JP4923716B2 - 試料分析装置および試料分析方法 - Google Patents
試料分析装置および試料分析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4923716B2 JP4923716B2 JP2006132084A JP2006132084A JP4923716B2 JP 4923716 B2 JP4923716 B2 JP 4923716B2 JP 2006132084 A JP2006132084 A JP 2006132084A JP 2006132084 A JP2006132084 A JP 2006132084A JP 4923716 B2 JP4923716 B2 JP 4923716B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- wiring structure
- holder
- sample holder
- mesh
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/307—Contactless testing using electron beams of integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2008—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated specially adapted for studying electrical or magnetical properties of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/25—Tubes for localised analysis using electron or ion beams
- H01J2237/2505—Tubes for localised analysis using electron or ion beams characterised by their application
- H01J2237/2594—Measuring electric fields or potentials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2802—Transmission microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31749—Focused ion beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
透過電子顕微鏡をはじめとする試料分析装置において、観察しようとする試料の外部電圧印加箇所と接続可能な第1の配線構造を含むメッシュと、第1の配線構造と接続可能な第2の配線構造および電流導入端子を含む試料ホルダと、を設ける。
メッシュ102は、観察しようとする試料の外部電圧印加箇所と接続可能な、単一または複数の配線構造(以下、当該配線構造を、第1の配線構造103と呼ぶ。)を持つ。前記、第1の配線構造103を有するメッシュ構造の詳細は、実施例2で詳しく述べることとする。
試料交換を行う際は、メッシュ102を試料ホルダから取り外し、新しいメッシュを試料ホルダに固定すれば、試料交換のプロセスはそれで終わりであり、したがって、簡便かつ短時間のうちに試料を交換できる。このとき、メッシュ102を試料ホルダ106に取り付けた後、両者をしっかりと密着、固定することにより、第1の配線構造103と第2の配線構造105との接続をより確実なものとすることができ、かつ、振動などでメッシュ102が試料ホルダ106から脱落することを防ぐことができる。図4は、図1の断面を示す図である。図4(a)では、メッシュ102を試料ホルダ106に固定する一つの方法として、メッシュ押さえ112と試料ホルダ106との間にメッシュ102を配置し、メッシュ押さえ固定ネジ113を用いて、メッシュ押さえ112を試料ホルダ106に直接ねじ止めしている。この方法では、着脱時にメッシュ押さえ固定ネジ113を回す必要があり、着脱に手間と時間が必要となるが、着脱時の振動によってメッシュ102が試料ホルダ106より脱落する可能性を減らすことができる。図4(b)では、メッシュ102を試料ホルダ106に固定するもう一つの方法として、メッシュ押さえ112と試料ホルダ106との間にメッシュ102を配置し、試料押さえばね208によって試料押さえ治具207を保持している。この方法では「ばね」で試料を保持しているため、振動によりメッシュ102が試料ホルダ106より脱落する可能性が残ってはいるが、図4(a)で示した「ねじ」で試料を保持する方法に比べると、比較的容易かつ短時間のうちにメッシュ102をソケット104に固定できる。なお、図4(a)、(b)のいずれの場合でも、第1の配線構造103と第2の配線構造105との接続をより確かなものとするため、その両方または片方に、配線接触用ばね401を設けてもよい。図4において、配線接触用ばね401は一例として板ばねを描いたが、もちろん板ばねに限られるものではなく、皿ばね、コイルばねなど他の種類のばねをも用いることができる。
図5は、メッシュ102の実施例を示す図である。図5(a)のように、メッシュ102は、試料ホルダに着脱自由な形状を有するものとし、円形または楕円形に限らず多角形とすることができ、円形や楕円形に多角形を組み合わせた形状としても良い。また、図5(b)のように、メッシュ102に持ち手501を設ければ、操作者がメッシュ102を試料ホルダに着脱する際などに便利である。
以上の方法などを用いて、各々が電気的に独立した第1の配線構造103を、以降、第1の独立配線構造103’と呼ぶこととする。
(a、b)はじめに、所望断面の周りの3辺方向に収束イオンビーム701で3つの矩形穴702、703、704加工を行う。
(c)次に試料台を傾斜させ、溝705加工を行うことにより、支持部706のみで元試料に支持された試料片707を作製することができる。
(d)次に試料台傾斜を元に戻し、プローブ駆動機構652によりプローブ651先端を試料片707に接触させる。次にデポジションガス源654からデポジションガス708を供給しながらプローブ先端を含む領域に収束イオンビーム701照射を行うことにより、
(e)デポジション膜709を形成することができ、試料片707とプローブ651を固定することができる。この後に支持部706を収束イオンビーム加工で除去することにより元試料から試料片を分離することができる。
(f、g)分離された試料片707をメッシュ102に接触させるとき、試料片707を上下さかさまにしたうえで接触させる。これにより、試料片の基板側が上向きに、反対側がメッシュ102に接触した状態となる。
(h)そこで、接触部に上記と同様の方法で収束イオンビーム701照射を行い、デポジション膜711を形成することで、試料片707とメッシュ102とを固定する。
(i)その後にプローブ先端を収束イオンビーム加工しプローブを分離することで、試料片1007を独立にすることが可能となる。
(a、b)所望断面に平行に収束イオンビーム701を照射し所望断面801が露出するように加工する。
(c、d)引き続き、上記手順を試料の逆側からも行う。得られた試料の断面図を(d)に併せて示す。図7(g)にて、試料片707を上下さかさまにしてメッシュ102に設置したことにより、得られた試料と、メッシュ102との間の接触面積を増やすことができる。これにより、両者間の接続強度が増大して剛性が高まり、振動や衝撃などが加わっても、試料片がメッシュから脱落する可能性が大幅に低減される。
まず、試料として電界効果トランジスタ薄膜試料1001(以下、単に、MOS薄膜試料1001と表記する。)を例にして、測定しようとする試料の外部電圧印加箇所を試料表面に露出させるための方法を二種類示す。
201:電子銃、202:アノード、203:集束レンズ、204:対物レンズ、205:結像レンズ、206:蛍光板、207:試料押さえ治具、208:試料押さえばね、
301:試料、302:微小試料片、303:マニピュレータ、304:試料保持手段、305:所望観察部、
401:配線接触用ばね、
501:持ち手、502:パッド、503:微細配線構造、504:導電膜、505:絶縁膜、506:試料保持台、507:絶縁体から成る試料保持台
601:半導体ウェーハ(または、デバイスチップ)、602:試料台、603:試料位置制御装置、604:イオンビーム、605:イオンビーム光学系、606:二次電子検出器、607:イオンビーム光学系制御装置、608:二次電子検出器制御装置、611:中央処理装置、612:真空容器、651:プローブ、652:プローブ駆動機構、653:プローブ制御装置、654:デポジションガス源、655:デポジションガス源制御装置、656:サンプルキャリア支持部、
701:収束イオンビーム、702、703、704:矩形穴、705:溝、706:支持部、707:試料片、708:デポジションガス、709:デポジション膜、710:試料保持台、711:デポジション膜、
801:所望断面、
901:薄膜化した観察試料、902:突起状の形状を有する観察試料、903:試料の垂直方向、904:試料の垂直方向以外の方向の一例、
1001:電界効果トランジスタの薄膜試料、1002:プラグ、1003:タングステンデポジション膜、1004:空中配線、
1101:カートリッジ、1102:傾斜ピボット、1103:回転ピボット、1104:接触部材、1105:電流導入端子、
1201:電子銃制御回路、1202:1次電子線、1203:照射レンズ、1204:照射レンズ制御回路、1205:コンデンサ絞り、1206:コンデンサ絞り制御回路、1207:軸ずれ補正用偏向器、1208:軸ずれ補正用偏向器制御回路、1209:収差補正器、1210:収差補正器制御回路、1211:イメージシフト用偏向器、1212:イメージシフト用偏向器制御回路、1213:走査用偏向器、1214:走査用偏向器制御回路、1215:対物レンズ、1216:対物レンズ制御回路、1217:電流導入端子付き試料ホルダ駆動機構、1218:電流導入端子付き試料ホルダ駆動機構制御回路、1219:透過電子線、1220:電子検出器、1221:電子検出器制御回路、1222:中央処理装置、1223:表示装置、1224:情報入力手段、
1301:外部電圧・電流印加システム、
1401:メッシュ基板、1402:メッシュ絶縁膜、1403:電子線遮蔽用導電膜、1404:電子線遮蔽用導電膜を接続するための配線構造、
1601:試料遮蔽カバー、
1701:薄膜化した電界効果トランジスタ、1702:C字型メッシュ、1703:ソース、1704:ドレイン、1705:ゲート、1706:グランド、1707:空中配線。
Claims (20)
- 試料を搭載する試料ホルダと、
前記試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線照射光学系と、
前記荷電粒子線の照射により生じる二次的な荷電粒子線を検出する検出器を少なくとも備える試料分析装置において、
前記試料ホルダは、前記試料を搭載し前記試料と電気的に接続可能な第一の配線構造と、前記試料ホルダと電気的に接続可能な第二の配線構造と、を有する試料保持台を備え、
前記試料ホルダは、前記第二の配線構造を介して前記試料保持台を搭載し、
前記第二の配線構造は、前記第二の配線構造の配線幅よりも小さい配線幅の配線構造を介して前記第一の配線構造と接続され、
前記第一の配線構造の配線幅は、前記第二の配線構造の配線幅よりも小さいことを特徴とする試料分析装置。 - 試料を搭載する試料ホルダと、
前記試料に電子線を照射する電子線照射光学系と、
前記電子線の照射により前記試料を透過した電子を検出する検出器を少なくとも備える試料分析装置において、
前記試料ホルダは、前記試料を搭載し前記試料と電気的に接続可能な第一の配線構造と、前記試料ホルダと電気的に接続可能な第二の配線構造と、を有する試料保持台を備え、
前記試料ホルダは、前記第二の配線構造を介して前記試料保持台を搭載し、
前記試料保持台は、前記第二の配線構造と、前記第二の配線構造の配線幅よりも小さい配線幅の配線構造を介して接続された前記第一の配線構造と、を介して前記試料に電圧もしくは電流を供給する手段を備え、
前記第一の配線構造の配線幅は、前記第二の配線構造の配線幅よりも小さいことを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1または2に記載の試料分析装置において、
前記試料保持台は単一または複数の配線を有することを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1または2に記載の試料分析装置において、
前記試料保持台と前記試料との間に絶縁物を備えることを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1または2に記載の試料分析装置において、
前記試料保持台と前記第一の配線構造の間に絶縁物を有することを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の試料分析装置において、
前記試料保持台及び前記試料ホルダを組み付けるための凹凸部をそれぞれ備えることを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の試料分析装置において、
前記試料保持台の表面に接地された導電膜を有することを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の試料分析装置において、
前記試料保持台の表面に、接地された導電性を有するカバーを備えることを特徴とする試料分析装置。 - 請求項7に記載の試料分析装置において、
前記導電膜と前記試料保持台との間に絶縁物を備えることを特徴とする試料分析装置。 - 請求項8に記載の試料分析装置において、
前記カバーと前記試料保持台との間に絶縁物を備えることを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1に記載の試料分析装置において、
前記第二の配線構造及び前記第一の配線構造を介して前記試料に電圧を印加する手段を備えることを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1または2に記載の試料分析装置において、
前記検出器で検出した信号を画像化する手段を備え、
当該画像を表示する表示手段を備えることを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1または2に記載の試料分析装置において、
前記試料ホルダは、前記試料を作製するための試料作製装置と共通使用可能なサイドエントリ式の試料ホルダであることを特徴とする試料分析装置。 - 請求項1,2に記載の試料分析装置において、
前記試料保持台は、前記試料を作製するための試料作製装置と共通使用可能であることを特徴とする試料分析装置。 - 試料分析装置に用いる試料ホルダであって、
試料を搭載し前記試料と電気的に接続可能な第一の配線構造と、前記試料ホルダと電気的に接続可能な第二の配線構造と、を有する試料保持台を備え、
前記試料ホルダは、前記第二の配線構造を介して前記試料保持台を搭載し、
前記第二の配線構造は、前記第二の配線構造の配線幅よりも小さい配線幅の配線構造を介して前記第一の配線構造と接続され、
前記第一の配線構造の配線幅は、前記第二の配線構造の配線幅よりも小さいことを特徴とする試料ホルダ。 - 請求項15に記載の試料ホルダにおいて、
前記試料保持台を搭載するための案内手段を備えることを特徴とする試料ホルダ。 - 請求項16に記載の試料ホルダにおいて、
前記案内手段はソケットであることを特徴とする試料ホルダ。 - 請求項15に記載の試料ホルダにおいて、
当該試料ホルダは、サイドエントリ式であることを特徴とする試料ホルダ。 - 請求項18に記載の試料ホルダにおいて、
前記サイドエントリ式の試料ホルダは前記試料分析装置用の試料を作製するための試料作製装置と共通使用可能であることを特徴とする試料ホルダ。 - 請求項15に記載の試料ホルダにおいて、
前記試料保持台は前記試料分析装置用の試料を作製するための試料作製装置と共通使用可能であることを特徴とする試料ホルダ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006132084A JP4923716B2 (ja) | 2006-05-11 | 2006-05-11 | 試料分析装置および試料分析方法 |
US11/745,769 US8334519B2 (en) | 2006-05-11 | 2007-05-08 | Multi-part specimen holder with conductive patterns |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006132084A JP4923716B2 (ja) | 2006-05-11 | 2006-05-11 | 試料分析装置および試料分析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007303946A JP2007303946A (ja) | 2007-11-22 |
JP4923716B2 true JP4923716B2 (ja) | 2012-04-25 |
Family
ID=38837988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006132084A Expired - Fee Related JP4923716B2 (ja) | 2006-05-11 | 2006-05-11 | 試料分析装置および試料分析方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8334519B2 (ja) |
JP (1) | JP4923716B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9312097B2 (en) | 2007-05-09 | 2016-04-12 | Protochips, Inc. | Specimen holder used for mounting samples in electron microscopes |
JP5608094B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2014-10-15 | プロトチップス,インコーポレイテッド | 顕微鏡検査用試料取付け台 |
EP2260286A4 (en) * | 2008-03-17 | 2012-04-11 | Protochips Inc | SPECIMEN HOLDER FOR MOUNTING SAMPLES IN ELECTRONIC MICROSCOPES |
JP2010009774A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Nippon Steel Corp | 試料台及び試料ホルダ |
JP5390945B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2014-01-15 | 日本電子株式会社 | 透過型電子顕微鏡の試料作製方法 |
EP2278306A1 (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-26 | Fei Company | Method for inspecting a sample |
JP6014036B2 (ja) | 2010-08-02 | 2016-10-25 | プロトチップス,インコーポレイテッド | 2つの半導体デバイスでガスまたは液体セルを形成するための電子顕微鏡サンプルホルダ |
CN102262996B (zh) * | 2011-05-31 | 2013-06-12 | 北京工业大学 | 透射电镜用双轴倾转的原位力、电性能综合测试样品杆 |
US9653260B2 (en) | 2011-12-01 | 2017-05-16 | Fei Company | High throughput TEM preparation processes and hardware for backside thinning of cross-sectional view lamella |
NL2009469C2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-18 | Denssolutions B V | Double tilt holder and multicontact device. |
US9437393B2 (en) * | 2012-11-16 | 2016-09-06 | Protochips, Inc. | Method for forming an electrical connection to an sample support in an electron microscope holder |
CN103400740B (zh) * | 2013-07-05 | 2015-08-26 | 东南大学 | 光电性能可测的透射电镜样品杆及构建太阳能电池的方法 |
JP6117070B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-04-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
US9466459B2 (en) | 2014-06-03 | 2016-10-11 | Protochips, Inc. | Method for optimizing fluid flow across a sample within an electron microscope sample holder |
JP6385899B2 (ja) * | 2014-07-21 | 2018-09-05 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | Tem試料取付け構造 |
JP6276681B2 (ja) * | 2014-11-14 | 2018-02-07 | アオイ電子株式会社 | 試料固定装置および試料分析装置 |
JP6280495B2 (ja) * | 2014-11-26 | 2018-02-14 | アオイ電子株式会社 | 試料固定装置 |
EP3125270B1 (en) * | 2015-07-27 | 2019-04-10 | FEI Company | Tem sample mounting geometry |
JP6406710B2 (ja) * | 2015-08-25 | 2018-10-17 | 本田技研工業株式会社 | サンプルホルダ |
JP2017103067A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 株式会社メルビル | 試料設置部材、及びその製造方法 |
WO2017203553A1 (ja) | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 試料保持装置、およびこれを備えた荷電粒子線装置 |
EP4318545A3 (en) * | 2022-07-15 | 2024-03-20 | Jeol Ltd. | Specimen processing holder and specimen processing method |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5895562A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-07 | Daiwa Can Co Ltd | 缶底周辺部塗装法 |
US4906840A (en) * | 1988-01-27 | 1990-03-06 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr., University | Integrated scanning tunneling microscope |
JP2708547B2 (ja) * | 1989-05-10 | 1998-02-04 | 株式会社日立製作所 | デバイス移植方法 |
JP3179846B2 (ja) * | 1992-03-19 | 2001-06-25 | 株式会社日立製作所 | インテリジェント試料ホルダ及びそれを利用した荷電ビーム装置 |
JPH06310069A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡の試料支持装置および方法 |
JP3576677B2 (ja) * | 1996-01-19 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 静電アクチュエータ及び、該アクチュエータを用いたプローブ、走査型プローブ顕微鏡、加工装置、記録再生装置 |
JPH1069618A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Hitachi Ltd | 試料ステージおよびこれを用いた荷電粒子線装置 |
JPH10185781A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電子顕微鏡用試料ホルダおよびその製法 |
US6828566B2 (en) * | 1997-07-22 | 2004-12-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for specimen fabrication |
JP3677968B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2005-08-03 | 株式会社日立製作所 | 試料解析方法および装置 |
JPH11250850A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡及び顕微方法並びに対話型入力装置 |
US6744268B2 (en) * | 1998-08-27 | 2004-06-01 | The Micromanipulator Company, Inc. | High resolution analytical probe station |
JP4185604B2 (ja) * | 1998-11-18 | 2008-11-26 | 株式会社日立製作所 | 試料解析方法、試料作成方法およびそのための装置 |
JP2002148160A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Jeol Ltd | 試料支持用カートリッジ及び試料ホルダー |
WO2003007330A1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
JP4012705B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2007-11-21 | 株式会社日立製作所 | 試料ホルダ及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
JP2003263969A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Jeol Ltd | 試料ホルダ |
JP4199629B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2008-12-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 内部構造観察方法とその装置 |
WO2006015167A2 (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Tem mems device holder and method of fabrication |
JP4740584B2 (ja) * | 2004-12-14 | 2011-08-03 | オリンパス株式会社 | 観察装置 |
US7491934B2 (en) * | 2006-01-13 | 2009-02-17 | Ut-Battelle, Llc | SEM technique for imaging and measuring electronic transport in nanocomposites based on electric field induced contrast |
-
2006
- 2006-05-11 JP JP2006132084A patent/JP4923716B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-08 US US11/745,769 patent/US8334519B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080067374A1 (en) | 2008-03-20 |
JP2007303946A (ja) | 2007-11-22 |
US8334519B2 (en) | 2012-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4923716B2 (ja) | 試料分析装置および試料分析方法 | |
JP4178741B2 (ja) | 荷電粒子線装置および試料作製装置 | |
US7582885B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
JP2010044999A (ja) | 試料ホルダ及びそれを用いた試料分析装置 | |
US20130292568A1 (en) | Scanning electron microscope and length measuring method using the same | |
US8134131B2 (en) | Method and apparatus for observing inside structures, and specimen holder | |
JP5094788B2 (ja) | 電子顕微鏡及びその試料ホルダ | |
JP7079799B2 (ja) | 半導体装置の評価装置 | |
JP4012705B2 (ja) | 試料ホルダ及びそれを用いた荷電粒子線装置 | |
TWI716808B (zh) | 探針模組及探針 | |
JP3383574B2 (ja) | プロセス管理システム及び集束イオンビーム装置 | |
JP4016981B2 (ja) | 試料作製装置および試料作製方法 | |
JP2008014899A (ja) | 試料作製方法 | |
JP4016969B2 (ja) | 試料作製装置および試料作製方法 | |
JP7065124B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4428369B2 (ja) | 荷電粒子線装置および試料作製装置 | |
JP4534235B2 (ja) | 試料分析方法 | |
JP2007212202A (ja) | 試料評価装置および試料評価方法 | |
JP2011129343A (ja) | 荷電粒子線装置の試料ホルダ | |
JP2009110713A (ja) | 試料ホルダ電極ホルダ一体化ユニット、位置調整台、アトムプローブ、並びに試料及び電極の装置への組付方法 | |
TW202414488A (zh) | 具有快速聚焦校正的帶電粒子束裝置及其方法 | |
JP2004301853A (ja) | 試料作製装置および試料作製方法 | |
US20220084777A1 (en) | Apparatus for obtaining optical measurements in a charged particle apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120110 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120123 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4923716 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |