JP4904737B2 - Ic一体型薄膜振動片の製造方法。 - Google Patents
Ic一体型薄膜振動片の製造方法。 Download PDFInfo
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Description
(第一実施形態)
ZnO薄膜14の変形量、及びSiO2薄膜13の変形量は、それぞれ、hZ×α3×ΔT、hS×α1×ΔT、である。ZnO薄膜14の変形量をSiO2薄膜13の変形量より小さくするためには、hZ×α3×ΔT<hS×α1×ΔT、とする必要がある。そのためには、hS>hZ×α3/α1・・・(1)となる。(1)式のα3とα1に数値を代入すると、hS>hZ×α3/α1≒7・・・(2)となる。
ZnO薄膜14の厚さ:hZ、SiO2薄膜13の厚さ:hS、常温と加熱される温度との差:ΔT、ZnOの熱膨張係数:α3、SiO2の熱膨張係数:α1。
(第二実施形態)
(第三実施形態)
Claims (1)
- 少なくとも弾性表面波を励振させる機能を有する回路部を備えた基板上に、電極部と、前記電極部の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する圧電体薄膜とが形成されたIC一体型薄膜振動片の製造方法であって、
前記基板上に、前記回路部に接続される前記電極部を形成する工程と、
少なくとも前記電極部の表面に、前記電極部の熱膨張係数より小さい熱膨張係数の非晶質薄膜を形成する工程と、
前記非晶質薄膜の表面を含む前記基板上に、前記圧電体薄膜を形成する工程と、
前記圧電体薄膜を300〜500℃で処理するアニ−ル工程と、
前記圧電体薄膜の表面に前記電極部に接続される励振電極を形成する工程と、
前記電極部に対応する部分の前記圧電薄膜と前記非晶質薄膜を除去し、前記電極部が露出するための開口部を形成する工程と、を含むことを特徴とするIC一体型薄膜振動片の製造方法。
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