、反応させることにより、本発明の液晶性化合物（１）の一例である（ｂ２８）を製造することができる。

化合物（ｂ１９）を水素化ホウ素ナトリウム等で還元して化合物（ｂ２９）を得る。ついで臭化水素酸等で臭素化することにより化合物（ｂ３０）を得る。別途、過酸化水素等の酸化剤でジヒドロキシボラン誘導体（ｂ１２）の酸化反応を行うことによりフェノール誘導体（ｂ３１）を得る。上述の操作で得られた化合物（ｂ３０）とフェノール誘導体（ｂ３１）とを、炭酸カリウム等の塩基の存在下、エーテル化反応させることにより、本発明の液晶性化合物（１）の一例である（ｂ３２）を製造することができる。

化合物（ｂ３３）とマグネシウムとを反応させグリニャール試薬を調製する。このグリニャール試薬とカルボニル誘導体（ｂ３４）とを反応させて、アルコール誘導体（ｂ３５）を得る。ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下、得られたアルコール誘導体（ｂ３５）の脱水反応を行い、化合物（ｂ３６）を得る。ついで、Ｒａｎｅｙ−Ｎｉ等の触媒存在下、化合物（ｂ３６）の水素付加反応を行うことにより化合物（ｂ３７）を得る。ついで、三臭化ホウ素等のルイス酸によって、この化合物（ｂ３７）の脱メチル化反応を行うことで、フェノール誘導体（ｂ３８）を得る。得られたフェノール誘導体（ｂ３８）を、炭酸カリウム等の塩基の存在下、化合物（ｂ３９）とエーテル化反応させることにより、本発明の液晶性化合物（１）の一例である（ｂ４０）を製造することができる。

ピリジン等の塩基の存在下、化合物（ｂ３８）をトリフルオロメタンスルホン酸無水物と反応をさせて化合物（ｂ４１）を得る。ついで、炭酸カリウム等の塩基の存在下、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄またはＰｄ／Ｃ等を触媒として、化合物（ｂ４１）を、ジヒドロキシボラン誘導体（ｂ４２）と反応させることにより、本発明の液晶性化合物（１）の一例である（ｂ４３）を製造することができる。

〔液晶組成物〕
以下、本発明の液晶組成物について説明をする。この液晶組成物の成分は少なくとも一種の液晶性化合物（１）を含むことを特徴とするが、液晶性化合物（１）を２種以上含んでいてもよく、液晶性化合物（１）のみから構成されていてもよい。本発明の液晶組成物中の液晶性化合物（１）の含有量は特に制限されないが、液晶組成物の全重量に対して、液晶性化合物（１）を１〜９９重量％の割合で含有することが好ましい。また本発明の液晶組成物を調製するときには、例えば、液晶性化合物（１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。

〔液晶表示素子〕
本発明の液晶組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＢＴＮモード，ＥＣＢモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモードなどの表示モードの素子に使用できるが、特に垂直配向方式によるＩＰＳおよびＶＡの素子に使用できる。これら液晶表示素子の駆動方式は、パッシブマトリクス（ＰＭ）駆動方式であってもよいし、アクティブマトリクス（ＡＭ）駆動方式であってもよい。

また、本発明の液晶表示素子は、液晶組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子としても使用できる。

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。なお特に断りのない限り、「％」は「重量％」を意味する。
得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトル、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラムなどにより同定したので、まず分析方法について説明をする。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析
測定装置は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ₃等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数２４回の条件で行った。なお、得られた核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｍはマルチプレットであることを意味する。また、化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。

ＧＣ分析
測定装置は、島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ２５−０２５（長さ２５ｍ、内径０．２２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は１ｍｌ／分に調整した。試料気化室の温度を２８０℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を３００℃に設定した。

試料はトルエンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ６Ａ型Chromatopac、またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。

なお、試料の希釈溶媒としては、例えば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty.Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）などを用いてもよい。

ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の重量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の重量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％とほぼ対応している。成分の液晶性化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶化合物成分（被検成分）と基準となる液晶化合物（基準物質）を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。

〔液晶性化合物等の物性値の測定試料〕
液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の２種類がある。
化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行う。まず、得られた液晶性化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を作製する。そして、得られた試料の測定値から、下記式に示す式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算する。この外挿値をこの化合物の物性値とする。

〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈液晶性化合物の重量％〉
液晶性化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出する場合には、液晶性化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出しなくなった組成で試料の物性値を測定し上記式にしたがって外挿値を求めて、これを液晶性化合物の物性値とする。

上記測定に用いる母液晶としては様々な種類が存在するが、例えば、母液晶Ａの組成は以下のとおりである。
母液晶Ａ：

なお、液晶組成物の物性値を測定する試料としては、液晶組成物そのものを用いた。
〔液晶性化合物等の物性値の測定方法〕
物性値の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたＴＮ素子またはＶＡ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

測定値のうち、液晶性化合物単体そのものを試料として得られた値と、液晶組成物そのものを試料として得られた値は、そのままの値を実験データとして記載した。化合物を母液晶に混合し試料として得られた場合には、外挿法で得られた値を外挿値とした。
相構造および転移温度（℃）
以下（１）、および（２）の方法で測定を行った。
（１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に化合物を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。
（２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄ ＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め（ｏｎ ｓｅｔ）、転移温度を決定した。

以下、結晶はＣと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ₁またはＣ₂と表した。また、スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。液体（アイソトロピック）はＩｓｏと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相、またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_B、またはＳ_Aと表した。転移温度の表記として、例えば、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉｓｏ」とは、結晶からネマチック相への転移温度（ＣＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。

ネマチック相の上限温度（Ｔ_NI；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に、試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を置き、１℃／分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。以下、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。

低温相溶性
母液晶と液晶性化合物とを、液晶性化合物が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％および１重量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。

粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
Ｅ型回転粘度計を用いて測定した。
回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を入れた。この素子に３０ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。なお、この計算に必要な誘電率異方性は、下記誘電率異方性で測定した値を用いた。

光学異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）
測定は、２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥の式から計算した。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
誘電率異方性は以下の方法によって測定した。
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。

同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、２枚のガラス基板の間隔が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子を組み立てた。
得られたＶＡ素子に試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５ボルト（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。

また、得られたＴＮ素子に試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５ボルト（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。
電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を、高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率（％）で表現したものである。

本発明の液晶性化合物（１）を製造するために有用な中間体化合物（Ｉ）および（ＩＩ）の実施例について説明する。
〔実施例１〕
１−ブロモ−３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロベンゼン（Ｃ２）の合成

第１工程
水 ２７０ｇの入った反応器へ３０％塩酸 ５５０ｇを加え、さらに２，６−ジフルオロアニリン（ｂ１） １２９ｇを加えて、６０℃で３０分攪拌した。その後、−１０℃まで冷却して、−１０℃から−５℃の温度範囲で、３０分かけて３７．６％亜硝酸ナトリウム水溶液 １９２．５ｇを滴下し、さらに−１０℃で３０分攪拌した。得られた反応混合物を３０％塩酸 １２２ｇと塩化第一銅 ２２ｇとが入った別の反応器へ、９０分かけて、２５℃から３０℃の温度範囲で滴下し、さらにその温度範囲で３０分攪拌した。この反応により得られた反応混合物を水蒸気蒸留した。得られた有機相を水で３回洗浄した後、乾燥し、２−クロロ−１，３−ジフルオロベンゼン（ｂ２） １２４ｇを得た。

第２工程
エタノール２０００ｍｌの入った反応器へ、５０℃から６０℃の温度範囲で、水酸化カリウム ５６０ｇとテトラメチルアンモニウムクロリド（ＴＭＡＣ） ２３ｇとを加えて、その温度範囲で３０分攪拌した。その後、この溶液を８０℃まで加熱して、８０℃から８５℃の温度範囲で、化合物（ｂ２） ５９４ｇを１時間かけて添加し、その後、８０℃で５時間攪拌をした。得られた反応混合物を２５℃まで冷却した後、トルエン１０００ｍｌと水５００ｍｌとを加えてよく混合した後、静置して有機層と水層とに分離させた。得られた有機層を分取した後、水層に新たにトルエン５００ｍｌを添加してよく混合した後同様の操作を行い、水相中に含まれている化合物の抽出を再度行った。このトルエン溶液を先に得られた有機層へ加えた。この有機層を水で３回洗浄した後、得られた有機層を減圧下蒸留して、２−クロロ−１−エトキシ−３−フルオロベンゼン （ｂ４３）６０６ｇを得た。得られた液体は無色であり、沸点は、９８〜９９℃／８ｍｍＨｇであった。

第３工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（ｂ４３） ６０６ｇを加え、そこへ、２０℃から４０℃の温度範囲で、臭素 ５７０ｇを１時間かけて滴下し、その後、３０分攪拌した。得られた反応混合物を、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液、１０％水酸化ナトリウム水溶液、および水で洗浄した。このようにして得られた洗浄後の反応混合物を、減圧下、分別蒸留して、１−ブロモ−３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロベンゼン（Ｃ２） ７６０ｇを得た。得られた化合物（Ｃ２）は、白色固体であり、融点は６５．４〜６６．１℃、沸点は１２５〜１２７℃／８ｍｍＨｇであった。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、１−ブロモ−３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロベンゼンであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．３５（ｔ，１Ｈ），６．６２（ｄｄ，１Ｈ），４．０９（ｑ，２Ｈ），１．４８（ｔ，３Ｈ）．
〔実施例２〕
１−ブロモ−２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロベンゼン（Ｃ１２）の合成

第１工程
３０．６％硫酸 ６８６０ｇが入った反応器へ３−クロロ−２−フルオロアニリン（ｂ４） ７２８ｇを加え、８０℃で３０分攪拌した。その後、−１０℃まで冷却し、−１０℃から−５℃の範囲で、９０分かけて３７．０％亜硝酸ナトリウム水溶液 ９５２ｇを滴下し、さらにその温度範囲で３０分攪拌した。得られた反応混合物を５１．２％硫酸 ４１００ｇ、硫酸銅 １５００ｇ、およびトルエン ３０００ｍｌとが入った別の反応容器へ、６時間かけて、８０℃から８５℃の温度範囲で滴下し、さらにその温度範囲で３０分攪拌した。その後得られた反応混合物を７０℃から７５℃の温度範囲まで冷却して静置し、有機層と水層の２層に分離させ、有機層を分取した。さらに、水層を２０℃まで冷却して硫酸銅をろ別した後、トルエン １２００ｍｌで２回抽出操作を行った。抽出操作によって得られた有機層は、水 ７００ｍｌで洗浄した後、分別蒸留を行い、３−クロロ−２−フルオロフェノール（ｂ５） ３００ｇを得た。沸点は、６０〜６２℃／１ｍｍＨｇであった。

第２工程
１０％水酸化ナトリウム水溶液 １２００ｇの入った反応器へ、化合物（ｂ５）を、２０℃から４０℃の温度範囲で、３０分かけて滴下した。その後、ジエチル硫酸 ４６２ｇを、２５℃から３５℃の温度範囲で、１時間かけて滴下し、さらにその温度範囲で５時間攪拌した。得られた有機層を分取して、水 ２００ｍｌで３回洗浄をし、その後乾燥して、１−クロロ−３−エトキシ−２−フルオロベンゼン（ｂ４４） ５０５ｇを得た。得られた液は、無色であった。

第３工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（ｂ４４） ５０４ｇを加え、そこへ、２０℃から４０℃の温度範囲で、臭素 ４３４ｇを１時間かけて滴下し、その後、３０分攪拌した。得られた反応混合物を、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液、１０％水酸化ナトリウム水溶液、および水で洗浄した。このようにして得られた洗浄後の反応混合物を、減圧下、分別蒸留して、１−ブロモ−２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロベンゼン（Ｃ１２）６０５ｇを得た。得られた化合物（Ｃ１２）は、白色固体であり、融点は４８．０〜４８．５℃、沸点は、８８〜９０℃／１ｍｍＨｇであった。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、１−ブロモ−２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロベンゼンであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．３１（ｄｄ，１Ｈ），６．７７（ｔ，１Ｈ），４．０９（ｑ，２Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ）．
〔実施例３〕
実施例１、および実施例２に記載した合成方法と同様の方法により、以下に示す、化合物（Ｃ１）、（Ｃ３）〜（Ｃ１１）、および（Ｃ１３）〜（Ｃ２０）を合成した。なお、これら化合物群には、実施例１および２で得られる化合物（Ｃ２）および（Ｃ１２）についても記載している。付記したデータは前記した手法に従い測定した値である。なお、ｍ．ｐ．は融点を示し、ｂ．ｐ．は沸点を示す。

実施例１、２、および３で合成した化合物（Ｃ１）〜（Ｃ２０）を用いて製造される本発明の液晶性化合物（１）の実施例を説明する。
〔実施例４〕
トランス−４’−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ２８）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム ２．６ｇとＴＨＦ ２０ｍｌとを加えて、４０℃まで加熱した。そこへ、ＴＨＦ ８０ｍｌに溶解した化合物（Ｃ２） ２６．６ｇを、３０℃から４５℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに３０分攪拌した。その後、ＴＨＦ ４０ｍｌに溶解した４'−プロピル−ビシクロヘキシル−４−オン（ｂ４５）２２．２ｇを、３０℃から５０℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに６０分攪拌した。得られた反応混合物を２５℃まで冷却した後、３Ｎ−塩酸 １００ｍｌとトルエン １００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、４−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４’−プロピル−ビシクロヘキシル−４−オール（ｂ４６） ４５．８ｇを得た。得られた化合物（ｂ４６）は黄色油状物であった。

第２工程
化合物（ｂ４６） ４５．８ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸 ０．５ｇ、およびトルエン １５０ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら１時間加熱還流させた。反応混合物を２５℃まで冷却した後、得られた液に水 ２００ｍｌとトルエン １００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣を得た。得られた残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとエタノールとの混合溶媒（体積比 へプタン：エタノール＝２：１）からの再結晶により精製し、４−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４’−プロピル−ビシクロヘキシル−３−エン（ｂ４７）２８．５ｇを得た。化合物（ｂ４５）からの収率は６８．４％であった。

得られた化合物（ｂ４７）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｃ₁ ６５．４ Ｃ₂ ８１．１ Ｃ₃ ８８．９ Ｓ_A １２１．５ Ｎ １６０．２ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４’−プロピル−ビシクロヘキシル−３−エンであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．０４（ｔ，１Ｈ），６．６４（ｄｄ，１Ｈ），５．８７（ｔ，１Ｈ），４．０９（ｑ，２Ｈ），２．３８−０．８６（ｍ，２７Ｈ）．
第３工程
トルエン ８０ｍｌと、イソプロピルアルコール ８０ｍｌとの混合溶媒に、化合物（ｂ４７） ２０．８ｇを溶解させ、さらに、Ｒａｎｅｙ−Ｎｉ ２．０ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で撹拌した。反応終了後、Ｒａｎｅｙ−Ｎｉを除去して、さらに溶媒を留去し、残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとエタノールとの混合溶媒（体積比 へプタン：エタノール＝２：１）からの再結晶により精製し、トランス−４'−（３-クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ２８） １３．８ｇを得た。得られた化合物（Ｃ２８）は無色結晶であり、化合物（ｂ４７）からの収率は６５．８％であった。

得られた化合物（Ｃ２８）の転移温度は以下の通りである。
相転移温度（℃） ： Ｃ １０５．５ Ｓ_B １０６．９ Ｎ １６８．９ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４’−（３-クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．０１（ｔ，１Ｈ），６．６５（ｄｄ，１Ｈ），４．０８（ｑ，２Ｈ），２．７２（ｔｔ，１Ｈ）１．８８−０．８２（ｍ，２９Ｈ）．
〔実施例５〕
トランス−４’−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ４４）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム ２．６ｇとＴＨＦ ２０ｍｌとを加えて、４０℃まで加熱した。そこへＴＨＦ ８０ｍｌに溶解した化合物（Ｃ１２） ２６．６ｇを、３０℃から４５℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに２０分攪拌した。その後、ＴＨＦ ２０ｍｌに溶解した化合物（ｂ４５） ２１．２ｇを３０℃から３５℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに６０分攪拌した。得られた反応混合物を２５℃まで冷却した後、３Ｎ−塩酸 １００ｍｌとトルエン １００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、得られた液を静置して、有機層と水層とに分離させ、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、４−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−トランス−４’−プロピル−ビシクロヘキシル−４−オール（ｂ４８） ４７．０ｇを得た。得られた化合物（ｂ４８）は黄色油状物であった。

第２工程
化合物（ｂ４８） ４７．０ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸 １．０ｇ、およびトルエン ２００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら１時間加熱還流させた。反応混合物を２５℃まで冷却した後、得られた液に水 ２００ｍｌとトルエン ２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣を得た。得られた残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとエタノールとの混合溶媒（体積比 へプタン：エタノール＝２：１）からの再結晶により精製し、４−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−トランス−４’−プロピル−ビシクロヘキシル−３−エン（ｂ４９） １９．４ｇを得た。化合物（ｂ４５）からの収率は５３．６％であった。

得られた化合物（ｂ４９）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｃ ７１．１ Ｎ １３０．３ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−トランス−４'−プロピル−ビシクロヘキシル−３−エンであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８５−６．７７（ｍ，２Ｈ），５．６５（ｔ，１Ｈ），４．０９（ｑ，２Ｈ），２．３６−０．８６（ｍ，２７Ｈ）．
第３工程
トルエン５０ｍｌと、イソプロピルアルコール １００ｍｌとの混合溶媒に、化合物（ｂ４９） １７．０ｇを溶解させ、さらに、Ｒａｎｅｙ−Ｎｉ １．７ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温にて撹拌した。反応終了後、Ｒａｎｅｙ−Ｎｉを除去して、さらに溶媒を留去し、残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとエタノールとの混合溶媒（体積比 へプタン：エタノール＝２：１）からの再結晶により精製し、トランス−４'−（２-クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ４０） ６．８ｇを得た。得られた化合物（Ｃ４４）は無色結晶であり、化合物（ｂ４９）からの収率は、３９．６％であった。

得られた化合物（Ｃ４４）の転移温度は以下の通りである。
相転移温度（℃） ： Ｃ ８９．９ Ｎ １５２．９ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４’−（２-クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．９２（ｄｄ，１Ｈ），６．８３（ｔ，１Ｈ），４．０８（ｑ，２Ｈ），２．８４（ｔｔ，１Ｈ）１．９０−０．８３（ｍ，２９Ｈ）．
〔実施例６〕
トランス−４'−［２−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−ビニル］−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ５８）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム １．９２ｇとＴＨＦ ２０ｍｌとを加えて、４５℃まで加熱した。そこへＴＨＦ ８０ｍｌに溶解した化合物（Ｃ２） ２０．０ｇを、４５℃から５５℃の温度範囲で６０分かけて滴下し、さらに１０分攪拌した。その後、ＴＨＦ ２０ｍｌに溶解した（トランス−４'−ビシクロヘキシル−トランス−４−イル）−アセトアルデヒド（ｂ５０）１８．０ｇを５０℃から５５℃の温度範囲で６０分かけて滴下し、さらに６０分攪拌した。得られた反応混合物を２５℃まで冷却した後、３Ｎ−塩酸 １００ｍｌとトルエン １００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、得られた液を静置して、有機層と水層とに分離させ、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、１−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−２−（トランス−４’−プロピル−ビシクロヘキシル−トランス−４−イル）−エタノール（ｂ５１）３３．０ｇを得た。得られた化合物（ｂ５１）は黄色油状物であった。

第２工程
化合物（ｂ５１） ３３．０ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸 １．０ｇ、およびトルエン １５０ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら１時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 ２００ｍｌとトルエン １００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣を得た。得られた残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにへプタンとエタノールとの混合溶媒（体積比 へプタン：エタノール＝２：１）からの再結晶により精製し、トランス−４'−［２−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−ビニル］−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ５８） ２２．３ｇを得た。得られた化合物（Ｃ５８）は無色結晶であり、化合物（ｂ５０）からの収率は７６．４％であった。

得られた化合物（Ｃ５８）の転移温度は以下の通りである。
転移温度 ：Ｃ₁ ８３．６ Ｃ₂ ８８．９ Ｓ_A １２５．６ Ｎ ２２４．８ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４'−［２−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−ビニル］−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．２４（ｔ，１Ｈ），６．６５（ｄｄ，１Ｈ），６．３９（ｄ，１Ｈ），６．１１（ｑ，１Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），２．０８−０．８１（ｍ，３０Ｈ）．
〔実施例７〕
トランス−４’−［２−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−エチル］−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ９６）の合成

トルエン ８０ｍｌと、ソルミックス Ａ−１１（日本アルコール販売株式会社製） ４０ｍｌとの混合溶媒に、トランス−４'−［２−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−ビニル］−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ６７） １８．０ｇを溶解させ、さらにＰｄ／Ｃ ０．５ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で撹拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去し、残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとエタノールとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：エタノール＝２：１）からの再結晶により精製し、トランス−４'−［２−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−エチル］−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ９６） ９．１ｇを得た。得られた化合物（Ｃ９６）は無色結晶であり、化合物（Ｃ６７）からの収率は４９．３％であった。

得られた化合物（Ｃ９６）の転移温度は以下の通りである。
相転移温度（℃） ： Ｃ ６３．５ Ｎ １５３．１ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４’−［２−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−エチル］−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８８（ｄｄ，１Ｈ），６．７９（ｔ，１Ｈ），４．０８（ｑ，２Ｈ），２．６５（ｔ，２Ｈ）１．８３−０．８０（ｍ，３２Ｈ）．
〔実施例８〕
トランス−４'−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４−ビニル−ビシクロヘキシル（Ｃ１１５）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム ４．８ｇとＴＨＦ １５０ｍｌとを加えて、４７℃まで加熱した。そこへＴＨＦ ５０ｍｌに溶解した化合物（Ｃ２） ５０．０ｇを、５０℃から５７℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに６０分攪拌した。その後、ＴＨＦ ８０ｍｌに溶解した化合物（ｂ２１） ３９．２ｇを４７℃から５８℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに６０分攪拌した。得られた反応混合物を２５℃まで冷却した後、１３％塩化アンモニウム水溶液 ２００ｍｌとトルエン ５００ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、得られた液を静置して、有機層と水層とに分離させ、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、１−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−４−（１，４−ジオキサ−スピロ［４．５］デシ−８−イル）シクロヘキサノール （ｂ５２） ８４．７ｇを得た。

第２工程
化合物（ｂ５２） ８４．７ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸 １．０ｇ、エチレングリコール １．３ｇ、およびトルエン ３２０ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を２５℃まで冷却した後、３％重曹水 ３００ｍｌとトルエン２００ｍｌとの混合液に注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣を得た。得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 へプタン：トルエン＝２：１）からの再結晶により精製し、８−［４−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−シクロヘキサ−３−エニル］−１，４−ジオキサ−スピロ［４．５］デカン（ｂ５３） ５０．２ｇを得た。化合物（ｂ２１）からの収率は７７．３％であった。

第３工程
トルエン２５０ｍｌとイソプロピルアルコール ２５０ｍｌとの混合溶媒に、化合物（ｂ５３） ５０．２ｇを溶解させ、さらに、Ｒａｎｅｙ−Ｎｉ ５．０ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温にて撹拌した。反応終了後、Ｒａｎｅｙ−Ｎｉを除去して、さらに溶媒を留去し、８−［４−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−シクロヘキシル］−１，４−ジオキサ−スピロ［４．５］デカン（ｂ５４）５２．５ｇを粗体として得た。

第４工程
トルエン２５０ｍｌに化合物（ｂ５４）５２．５ｇを溶解させ、これに８８％蟻酸水溶液 ２０．７ｇを添加した。この混合物を６時間加熱還流させた。反応混合物を２５℃まで冷却した後、水 ３００ｍｌとトルエン２００ｍｌとの混合液に注ぎ込んだ。これらを混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣を得た。得られた残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 へプタン：トルエン＝１：１）からの再結晶により精製し、トランス−４'−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−４−オン（ｂ５５） １９．９ｇを得た。化合物（ｂ５３）からの収率は４４．４％であった。

第５工程
ＴＨＦ ６０ｍｌにメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド ２２．２ｇを加え、−２０℃に冷却した。この混合液にカリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）７．０ｇを−２０℃から−１０℃の範囲で加え、さらに３０分攪拌した。その後、トルエン ４０ｍｌに溶解した化合物（ｂ５５）１９．０ｇを−１５℃から−５℃の範囲で６０分かけて滴下し、さらに３０分攪拌した。反応混合物を０℃に戻した後、水 １００ｍｌとトルエン２００ｍｌとの混合液に注ぎ込んだ。これらを混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣を得た。得られた残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝１：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、トランス−４'−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−４−メトキシメチレン−ビシクロヘキシル（ｂ５６） ２０．１ｇを得た。化合物（ｂ５５）からの収率は９８．０％であった。

第６工程
ＴＨＦ １６０ｍｌに化合物（ｂ５６） ２０．１ｇを溶解し、３０℃で攪拌した。この混合液へ３Ｎ 塩酸 ４０ｍｌを加え、さらに１２０分攪拌した。得られた反応混合物を、水 ２００ｍｌとトルエン３００ｍｌとの混合液に注ぎ込んだ。これらを混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣 ２２．０ｇを得た。得られた残渣 ２２．０ｇをトルエン ６０ｍｌに溶解し、水酸化ナトリウム ０．２ｇを溶解させたメタノール２４０ｍｌに注ぎ込み、５℃で３時間攪拌した。得られた反応混合物をトルエン ４００ｍｌにて抽出し、得られた有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣 ２０．１ｇを得た。その残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝１：１）からの再結晶により精製し、トランス−４'―（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−トランス−４−カルバルデヒド（ｂ５７） １３．９ｇを得た。化合物（ｂ５６）からの収率は７１．９％であった。

第７工程
ＴＨＦ ２０ｍｌにメチルトリフェニルホスホニウムブロミド ４．７ｇを加え、５℃に冷却した。この混合液にカリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）１．４ｇを５℃から１０℃の範囲で加え、さらに３０分攪拌した。その後、トルエン ２０ｍｌに溶解した化合物（ｂ５７）４．０ｇを５℃から１０℃の範囲で３０分かけて滴下し、さらに３０分攪拌した。反応混合物を、水 ５０ｍｌとトルエン４０ｍｌとの混合液に注ぎ込んだ。これらを混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣を得た。得られた残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝２：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとエタノールとの混合溶媒（体積比 へプタン：エタノール＝２：１）からの再結晶により精製し、トランス−４'−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４−ビニル−ビシクロヘキシル（Ｃ１１５） ３．２ｇを得た。化合物（ｂ５７）からの収率は７９．４％であった。

得られた化合物（Ｃ１１５）の転移温度は以下の通りである。
相転移温度（℃） ： Ｃ １１３．４ Ｎ １５１．９ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４'−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４−ビニル−ビシクロヘキシルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．０３（ｔ，１Ｈ），６．６６（ｄｄ，１Ｈ），５．７８（ｍ，１Ｈ），４．９５（ｄｔ，１Ｈ），４．８９（ｄｔ，１Ｈ），４．０８（ｑ，２Ｈ），２．７３（ｔｔ，１Ｈ）１．８２（ｍ，９Ｈ），１．４７−１．３７（ｍ，５Ｈ），１．２１−１．１０（ｍ，８Ｈ）．
〔実施例９〕
３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロ−４’−（トランス−４−プロピル−シクロヘキシル）−ビフェニル （Ｃ１５４）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム ４．７９ｇとＴＨＦ ５０ｍｌとを加えて、５０℃まで加熱した。そこへ、ＴＨＦ ２００ｍｌに溶解した化合物（Ｃ２） ５０．０ｇを４３℃から４８℃の温度範囲で６０分かけて滴下し、さらに６０分攪拌した。この反応混合物を２５℃まで冷却した。その後、−５０℃まで冷却したホウ酸トリメチル ２４．６ｇとＴＨＦ １００ｍｌとの溶液へ、窒素雰囲気下、−６０℃から−４０℃の温度範囲で、６０分かけて、得られた反応混合物を滴下した。この反応混合物を０℃まで戻した後に、０℃の３Ｎ−塩酸 ４００ｍｌ中へ注ぎ込んだ。そして、この溶液に酢酸エチル ７００ｍｌを加えて混合し、その後静置して有機層と水層とに分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去して残渣を得た。この残渣をヘプタンから再結晶させた。この再結晶操作を再度繰返し、３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニルボロン酸（ｂ５２） ３５．９ｇを得た。得られた化合物（ｂ５８）は、微黄色の固体であった。

第２工程
窒素雰囲気下、トルエン ５０ｍｌ、ソルミックス Ａ−１１ ５０ｍｌおよび水 ２．５ｍｌの入った反応器へ、化合物（ｂ５８） １５．０ｇ、１−ヨード−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−ベンゼン（ｂ５９） １５．０ｇ、炭酸カリウム １９．０ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド（ＴＢＡＢ） ７．３７ｇ、およびＰｄ／Ｃ ０．３９gを加えた。その後、この液を、加熱還留下、４時間攪拌した。反応混合物を２５℃まで冷却した後に、炭酸カリウムとＰｄ／Ｃとをろ別した。得られた溶液にトルエン １００ｍｌを添加して、２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄した。その後、減圧下溶媒を留去して残渣を得た。この残渣を酢酸エチルとソルミックスＡ−１１（体積比 酢酸エチル：ソルミックス Ａ−１１＝２：１）との混合溶媒に溶解して再結晶させた。この再結晶を再度繰り返して、微黄色固体 １７．１ｇを得た。この固体をトルエン ８０ｍｌと、ソルミックス Ａ−１１ ２０ｍｌとの混合溶媒に溶解し、Ｐｄ／Ｃ ０．５ｇを添加後、水素雰囲気下、２０℃下で１５時間攪拌した。反応混合物からＰｄ／Ｃをろ別した後に、反応混合物を２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下溶媒を留去し、残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝２：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらに酢酸エチルとエタノールとの混合溶媒（体積比 酢酸エチル：エタノール＝２：１）からの再結晶により精製し、さらに乾燥を行い、３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロ−４'−（トランス−４−プロピル−シクロヘキシル）−ビフェニル （Ｃ１５４） １４．９ｇを得た。得られた化合物（Ｃ１５４）は無色結晶であり、化合物（ｂ５９）からの収率は、８６．９％であった。

得られた化合物（Ｃ１５４）の転移温度は以下の通りである。
相転移温度（℃） ： Ｃ １１４．８ Ｎ １５７．７ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロ−４’−（トランス−４−プロピル−シクロヘキシル）−ビフェニルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．４２（ｄ，２Ｈ），７．２８−７．２３（ｍ，３Ｈ），６．７７（ｄｄ，１Ｈ），４．１４（ｑ，２Ｈ），２．５０（ｔｔ，１Ｈ）１．９４−０．８９（ｍ，１９Ｈ）．
〔実施例１０〕
３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロ−４’’−プロピル−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル （Ｃ１９５）の合成

窒素雰囲気下、ソルミックス Ａ−１１ １１０ｍｌの入った反応器へ、化合物（ｂ５８） １１．６ｇ、４’−ブロモ−４−プロピル−ビフェニル（ｂ６０） １１．２ｇ、炭酸カリウム １１．３ｇ、およびＰｄ（ＰＰｈ₃）₂Ｃｌ₂ ０．２９gを加えた。これらを加熱還流下、９時間攪拌した。得られた反応混合物を２５℃まで冷却した後、反応混合物から炭酸カリウムとＰｄ（ＰＰｈ₃）₂Ｃｌ₂とをろ別した。得られた溶液にトルエン １００ｍｌを添加して、２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄した。その後、減圧下溶媒を留去して残渣を得た。この残渣を酢酸エチルから再結晶し、微黄色固体 ５．５ｇを得た。この固体を、トルエン １５０ｍｌと、ソルミックス Ａ−１１ ３０ｍｌとからなる混合溶媒に溶解し、Ｐｄ／Ｃ ０．１ｇを添加後、水素雰囲気下、２５℃で１５時間攪拌した。反応混合物からＰｄ／Ｃをろ別し、得られたろ液を２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下溶媒を留去し、残渣を得た。この残渣を、ヘプタンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：酢酸エチル＝１：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにトルエンとエタノールとの混合溶媒（体積比 トルエン：エタノール＝１：１）からの再結晶により精製し、３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロ−４''−プロピル−［１，１'；４'，１''］ターフェニル（Ｃ１９５） １．６９ｇを得た。得られた化合物（Ｃ１９５）は無色結晶であり、化合物（ｂ６０）からの収率は１１．２％であった。

得られた化合物（Ｃ１９５）の転移温度は以下の通りである。
相転移温度（℃） ： Ｃ （１２９．２ Ｓ_A ） １３６．８ Ｎ １８３．２ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロ−４''−プロピル−［１，１'；４'，１''］ターフェニルあることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．６６−７．５４（ｍ，６Ｈ），７．２８−７．２５（ｍ，３Ｈ），６．８０（ｄｄ，１Ｈ），４．１６（ｑ，２Ｈ），２．６４（ｔ，２Ｈ），１．７２−１．６３（ｍ，２Ｈ），１．５０（ｔ，３Ｈ），０．９８（ｔ，３Ｈ）．
〔実施例１１〕
トランス−４’−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェノキシメチル）−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ２３２）の合成

第１工程
水素化リチウムアルミニウム １．９０ｇをＴＨＦ １００ｍｌに懸濁した。この懸濁液にトランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルアルデヒド（ｂ６１） ２０．０１ｇを添加したＴＨＦ溶液 ６０ｍｌを、１０℃から１５℃の温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で２時間攪拌した。反応終了後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。得られた有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下濃縮をして、トランス−４’−ヒドロキシメチル−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（ｂ６２）を含む粗製化合物 １８．４８ｇを得た。得られた粗製化合物は無色固体であった。

第２工程
第１工程で得た化合物（ｂ６２）を含む粗製化合物 １８．４８ｇ、およびトリフェニルホスフィン ２６．６８ｇを塩化メチレン ２００ｍｌに溶解した。この溶液に、四臭化炭素 ４２．５４ｇを室温下ゆっくりと滴下し、さらに室温下５．５時間攪拌した。上記粗製化合物に、飽和重曹水、および酢酸エチルを加えて混合し、その後静置して有機層と水層とに分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を順次、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下濃縮して残渣を得た。残渣は淡黄色の固体であり、この残渣 ７４．７７ｇをヘプタン ３００ｍｌに懸濁させて、不溶物を濾過により除去した後に、濾液を減圧下濃縮して、淡黄色油状残渣 ３９．０７ｇを得た。この残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、トランス−４’−ブロモメチル−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（ｂ６３） ２４．３６ｇを得た。得られた化合物（ｂ６３）は無色固体であった。

第３工程
化合物（Ｃ２） ３０．０２ｇをＴＨＦ ３００ｍｌに溶解した。この溶液にｓｅｃ−ＢｕＬｉ（１．０１Ｍ溶液、１２４ｍｌ）を−７０℃から−７５℃の温度範囲で滴下し、滴下終了後さらにこの温度範囲で１時間攪拌した。この溶液に、ホウ酸トリイソプロピル １８．７１ｇを溶解したＴＨＦ溶液 ４０ｍｌを、−７０℃から−７５℃の温度範囲で滴下し、滴下終了後さらにこの温度範囲で１時間攪拌した。その後、徐々に室温まで昇温して、そのまま一晩攪拌した。ついで、この反応混合物に酢酸 １１．９２ｇを加えて３０分間攪拌した後、室温下、過酸化水素水 ２９．９５ｇをゆっくりと滴下し、滴下終了後さらに室温下で４．５時間攪拌した。得られた反応混合物に亜硫酸ナトリウム水溶液、および酢酸エチルを加えて混合し、その後静置して有機層と水層とに分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を順次、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下濃縮して残渣を得た。残渣は淡黄色の固体であり、この残渣 ３０．９７ｇを、ヘプタンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：酢酸エチル＝５：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェノール（ｂ６４） １３．２９ｇを得た。得られた化合物（ｂ６４）は淡黄色固体であった。

第４工程
第３工程で得た化合物（ｂ６４） １．５１ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド ４０ｍｌに溶解した。この溶液に、炭酸カリウム １．９９ｇを懸濁させた後、第２工程で得た化合物（ｂ６３） ３．０８ｇ、および臭化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＢ） ０．２６ｇを加えて、８０℃下１７．５時間攪拌した。反応終了後、得られた反応混合物に水、および酢酸エチルを加えて混合し、その後静置して有機層と水層とに分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を順次、水、５％チオ硫酸ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下濃縮して残渣を得た。残渣は無色固体であり、この残渣 ３．５６ｇを、ヘプタンと酢酸エチルとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：酢酸エチル＝５０：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとエタノールとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：エタノール＝１：１）からの再結晶を繰り返すことでより精製をして、純粋なトランス−４’−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェノキシメチル）−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ２３２）を得た。

得られた化合物（Ｃ２３２）の転移温度は以下の通りである。
相転移温度（℃） ： Ｃ ８０．１ Ｎ １３９．９ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４’−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェノキシメチル）−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．５８−６．６６（ｍ，２Ｈ），４．０６（ｑ，２Ｈ），３．７６（ｄ，２Ｈ），１．９４−０．８５（ｍ，３０Ｈ）
〔実施例１２〕
３−クロロ−２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチル−シクロヘキシルメトキシ）−４'−プロピルビフェニル（Ｃ２６４）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、ソルミックス Ａ−１１ １２０ｍｌの入った反応器へ、化合物（ｂ６５） ２４．７ｇ、１−ブロモ−３−クロロ−２−フルオロ−４−メトキシベンゼン （Ｃ１） ３０．０ｇ、炭酸カリウム ３４．６ｇ、およびＰｄ（ＰＰｈ₃）₂Ｃｌ₂ ０．８８gを加えた。これらを加熱還流下、２時間攪拌した。得られた反応混合物を３０℃まで冷却した後に、得られた反応混合物にトルエン ２００ｍｌと水 ３００ｍｌとを加えて混合した。その後、静置して有機層と水層とに分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を順次、２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄した。その後、減圧下溶媒を留去して残渣を得た。この残渣をソルミックス Ａ−１１から再結晶し、微黄色固体 ２８．４ｇを得た。この固体を、トルエン １００ｍｌと、ソルミックス Ａ−１１ ３０ｍｌとからなる混合溶媒に溶解し、Ｐｄ／Ｃ ０．５ｇを添加後、水素雰囲気下、２５℃で２０時間攪拌した。反応混合物からＰｄ／Ｃをろ別した後に、減圧下溶媒を留去し、残渣を得た。この残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにソルミックス Ａ−１１からの再結晶により精製し、３−クロロ−２−フルオロ−４−メトキシ−４'−プロピルビフェニル（ｂ６６） ２４．９ｇを得た。得られた化合物（ｂ６６）は無色結晶であり、化合物（Ｃ１）からの収率は７１．２％であった。

得られた化合物（ｂ６６）の転移温度は以下の通りであった。
相転移温度（℃） ： Ｃ ５４．１ Ｉｓｏ
第２工程
化合物（ｂ６６） ２２．０ｇを塩化メチレン ２００ｍｌに溶解した。この溶液に三臭化ホウ素 ２３．７ｇを−２７℃から−２０℃の温度範囲で滴下し、その後、徐々に室温まで昇温して、そのまま一晩攪拌した。得られた反応混合物を、氷水 ３００ｍｌへゆっくり注ぎ込み、その後静置して有機層と水層とに分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を食塩水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下濃縮して残渣を得た。残渣は淡黄色の固体であり、この残渣 １９．７ｇを、ヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝２：１）からの再結晶により精製し、３−クロロ−２−フルオロ−４'−プロピルビフェニル−４−オール（ｂ６７） １８．０ｇを得た。得られた化合物（ｂ６７）は白色固体であった。

第３工程
第２工程で得た化合物（ｂ６７） ４．０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド ２０ｍｌに溶解した。この溶液に、炭酸カリウム ２．５ｇを懸濁させた後、化合物（ｂ６８） ５．６ｇを加えて、７０℃下６時間攪拌した。反応終了後、得られた反応混合物に水、およびトルエンを加えて混合した。その後、この混合物を静置して、有機層と水層とに分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を順次、水、２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、その後、減圧下溶媒を留去して残渣を得た。この残渣 ７．７ｇを、ヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝３：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとソルミックス Ａ−１１との混合溶媒（体積比 ヘプタン：ソルミックス Ａ−１１＝２：１）からの再結晶を繰り返すことでより精製をして、無色結晶である３−クロロ−２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチル−シクロヘキシルメトキシ）−４'−プロピルビフェニル（Ｃ２６４） ５．８ｇを得た。化合物（ｂ６７）からの収率は８９．５％であった。

得られた化合物（Ｃ２６４）の転移温度は以下の通りである。
相転移温度（℃） ： Ｃ ７９．９ Ｎ １１０．６ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３−クロロ−２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチル−シクロヘキシルメトキシ）−４'−プロピルビフェニル（Ｃ２６４）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．４１−７．３９（ｍ，２Ｈ），７．２５−７．２２（ｍ，３Ｈ），６．７７−６．７５（ｄｄ，１Ｈ），３．８５（ｄ，２Ｈ），２．６３（ｔ，２Ｈ），１．９４（ｍ，２Ｈ），１．８５−１．８１（ｍ，３Ｈ），１．６８（ｍ，２Ｈ），１．３１−１．０６（ｍ，１１Ｈ），１．１０−０．８５（ｍ，８Ｈ）
〔実施例１３〕
３'−クロロ−４''−エチル−２'−フルオロ−４−プロピル−［１，１'；４'，１''］ターフェニル（Ｃ２９３）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、ピリジン ５０ｍｌの入った反応器へ、化合物（ｂ６７） １３．０ｇを添加し、溶解した後に５℃まで冷却した。この溶液へトリフルオロメタンスルホン酸無水物 １６．６ｇを５℃から１０℃の範囲で１時間かけて滴下し、引き続き３時間、２０℃で攪拌した。得られた反応混合物を冷却した１Ｎ―塩酸 １００ｍｌとヘプタン １００ｍｌの混合液へゆっくりと注ぎ込んだ。その後、これらを静置して有機層と水層とに分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を順次、水、飽和重曹水、および水で洗浄した。得られた有機層をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、その後、減圧下溶媒を留去して無色透明な化合物（ｂ６９） １９．１ｇを得た。化合物（ｂ６７）からの収率は９７．９％であった。

第２工程
窒素雰囲気下、１，４−ジオキサン ６０ｍｌの入った反応器へ、化合物（ｂ６９） ６．０ｇ、化合物（ｂ７０） ２．７ｇ、リン酸三カリウム ９．６ｇ、ＴＢＡＢ ２．４４ｇ、亜鉛粉末 ０．４９ｇ、およびＰｄ（ＰＰｈ₃）₂Ｃｌ₂ ０．１１gを加えた。これらを加熱還流下、４時間攪拌した。さらに、リン酸三カリウム ２．０ｇを加えた後、加熱還流下、２時間攪拌した。得られた反応混合物を３０℃まで冷却した後、この反応混合物をトルエン １００ｍｌ、１Ｎ−塩酸 ２００ｍｌの混合液へゆっくりと注ぎ込んだ。その後、これを静置して有機層と水層とに分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を順次、１Ｎ−塩酸、２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄した。その後、減圧下溶媒を留去して残渣 ５．３ｇを得た。この残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンとエタノールとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：エタノール＝２：１）からの再結晶を繰り返すことでより精製をして、無色結晶である３'−クロロ−４''−エチル−２'−フルオロ−４−プロピル−［１，１'；４'，１''］ターフェニル（Ｃ２９３）３．９ｇを得た。化合物（ｂ６９）からの収率は７２．３％であった。

得られた化合物（Ｃ２９３）の転移温度は以下の通りである。
相転移温度（℃） ： Ｃ ８３．４ Ｉｓｏ
¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３'−クロロ−４''−エチル−２'−フルオロ−４−プロピル−［１，１'；４'，１''］ターフェニル（Ｃ２９３）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．５０−７．４９（ｍ，２Ｈ），７．４２−７．４０（ｍ，２Ｈ），７．３６（ｔ，１Ｈ），７．２９（ｔ，４Ｈ），７．１９（ｄｄ，１Ｈ），２．７３（ｑ，２Ｈ），２．６５（ｔ，２Ｈ），１．７０（ｍ，２Ｈ），１．３０（ｔ，３Ｈ），０．９９（ｔ，３Ｈ）
〔実施例１４〕
実施例４〜１３に記載された合成方法と同様の方法により以下に示す、化合物（Ｃ２１）〜（Ｃ２７）、（Ｃ２９）〜（Ｃ４３）、（Ｃ４５）〜（Ｃ５７）、（Ｃ５９）〜（Ｃ９５）、（Ｃ９７）〜（Ｃ１１４）、（Ｃ１１６）〜（Ｃ１５３）、（Ｃ１５５）〜（Ｃ１９４）、（Ｃ１９６）〜（Ｃ２３１）、（Ｃ２３３）〜（Ｃ２６３）、（Ｃ２６５）〜（Ｃ２９２）および（Ｃ２９４）〜（Ｃ３００）を合成した。なお、以下化合物群には、実施例４〜１０で得られる化合物（Ｃ２８）、（Ｃ４４）、（Ｃ５８）、（Ｃ９６）、（Ｃ１１５）、（Ｃ１５４）、（Ｃ１９５）、（Ｃ２３２）、（Ｃ２６４）、および（Ｃ２９３）についても記載している。付記したデータは前記した手法に従い、測定した値である。転移温度は化合物自体の測定値であり、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶Ａに混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値である。

〔実施例１５〕
液晶性化合物（Ｃ２８）の物性
前述した母液晶Ａとして記載された５つの化合物を混合し、ネマチック相を有する母液晶Ａを調製した。この母液晶Ａの物性は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝７４．０℃；粘度（η₂₀）＝１８．９ｍＰａ・ｓ；光学異方性（Δｎ）＝０．０８７；誘電率異方性（Δε）＝−１．３。

この母液晶Ａ ８５重量％と、実施例４で得られたトランス−４'−（３-クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｃ２８）の１５重量％とからなる液晶組成物Ｂを調製した。得られた液晶組成物Ｂの物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝８５．４℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０９０；誘電率異方性（Δε）＝−１．９７。

さらに、液晶組成物Ｂを−１０℃下で保存したところ、２０日もの間、ネマチック相を維持した。母液晶Ａに液晶性化合物（Ｃ２８）を加えることによって、上限温度（Ｔ_NI）が大きく上昇し、誘電率異方性（Δε）が負に大きくなったことから、液晶化合物（Ｃ２８）はネマチック相の温度範囲を広げることに寄与する化合物であり、この化合物を含む液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子は、低電圧で駆動可能であることが分かった。

また、液晶組成物Ｂを−１０℃下で保存しても２０日もの間ネマチック相を維持したことから、液晶性化合物（Ｃ２８）は低温での相溶性に優れていることが分かった。
〔実施例１６〕
液晶性化合物（Ｃ５８）の物性
実施例１５に記載した母液晶Ａ ８５重量％と、実施例６で得られるトランス−４'−［２−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−ビニル］−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ５８） １５重量％とからなる液晶組成物Ｃを調製し、その物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝９３．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０９６；誘電率異方性（Δε）＝−２．０７。

さらにこの液晶組成物Ｃを、−１０℃下で保存したところ、３０日もの間、ネマチック相を維持した。母液晶Ａに液晶性化合物（Ｃ５８）を加えることによって、上限温度（Ｔ_NI）が大きく上昇し、誘電率異方性（Δε）が負に大きくなったことから、化合物（Ｃ５８）はネマチック相の温度範囲を広げることに寄与する化合物であること、この化合物を含む液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子は、低電圧で駆動可能であることが分かった。

また液晶組成物Ｃを−１０℃下で保存しても３０日もの間ネマチック相を維持したことから、液晶性化合物（Ｃ５８）は、低温での相溶性に優れていることが分かった。
〔実施例１７〕
液晶性化合物（Ｃ９６）の物性
実施例１５に記載した母液晶Ａ ８５重量％と、実施例７で得られるトランス−４'−［２−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−エチル］−トランス−４−プロピル−ビシクロヘキシル（Ｃ９６） １５重量％とからなる液晶組成物Ｄを調製し、その物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝８５．１℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０８９；誘電率異方性（Δε）＝−１．９０。

さらにこの液晶組成物Ｄを−１０℃下で保存したところ、３０日もの間、ネマチック相を維持した。母液晶Ａに液晶性化合物（Ｃ９６）を加えることによって、上限温度（Ｔ_NI）が大きく上昇し、誘電率異方性（Δε）が負に大きくなったことから、化合物（Ｃ９６）はネマチック相の温度範囲を広げることに寄与する化合物であり、この化合物を含む液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子は、低電圧で駆動可能であることが分かった。

また液晶組成物Ｄを−１０℃下で保存しても３０日もの間ネマチック相を維持したことから、液晶性化合物（Ｃ９６）は低温での相溶性に優れていることが分かった。
〔実施例１８〕
液晶性化合物（Ｃ１１６）の物性
実施例１５に記載した母液晶Ａ ８５重量％と、実施例１４で得られるトランス−４−（３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４'−プロペニルビシクロヘキシル（Ｃ１１６） １５重量％とからなる液晶組成物Ｅを調製し、その物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝８７．６℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０９２；誘電率異方性（Δε）＝−２．０８。

母液晶Ａに液晶性化合物（Ｃ１１６）を加えることによって、上限温度（Ｔ_NI）が大きく上昇し、誘電率異方性（Δε）が著しく負に大きくなったことから、液晶性化合物（Ｃ１１６）はネマチック相の温度範囲を広げることに寄与する化合物であること、この化合物を含む液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子は、極めて低電圧で駆動可能であることが分かった。

〔実施例１９〕
液晶性化合物（Ｃ１５８）の物性
実施例１５に記載した母液晶Ａ ８５重量％と、実施例１４で得られる４−ブトキシ−３−クロロ−２−フルオロ−トランス−４'−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル（Ｃ１５８） １５重量％とからなる液晶組成物Ｆを調製し、その物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝８３．３℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０９７；誘電率異方性（Δε）＝−１．９５。

さらにこの液晶組成物Ｆを−１０℃下で保存したところ、３０日もの間、ネマチック相を維持した。母液晶Ａに液晶性化合物（Ｃ１５８）を加えることによって、上限温度（Ｔ_NI）が大きく上昇し、誘電率異方性（Δε）が負に大きくなったことから、化合物（Ｃ１５８）はネマチック相の温度範囲を広げることに寄与する化合物であり、この化合物を含む液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子は、低電圧で駆動可能であることが分かった。

また液晶組成物Ｆを−１０℃下で保存しても３０日もの間ネマチック相を維持したことから、液晶性化合物（Ｃ１５８）は低温での相溶性に優れていることが分かった。
〔実施例２０〕
液晶性化合物（Ｃ２４７）の物性
実施例１５に記載した母液晶Ａ ８５重量％と、実施例１４で得られるトランス−４'−（２−クロロ−４−エトキシ−３−フルオロフェノキシメチル）−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｃ２４７） １５重量％とからなる液晶組成物Ｇを調製し、その物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝８４．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０８９；誘電率異方性（Δε）＝−２．２７。

さらにこの液晶組成物Ｇを−１０℃下で保存したところ、３０日もの間、ネマチック相を維持した。母液晶Ａに液晶性化合物（Ｃ２４７）を加えることによって、上限温度（Ｔ_NI）が大きく上昇し、誘電率異方性（Δε）が負に大きくなったことから、化合物（Ｃ２４７）はネマチック相の温度範囲を広げることに寄与する化合物であり、この化合物を含む液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子は、低電圧で駆動可能であることが分かった。

また液晶組成物Ｇを−１０℃下で保存しても３０日もの間ネマチック相を維持したことから、液晶性化合物（Ｃ２４７）は低温での相溶性に優れていることが分かった。
〔比較例１〕
特許文献１（特表平 ２−５０３４４１）に報告されている、トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニル）−トランス−４’−プロピルビシクロヘキシル（明細書記載の化合物（Ａ）；比較化合物１）を合成した。

実施例１５に記載した母液晶Ａ ８５重量％と、上記比較化合物１ １５重量％とからなる液晶組成物Ｈを調製し、その物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝８６．７℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０９１；誘電率異方性（Δε）＝−１．９２。
また、液晶組成物Ｈを−１０℃下で保存したところ、７日目に結晶の析出が確認された。

したがって、比較化合物１と実施例１５に示した本発明の化合物（Ｃ２８）とを比較した場合、上限温度（Ｔ_NI）、および誘電率異方性（Δε）が同等でありながら、低温における相溶性の面で本発明の化合物が大きく優れていること分かった。
〔比較例２〕
特許文献２（ＷＯ９８／２３５６１）に報告されている、２−クロロ−１−エトキシ−３−フルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン（比較化合物２）を合成した。

この比較化合物２の転移温度を測定したところ、転移温度＝Ｃ ５９．４ Ｉｓｏ であり、液晶表示素子に必要な化合物として有用な特性であるネマチック相を有しないことが分かった。
さらに、実施例１５に記載した母液晶Ａ ８５重量％と、比較化合物２ １５重量％からなる液晶組成物Iを調製し、その物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝６３．５℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０８４；誘電率異方性（Δε）＝−１．９８。

また、母液晶Ａに比較化合物２を加えることにより、上限温度（Ｔ_NI）が大きく低下したことから、比較化合物２はネマチック相の温度範囲を広げることに寄与できる化合物ではなく、液晶表示素子に必要な特性を引き出すことができる化合物ではないことが分かった。
〔比較例３〕
トランス−４−（２，３−ジクロロ−４−エトキシフェニル）−トランス−４’−プロピルビシクロヘキシル（比較化合物３）を合成した。

実施例１５に記載した母液晶Ａ ８５重量％と、比較化合物３ １５重量％とからなる液晶組成物Jを調製し、その物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
光学異方性（Δｎ）＝０．０８８；誘電率異方性（Δε）＝−１．６０。
比較化合物３と実施例１５に示した本発明の液晶性化合物（Ｃ２８）とを比較した場合、誘電率異方性が本発明の化合物が大きく優れていることが分かった。

〔比較例４〕
（組成物Ｋ）
以下に示す組成物Ｋを調製した。

組成物Ｋの物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝６８．９℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０８１；誘電率異方性（Δε）＝−３．２６。
さらにこの組成物Ｋを−１０℃、および−２０℃の条件でそれぞれ３０日間保存したところ、−１０℃、および−２０℃のいずれの状態でも結晶の析出が確認された。

〔実施例２１〕
（組成物L）
以下に示す組成物Lを調製した。

組成物Lの物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝６３．９℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０７７；誘電率異方性（Δε）＝−３．１。
さらにこの組成物Ｉを−１０℃、および−２０℃の条件でそれぞれ３０日間保存したところ、−２０℃では結晶が析出したものの、−１０℃では結晶が析出することなく、ネマチック相のままであった。

比較例４の組成物Ｋと比較して光学異方性（Δｎ）が小さくでき、ネマチック相の下限温度を広くすることができる。
〔実施例２２〕
（組成物M）
以下に示す組成物Mを調製した。

組成物Mの物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝５９．３℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０７３；誘電率異方性（Δε）＝−３．１。
さらにこの組成物Mを−１０℃、および−２０℃の条件でそれぞれ３０日間保存したところ、−１０℃、および−２０℃のいずれの状態でも結晶が析出することなく、ネマチック相のままであった。

比較例４の組成物Ｋと比較して光学異方性（Δｎ）が小さくでき、ネマチック相の下限温度を広くすることができる。
〔実施例２３〕
（組成物N）
以下に示す組成物Nを調製した。

組成物Nの物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝５８．３℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０７４；誘電率異方性（Δε）＝−２．９。
さらにこの組成物Ｎを−１０℃、−２０℃、および−３０℃の条件でそれぞれ３０日間保存したところ、−１０℃、−２０℃、および−３０℃のいずれの状態でも結晶が析出することなく、ネマチック相のままであった。

比較例４の組成物Ｋと比較して光学異方性（Δｎ）が小さくでき、ネマチック相の下限温度を広くすることができる。
〔実施例２４〕
（組成物O）
以下に示す組成物Oを調製した。

組成物Ｏの物性値を測定した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝７０．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０７８；誘電率異方性（Δε）＝−３．４。
さらにこの組成物Ｏを−１０℃、および−２０℃の条件でそれぞれ３０日間保存したところ、−２０℃では結晶の析出が確認されたが、−１０℃ではネマチック相のままで、結晶の析出は確認されなかった。

比較例４の組成物Ｋと比較して、上限温度（Ｔ_NI）が大きく、ネマチック相の下限温度も広いため、幅広い温度領域で使用可能な液晶組成物である。さらに、誘電率異方性（Δε）が負に大きいため、この液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子は、低電圧で駆動可能である。

Claims (8)

1. 下記一般式（ｂ−２−１）から（ｂ−７−１）のいずれか１つで表される液晶性化合物。
   

   

   （各式中、Ｒａ₂は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、Ｒｂ₂は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、シクロへキシレン環はトランス−１，４−シクロへキシレンである。）
2. 下記一般式（ｂ−２−２）から（ｂ−７−２）のいずれか１つで表される液晶性化合物。
   

   

   （各式中、Ｒａ₂は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、Ｒｂ₂は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、シクロへキシレン環はトランス−１，４−シクロへキシレンである。）
3. Ｒａ₂が炭素数１〜１０の直鎖アルキルであり、Ｒｂ₂が炭素数１〜９の直鎖アルコキシである、上記一般式（ｂ−２−１）から（ｂ−７−１）のいずれか一つで表される請求項１に記載の液晶性化合物。
4. Ｒａ₂が炭素数１〜１０の直鎖アルキルであり、Ｒｂ₂が炭素数１〜９の直鎖アルコキシである、一般式（ｂ−２−２）から（ｂ−７−２）のいずれか一つで表される請求項２に記載の液晶性化合物。
5. 下記一般式（ｂ−８−１）から（ｂ−１０−１）のいずれか１つで表される液晶性化合物。
   

   

   （各式中、Ｒａ₃は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、Ｒｂ₃は、炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、シクロへキシレン環はトランス−１，４−シクロへキシレンである。）
6. 下記一般式（ｂ−８−２）から（ｂ−１０−２）のいずれか１つの式で表される液晶性化合物。
   

   

   （各式中、Ｒａ₃は、炭素数１〜１０の直鎖アルキル、または炭素数２〜１０の直鎖アルケニルであり、Ｒｂ₃は、炭素数１〜９の直鎖アルコキシであり、シクロへキシレン環はトランス−１，４−シクロへキシレンである。）
7. Ｒａ₃が炭素数１〜１０の直鎖アルキルである、上記一般式（ｂ−８−１）から（ｂ−１０−１）のいずれか一つで表される請求項５に記載の液晶性化合物。
8. Ｒａ₃が炭素数１〜１０の直鎖アルキルである、上記一般式（ｂ−８−２）から（ｂ−１０−２）のいずれか一つで表される請求項６に記載の液晶性化合物。