JP4931915B2 - 不揮発性メモリを繰返すに連れてプログラム電圧のシフトを開始する方法 - Google Patents
不揮発性メモリを繰返すに連れてプログラム電圧のシフトを開始する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4931915B2 JP4931915B2 JP2008514710A JP2008514710A JP4931915B2 JP 4931915 B2 JP4931915 B2 JP 4931915B2 JP 2008514710 A JP2008514710 A JP 2008514710A JP 2008514710 A JP2008514710 A JP 2008514710A JP 4931915 B2 JP4931915 B2 JP 4931915B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- program
- programming
- increasing
- period
- volatile storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5628—Programming or writing circuits; Data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
- G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Description
Claims (16)
- 不揮発性記憶を操作する方法であって、
第1の初期電圧を持つ第1プログラムパルスを含む複数のプログラムパルスの増加するプログラム信号をワードラインに印加することによって、第1の期間中に不揮発性記憶素子の集合をプログラミングする工程と、
第2の初期電圧を持つ第2プログラムパルスを含む複数のプログラムパルスの増加するプログラム信号を前記ワードラインに印加することによって、第2の期間中に前記不揮発性記憶素子の集合をプログラミングする工程と、を備えており、
前記第2の初期電圧は、前記第1の初期電圧よりも低く、
前記第1の期間中の前記増加するプログラム信号が、前記プログラミングを完了させるのに閾値として設定された数のプログラム信号を必要とするときに、前記第1の期間が終了し、前記第2の期間が開始される方法。 - 前記第1の期間と前記第2の期間の増加するプログラム信号はそれぞれ、大きさが増加する一連のプログラムパルスを有する請求項1に記載の方法。
- 前記第1の期間の増加するプログラム信号は、前記第1の期間の複数のプログラムサイクルの各プログラムサイクルで用いられており、
前記第2の期間の増加するプログラム信号は、前記第2の期間の複数のプログラムサイクルの各プログラムサイクルで用いられており、
前記第1の期間中の前記増加するプログラム信号が、前記第1の期間の複数のプログラムサイクルのうちの1つの前記プログラミングを完了させるのに閾値として設定された数のプログラム信号を必要とするときに、前記第1の期間が終了し、前記第2の期間が開始される請求項2に記載の方法。 - 前記第1の期間中の前記増加するプログラム信号が前記プログラミングを完了させるのに閾値として設定された数のプログラム信号を必要としたかどうかの指示を記憶する工程と、
データをプログラムする要求を受信する工程と、
前記要求に応答して前記指示を読み取る工程と、
前記指示に基づいて、前記第1の期間を終了させ、前記第2の期間を開始させることを決定する工程と、をさらに備える請求項3に記載の方法。 - 第3の初期電圧を持つ第3プログラムパルスを含む複数のプログラムパルスの増加するプログラム信号をワードラインに印加することによって、第3の期間中に前記不揮発性記憶素子の集合をプログラミングする工程をさらに備えており、
前記第3の期間が前記第2の期間の後であり、
前記第3の初期電圧が、前記第2の初期電圧よりも低い請求項1に記載の方法。 - 前記不揮発性記憶素子の集合が、不揮発性記憶素子のブロックである請求項1に記載の方法。
- 前記不揮発性記憶素子の集合が、不揮発性記憶素子のアレイ全体である請求項1に記載の方法。
- 不揮発性記憶システムであって、
不揮発性記憶素子と、
前記不揮発性記憶素子と通信している1つ以上の管理回路と、を備えており、
前記1つ以上の管理回路は、データをプログラムする要求を受信しており、
前記1つ以上の管理回路は、前記要求に応答して、(a)第1の開始電圧を有する増加するプログラミング信号、又は(b)第2の開始電圧を有する増加するプログラミング信号を用いて前記不揮発性記憶素子をプログラムし、
前記第1の開始電圧を有する増加するプログラム信号と前記第2の開始電圧を有する増加するプログラム信号は、ワードラインに印加されるものであり、
前記第2の開始電圧は、前記第1の開始電圧よりも低く、
前記1つ以上の管理回路は、前記第1の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号が、前記プログラムを完了させるのに閾値として設定された数のプログラム信号を必要とするときに、前記第1の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号の使用から前記第2の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号の使用に変更する不揮発性記憶システム。 - 前記1つ以上の管理回路が、前記要求に応答して前記第1の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号が前記プログラムを完了させるのに閾値として設定された数のプログラム信号を必要としているかどうかの指示を読み取り、
前記1つ以上の管理回路が、前記指示に基づいて、前記第1の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号の使用から前記第2の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号の使用に変更する請求項8に記載の不揮発性記憶システム。 - 前記1つ以上の管理回路が、前記第1の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号が、1つのプログラムサイクルの前記プログラムを完了させるのに閾値として設定された数のプログラム信号を必要とするときに、前記第1の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号の使用から前記第2の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号の使用に変更する請求項8に記載の不揮発性記憶システム。
- 前記第1の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号と前記第2の開始電圧を有する増加するプログラミング信号はそれぞれ、大きさが増加する一連のプログラムパルスを有する請求項8に記載の不揮発性記憶システム。
- 前記第2の開始電圧を有する前記増加するプログラミング信号が、前記プログラムを完了させるのに閾値として設定された数のプログラム信号を必要とするときに、前記1つ以上の管理回路が、第3の開始電圧を有する増加するプログラミング信号をワードラインに印加して前記不揮発性記憶素子をプログラムし、
前記第3の開始電圧が前記第2の開始電圧よりも低い請求項8に記載の不揮発性記憶システム。 - 前記1つ以上の不揮発性記憶素子が、不揮発性記憶素子のブロックである請求項8に記載の不揮発性記憶システム。
- 前記1つ以上の不揮発性記憶素子が、複数のブロックを含むフラッシュメモリデバイスのアレイである請求項8に記載の不揮発性記憶システム。
- 前記1つ以上の不揮発性記憶素子が、フラッシュメモリデバイスである請求項8に記載の不揮発性記憶システム。
- 前記1つ以上の管理回路が、状態マシン、デコーダ、感知回路およびコントローラのうちの1つ以上を有しており、
前記不揮発性記憶素子がフラッシュメモリデバイスのアレイの一部であり、フラッシュメモリデバイスの前記アレイがワードラインとビットラインを有している請求項8に記載の不揮発性記憶システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/144,264 US7339834B2 (en) | 2005-06-03 | 2005-06-03 | Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory |
US11/144,264 | 2005-06-03 | ||
PCT/US2006/020375 WO2006132818A2 (en) | 2005-06-03 | 2006-05-26 | Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008542968A JP2008542968A (ja) | 2008-11-27 |
JP4931915B2 true JP4931915B2 (ja) | 2012-05-16 |
Family
ID=37493940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008514710A Expired - Fee Related JP4931915B2 (ja) | 2005-06-03 | 2006-05-26 | 不揮発性メモリを繰返すに連れてプログラム電圧のシフトを開始する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7339834B2 (ja) |
EP (1) | EP1886319B1 (ja) |
JP (1) | JP4931915B2 (ja) |
KR (1) | KR100945057B1 (ja) |
CN (2) | CN101213613B (ja) |
TW (1) | TWI313868B (ja) |
WO (1) | WO2006132818A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10957405B2 (en) | 2019-01-21 | 2021-03-23 | Toshiba Memory Corporation | Memory system configured to update write voltage applied to memory cells based on number of write or erase operations |
Families Citing this family (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5657332A (en) | 1992-05-20 | 1997-08-12 | Sandisk Corporation | Soft errors handling in EEPROM devices |
US7012835B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-03-14 | Sandisk Corporation | Flash memory data correction and scrub techniques |
US7957189B2 (en) * | 2004-07-26 | 2011-06-07 | Sandisk Il Ltd. | Drift compensation in a flash memory |
US7339834B2 (en) * | 2005-06-03 | 2008-03-04 | Sandisk Corporation | Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory |
US7581154B2 (en) * | 2005-06-30 | 2009-08-25 | Intel Corporation | Method and apparatus to lower operating voltages for memory arrays using error correcting codes |
US8223553B2 (en) * | 2005-10-12 | 2012-07-17 | Macronix International Co., Ltd. | Systems and methods for programming a memory device |
US7408810B2 (en) * | 2006-02-22 | 2008-08-05 | Micron Technology, Inc. | Minimizing effects of program disturb in a memory device |
US7561469B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Programming method to reduce word line to word line breakdown for NAND flash |
US7440321B2 (en) * | 2006-04-12 | 2008-10-21 | Micron Technology, Inc. | Multiple select gate architecture with select gates of different lengths |
US7495966B2 (en) * | 2006-05-01 | 2009-02-24 | Micron Technology, Inc. | Memory voltage cycle adjustment |
US7489549B2 (en) * | 2006-06-22 | 2009-02-10 | Sandisk Corporation | System for non-real time reprogramming of non-volatile memory to achieve tighter distribution of threshold voltages |
US7486561B2 (en) * | 2006-06-22 | 2009-02-03 | Sandisk Corporation | Method for non-real time reprogramming of non-volatile memory to achieve tighter distribution of threshold voltages |
US7471565B2 (en) * | 2006-08-22 | 2008-12-30 | Micron Technology, Inc. | Reducing effects of program disturb in a memory device |
US7716538B2 (en) * | 2006-09-27 | 2010-05-11 | Sandisk Corporation | Memory with cell population distribution assisted read margining |
US7886204B2 (en) | 2006-09-27 | 2011-02-08 | Sandisk Corporation | Methods of cell population distribution assisted read margining |
US7570520B2 (en) * | 2006-12-27 | 2009-08-04 | Sandisk Corporation | Non-volatile storage system with initial programming voltage based on trial |
US7551482B2 (en) * | 2006-12-27 | 2009-06-23 | Sandisk Corporation | Method for programming with initial programming voltage based on trial |
US7539052B2 (en) * | 2006-12-28 | 2009-05-26 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile multilevel memory cell programming |
CN102005244B (zh) * | 2007-02-20 | 2015-10-21 | 桑迪士克科技公司 | 非易失性存储的可变编程 |
US7619930B2 (en) * | 2007-02-20 | 2009-11-17 | Sandisk Corporation | Dynamic verify based on threshold voltage distribution |
US7589652B2 (en) * | 2007-04-12 | 2009-09-15 | Microchip Technology Incorporated | Read and write interface communications protocol for digital-to-analog signal converter with non-volatile memory |
US7580290B2 (en) * | 2007-06-21 | 2009-08-25 | Sandisk Corporation | Non-volatile storage system with intelligent control of program pulse duration |
US7630249B2 (en) * | 2007-06-21 | 2009-12-08 | Sandisk Corporation | Intelligent control of program pulse duration |
US7978520B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-07-12 | Sandisk Corporation | Compensation of non-volatile memory chip non-idealities by program pulse adjustment |
KR101403429B1 (ko) | 2007-10-09 | 2014-06-03 | 삼성전자주식회사 | 멀티 비트 프로그래밍 장치 및 방법 |
US8117375B2 (en) | 2007-10-17 | 2012-02-14 | Micron Technology, Inc. | Memory device program window adjustment |
US7924618B2 (en) * | 2007-12-27 | 2011-04-12 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of programming non-volatile memory device |
JP5150245B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US7733705B2 (en) | 2008-03-13 | 2010-06-08 | Micron Technology, Inc. | Reduction of punch-through disturb during programming of a memory device |
KR100953045B1 (ko) | 2008-05-23 | 2010-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
KR101464255B1 (ko) * | 2008-06-23 | 2014-11-25 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 그것을 포함한 시스템 |
KR100965071B1 (ko) * | 2008-07-10 | 2010-06-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US8854887B2 (en) | 2008-07-10 | 2014-10-07 | Hynix Semiconductor Inc. | Nonvolatile memory device and method of programming the same |
KR101423612B1 (ko) * | 2008-09-16 | 2014-07-25 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법, 그리고 그것을포함하는 메모리 시스템 |
US8045375B2 (en) * | 2008-10-24 | 2011-10-25 | Sandisk Technologies Inc. | Programming non-volatile memory with high resolution variable initial programming pulse |
US7839690B2 (en) * | 2008-12-11 | 2010-11-23 | Sandisk Corporation | Adaptive erase and soft programming for memory |
US8645792B2 (en) * | 2008-12-16 | 2014-02-04 | Micron Technology, Inc. | Memory with guard value dependent error correction |
KR100996108B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2010-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
EP2411982A2 (en) | 2009-03-24 | 2012-02-01 | Rambus Inc. | Pulse control for nonvolatile memory |
US8026544B2 (en) | 2009-03-30 | 2011-09-27 | Sandisk Technologies Inc. | Fabricating and operating a memory array having a multi-level cell region and a single-level cell region |
KR20110018753A (ko) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 프로그램 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
US8400854B2 (en) * | 2009-09-11 | 2013-03-19 | Sandisk Technologies Inc. | Identifying at-risk data in non-volatile storage |
US8199579B2 (en) | 2009-09-16 | 2012-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
US8248855B2 (en) * | 2010-03-10 | 2012-08-21 | Infinite Memories Ltd. | Method of handling reference cells in NVM arrays |
KR101138101B1 (ko) * | 2010-05-27 | 2012-04-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 불휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 |
JP2011258260A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5566797B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2014-08-06 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2012027969A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8451662B2 (en) | 2011-03-03 | 2013-05-28 | Micron Technology, Inc. | Reading memory cell history during program operation for adaptive programming |
US8456911B2 (en) | 2011-06-07 | 2013-06-04 | Sandisk Technologies Inc. | Intelligent shifting of read pass voltages for non-volatile storage |
US8687421B2 (en) | 2011-11-21 | 2014-04-01 | Sandisk Technologies Inc. | Scrub techniques for use with dynamic read |
US8842477B2 (en) * | 2012-06-01 | 2014-09-23 | Spansion Llc | Method, apparatus, and manufacture for flash memory adaptive algorithm |
CN108766495B (zh) * | 2012-08-21 | 2021-10-01 | 群联电子股份有限公司 | 数据写入方法、存储器控制器与存储器存储装置 |
JP5667143B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2015-02-12 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 不揮発性半導体メモリ |
US8971128B2 (en) | 2013-01-31 | 2015-03-03 | Sandisk Technologies Inc. | Adaptive initial program voltage for non-volatile memory |
US9864498B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-01-09 | Tobii Ab | Automatic scrolling based on gaze detection |
CN105339866B (zh) | 2013-03-01 | 2018-09-07 | 托比股份公司 | 延迟扭曲凝视交互 |
TWI501245B (zh) * | 2013-05-06 | 2015-09-21 | Phison Electronics Corp | 資料讀取方法、控制電路、記憶體模組與記憶體儲存裝置 |
US20140359202A1 (en) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Western Digital Technologies, Inc. | Reading voltage calculation in solid-state storage devices |
US10317995B2 (en) | 2013-11-18 | 2019-06-11 | Tobii Ab | Component determination and gaze provoked interaction |
US10558262B2 (en) | 2013-11-18 | 2020-02-11 | Tobii Ab | Component determination and gaze provoked interaction |
US9123424B2 (en) | 2013-12-17 | 2015-09-01 | Sandisk Technologies Inc. | Optimizing pass voltage and initial program voltage based on performance of non-volatile memory |
US9230689B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-01-05 | Sandisk Technologies Inc. | Finding read disturbs on non-volatile memories |
KR102221752B1 (ko) | 2014-03-20 | 2021-03-02 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 프로그램 방법 및 이를 포함하는 데이터 독출 방법 |
US9952883B2 (en) | 2014-08-05 | 2018-04-24 | Tobii Ab | Dynamic determination of hardware |
US9552171B2 (en) | 2014-10-29 | 2017-01-24 | Sandisk Technologies Llc | Read scrub with adaptive counter management |
DE102014115885B4 (de) * | 2014-10-31 | 2018-03-08 | Infineon Technologies Ag | Funktionstüchtigkeitszustand von nicht-flüchtigem Speicher |
US9978456B2 (en) | 2014-11-17 | 2018-05-22 | Sandisk Technologies Llc | Techniques for reducing read disturb in partially written blocks of non-volatile memory |
US9349479B1 (en) | 2014-11-18 | 2016-05-24 | Sandisk Technologies Inc. | Boundary word line operation in nonvolatile memory |
US9449700B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-09-20 | Sandisk Technologies Llc | Boundary word line search and open block read methods with reduced read disturb |
KR20170011644A (ko) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
US9653154B2 (en) | 2015-09-21 | 2017-05-16 | Sandisk Technologies Llc | Write abort detection for multi-state memories |
US10580495B2 (en) | 2017-12-21 | 2020-03-03 | Western Digital Technologies, Inc. | Partial program operation of memory wordline |
US10482969B2 (en) * | 2017-12-21 | 2019-11-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Programming to a correctable amount of errors |
US11545221B2 (en) | 2018-06-29 | 2023-01-03 | Sandisk Technologies Llc | Concurrent programming of multiple cells for non-volatile memory devices |
US10978156B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-04-13 | Sandisk Technologies Llc | Concurrent programming of multiple cells for non-volatile memory devices |
US11433664B2 (en) * | 2019-02-06 | 2022-09-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Writing a nonvolatile memory to programmed levels |
CN111857560B (zh) * | 2019-04-30 | 2024-06-28 | 伊姆西Ip控股有限责任公司 | 用于管理数据的方法、设备和计算机程序产品 |
JP2022040515A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | フラッシュメモリおよびプログラミング方法 |
US11342029B2 (en) | 2020-09-28 | 2022-05-24 | Sandisk Technologies Llc | Non-volatile memory with switchable erase methods |
US11854620B2 (en) | 2021-06-18 | 2023-12-26 | Sandisk Technologies Llc | Word line zoned adaptive initial program voltage for non-volatile memory |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001357688A (ja) * | 2000-06-16 | 2001-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置とその書き換え装置 |
JP2002133887A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2002208291A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置 |
JP2003242787A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2004046985A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及びそのテスト方法 |
WO2005010869A2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-03 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Method of archiving data |
JP2005327435A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ装置及びその駆動方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5280446A (en) * | 1990-09-20 | 1994-01-18 | Bright Microelectronics, Inc. | Flash eprom memory circuit having source side programming |
US5220531A (en) * | 1991-01-02 | 1993-06-15 | Information Storage Devices, Inc. | Source follower storage cell and improved method and apparatus for iterative write for integrated circuit analog signal recording and playback |
KR960002006B1 (ko) | 1991-03-12 | 1996-02-09 | 가부시끼가이샤 도시바 | 2개의 기준 레벨을 사용하는 기록 검증 제어기를 갖는 전기적으로 소거 가능하고 프로그램 가능한 불휘발성 메모리 장치 |
US6222762B1 (en) | 1992-01-14 | 2001-04-24 | Sandisk Corporation | Multi-state memory |
US5412601A (en) * | 1992-08-31 | 1995-05-02 | Nippon Steel Corporation | Non-volatile semiconductor memory device capable of storing multi-value data in each memory cell |
US5555204A (en) | 1993-06-29 | 1996-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device |
KR0169267B1 (ko) | 1993-09-21 | 1999-02-01 | 사토 후미오 | 불휘발성 반도체 기억장치 |
EP0704854B1 (en) * | 1994-09-30 | 1999-12-01 | STMicroelectronics S.r.l. | Memory device having error detection and correction function, and methods for writing and erasing the memory device |
EP0830684B1 (en) | 1995-06-07 | 2004-08-25 | Macronix International Co., Ltd. | Automatic programming algorithm for page mode flash memory with variable programming pulse height and pulse width |
US5903495A (en) | 1996-03-18 | 1999-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and memory system |
US5712815A (en) * | 1996-04-22 | 1998-01-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multiple bits per-cell flash EEPROM capable of concurrently programming and verifying memory cells and reference cells |
IT1303204B1 (it) * | 1998-11-27 | 2000-10-30 | St Microelectronics Srl | Metodo di programmazione di celle di memoria non volatile ad elevataprecisione, con velocita' di programmazione ottimizzata. |
US6301161B1 (en) * | 2000-04-25 | 2001-10-09 | Winbond Electronics Corporation | Programming flash memory analog storage using coarse-and-fine sequence |
IT1319614B1 (it) | 2000-12-22 | 2003-10-20 | St Microelectronics Srl | Metodo per programmare una pluralita' di celle di memoria collegate inparallelo e relativo circuito di programmazione |
WO2002056316A1 (fr) * | 2001-01-12 | 2002-07-18 | Hitachi, Ltd. | Memoire remanente a semi-conducteur |
US6738289B2 (en) * | 2001-02-26 | 2004-05-18 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory with improved programming and method therefor |
US6522580B2 (en) | 2001-06-27 | 2003-02-18 | Sandisk Corporation | Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states |
US6614695B2 (en) * | 2001-08-24 | 2003-09-02 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory with block erase |
US6717847B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-04-06 | Sandisk Corporation | Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode |
US6456528B1 (en) | 2001-09-17 | 2002-09-24 | Sandisk Corporation | Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode |
JP3987715B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2007-10-10 | 富士通株式会社 | 不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリのプログラム電圧制御方法 |
US6967872B2 (en) * | 2001-12-18 | 2005-11-22 | Sandisk Corporation | Method and system for programming and inhibiting multi-level, non-volatile memory cells |
JP4050555B2 (ja) * | 2002-05-29 | 2008-02-20 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法 |
US6781877B2 (en) * | 2002-09-06 | 2004-08-24 | Sandisk Corporation | Techniques for reducing effects of coupling between storage elements of adjacent rows of memory cells |
US20050049334A1 (en) | 2003-09-03 | 2005-03-03 | Slawomir Rubinsztain | Solvent-modified resin system containing filler that has high Tg, transparency and good reliability in wafer level underfill applications |
US7073103B2 (en) * | 2002-12-05 | 2006-07-04 | Sandisk Corporation | Smart verify for multi-state memories |
US6734718B1 (en) | 2002-12-23 | 2004-05-11 | Sandisk Corporation | High voltage ripple reduction |
US6735114B1 (en) * | 2003-02-04 | 2004-05-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of improving dynamic reference tracking for flash memory unit |
US6859397B2 (en) * | 2003-03-05 | 2005-02-22 | Sandisk Corporation | Source side self boosting technique for non-volatile memory |
KR100546343B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US6917542B2 (en) | 2003-07-29 | 2005-07-12 | Sandisk Corporation | Detecting over programmed memory |
JP2005122841A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6888758B1 (en) * | 2004-01-21 | 2005-05-03 | Sandisk Corporation | Programming non-volatile memory |
US7139198B2 (en) | 2004-01-27 | 2006-11-21 | Sandisk Corporation | Efficient verification for coarse/fine programming of non-volatile memory |
US7120051B2 (en) | 2004-12-14 | 2006-10-10 | Sandisk Corporation | Pipelined programming of non-volatile memories using early data |
US7339834B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-03-04 | Sandisk Corporation | Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory |
US7495966B2 (en) * | 2006-05-01 | 2009-02-24 | Micron Technology, Inc. | Memory voltage cycle adjustment |
-
2005
- 2005-06-03 US US11/144,264 patent/US7339834B2/en active Active
-
2006
- 2006-05-26 CN CN2006800197390A patent/CN101213613B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-26 JP JP2008514710A patent/JP4931915B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-26 EP EP06771257.0A patent/EP1886319B1/en not_active Not-in-force
- 2006-05-26 WO PCT/US2006/020375 patent/WO2006132818A2/en active Application Filing
- 2006-05-26 KR KR1020077028257A patent/KR100945057B1/ko active IP Right Grant
- 2006-05-26 CN CN201110210786.6A patent/CN102385924B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-02 TW TW095119514A patent/TWI313868B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-01-23 US US12/018,275 patent/US7633812B2/en active Active
- 2008-01-23 US US12/018,279 patent/US7630254B2/en active Active
-
2009
- 2009-10-01 US US12/572,069 patent/US8111554B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001357688A (ja) * | 2000-06-16 | 2001-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置とその書き換え装置 |
JP2002133887A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2002208291A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置 |
JP2003242787A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2004046985A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及びそのテスト方法 |
WO2005010869A2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-03 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Method of archiving data |
JP2005327435A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ装置及びその駆動方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10957405B2 (en) | 2019-01-21 | 2021-03-23 | Toshiba Memory Corporation | Memory system configured to update write voltage applied to memory cells based on number of write or erase operations |
US11501839B2 (en) | 2019-01-21 | 2022-11-15 | Kioxia Corporation | Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7633812B2 (en) | 2009-12-15 |
KR20080016598A (ko) | 2008-02-21 |
TW200707440A (en) | 2007-02-16 |
CN101213613A (zh) | 2008-07-02 |
CN101213613B (zh) | 2011-10-19 |
US20060274583A1 (en) | 2006-12-07 |
WO2006132818A3 (en) | 2007-07-12 |
US20080137431A1 (en) | 2008-06-12 |
EP1886319B1 (en) | 2015-07-15 |
EP1886319A2 (en) | 2008-02-13 |
US20080130368A1 (en) | 2008-06-05 |
CN102385924B (zh) | 2015-01-14 |
TWI313868B (en) | 2009-08-21 |
US20100020613A1 (en) | 2010-01-28 |
WO2006132818A2 (en) | 2006-12-14 |
JP2008542968A (ja) | 2008-11-27 |
US7339834B2 (en) | 2008-03-04 |
US8111554B2 (en) | 2012-02-07 |
CN102385924A (zh) | 2012-03-21 |
KR100945057B1 (ko) | 2010-03-05 |
US7630254B2 (en) | 2009-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4931915B2 (ja) | 不揮発性メモリを繰返すに連れてプログラム電圧のシフトを開始する方法 | |
JP4754631B2 (ja) | 不揮発性メモリを自己調整式の最大プログラムループでプログラムする方法 | |
JP4857278B2 (ja) | オーバープログラミングの低減を利用する高速プログラミングシステム | |
KR101600551B1 (ko) | 고해상도의 가변 초기 프로그램 펄스를 이용한 비휘발성 메모리의 프로그램 | |
JP4994447B2 (ja) | 閾値電圧の分布が緊密化するように不揮発性メモリを非リアルタイムで再プログラミングする方法 | |
JP2008535145A (ja) | マルチレベルセル型フラッシュメモリに高位レベル状態をより迅速にプログラミングする方法 | |
EP1678722A1 (en) | Programming method based on the behavior of non-volatile memory cells | |
JP4938020B2 (ja) | タイミング情報による逆結合効果 | |
EP1971984B1 (en) | Continued verification in non-volatile memory write operations | |
JP4726958B2 (ja) | プログラム外乱を低減させたnandタイプの不揮発性メモリをプログラムするラスト―ファーストモードと方法 | |
JP4960378B2 (ja) | 不揮発性メモリの読み出し外乱を低減する方法 | |
JP2009512115A (ja) | ビット線結合を生じる不揮発性メモリを制御してプログラムする方法 | |
JP4820879B2 (ja) | 非選択ワード線を効果的に制御して不揮発性メモリを読み出す方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101111 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101112 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101118 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110819 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4931915 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |