JP4939840B2 - ガスクラスターイオンビームによる超精密研磨方法 - Google Patents
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Description
しかし、従来の超精密研磨処理では、その被加工物の表面形状が平面であろうと曲面であろうと関係なく、その表面に常に同一制御条件のガスクラスターイオンビームを照射してその突起を除去している。
本発明の超精密研磨方法の態様の一つは、ガスクラスターイオンビームを被加工物表面に照射して該被加工物表面を研磨することを前提に、被加工物の表面形状の目標表面形状からの誤差を計測する第一計測工程と、第二の加工物の表面に上記ガスクラスターイオンビームを照射して上記第二加工物の表面に形成された加工痕(溝)を計測する第二計測工程と、上記第二加工物を対象に計測して得た加工痕データを基に上記被加工物の目標表面形状における各表面位置の曲率に順ずる加工痕データを生成する第一計算工程と、上記生成した加工痕データを基礎データにして、ガスクラスターイオンビームが上記誤差分の固体物質(被加工物を構成している固体物質)を除去するための、上記被加工物表面上の各位置の照射ドーズ量を求める第二計算工程と、上記照射ドーズ量に従って上記ガスクラスターイオンビームを上記被加工物表面に照射して該被加工物表面の研磨を行う研磨工程と、を行うようにする。
このため、光学素子などのように、表面粗さや形状精度のわずかな劣化がその光学機器製品の機能を低下させる部品では、本研磨処理により、その部品の目標表面形状に追従させることができ、表面が滑らか且つ形状精度が良好な部品を得ることができる。
本形態は、金属、合金、ガラス、又はセラミックなどの固体材料でできた被加工物表面を研磨する精密研磨工程において、例えば、アルゴンガス、酸素ガス、又は窒素ガスなどの不活性ガスや、化合物の炭酸ガスなどから構成されるガスクラスターイオンを加速したガスクラスターイオンビームを上記被加工物表面に照射して表面研磨する手法を取り入れたものである。
本例の表面研磨フローでは、先ず、被加工物の表面形状の目標表面形状からの誤差の計測を行う(S1)。この工程では、被加工物の表面形状を実測し、この実測データと目標とする加工後の形状(上記目標表面形状)のデータから、該目標表面形状に対する被加工物形状の誤差を求める。
このように、本形態による超精密研磨方法を用いれば、任意の表面形状をもつ被加工物において、その表面を原子サイズレベルで平滑化すると共に、被加工物全体の表面形状を崩すことなく目標表面形状に限りなく近づけることが可能になる。
(実施例1)
図2は、被加工物をガスクラスターイオンビームで超精密研磨処理するための全システムの装置構成図である。
ガスクラスターイオンビーム照射装置1は、ソース部10、差動排気部11、イオン化部12の3つのチャンバー(10-1、11-1、12-1)によってガスクラスターイオンビーム(Beam)を生成し、ガスクラスターイオンビーム(Beam)を本例では所定向きに所定パワーで照射する。
PC3は、中央処理装置(CPU)、RAMやROMなどのメモリ、及び入出力部などがバス接続されてなるコンピュータである。当該PC3では、被加工物の表面研磨を行う際の、その被加工物の形状に順じて位置や姿勢を制御するための制御情報(本明細書では移動制御情報と呼び、ビームを主体にして言い換えるならば、ビームを照射制御するための照射制御情報とも呼べる)を導き出し、そしてその移動制御情報を組み入れた研磨プログラムを入出力部から移動制御装置4に登録する。この移動制御装置4は、上記研磨プログラムに指定された手順及び移動制御情報に従って、各部(特に上記移動機構2の各モータ)を制御する。
この計測装置5は、最終的に製品になる被加工物6-1の表面形状やサンプルデータの採取のためにビーム照射を行った第二加工物6-2の加工痕などを計測するための装置である。
そして図5から図14は、上記移動制御情報の好適な導出方法の説明図である。
本例では、加工および研磨処理対象の被加工物6-1を10mm径の凸レンズとして説明する。そして、その凸レンズにおける目標表面形状(凸レンズの理想形状)からの形状誤差が回転軸対称に生じているものとする。
本例では目標表面形状が回転軸対称形状であり且つ表面形状の誤差が回転軸対称に現れている凸レンズが対象であるため、その中心(回転軸)から任意の半径方向に向けて変化する目標表面形状からの誤差は同じグラフで示される。同図は、横軸に凸レンズ表面上の位置(mm)をとり且つ縦軸に誤差量(μm)をとり、一つの直径上の誤差の変化をグラフ表示させたものである。なお、以下において、上記誤差量をPV(Peak to Valley)値と称する。
本例では、表面が平面形状をしている第二加工物6-2を三個用意し、そのそれぞれに対し、ビーム走査する位置(中心からの半径位置)を互いにずらして複数の位置でビームを走査させる。各図(a)、(b)、及び(c)は、上記設定条件に基づき第二加工物が一回転またはそれ以上(二回転、三回転、・・・)回転した間に連続ビーム照射されて形成された各第二加工物上の加工痕の概観イメージを、それぞれ別々に示したものである。
図7は、上記加工痕のプロファイルをグラフ表示させたものである。
このようにして得られた基準プロファイル700はPC3のメモリに格納される。
同図には、上記部分基準プロファイルM(本例では1mm幅をもつ)を、固体物質の除去深さが最も深い位置(つまり、ビームの光軸に一致する位置)Aを中心にその外側に所定幅単位で細分化し、この細分化された位置とこの各位置の除去深さとの関係が示されている。
同図の上方側からビームが照射された場合、凸レンズ表面の凸形状を表わした関数曲線900-1上の各位置には同図上方から下方にそのビームが入射することになる。そして、その入射したビームにより、同図の水平線ではなく、その重ね合わせた関数曲線900-1上の位置を開始位置として、その深さ方向(同図の下方向)に固体物質が除去されることになる。
以上のような方法で凸レンズ表面の各位置における各補正プロファイルを取得し、図7に示した基準プロファイルをそれらの補正プロファイルに従って補正する。この場合、部分基準プロファイルと新たに生成した補正プロファイルとの幅は同じであるため、f2がF2に一致する(及びf1がF1に一致する)ように上記補正プロファイル910を平行移動させ、基の部分基準プロファイルを新たに生成した補正プロファイルに差し替える。
同図から明らかなように、本プロファイル1000に構成される各補正プロファイルは部分基準プロファイルに比べて緩やかなカーブの曲線で示され、このプロファイルをベースに各位置でのドーズ量を求める。
図13は、その必要最小限の固体物質の除去量(最小除去量)を含めて生成した固体物質除去量の分布(実際の除去曲線)である。
この処理では、プロファイル1000に構成されている各補正プロファイルの関数曲線全体に個別の係数を乗じてその関数曲線を変形し、それぞれの補正プロファイルの変形後の関数曲線をその半径上の各位置で足し合わせてなる曲線が上記除去分布1200の曲線に一致または略一致するように上記係数を決定する。
図14は、プロファイル1000に構成されている一つの補正プロファイルの関数曲線の変形処理を説明するための図で、図15は、各補正プロファイルの関数曲線と除去分布曲線1200との比較図である。
今、半径方向位置r=iに中心をもつ補正プロファイル1300の関数曲線をFi(r)で示すと、各補正プロファイルを重ね合わせて得られるその半径上(0mmから5mmの範囲)のプロファイルG(r)は、G(r)=ΣFi(r)と表すことができる。
ところで、ビームの照射条件とそのビームによる固体物質の除去量との間には所定の関係が示せることが知られている。具体的に述べると、ビームが照射された位置の照射ドーズ量とその位置におけるスパッタリング深さ(照射範囲の中心における固体物質除去深さ)とは、その照射ドーズ量を増やしていくとスパッタリング深さが深くなるという関係をもっており、例えば特開2005−120393号公報に示されているような関係を得る事ができる。本例では特開2005−120393号公報に習い、上記照射ドーズ量とスパッタリング深さとの関係は比例関係にあるものとする。これにより、基準の照射ドーズ量(本例の場合、基準プロファイルの生成のために第二加工物に照射されたビームの照射位置における照射ドーズ量)に上記算出された係数(1+e)iを乗算することで、図15の除去分布曲線120に対応する固体物質を除去するために必要な照射ドーズ量をその各半径位置ごとに得ることができる。
照射時間=(照射ドーズ量×照射面積×電気素量)/検出イオン電流量 ・・・(1)
上記照射面積は加工痕面積であり、電気素量は定数であり、また検出イオン電流量は加工条件によって決まる一定の値である。つまり、照射ドーズ量が決まっていれば、式(1)により対応の照射時間を一義的に決定できる。本例の場合、回転しながらスパイラル状に加工を行うため、上記照射面積は補正プロファイルの各点(各補正プロファイルの中心の半径位置)を始点に一回転またはそれ以上の整数回転した後に隣の点(隣の補正プロファイルの中心の半径位置)に到達するスパイラル軌跡上の加工溝の面積となる。よって、上記照射時間は、凸レンズが上記整数回転する間に補正プロファイルのある点(補正プロファイルの中心の半径位置)から隣の点(隣の補正プロファイルの中心の半径位置)にビームの中心が移動すまでの時間となる。
走査速度=隣り合う補正プロファイルの中心間距離/照射時間 ・・・(2)
図16は、ある補正プロファイルの点と半径方向上の隣り合う補正プロファイルの点の二点における加工痕の関係を示している。
しかし、その基準ガスとは異なる他のガス種を使用して加工及び研磨処理を行う場合も、基準プロファイルを補正するだけで上述の方法がそのまま適用できる。
上述したように、基準ガスは照射ドーズ量とスパッタリング深さと間に比例関係を適用できることを述べた。
よって、第二加工物から得た基準プロファイルを同図の比例係数に応じて変形する、つまり、基準ガスの比例係数を1とするときの他のガスの比例係数の比率を図9の基準プロファイルの曲線700-1に各位置で乗算することにより(この場合、図9の下方向を正とする)、新たな基準プロファイルを得る。
以上示したように、本例による超精密研磨方法を用いれば、曲面形状をもつ凸レンズにおいて、その表面を原子サイズレベルで平滑化すると共に、凸レンズ全体の表面形状を崩すことなく目標表面形状に限りなく近づけることが可能になる。
2 移動機構
3 コンピュータ(PC)
4 移動制御装置
5 計測装置
Claims (4)
- ガスクラスターイオンビームを被加工物表面に照射して該被加工物表面を研磨する超精密研磨方法であって、
被加工物の表面形状の目標表面形状からの誤差を計測する第一計測工程と、
第二の加工物の表面に前記ガスクラスターイオンビームを照射して前記第二加工物の表面に形成された加工痕を計測する第二計測工程と、
前記第二加工物を対象に計測して得た加工痕データを基に前記被加工物の目標表面形状における各表面位置の曲率に順ずる加工痕データを生成する第一計算工程と、
前記生成した加工痕データを基礎データにして、前記ガスクラスターイオンビームが前記誤差分の固体物質を除去するための、前記被加工物表面上の各位置の照射ドーズ量を求める第二計算工程と、
前記照射ドーズ量に従って前記ガスクラスターイオンビームを前記被加工物表面に照射して該被加工物表面の研磨を行う研磨工程と、
を有することを特徴とする超精密研磨方法。 - ガスクラスターイオンビームを被加工物表面に照射して該被加工物表面を研磨する超精密研磨方法であって、
前記被加工物の表面形状を計測し、
前記計測で得た被加工物の表面形状データの、予め設定されている目標表面形状データからの誤差を、前記被加工物の表面上の各位置ごとに算出し、
第二加工物の表面に前記ガスクラスターイオンビームが照射された場合の該ガスクラスターイオンビームによる前記被加工物表面における照射範囲と固体物質除去深さとの関係を示す基準プロファイルを導入し、
前記被加工物表面上の各位置ごとに、前記目標表面形状における該位置の曲率に順ずるように前記基準プロファイルを補正して補正プロファイルを生成し、
前記各位置ごとの補正プロファイルを対象に前記各位置ごとに前記各照射範囲内の固体物質除去深さを変化させ且つ、複数の補正プロファイルが重複する位置では該位置の各補正プロファイルの固体物質除去深さを加算し、
前記固体物質除去深さと照射ドーズ量との所定の関係を基に、前記被加工物表面の研磨対象範囲において前記誤差が共に減少するような前記被加工物表面上の各位置での照射ドーズ量を決定し、
前記各位置での照射ドーズ量を前記ガスクラスターイオンビームの走査速度に変換し、
前記ガスクラスターイオンビームを前記被加工物表面に前記走査速度で照射させて該被加工物表面の研磨を行う、
ことを特徴とする超精密研磨方法。 - 前記被加工物表面の全範囲を対象とする前記誤差データに所定のオフセット量を加算し、
前記被加工物表面の全範囲を対象にガスクラスターイオンビームを走査させて前記被加工物を表面研磨する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の超精密研磨方法。 - 前記被加工物に照射するガスクラスターイオンビームと前記第二加工物に照射するガスクラスターイオンビームとの種類が異なる場合に、
各ガスクラスターイオンビームによるスパッタリング深さと照射ドーズ量との関係に基づいて前記基準プロファイルを補正する、
ことを特徴とする請求項2に記載の超精密研磨方法。
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