JP2020129726A - 弾性波共振器およびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ - Google Patents
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Abstract
Description
図2(a)から図3(c)は、実施例1に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図2(a)に示すように、支持基板10の上面および石英基板11の下面にイオン54を照射する。これにより、支持基板10の上面および石英基板11の下面が活性化する。
図9(b)は、実施例3の変形例1に係るデュプレクサの回路図である。図9(b)に示すように、共通端子Antと送信端子Txとの間に送信フィルタ40が接続されている。共通端子Antと受信端子Rxとの間に受信フィルタ42が接続されている。送信フィルタ40は、送信端子Txから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Antに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ42は、共通端子Antから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Rxに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ40および受信フィルタ42の少なくとも一方を実施例3のフィルタとすることができる。
10a、11a、11b、12a、13a アモルファス層
11 石英基板
12 圧電基板
13 酸化アルミニウム層
15 電極指
18 櫛型電極
20 弾性波共振器
22 IDT
Claims (12)
- 石英よりヤング率が大きい単結晶または多結晶である支持基板と、
前記支持基板上に設けられたアモルファスである石英基板と、
前記石英基板上に設けられたタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを主成分とする単結晶である圧電基板と、
前記支持基板と前記石英基板との間に設けられ、前記支持基板と接し前記支持基板の構成元素を主成分とする第1アモルファス層と、
前記石英基板と前記圧電基板との間に設けられ、前記圧電基板と接し前記圧電基板の構成元素を主成分とする第2アモルファス層と、
前記圧電基板上に設けられた一対の櫛型電極と、
を備える弾性波共振器。 - 前記支持基板は、サファイア基板、アルミナ基板、シリコン基板または炭化シリコン基板である請求項1に記載の弾性波共振器。
- 前記石英基板は前記圧電基板より厚く、前記支持基板は前記石英基板より厚い請求項1または2に記載の弾性波共振器。
- 前記石英基板と前記第2アモルファス層との間に設けられ、前記石英基板と接し、前記石英基板より薄い酸化アルミニウム層を備える請求項1から3のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
- 前記酸化アルミニウム層の厚さは100nm以下である請求項4に記載の弾性波共振器。
- 前記酸化アルミニウム層と前記第2アモルファス層との間に設けられ、前記酸化アルミニウム層および前記第2アモルファス層とに接し、アルミニウムと酸素を主成分とする第3アモルファス層を含む請求項4または5に記載の弾性波共振器。
- 前記第1アモルファス層の厚さおよび前記第2アモルファス層の厚さは10nm以下である請求項1から6のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
- 石英よりヤング率が大きい単結晶または多結晶である支持基板上にアモルファスである石英基板を接合する工程と、
前記石英基板の前記支持基板と反対の面にタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを主成分とする単結晶である圧電基板を接合する工程と、
前記圧電基板の前記石英基板と反対の面に一対の櫛型電極を形成する工程と、
を含む弾性波共振器の製造方法。 - 前記石英基板の前記支持基板と反対の面に前記石英基板より薄い酸化アルミニウム層を形成する工程を含み、
前記圧電基板を接合する工程は、前記酸化アルミニウム層の前記石英基板と反対の面に前記圧電基板を接合する工程を含む請求項8に記載の弾性波共振器の製造方法。 - 前記酸化アルミニウム層の前記石英基板と反対の面に前記圧電基板を接合する工程は、前記酸化アルミニウム層および前記圧電基板の表面を活性化させ、前記活性化した前記酸化アルミニウム層および前記圧電基板の表面を常温接合する工程を含む請求項9に記載の弾性波共振器の製造方法。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
- 請求項11に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004343359A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2017034363A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびモジュール |
WO2018151147A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
WO2018203430A1 (ja) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | 日本碍子株式会社 | 弾性波素子およびその製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004343359A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2017034363A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびモジュール |
WO2018151147A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
WO2018203430A1 (ja) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | 日本碍子株式会社 | 弾性波素子およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7048128B1 (ja) | 2021-06-29 | 2022-04-05 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性表面波デバイス |
JP2023005374A (ja) * | 2021-06-29 | 2023-01-18 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性表面波デバイス |
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