JP4299258B2 - 積層コンデンサ - Google Patents

積層コンデンサ Download PDF

Info

Publication number
JP4299258B2
JP4299258B2 JP2005080247A JP2005080247A JP4299258B2 JP 4299258 B2 JP4299258 B2 JP 4299258B2 JP 2005080247 A JP2005080247 A JP 2005080247A JP 2005080247 A JP2005080247 A JP 2005080247A JP 4299258 B2 JP4299258 B2 JP 4299258B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
electrodes
multilayer
internal
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005080247A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006261584A (ja
Inventor
正明 富樫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2005080247A priority Critical patent/JP4299258B2/ja
Priority to US11/366,754 priority patent/US7251115B2/en
Priority to TW095107834A priority patent/TWI405227B/zh
Priority to KR1020060024693A priority patent/KR101148894B1/ko
Priority to CN2006100653291A priority patent/CN1835136B/zh
Publication of JP2006261584A publication Critical patent/JP2006261584A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4299258B2 publication Critical patent/JP4299258B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16B—DEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
    • F16B7/00—Connections of rods or tubes, e.g. of non-circular section, mutually, including resilient connections
    • F16B7/04—Clamping or clipping connections
    • F16B7/044—Clamping or clipping connections for rods or tubes being in angled relationship
    • F16B7/048—Clamping or clipping connections for rods or tubes being in angled relationship for rods or for tubes without using the innerside thereof
    • F16B7/0486—Clamping or clipping connections for rods or tubes being in angled relationship for rods or for tubes without using the innerside thereof forming an abutting connection of at least one tube
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L21/00—Joints with sleeve or socket
    • F16L21/002—Sleeves or nipples for pipes of the same diameter; Reduction pieces
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L3/00—Supports for pipes, cables or protective tubing, e.g. hangers, holders, clamps, cleats, clips, brackets
    • F16L3/08—Supports for pipes, cables or protective tubing, e.g. hangers, holders, clamps, cleats, clips, brackets substantially surrounding the pipe, cable or protective tubing
    • F16L3/085—Supports for pipes, cables or protective tubing, e.g. hangers, holders, clamps, cleats, clips, brackets substantially surrounding the pipe, cable or protective tubing for pipes being in an angled relationship to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Description

本発明は、積層コンデンサに関する。
この種の積層コンデンサとして、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体に形成された複数の端子電極とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
ところで、ノイズ除去のため電子機器の電源回路等に接続される積層コンデンサは、広い周波数帯域でノイズ除去の効果を発揮することが要求される。広い周波数帯域でノイズを効果的に除去できるよう、この種の積層コンデンサでは広帯域にわたって低インピーダンスであることが求められている。
特許文献１には、内部電極を分割することにより得られる２つの静電容量の異なるコンデンサを一体に形成した積層コンデンサが開示されている。この積層コンデンサは、２つの静電容量の異なるコンデンサを一体に形成することによって、広帯域での低インピーダンス化を図っている。
特開平０７−１４２２８５号公報
近年、電子機器に用いられる電源回路の高周波数化に伴い、電源回路に適用される積層コンデンサの等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）の低減化がより一層求められている。ところが、特許文献１に記載の積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの増大を抑制する有効な対策がとられていない。そのため、特許文献１に記載の積層コンデンサでは等価直列インダクタンスが高くなってしまうおそれがある。また、等価直列インダクタンスが高いと、インピーダンスの十分な低下を図ることが困難になってしまうおそれもある。
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンスである積層コンデンサを提供することを目的とする。
このような目的を達成するために、本発明による積層コンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体の側面上に形成された複数の端子電極と、を備えた積層コンデンサであって、積層体は、交互に配置される複数の第１の内部電極と複数の第２の内部電極とを複数の内部電極として含む第１のコンデンサ部と、第３の内部電極と第４の内部電極とを複数の内部電極として含む第２のコンデンサ部とを有しており、複数の端子電極は、互いに電気的に絶縁された複数の第１及び第２の端子電極と、互いに電気的に絶縁された第３及び第４の端子電極とを含み、複数の第１及び第２の端子電極が形成された積層体の側面上において、複数の第１及び第２の端子電極が交互に配置されており、複数の第１の内部電極はそれぞれ、引き出し導体を介して複数の第１の端子電極のうちいずれか１つに電気的に接続されるとともに、複数の第１の端子電極はそれぞれ、複数の第１の内部電極の少なくとも１つに電気的に接続され、複数の第２の内部電極はそれぞれ、引き出し導体を介して複数の第２の端子電極のうちいずれか１つに電気的に接続されるとともに、複数の第２の端子電極はそれぞれ、複数の第２の内部電極の少なくとも１つに電気的に接続され、第３の内部電極は、引き出し導体を介して第３の端子電極に電気的に接続され、第４の内部電極は、引き出し導体を介して第４の端子電極に電気的に接続され、第３の内部電極と第４の内部電極とが、積層体の積層方向で互いに隣り合うように配置されるとともに、第１のコンデンサ部の静電容量と、第２のコンデンサ部の静電容量とが異なることを特徴とする。
本発明による積層コンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体の側面上に形成された複数の端子電極と、を備えた積層コンデンサであって、積層体は、第１の内部電極と第２の内部電極とを複数の内部電極として含む第１のコンデンサ部と、第３の内部電極と第４の内部電極とを複数の内部電極として含む第２のコンデンサ部とを有しており、複数の端子電極は、互いに電気的に絶縁された複数の第１及び第２の端子電極と、互いに電気的に絶縁された第３及び第４の端子電極とを含み、複数の第１及び第２の端子電極が形成された積層体の側面上において、複数の第１及び第２の端子電極が交互に配置されており、第１の内部電極は、複数の引き出し導体を介して複数の第１の端子電極それぞれと電気的に接続され、第２の内部電極は、複数の引き出し導体を介して複数の第２の端子電極それぞれと電気的に接続され、第３の内部電極は、引き出し導体を介して第３の端子電極に電気的に接続され、第４の内部電極は、引き出し導体を介して第４の端子電極に電気的に接続され、第３の内部電極と第４の内部電極とが、積層体の積層方向で互いに隣り合うように配置されるとともに、第１のコンデンサ部の静電容量と、第２のコンデンサ部の静電容量とが異なることを特徴とする。
これらの積層コンデンサは、静電容量の異なる第１及び第２のコンデンサ部を有するため、２つの共振周波数を持つ。その結果、この積層コンデンサでは、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。また、第１及び第２の内部電極は、第１及び第２の端子電極にそれぞれ引き出し導体を介して接続される。第１及び第２の端子電極は積層体の側面上で交互に配置されるため、第１の内部電極を第１の端子電極に接続させる引き出し導体を流れる電流と、第２の内部電極を第２の端子電極に接続させる引き出し導体を流れる電流とが互いに逆向きに流れる。そのため、これらの電流に起因して発生する磁界が相殺され、この積層コンデンサでは等価直列インダクタンスが低減されることとなる。このように、この積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスが低減されるとともに、広帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となっている。
また、第２のコンデンサ部の静電容量は、第１のコンデンサ部の静電容量に比べて小さいことが好ましい。この場合、第２のコンデンサ部によって、高周波数帯域での低インピーダンス化が実現される。
また、第２のコンデンサ部は、第３及び第４の内部電極を複数含み、複数の第３の内部電極と複数の第４の内部電極とは、交互に配置されていることが好ましい。第３及び第４の内部電極を複数有し、これらを交互に配置することで、第２のコンデンサ部の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部に所望の周波数帯域での低インピーダンス化を担わせることが可能となる。
本発明によれば、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンスである積層コンデンサを提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」及び「下」なる語を使用することがあるが、これは各図の上下方向に対応したものである。
（第１実施形態）
図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
積層コンデンサＣ１は、図１に示すように、略直方体形状をした積層体１と、積層体１に形成された第１〜第４の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄ、７、９とを備える。第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄは、積層体１の互いに対向する側面１ａ、１ｂ上に形成されている。第３及び第４の端子電極７、９は、積層体１の互いに対向する側面１ｃ、１ｄ上に形成されている。
第１の端子電極３Ａ、３Ｂは、積層体１の側面１ａ上に形成されている。第１の端子電極３Ｃ、３Ｄは、側面１ａと対向する積層体１の側面１ｂ上に形成されている。第２の端子電極５Ａ、５Ｂは、積層体１の側面１ａ上に形成されている。第２の端子電極５Ｃ、５Ｄは、側面１ａと対向する積層体１の側面１ｂ上に形成されている。
側面１ａ、１ｂ上では、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄが交互に配置されている。すなわち、側面１ａ上では、側面１ｃ側から側面１ｄ側に向かって、第１の端子電極３Ａ、第２の端子電極５Ａ、第１の端子電極３Ｂ、第２の端子電極５Ｂがこの順で配置されている。側面１ｂ上では、側面１ｃ側から側面１ｄ側に向かって、第１の端子電極３Ｃ、第２の端子電極５Ｃ、第１の端子電極３Ｄ、第２の端子電極５Ｄがこの順で配置されている。第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとは、互いに電気的に絶縁されている。
第３の端子電極７は、積層体１の側面１ｃ上に形成されている。第４の端子電極９は、側面１ｃと対向する積層体１の側面１ｄ上に形成されている。第３の端子電極７と第４の端子電極９とは、互いに電気的に絶縁されている。
積層体１は、図２に示すように、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とを有する。積層体１は、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とが積層され、一体となって形成されている。
まず、第１のコンデンサ部１１の構成について説明する。第１のコンデンサ部１１は、複数（例えば、１０１層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各５０層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。実際の積層コンデンサＣ１では、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
各第１の内部電極２１は、図２に示すように、矩形状を呈している。各第１の内部電極２１は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。また、各誘電体層１０も、図２に示すように、矩形状を呈している。
複数の第１の内部電極２１にはそれぞれ、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄが一つずつ形成されている。引き出し導体３１Ａ、３１Ｂは、積層体１の側面１ａに引き出されるように第１の内部電極２１から伸びている。引き出し導体３１Ｃ、３１Ｄは、積層体１の側面１ｂに引き出されるように第１の内部電極２１から伸びている。
各第１の内部電極２１は、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを介して４つある第１の端子電極３Ａ〜３Ｄのうちいずれか一つに電気的に接続されている。また、４つの第１の端子電極３Ａ〜３Ｄはそれぞれ、複数の第１の内部電極２１の少なくとも１つに電気的に接続されている。
具体的には、引き出し導体３１Ａが形成された第１の内部電極２１は、この引き出し導体３１Ａを介して第１の端子電極３Ａに電気的に接続される。引き出し導体３１Ｂが形成された第１の内部電極２１は、この引き出し導体３１Ｂを介して第１の端子電極３Ｂに電気的に接続される。引き出し導体３１Ｃが形成された第１の内部電極２１は、この引き出し導体３１Ｃを介して第１の端子電極３Ｃに電気的に接続される。引き出し導体３１Ｄが形成された第１の内部電極２１は、この引き出し導体３１Ｄを介して第１の端子電極３Ｄに電気的に接続される。
各第２の内部電極２３は、図２に示すように、矩形状を呈している。各第２の内部電極２３は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。
複数の第２の内部電極２３にはそれぞれ、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄが一つずつ形成されている。引き出し導体３３Ａ、３３Ｂは、積層体１の側面１ａに引き出されるように第２の内部電極２３から伸びている。引き出し導体３３Ｃ、３３Ｄは、積層体１の側面１ｂに引き出されるように第２の内部電極２３から伸びている。
各第２の内部電極２３は、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを介して４つある第２の端子電極５Ａ〜５Ｄのうちいずれか一つに電気的に接続されている。また、４つの第２の端子電極５Ａ〜５Ｄはそれぞれ、複数の第２の内部電極２３の少なくとも１つに電気的に接続されている。
具体的には、引き出し導体３３Ａが形成された第２の内部電極２３は、この引き出し導体３３Ａを介して第２の端子電極５Ａに電気的に接続される。引き出し導体３３Ｂが形成された第２の内部電極２３は、この引き出し導体３３Ｂを介して第２の端子電極５Ｂに電気的に接続される。引き出し導体３３Ｃが形成された第２の内部電極２３は、この引き出し導体３３Ｃを介して第２の端子電極５Ｃに電気的に接続される。引き出し導体３３Ｄが形成された第２の内部電極２３は、この引き出し導体３３Ｄを介して第２の端子電極５Ｄに電気的に接続される。
次に、第２のコンデンサ部１３の構成について説明する。第２のコンデンサ部１３は、複数（例えば、４層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２層）の第３及び第４の内部電極２５、２７とを含む。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層体１の積層方向で互いに隣り合うように配置される。第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数は、第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と異なる。特に、本実施形態で例示したように、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数の方が、第１及び第２の内部電極２１、２３より少ないことが好ましい。また、実際の積層コンデンサＣ１では、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
各第３の内部電極２５は、図２に示すように、矩形状を呈している。各第３の内部電極２５は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。
複数の第３の内部電極２５にはそれぞれ、引き出し導体３５が一つずつ形成されている。引き出し導体３５は、積層体１の側面１ｃに引き出されるように第３の内部電極２５から伸びている。各第３の内部電極２５は、引き出し導体３５を介して第３の端子電極７に電気的に接続されている。
各第４の内部電極２７は、図２に示すように、矩形状を呈している。各第４の内部電極２７は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。
複数の第４の内部電極２７にはそれぞれ、引き出し導体３７が一つずつ形成されている。引き出し導体３７は、積層体１の側面１ｄに引き出されるように第４の内部電極２７から伸びている。各第４の内部電極２７は、引き出し導体３７を介して第４の端子電極９に電気的に接続されている。
第１のコンデンサ部１１に含まれる第１及び第２の内部電極２１、２３はそれぞれ、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄと電気的に接続される。一方、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３及び第４の内部電極２５、２７はそれぞれ、第３及び第４の端子電極７、９と電気的に接続される。したがって、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とは並列に接続される関係となる。
積層コンデンサＣ１の等価回路図を図３に示す。積層コンデンサＣ１の等価回路は、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３との並列回路からなる。一般的に、コンデンサには残留インダクタンスと残留抵抗が存在する。そのため、図３に示すように、第１のコンデンサ部１１の等価回路には静電容量Ｃ１１のほか、インダクタンスＬ１１及び抵抗Ｒ１２が存在する。第２のコンデンサ部１３の等価回路には静電容量Ｃ１３のほか、インダクタンスＬ１３及び抵抗Ｒ１３が存在する。
第１及び第２のコンデンサ部１１、１３はそれぞれ、内部電極の積層数が異なり、静電容量が異なる。すなわち、積層コンデンサＣ１では、第１のコンデンサ部１１に含まれる第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数が、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数より大きい。したがって、第１のコンデンサ部１１の静電容量Ｃ１１は第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３より大きい。
コンデンサのインダクタンスをＬ、静電容量をＣとすると、コンデンサの共振周波数ｆは式（１）によって表される。式（１）より、第１のコンデンサ部１１の共振周波数ｆ１と、第２のコンデンサ部１３の共振周波数ｆ２とでは値が異なることがわかる。
ｆ＝１／２π・sqrt（Ｌ・Ｃ） …（１）
特に、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が、第１のコンデンサ部１１に含まれる第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数より小さいと、共振周波数ｆ２は共振周波数ｆ１に比べて大きくなる。
図４に、積層コンデンサＣ１の周波数に関するインピーダンス特性を表すグラフを示す。図４に示したグラフの横軸は周波数（Ｈｚ）を表し、縦軸はインピーダンス（Ω）を表す。静電容量の大きい第１のコンデンサ部１１単体のインピーダンス特性は、グラフＧ１１、Ｇ１２で表され、共振周波数ｆ１にのみインピーダンスが極小となる点を有する。第１のコンデンサ部１１より静電容量の小さい第２のコンデンサ部１３単体のインピーダンス特性は、グラフＧ１３、Ｇ１４で表され、共振周波数ｆ２にのみインピーダンスが極小となる点を有する。一方、静電容量の異なる第１及び第２のコンデンサ部１１、１３を並列接続してなる積層コンデンサＣ１のインピーダンス特性は、グラフＧ１１、Ｇ１４で表され、共振周波数ｆ１、ｆ２の双方にインピーダンスが極小となる点を有する。このように、積層コンデンサＣ１は静電容量の異なる第１及び第２のコンデンサ部１１、１３を有しているため、１つの静電容量をもつ場合と比べ、広い周波数帯域にわたってインピーダンスを低くすることが可能となる。
特に、積層コンデンサＣ１では、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３が、第１のコンデンサ部１１の静電容量Ｃ１１に比べて小さい。そのため、第２のコンデンサ部１３の共振周波数ｆ２は第１のコンデンサ部１１の共振周波数ｆ１より小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、積層コンデンサＣ１では、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄを介して接続される。また、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置される。そのため、第１の内部電極２１を第１の端子電極３Ａ〜３Ｄに接続させる引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄと第２の内部電極２３を第２の端子電極５Ａ〜５Ｄに接続させる引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄとは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。また、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流とでは、その向きは互いに逆向きとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺される。その結果、積層コンデンサＣ１の等価直列インダクタンスは低減される。
このように、積層コンデンサＣ１では、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
また、積層コンデンサＣ１では、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
（第２実施形態）
図５を参照して、第２実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第２実施形態に係る積層コンデンサは、第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの間に位置する点で、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図５は、第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体１は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とを有する。第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの間に位置するように積層され、これらのコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層され一体となって積層体１を形成する。
第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの構成について説明する。第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部の間に位置するので、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂは第２のコンデンサ部１３の上下に位置される。そのため、第１のコンデンサ部の構成を便宜上、第２のコンデンサ部１３を挟んで上に位置する第１のコンデンサ部１１Ａと下に位置する第１のコンデンサ部１１Ｂとに区別して説明する。
第１のコンデンサ部１１Ａは、複数（例えば、５１層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２５層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。
第１のコンデンサ部１１Ｂは、複数（例えば、５０層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２５層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、積層方向に沿って、積層される。実際の第２実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
特に、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂだけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
第２実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第２実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
このように、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
また、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
なお、第２のコンデンサ部１３内での第３及び第４の内部電極２５、２７の積層順は、例えば、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１のように第３の内部電極２５、第２の内部電極２７の順であっても、第２実施形態のように第４の内部電極２７、第３の内部電極２５の順であってもよい。
（第３実施形態）
図６を参照して、第３実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第３実施形態に係る積層コンデンサは、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３の内部電極２５の積層数と第４の内部電極２７の積層数とが異なる点で、第２実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図６は、第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第１のコンデンサ部１１Ａは、複数（例えば、５層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。
第１のコンデンサ部１１Ｂは、複数（例えば４層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば各２層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、積層方向に沿って、積層される。実際の第２実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
第２のコンデンサ部１３の構成について説明する。第２のコンデンサ部１３は、複数（例えば、３層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される第３及び第４の内部電極２５、２７とを含む。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層体１の積層方向で互いに隣り合うように配置される。第３の内部電極２５は、例えば１層である。第４の内部電極２７は、第３の内部電極２５とは異なる数（例えば、２層）である。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層方向に沿って積層される。実際の第３実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
第３実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
特に、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
第３実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第３実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
このように、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
また、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
また、第３実施形態に係る積層コンデンサのように、第２のコンデンサ部１３が含む第３の内部電極２５の積層数と第４の内部電極２７の積層数とは、同じ数でなくてもよい。
（第４実施形態）
図７を参照して、第４実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第４実施形態に係る積層コンデンサは、複数の第１及び第２の内部電極それぞれが電気的に接続される第１及び第２の端子電極の数の点で、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図７は、第４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
積層体１は、図７に示すように、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とを有する。積層体１は、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とが積層され、一体となって形成されている。
まず、第１のコンデンサ部１１の構成について説明する。第１のコンデンサ部１１は、複数（例えば、１０１層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各５０層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。実際の第４実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
各第１の内部電極２１は、図７に示すように、矩形状を呈している。各第１の内部電極２１は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。また、各誘電体層１０も、図７に示すように、矩形状を呈している。
複数の第１の内部電極２１にはそれぞれ、４つの引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄが形成されている。引き出し導体３１Ａ、３１Ｂは、積層体１の側面１ａに引き出されるように第１の内部電極２１から伸びている。引き出し導体３１Ｃ、３１Ｄは、積層体１の側面１ｂに引き出されるように第１の内部電極２１から伸びている。
各第１の内部電極２１は、４つの引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを介して、４つの第１の端子電極３Ａ〜３Ｄそれぞれと電気的に接続されている。すなわち、第１の内部電極２１は、引き出し導体３１Ａを介して第１の端子電極３Ａに、引き出し導体３１Ｂを介して第１の端子電極３Ｂに、引き出し導体３１Ｃを介して第１の端子電極３Ｃに、引き出し導体３１Ｄを介して第１の端子電極３Ｄに電気的に接続されている。
各第２の内部電極２３は、図７に示すように、矩形状を呈している。各第２の内部電極２３は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。
複数の第２の内部電極２３にはそれぞれ、４つの引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄが形成されている。引き出し導体３３Ａ、３３Ｂは、積層体１の側面１ａに引き出されるように第２の内部電極２３から伸びている。引き出し導体３３Ｃ、３３Ｄは、積層体１の側面１ｂに引き出されるように第２の内部電極２３から伸びている。
各第２の内部電極２３は、４つの引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを介して、４つの第２の端子電極５Ａ〜５Ｄそれぞれと電気的に接続されている。すなわち、第２の内部電極２３は、引き出し導体３３Ａを介して第２の端子電極５Ａに、引き出し導体３３Ｂを介して第２の端子電極５Ｂに、引き出し導体３３Ｃを介して第２の端子電極５Ｃに、引き出し導体３３Ｄを介して第２の端子電極５Ｄに電気的に接続されている。
第４実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１の静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
特に、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、第１のコンデンサ部１１の静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
第４実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄそれぞれに接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第４実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
このように、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
また、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
（第５実施形態）
図８を参照して、第５実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第５実施形態に係る積層コンデンサは、第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの間に位置する点で、第４実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図８は、第５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体１は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とを有する。第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの間に位置するように、これらのコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層され一体となって積層体１を形成している。
第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの構成について説明する。第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部の間に位置するので、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂは第２のコンデンサ部１３の上下に位置される。そのため、第１のコンデンサ部の構成を便宜上、第２のコンデンサ部１３を挟んで上に位置する第１のコンデンサ部１１Ａと下に位置する第１のコンデンサ部１１Ｂとに区別して説明する。
第１のコンデンサ部１１Ａは、複数（例えば、５１層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２５層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。
第１のコンデンサ部１１Ｂは、複数（例えば、５０層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２５層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、積層方向に沿って積層される。実際の第５実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
第５実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
特に、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
第５実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第５実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
このように、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
また、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
なお、第２のコンデンサ部１３内での第３及び第４の内部電極２５、２７の積層順は、例えば、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１のように第３の内部電極２５、第２の内部電極２７の順であっても、第５実施形態のように第４の内部電極２７、第３の内部電極２５の順であってもよい。
（第６実施形態）
図９を参照して、第６実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第６実施形態に係る積層コンデンサは、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３の内部電極２５の積層数と第４の内部電極２７の積層数とが異なる点で、第５実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図９は、第６実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
第１のコンデンサ部１１Ａは、複数（例えば、５層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。
第１のコンデンサ部１１Ｂは、複数（例えば４層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば各２層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、積層方向に沿って、積層される。実際の第２実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
第２のコンデンサ部１３の構成について説明する。第２のコンデンサ部１３は、複数（例えば、３層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される第３及び第４の内部電極２５、２７とを含む。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層体１の積層方向で互いに隣り合うように配置される。第３の内部電極２５は、例えば１層である。第４の内部電極２７は、第３の内部電極２５とは異なる数（例えば、２層）である。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層方向に沿って積層される。実際の第６実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
第６実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
特に、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、複数の第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂすべてによって形成される静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
第６実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第６実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
このように、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
また、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
また、第６実施形態に係る積層コンデンサのように、第２のコンデンサ部１３が含む第３の内部電極２５の積層数と第４の内部電極２７の積層数とは、同じ数でなくてもよい。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。例えば、誘電体層１０の積層数、第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数、及び第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数は、上述した実施形態に記載された数に限られない。また、端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄ、７、９の数も、上述した実施形態に記載された数に限られない。第１及び第２の端子電極は２つ以上であればよく、第３及び第４の端子電極は１つ以上であればよい。また、第１のコンデンサ部１１、１１Ａ、１１Ｂ及び第２のコンデンサ部１３の積層方向での位置は、上述した実施形態に記載された位置に限られない。また、第１のコンデンサ部１１、１１Ａ、１１Ｂに含まれる第１の内部電極２１の数と第２の内部電極２３の数とは、必ずしも同じでなくてもよい。また、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３の内部電極２５の数と第４の内部電極２７の数とは、必ずしも同じでなくてもよい。
第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサの周波数に関するインピーダンス特性を表すグラフである。 第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 第６実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
符号の説明
Ｃ１…積層コンデンサ、１…積層体、３Ａ〜３Ｄ…第１の端子電極、５Ａ〜５Ｄ…第２の端子電極、７…第３の端子電極、９…第４の端子電極、１０…誘電体層、１１、１１Ａ、１１Ｂ…第１のコンデンサ部、１３…第２のコンデンサ部、２１…第１の内部電極、２３…第２の内部電極、２５…第３の内部電極、２７…第４の内部電極、３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄ、３５、３７…引き出し導体

Claims (3)

  1. 複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体の側面上に形成された複数の端子電極と、を備えた積層コンデンサであって、
    前記積層体は、それぞれ交互に配置される複数の第１の内部電極と複数の第２の内部電極とを前記複数の内部電極として含む２つの第１のコンデンサ部と、第３の内部電極と第４の内部電極とを前記複数の内部電極として含む第２のコンデンサ部とを有しており、
    前記複数の端子電極は、互いに電気的に絶縁された複数の第１及び第２の端子電極と、互いに電気的に絶縁された第３及び第４の端子電極とを含み、
    前記複数の第１及び第２の端子電極が形成された前記積層体の側面上において、前記複数の第１及び第２の端子電極が交互に配置されており、
    前記第２のコンデンサ部は、前記２つの第１のコンデンサ部の間に位置し、
    前記２つの第１のコンデンサ部に含まれる前記複数の第１の内部電極はそれぞれ、引き出し導体を介して前記複数の第１の端子電極のうちいずれか１つのみに電気的に接続されるとともに、前記複数の第１の端子電極はそれぞれ、前記複数の第１の内部電極の少なくとも１つに電気的に接続され、
    前記２つの第１のコンデンサ部に含まれる前記複数の第２の内部電極はそれぞれ、引き出し導体を介して前記複数の第２の端子電極のうちいずれか１つのみに電気的に接続されるとともに、前記複数の第２の端子電極はそれぞれ、前記複数の第２の内部電極の少なくとも１つに電気的に接続され、
    前記第３の内部電極は、引き出し導体を介して前記第３の端子電極のみに電気的に接続され、
    前記第４の内部電極は、引き出し導体を介して前記第４の端子電極のみに電気的に接続され、
    前記第３の内部電極と前記第４の内部電極とが、前記積層体の積層方向で互いに隣り合うように配置されるとともに、
    前記第１のコンデンサ部の静電容量と、前記第２のコンデンサ部の静電容量とが異なることを特徴とする積層コンデンサ。
  2. 前記第２のコンデンサ部の静電容量は、前記第１のコンデンサ部の静電容量に比べて小さいことを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
  3. 前記第２のコンデンサ部は、前記第３及び第４の内部電極を複数含み、
    前記複数の第３の内部電極と前記複数の第４の内部電極とは、交互に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
JP2005080247A 2005-03-18 2005-03-18 積層コンデンサ Active JP4299258B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005080247A JP4299258B2 (ja) 2005-03-18 2005-03-18 積層コンデンサ
US11/366,754 US7251115B2 (en) 2005-03-18 2006-03-03 Multilayer capacitor
TW095107834A TWI405227B (zh) 2005-03-18 2006-03-08 Laminated capacitors
KR1020060024693A KR101148894B1 (ko) 2005-03-18 2006-03-17 적층 콘덴서
CN2006100653291A CN1835136B (zh) 2005-03-18 2006-03-17 叠层电容器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005080247A JP4299258B2 (ja) 2005-03-18 2005-03-18 積層コンデンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006261584A JP2006261584A (ja) 2006-09-28
JP4299258B2 true JP4299258B2 (ja) 2009-07-22

Family

ID=37002837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005080247A Active JP4299258B2 (ja) 2005-03-18 2005-03-18 積層コンデンサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7251115B2 (ja)
JP (1) JP4299258B2 (ja)
KR (1) KR101148894B1 (ja)
CN (1) CN1835136B (ja)
TW (1) TWI405227B (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006286731A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Tdk Corp 積層コンデンサ
US7697262B2 (en) 2005-10-31 2010-04-13 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals
WO2007063704A1 (ja) * 2005-12-01 2007-06-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層コンデンサおよびその実装構造
US8238116B2 (en) 2007-04-13 2012-08-07 Avx Corporation Land grid feedthrough low ESL technology
KR100925623B1 (ko) * 2007-08-31 2009-11-06 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터 및 이를 구비한 회로기판 장치 및회로기판
KR100905879B1 (ko) * 2007-09-28 2009-07-03 삼성전기주식회사 적층형 캐패시터
KR100916476B1 (ko) * 2007-11-30 2009-09-08 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터 및 이를 구비한 회로기판 장치
US8159813B2 (en) * 2008-04-01 2012-04-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor, motherboard apparatus having the same, and power distribution network
KR100935994B1 (ko) * 2008-04-01 2010-01-08 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
US8446705B2 (en) * 2008-08-18 2013-05-21 Avx Corporation Ultra broadband capacitor
DE102008062023A1 (de) * 2008-12-12 2010-06-17 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement und Schaltungsanordnung damit
KR102004780B1 (ko) * 2014-01-27 2019-07-29 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
KR102048098B1 (ko) * 2014-11-04 2019-11-22 삼성전기주식회사 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판
KR102048099B1 (ko) * 2014-11-04 2019-11-22 삼성전기주식회사 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판
KR101832611B1 (ko) 2016-06-21 2018-02-26 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
US10283277B2 (en) * 2017-03-23 2019-05-07 Tdk Corporation Capacitor and substrate module
US10461040B2 (en) * 2017-06-28 2019-10-29 Apple Inc. Matched ceramic capacitor structures

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0255726U (ja) * 1988-10-14 1990-04-23
JPH07142285A (ja) 1993-11-22 1995-06-02 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサとその製造方法
JP2991175B2 (ja) * 1997-11-10 1999-12-20 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JP3514195B2 (ja) * 1999-12-27 2004-03-31 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路
US6292350B1 (en) * 1997-11-10 2001-09-18 Murata Manufacturing, Co., Ltd Multilayer capacitor
JP3336954B2 (ja) * 1998-05-21 2002-10-21 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JP2000223348A (ja) * 1998-11-26 2000-08-11 Tokin Corp 積層セラミックコンデンサ
KR19990064735A (ko) * 1999-05-04 1999-08-05 이도원 저전압 유도를 이용한 분수 조명장치
JP2001167969A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Tdk Corp 三次元搭載用多端子積層セラミックコンデンサ
JP2001185449A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Tokin Corp 積層セラミックコンデンサ
JP3563665B2 (ja) * 2000-03-30 2004-09-08 Ｔｄｋ株式会社 積層型電子回路部品
US6441459B1 (en) * 2000-01-28 2002-08-27 Tdk Corporation Multilayer electronic device and method for producing same
US6515842B1 (en) * 2000-03-30 2003-02-04 Avx Corporation Multiple array and method of making a multiple array
US6906910B1 (en) * 2004-01-20 2005-06-14 International Business Machines Corporation Structures for implementing integrated conductor and capacitor in SMD packaging
JP3832504B2 (ja) * 2004-12-24 2006-10-11 株式会社村田製作所 積層コンデンサおよびその実装構造
JP3832505B2 (ja) * 2004-12-24 2006-10-11 株式会社村田製作所 積層コンデンサおよびその実装構造
US7092236B2 (en) * 2005-01-20 2006-08-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060101342A (ko) 2006-09-22
KR101148894B1 (ko) 2012-05-29
JP2006261584A (ja) 2006-09-28
TW200639888A (en) 2006-11-16
TWI405227B (zh) 2013-08-11
US20060209492A1 (en) 2006-09-21
US7251115B2 (en) 2007-07-31
CN1835136A (zh) 2006-09-20
CN1835136B (zh) 2010-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4299258B2 (ja) 積層コンデンサ
JP4374041B2 (ja) 積層コンデンサ
US7164184B2 (en) Multilayer capacitor
US7310217B2 (en) Monolithic capacitor and mounting structure thereof
JP4225507B2 (ja) 積層コンデンサ
JP4530181B2 (ja) 積層型ローパスフィルタ
JP6578719B2 (ja) コイルとコンデンサを含む積層複合電子部品
JP4086086B2 (ja) 積層コンデンサおよびその実装構造
JP4983874B2 (ja) 積層コンデンサアレイの実装構造
JP5870674B2 (ja) 積層コンデンサアレイ
JP4462194B2 (ja) 積層型貫通コンデンサアレイ
KR101020528B1 (ko) 적층 콘덴서
JP2006203168A (ja) 積層コンデンサおよびその実装構造
KR101051620B1 (ko) 적층 콘덴서
US20080225463A1 (en) Layered capacitor and mounting structure
JP3832504B2 (ja) 積層コンデンサおよびその実装構造
JP6111768B2 (ja) 貫通型コンデンサ
JP4961818B2 (ja) 積層コンデンサ
JP2010045103A (ja) 積層コンデンサ
JP5029662B2 (ja) コンデンサアレイの実装方法
JP3942565B2 (ja) ノイズフィルタ
JP4096993B2 (ja) 積層コンデンサおよびその実装構造
JP3998033B2 (ja) 積層コンデンサおよびその実装構造
JP2018160658A (ja) コンデンサおよび基板モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080108

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080310

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080805

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081006

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090407

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4299258

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424

Year of fee payment: 5