JP4911486B2 - 有機トランジスタ - Google Patents
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Description
本発明において、例えば、例示化合物(1)は以下のように合成した。
コハク酸ジメチル11.4g、3−クロロベンゾニトリル30.1g、ナトリウムブトキシド21.1gをアミルアルコール500gに溶解し、6時間還流させた。冷却した後、沈殿物をろ過し、酢酸、メタノールで洗浄することにより、例示化合物(1)を30.3g得た。
好適な構成としては、図1示すI〜Xの構成が挙げられる。
ゲート電極としての抵抗率0.02Ω・cmのSiウェハーに、熱酸化膜を形成してゲート絶縁層とした後、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いて表面処理を行った。真空蒸着法(真空度:2.2×10−6torr、蒸着速度:0.5Å/sec)により、例示化合物(7)を70nm積層させた。さらに、この膜の表面にマスクを用いて金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。ソース電極およびドレイン電極の膜厚は300nmで、チャネル幅W=5mm、チャネル長L=20μmの有機トランジスタ素子1を作製した。
B ゲート電極
C 有機半導体層
D ゲート絶縁膜
E 基板
Claims (3)
- ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機半導体層を有するトランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式[1]で表される化合物を含有することを特徴とする有機トランジスタ。
(式中AとBは、それぞれ独立に、フェニル基または置換フェニル基を表し、
置換フェニル基が有する置換基は、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、ナフチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基、t−オクチルオキシ基、メチルチオ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジベンジルアミノ基、およびビス(ジメチルアミノフェニル)アミノ基からなる群から選択され、置換基同士が互いに結合してシクロアルキル環、複素環、または芳香族炭化水素環を形成しても良い。) - AとBが、それぞれ独立に下記一般式[2]で表される請求項1記載の有機トランジスタ。
(式中、R1〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、ナフチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基、t−オクチルオキシ基、メチルチオ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジベンジルアミノ基、またはビス(ジメチルアミノフェニル)アミノ基を表し、R1〜R3の置換基同士が互いに結合してシクロアルキル環、複素環、または芳香族炭化水素環を形成しても良い。) - さらに、ゲート絶縁膜を有する請求項1又は2記載の有機トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116146A JP4911486B2 (ja) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | 有機トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116146A JP4911486B2 (ja) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | 有機トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295004A JP2006295004A (ja) | 2006-10-26 |
JP4911486B2 true JP4911486B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=37415228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005116146A Expired - Fee Related JP4911486B2 (ja) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | 有機トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4911486B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007266285A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Nippon Kayaku Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
KR101422054B1 (ko) | 2006-06-30 | 2014-07-23 | 시바 홀딩 인크 | 유기 반도체로서의 디케토피롤로피롤 중합체 |
JP2008078247A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機トランジスタ |
JP2008226959A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Yokohama National Univ | 有機電界効果トランジスタの製造方法、及び、有機電界効果トランジスタ |
US7910684B2 (en) * | 2007-09-06 | 2011-03-22 | Xerox Corporation | Diketopyrrolopyrrole-based derivatives for thin film transistors |
KR101004734B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2011-01-04 | 한국전자통신연구원 | 표면 에너지 제어를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조방법 |
WO2010108873A1 (en) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | Basf Se | Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR920002741A (ko) * | 1990-07-20 | 1992-02-28 | 베르너 발데크 | 디케토피롤로피롤을 기재로 하는 전기 발색 조성물 |
JP3641310B2 (ja) * | 1994-12-22 | 2005-04-20 | チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド | 電子写真感光体 |
JP2005072053A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Sharp Corp | 有機半導体装置およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-04-13 JP JP2005116146A patent/JP4911486B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006295004A (ja) | 2006-10-26 |
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