JP4911036B2 - 積層コンデンサおよびその実装構造 - Google Patents

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Description

この発明は、積層コンデンサおよびその実装構造に関するもので、特に、高周波回路において有利に適用される積層コンデンサおよびその実装構造に関するものである。
数GHzのような高周波領域において、MPU(マイクロプロセッシングユニット)等のための電源回路に用いられるデカップリングコンデンサとして、たとえば特開平11−204372号公報(特許文献1)に記載のような構造の積層コンデンサが知られている。この積層コンデンサによれば、多数のビア導体で内部電極同士を接続しながら、隣り合うビア導体を互いに逆極性にすることによって、正極から負極への電流の流れを短くし、電流の流れを多様にし、さらに、電流の方向を互いに逆方向に向けるようにして磁束の相殺を行ない、それによって、ESL(等価直列インダクタンス)の低減が図られている。
しかしながら、上記特許文献1に記載の積層コンデンサによれば、ESLの低下に伴って、ESR(等価直列抵抗)も低下するため、インピーダンス特性が急峻になるという問題を有している。
次に、特開2005−203623号公報(特許文献2)では、積層コンデンサに備えるコンデンサ本体において、互いに特性の異なる第1および第2のコンデンサ部を積層方向に並ぶように配置し、これら第1および第2のコンデンサ部の各特性を組み合わせて、広い周波数帯域でインピーダンスを低く維持することが提案されている。
しかしながら、上記特許文献2に記載の積層コンデンサによれば、この特許文献2の図4に示されるように、低ESL特性を有する第1のコンデンサ部を低周波側に配置し、第2のコンデンサ部を高周波側に配置しているため、全体の特性で見た場合、高周波側のインピーダンスを低くすることができない。
次に、特開2004−172602号公報(特許文献3)では、上記特許文献2の場合と同様、積層コンデンサに備えるコンデンサ本体において、第1および第2のコンデンサ部を積層方向に並ぶように配置したものが記載されている。この積層コンデンサでは、特許文献3のたとえば段落「0016」からわかるように、第2のコンデンサ部において大容量を実現するため、第2のコンデンサ部に位置する貫通導体(ビア導体)の数を減らし、その分、導体層(内部電極)の対向面積を増加させている。
しかしながら、上記特許文献3には、貫通導体の数を減らすことにより、ESRを高めようとする思想は開示されていない。なるほど、特許文献3の段落「0047」には、抵抗値を高めることによって、使用周波数範囲を広げようとする記載があるものの、これは、図2に示された貫通導体(5aおよび5b、ならびに6aおよび6b)間を接続する接続電極(3cおよび4c)が有する抵抗値のことにすぎない。
なお、特許文献3では、第1のコンデンサ部は第2のコンデンサ部に比べて小容量のものである。このような小容量の第1のコンデンサ部を第2のコンデンサ部にさらに追加することは、前述のように、第2のコンデンサ部について大容量化を図ろうとする発明の目的に反するものであると言える。
特開平11−144996号公報 特開2005−203623号公報 特開2004−172602号公報
そこで、この発明の目的は、低ESL化を図りながらも、高ESR化を図ることができる、積層コンデンサを提供しようとすることである。
この発明の他の目的は、上述のように低ESL化が図られた積層コンデンサの低ESL特性を十分に発揮させることができる、積層コンデンサの実装構造を提供しようとすることである。
この発明に係る積層コンデンサは、積層された複数の誘電体層をもって構成される積層構造を有するコンデンサ本体と、コンデンサ本体の両主面上にそれぞれ同じ数形成される、第1、第2、第3および第4の外部端子電極とを備えている。
上述のコンデンサ本体は、第1および第2のコンデンサ部を構成している。コンデンサ本体において、第1のコンデンサ部が積層方向での両端に位置されるとともに、第2のコンデンサ部が2つの第1のコンデンサ部によって積層方向に挟まれるように配置される。
第1のコンデンサ部は、静電容量を形成するように所定の誘電体層を介して互いに対向する少なくとも1対の第1および第2の内部電極と、第2の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で第1の内部電極と第1の外部端子電極とを電気的に接続するように特定の誘電体層を貫通する第1のビア導体と、第1の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で第2の内部電極と第2の外部端子電極とを電気的に接続するように特定の誘電体層を貫通する第2のビア導体とを含んでいる。
第2のコンデンサ部は、静電容量を形成するように所定の誘電体層を介して互いに対向する少なくとも1対の第3および第4の内部電極と、第4の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で第3の内部電極と第3の外部端子電極とを電気的に接続するように特定の誘電体層を貫通する第3のビア導体と、第3の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で第4の内部電極と第4の外部端子電極とを電気的に接続するように特定の誘電体層を貫通する第4のビア導体とを含んでいる。
そして、第1のコンデンサ部の共振周波数は、第2のコンデンサ部の共振周波数より高くされる。また、第2のコンデンサ部に含まれる誘電体層の1層あたりに形成される第3および第4のビア導体の合計数は、第1のコンデンサ部に含まれる誘電体層の1層あたりに形成される第1および第2のビア導体の合計数より少なくされる。さらに、第2のコンデンサ部に含まれる、1組の前記第3および第4の内部電極ならびにその間の前記誘電体層と前記第3および第4のビア導体とにより与えられる前記誘電体層の1層あたりの等価直列抵抗は、前記第1のコンデンサ部に含まれる、1組の前記第1および第2の内部電極ならびにその間の前記誘電体層と前記第1および第2のビア導体とにより与えられる前記誘電体層の1層あたりの等価直列抵抗より高くされている。
さらに、この発明に係る積層コンデンサにおいて、第3のビア導体は、第1のビア導体と直接接続されることによって共通化され、かつ第3の外部端子電極は、第1の外部端子電極と共通であり、共通化された第1および第3のビア導体は、コンデンサ本体をその一方主面から他方主面にかけて貫通するとともに、誘電体層の面方向中心側に寄って配置され、他方、第4のビア導体は、第2のビア導体と直接接続されることによって共通化され、かつ第4の外部端子電極は、第2の外部端子電極と共通であり、共通化された第2および第4のビア導体は、コンデンサ本体をその一方主面から他方主面にかけて貫通するとともに、誘電体層の面方向中心側に寄って配置されており、コンデンサ本体の一方主面上に形成された上記第1、第2、第3および第4の外部端子電極が電源回路に接続され、コンデンサ本体の他方主面上に形成された上記第1、第2、第3および第4の外部端子電極が電源回路に接続されないようにして用いられることを特徴としている。
1および第2の外部端子電極は、交互に配置されることが好ましい。
この発明は、また、上述した積層コンデンサが導電ランドを有する配線基板の所定の実装面上に実装された、積層コンデンサの実装構造にも向けられる。この発明に係る積層コンデンサの実装構造は、第2のコンデンサ部に比べて、第1のコンデンサ部が実装面により近い側に位置するようにコンデンサ本体を向けた状態で、積層コンデンサが実装され、コンデンサ本体の一方主面上に形成された上記第1、第2、第3および第4の外部端子電極が導電ランドに接続され、コンデンサ本体の他方主面上に形成された上記第1、第2、第3および第4の外部端子電極が導電ランドに接続されない状態とされていることを特徴としている。
この発明に係る積層コンデンサによれば、第1のコンデンサ部に含まれる誘電体層の1層あたりに形成される第1および第2のビア導体の合計数が、第2のコンデンサ部に含まれる誘電体層の1層あたりに形成される第3および第4のビア導体の合計数より多くされるので、第1のコンデンサ部のESLを、第2のコンデンサ部のESLより低くすることができる。
また、第2のコンデンサ部に含まれる、1組の第3および第4の内部電極ならびにその間の誘電体層と第3および第4のビア導体とに与えられる誘電体層の1層あたりのESRは、第1のコンデンサ部に含まれる、1組の第1および第2の内部電極ならびにその間の誘電体層と第1および第2のビア導体とにより与えられる誘電体層の1層あたりのESRより高くされるので、第2のコンデンサ部のESRを、第1のコンデンサ部のESRより高くすることができる。
そして、この発明に係る積層コンデンサによれば、コンデンサ本体を上述した第1のコンデンサ部と第2のコンデンサ部とに分割し、第1のコンデンサ部の共振周波数を第2のコンデンサ部の共振周波数より高くしているので、第1のコンデンサ部がコンデンサ本体の複合特性において高周波側に影響を与えることになり、第1のコンデンサ部のESL特性が反映され、コンデンサ本体の低ESL化を図ることができる。
また、コンデンサ本体を上述した第1のコンデンサ部と第2のコンデンサ部とに分割し、第1のコンデンサ部の共振周波数と第2のコンデンサ部の共振周波数とを異ならせることにより、第1のコンデンサ部のESRと第2のコンデンサ部のESRとの複合特性によって、コンデンサ本体のESRが決定されることになり、高ESR化を図ることができる。
その結果、低ESLかつ高ESRの双方を満足させる積層コンデンサを得ることができる。
また、この発明に係る積層コンデンサによれば、コンデンサ本体において、第1のコンデンサ部が積層方向での両端に位置されるとともに、第2のコンデンサ部が2つの第1のコンデンサ部によって積層方向に挟まれるように配置されているので、積層コンデンサが実装される場合には、第1のコンデンサ部において、正極の外部端子電極から内部電極を通って負極の外部端子電極へと流れる電流の経路をより短くすることができるので、第1のコンデンサ部による低ESL特性を十分に発揮させることができる。また、上述のように、第2のコンデンサ部が2つの第1のコンデンサ部によって積層方向に挟まれるように配置され、かつ第1ないし第4の外部端子電極がコンデンサ本体の両主面上に形成されているので、上述のような低ESL化が可能な実装構造を得るにあたって、コンデンサ本体の上下についての方向性をなくすことができる。
また、この発明によれば、第3および第4のビア導体が、それぞれ、第1および第2のビア導体と直接接続されることによって共通化され、かつ第3および第4の外部端子電極が、それぞれ、第1および第2の外部端子電極と共通であるので、第1のコンデンサ部と第2のコンデンサ部との接続ならびに第1および第2のコンデンサ部と第1ないし第4の外部端子電極との接続を簡易な構成によって実現することができる。
この発明に係る積層コンデンサにおいて、第1および第2の外部端子電極が交互に配置されていると、正極から負極への電流の流れをより短くし、かつ磁束の相殺をより効果的に行なうことができるので、第1のコンデンサ部でのESLをより低減することができる。
この発明の一実施形態による積層コンデンサ1の内部構造を、垂直方向の断面をもって示す断面図である。 図1に示した積層コンデンサ1における第1のコンデンサ部11の内部構造を、水平方向の断面をもって示す断面図であり、(a)は、第1の内部電極13が通る断面を示し、(b)は、第2の内部電極14が通る断面を示す。 図1に示した積層コンデンサ1における第2のコンデンサ部12の内部構造を、水平方向の断面をもって示す断面図であり、(a)は、第3の内部電極15が通る断面を示し、(b)は、第4の内部電極16が通る断面を示す。 この発明の範囲内にある実施例の場合と、この発明の範囲外にあり、第2のコンデンサ部を備えず、第1のコンデンサ部のみを備える比較例の場合とを比較して、周波数‐インピーダンス特性の傾向を示す図である。
符号の説明
1 積層コンデンサ
2 コンデンサ本体
3 誘電体層
4,5 主面
6 第1の外部端子電極
7 第2の外部端子電極
8 第3の外部端子電極
9 第4の外部端子電極
11 第1のコンデンサ部
12 第2のコンデンサ部
13 第1の内部電極
14 第2の内部電極
15 第3の内部電極
16 第4の内部電極
17 第1のビア導体
18 第2のビア導体
19 第3のビア導体
20 第4のビア導体
21〜24 ギャップ
31 実装面
図1ないし図3は、この発明の一実施形態による積層コンデンサ1を示している。ここで、図1は、積層コンデンサ1の内部構造を、垂直方向の断面をもって示す断面図である。図2および図3は、積層コンデンサ1の内部構造を、水平方向の種々の断面をもって示す断面図である。
積層コンデンサ1は、四角柱状のコンデンサ本体2を備えている。コンデンサ本体2は、積層された、たとえば誘電体セラミックから複数の誘電体層3をもって構成される積層構造を有している。コンデンサ本体2の第1および第2の主面4および5の各々上には、たとえばバンプ態様の第1、第2、第3および第4の外部端子電極6、7、8および9が形成されている。図1からわかるように、コンデンサ本体2の第1の主面4上に形成される第1、第2、第3および第4の外部端子電極6、7、8および9の各々の数と、第2の主面5上に形成される第1、第2、第3および第4の外部端子電極6、7、8および9の各々の数とは同じである。図1において、第3および第4の外部端子電極をそれぞれ指す参照符号「8」および「9」が括弧書きで表示されているのは、この実施形態では、第3および第4の外部端子電極8および9が、それぞれ、第1および第2の外部端子電極6および7と共通であるからである。
コンデンサ本体2は、図1に示すように、第1および第2のコンデンサ部11および12を構成している。第1のコンデンサ部11と第2のコンデンサ部12とは、積層方向に並ぶように配置され、しかも、第2のコンデンサ部12が2つの第1のコンデンサ部11によって積層方向に挟まれるように配置されている。その結果、第1のコンデンサ部11は、コンデンサ本体2における積層方向での両端に位置される。
第1のコンデンサ部11は、静電容量を形成するように所定の誘電体層3を介して互いに対向する少なくとも1対の第1および第2の内部電極13および14を備えている。また、第2のコンデンサ部12は、静電容量を形成するように所定の誘電体層9を介して互いに対向する少なくとも1対の第3および第4の内部電極15および16を備えている。
この実施形態では、より大きな静電容量を得るため、第1および第2の内部電極13および14の対の数ならびに第3および第4の内部電極15および16の対の数は、ともに複数とされる。
図2および図3は、前述したように、積層コンデンサ1の内部構造を、水平方向の断面をもって示す断面図であるが、より具体的には、図2は、第1のコンデンサ部11の内部構造を示す断面図であり、(a)は、第1の内部電極13が通る断面を示し、(b)は、第2の内部電極14が通る断面を示している。また、図3は、第2のコンデンサ部12の内部構造を示す断面図であり、(a)は、第3の内部電極15が通る断面を示し、(b)は、第4の内部電極16が通る断面を示している。
第1のコンデンサ部11は、さらに、第1および第2のビア導体17および18を備え、第2のコンデンサ部12は、さらに、第3および第4のビア導体19および20を備えている。図1によく示されているように、この実施形態では、第3および第4のビア導体19および20は、それぞれ、第1および第2のビア導体17および18と直接接続されることによって共通化されている。そして、共通化された第1および第3のビア導体17および19は、コンデンサ本体2をその第1の主面4から第2の主面5にかけて貫通するとともに、誘電体層3の面方向中心側に寄って配置されている。また、共通化された第2および第4のビア導体18および20についても、コンデンサ本体2をその第1の主面4から第2の主面5にかけて貫通するとともに、誘電体層3の面方向中心側に寄って配置されている。
第1のビア導体17は、複数の第1の内部電極13を互いに電気的に接続するとともに、第1の内部電極13と第1の外部端子電極6とを電気的に接続するように特定の誘電体層3を貫通して延びている。第1のビア導体17は第2の内部電極14をも貫通するが、この貫通する部分の周囲にはギャップ21が形成されていて、それによって、第1のビア導体17は、第2の内部電極14に対して電気的に絶縁された状態となっている。
第2のビア導体18は、複数の第2の内部電極14を互いに電気的に接続するとともに、第2の内部電極14と第2の外部端子電極7とを電気的に接続するように特定の誘電体層3を貫通して延びている。第2のビア導体18は第1の内部電極13をも貫通するが、この貫通する部分の周囲にはギャップ22が形成されていて、それによって、第2のビア導体18は、第1の内部電極13に対して電気的に絶縁された状態となっている。
第3のビア導体19は、複数の第3の内部電極15を互いに電気的に接続するとともに、第3の内部電極15と第3の外部端子電極8とを電気的に接続するように特定の誘電体層3を貫通して延びている。なお、この実施形態では、第3のビア導体19は、第1のビア導体17と共通化されているので、第3のビア導体19と第3の外部端子電極8との電気的接続には、第1のビア導体17が介在される。第3のビア導体19は、複数の第4の内部電極16をも貫通するが、この貫通する部分の周囲にはギャップ23が形成されていて、それによって、第3のビア導体19は、第4の内部電極16に対して電気的に絶縁された状態となっている。
第4のビア導体20は、複数の第4の内部電極16を互いに電気的に接続するとともに、第4の内部電極16と第4の外部端子電極9とを電気的接続するように特定の誘電体層3を貫通して延びている。なお、この実施形態では、第4のビア導体20は、第2のビア導体18と共通化されているので、第4のビア導体20と第4の外部端子電極9との電気的接続には、第2のビア導体18が介在される。第4のビア導体20は、第3の内部電極15をも貫通するが、この貫通する部分の周囲にはギャップ24が形成されていて、それによって、第4のビア導体20は、第3の内部電極15に対して電気的に絶縁された状態となっている。
第1ないし第4の外部端子電極6ないし9の、コンデンサ本体2の主面4および5上での配置については、その一部が図1に示されているが、全体としては、上述の説明から理解できるように、第1ないし第4のビア導体17ないし20の配置に対応している。すなわち、図2および図3に示した第1ないし第4のビア導体17ないし20と同じ平面的位置に、それぞれ、第1ないし第4の外部端子電極6ないし9が位置している。
以上説明した実施形態において、第1のコンデンサ部11と第2のコンデンサ部12とでは共振周波数が互いに異なり、第1のコンデンサ部11の共振周波数は、第2のコンデンサ部12の共振周波数より高い。特に、この実施形態の場合には、第1のコンデンサ部11と第2のコンデンサ部12との間でビア導体17〜20の数を異ならせることにより、共振周波数に差が生じるようにされている。より具体的には、第2のコンデンサ部12に含まれる誘電体層3の1層あたりに形成される第3および第4のビア導体19および20の合計数が、第1のコンデンサ部12に含まれる誘電体層3の1層あたりに形成される第1および第2のビア導体17および18の合計数より少なくされることにより、第1のコンデンサ部11の共振周波数が、第2のコンデンサ部12の共振周波数より高くされる。なお、このような共振周波数の差は、内部電極13〜16の材料、パターンおよび/または積層数の差によって実現されてもよい。
また、この実施形態では、第1のコンデンサ部12に含まれる誘電体層3の1層あたりに形成される第1および第2のビア導体17および18の合計数が、第2のコンデンサ部12に含まれる誘電体層3の1層あたりに形成される第3および第4のビア導体19および20の合計数より多くされることにより、第1のコンデンサ部11のESLを、第2のコンデンサ部12のESLより低くすることができる。
また、この実施形態では、第1および第2の外部端子電極6および7が交互に配置されている。このような構成が採用されると、正極から負極への電流の流れをより短くし、かつ磁束の相殺をより効果的に行なうことができるので、第1のコンデンサ部11でのESLをより低減することができる。
また、この実施形態では、第2のコンデンサ部12に含まれる、1組の第3および第4の内部電極15および16ならびにその間の誘電体層3と第3および第4のビア導体19および20とに与えられる誘電体層3の1層あたりのESRは、第1のコンデンサ部11に含まれる、1組の第1および第2の内部電極13および14ならびにその間の誘電体層3と第1および第2のビア導体17および18とにより与えられる誘電体層3の1層あたりのESRより高くされている。特に、この実施形態では、このようなESRの差をもたらすため、第2のコンデンサ部12に含まれる第3および第4のビア導体19および20の合計数を、第1のコンデンサ部11に含まれる第1および第2のビア導体17および18の合計数より少なくされる。なお、第2のコンデンサ部12における誘電体層3の1層あたりのESRを第1のコンデンサ部11における誘電体層3の1層あたりのESRより高くするため、第3および/または第4のビア導体19および/または20の材料を比抵抗のより高いものにしたり、第3および/または第4のビア導体19および/または20の径をより小さくしたりする方法が採用されてもよい。
以上のようなことから、積層コンデンサ1の特性は、第2のコンデンサ部12による高ESR特性と第1のコンデンサ部11による低ESL特性とが複合された特性となる。したがって、この積層コンデンサ1によれば、低ESL化および高ESR化の双方を実現することができる。
図4は、この発明の範囲内にある実施例の場合(実線)と、この発明の範囲外にあり、第2のコンデンサ部を備えず、第1のコンデンサ部のみを備える比較例の場合(破線)とを比較して、周波数‐インピーダンス特性の傾向を示す図である。
図4に示すように、比較例では、ESLの低下に伴って、ESRが低下するため、インピーダンス特性が比較的急峻になっているのに対し、実施例では、低ESL化および高ESR化の双方を図ることができるので、インピーダンス特性が比較的平坦となっている。
図1には、たとえば配線基板によって与えられる実装面31が想像線で示されている。実装面31上には、複数の導電ランド32が設けられていて、第1ないし第4の外部端子電極6ないし9が、それぞれ、所定の導電ランド32に半田付け等によって電気的に接続される。
上述のような実装構造において、第2のコンデンサ部12に比べて、第1のコンデンサ部11が実装面31により近い側に位置するようにコンデンサ本体2を向けた状態で、積層コンデンサ1が実装されている。したがって、実装状態において、第1および第2の外部端子電極6および7のいずれか一方から第1および第2の内部電極13および14を通って第1および第2の外部端子電極6および7のいずれか他方へと流れる電流の経路をより短くすることができるので、第1のコンデンサ部11による低ESL特性を十分に発揮させることができ、積層コンデンサ1は、実装状態において、この低ESL特性を保ったまま、高ESR特性を実現することができる。
また、第2のコンデンサ部12が2つの第1のコンデンサ部11によって積層方向に挟まれるように配置され、かつ第1ないし第4の外部端子電極6ないし9がコンデンサ本体2の第1および第2の主面4および5の双方に設けられているので、コンデンサ本体2の上下についての方向性をなくすことができる。したがって、図1に示すように、第2の主面5を実装面31側に向けても、図示しないが、第1の主面4を実装面31側に向けても、上述のような効果を発揮できる実装状態が可能となる。
以上、この発明を図示した実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他種々の変形例が可能である。
たとえば、内部電極の積層数、ビア導体の数および位置あるいは外部端子電極の数および位置は、この発明の範囲内において、種々に変更することができる。

Claims (3)

  1. 積層された複数の誘電体層をもって構成される積層構造を有するコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の両主面上にそれぞれ同じ数形成される、第1、第2、第3および第4の外部端子電極とを備え、
    前記コンデンサ本体は、第1および第2のコンデンサ部を構成していて、前記コンデンサ本体において、前記第1のコンデンサ部が積層方向での両端に位置されるとともに、前記第2のコンデンサ部が2つの前記第1のコンデンサ部によって積層方向に挟まれるように配置され、
    前記第1のコンデンサ部は、静電容量を形成するように所定の前記誘電体層を介して互いに対向する少なくとも1対の第1および第2の内部電極と、前記第2の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で前記第1の内部電極と前記第1の外部端子電極とを電気的に接続するように特定の前記誘電体層を貫通する第1のビア導体と、前記第1の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で前記第2の内部電極と前記第2の外部端子電極とを電気的に接続するように特定の前記誘電体層を貫通する第2のビア導体とを含み、
    前記第2のコンデンサ部は、静電容量を形成するように所定の前記誘電体層を介して互いに対向する少なくとも1対の第3および第4の内部電極と、前記第4の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で前記第3の内部電極と前記第3の外部端子電極とを電気的に接続するように特定の前記誘電体層を貫通する第3のビア導体と、前記第3の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で前記第4の内部電極と前記第4の外部端子電極とを電気的に接続するように特定の前記誘電体層を貫通する第4のビア導体とを含み、
    前記第1のコンデンサ部の共振周波数は、前記第2のコンデンサ部の共振周波数より高く、
    前記第2のコンデンサ部に含まれる前記誘電体層の1層あたりに形成される前記第3および第4のビア導体の合計数は、前記第1のコンデンサ部に含まれる前記誘電体層の1層あたりに形成される前記第1および第2のビア導体の合計数より少なく、
    前記第2のコンデンサ部に含まれる、1組の前記第3および第4の内部電極ならびにその間の前記誘電体層と前記第3および第4のビア導体とにより与えられる前記誘電体層の1層あたりの等価直列抵抗は、前記第1のコンデンサ部に含まれる、1組の前記第1および第2の内部電極ならびにその間の前記誘電体層と前記第1および第2のビア導体とにより与えられる前記誘電体層の1層あたりの等価直列抵抗より高くされ、
    前記第3のビア導体は、前記第1のビア導体と直接接続されることによって共通化され、かつ前記第3の外部端子電極は、前記第1の外部端子電極と共通であり、共通化された前記第1および第3のビア導体は、前記コンデンサ本体をその一方主面から他方主面にかけて貫通するとともに、前記誘電体層の面方向中心側に寄って配置され、
    前記第4のビア導体は、前記第2のビア導体と直接接続されることによって共通化され、かつ前記第4の外部端子電極は、前記第2の外部端子電極と共通であり、共通化された前記第2および第4のビア導体は、前記コンデンサ本体をその一方主面から他方主面にかけて貫通するとともに、前記誘電体層の面方向中心側に寄って配置されており
    前記コンデンサ本体の一方主面上に形成された前記第1、第2、第3および第4の外部端子電極が電源回路に接続され、前記コンデンサ本体の他方主面上に形成された前記第1、第2、第3および第4の外部端子電極が電源回路に接続されないようにして用いられる、
    積層コンデンサ。
  2. 前記第1および第2の外部端子電極は、交互に配置される、請求項1に記載の積層コンデンサ。
  3. 請求項1または2に記載の積層コンデンサが導電ランドを有する配線基板の所定の実装面上に実装された構造であって、前記第2のコンデンサ部に比べて、前記第1のコンデンサ部が前記実装面により近い側に位置するように前記コンデンサ本体を向けた状態で、前記積層コンデンサが実装され、前記コンデンサ本体の一方主面上に形成された前記第1、第2、第3および第4の外部端子電極が前記導電ランドに接続され、前記コンデンサ本体の他方主面上に形成された前記第1、第2、第3および第4の外部端子電極が前記導電ランドに接続されない状態とされている、積層コンデンサの実装構造。
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