JP4900072B2 - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、半透過反射型の液晶装置およびこれを備えた電子機器に関する。

半透過反射型の液晶装置としては、互いに対向する上基板と下基板との間に液晶層が挟持され、１つのドット領域内に透過表示領域と反射表示領域とを有し、選択電圧印加時、非選択電圧印加時のいずれか一方において、透過表示領域における液晶層の位相差が反射表示領域における位相差よりも大きく設定された液晶表示装置が知られている（特許文献１）。これにより、透過モード時の表示の明るさを向上させ視認性を改善している。

さらには、一画素内に反射表示部と透過表示部とを備え、反射表示部に対応する部分に位相板を有し、反射表示部の液晶層のリタデーションが４分の１波長であり、位相板のリタデーションが２分の１である半透過型ＩＰＳ（In Plane Switching）方式の液晶表示装置が知られている（特許文献２）。これにより、透過型ＩＰＳ方式と同等の広視野角を実現することができるとしている。

特開２００４−４４９４号公報 特開２００５−３３８２５６号公報

上記従来の液晶表示装置において、上下一対の基板により構成されるセル内に位相差層（位相板）を形成する場合、理想的には形成領域に渡って同じ厚み（層厚）であることが望ましい。しかし、実際には、反射表示領域（反射表示部）に対応するようにパターニングすると、形成領域の端部では層厚が変化し易い。位相差層の層厚が変化している部分では、設計値どおりの位相差値（リタデーション値）が得られず、セル表面に装着される偏光板で吸収できない光が発生する。すなわち、当該部分で光漏れが生じコントラストが低下するという課題があった。

本発明は、上述の課題を考慮してなされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、透過表示領域と反射表示領域とを具備する画素を複数配列した表示領域と、複数の前記画素の前記反射表示領域に跨がるように前記一対の基板のいずれか一方に帯状に設けられ、透過する光に対して略１／２波長の位相差を付与する位相差層とを備え、前記帯状の位相差層の端部が前記表示領域の外側に位置していることを特徴とする。

この構成によれば、一対の基板のいずれか一方において、複数の画素の反射表示領域に跨がるように帯状に設けられた位相差層は、層厚変化が生じ易いその端部が、表示領域の外側に位置している。したがって、位相差層の層厚変化に起因する光漏れが表示領域の外周部で発生することを低減することができる。これにより、表示領域の外周部において光漏れによるコントラストの低下を低減した液晶装置を提供することができる。

［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記表示領域の外側に見切り領域が設けられ、前記帯状の位相差層の端部が前記見切り領域内に位置しているとしてもよい。
これによれば、表示に寄与しない見切り領域内に帯状の位相差層の端部が位置しているので、当該端部において、位相差層の層厚変化に起因する光漏れが生じても、実質的に視認し難い状態とすることができる。

［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記見切り領域に遮光性材料からなる遮光膜が設けられていることが望ましい。
これによれば、当該端部において、位相差層の層厚変化が生じても、遮光膜により遮光されるので、光漏れを防ぐことができる。

［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記表示領域の外側に少なくとも１つのダミー画素が配設され、前記帯状の位相差層の端部は、前記ダミー画素が配設されたダミー画素領域内に位置しているとしてもよい。
これによれば、表示に寄与しないダミー画素領域内に帯状の位相差層の端部が位置しているので、当該端部において、位相差層の層厚変化に起因する光漏れが生じても、実質的に表示に影響しない状態とすることができる。

［適用例５］本適用例に係る電子機器は、上記液晶装置を搭載したことを特徴とする。
この構成によれば、表示領域の外周部においてコントラストの低下を低減した液晶装置を搭載しているので、優れた表示品位を有する電子機器を提供することができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

（実施形態１）
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１〜図５を参照して説明する。図１は、液晶装置を示す概略図である。同図（ａ）は概略平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図である。

図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、一対の基板としての素子基板１０および対向基板２０を備えている。対向基板２０は、所定の位置で一回り大きいサイズの素子基板１０とシール材４０を介して接合されている。

シール材４０を介した素子基板１０と対向基板２０との隙間（ギャップ）に、正の誘電異方性を有する液晶が充填され液晶層５０を構成している。すなわち、素子基板１０と対向基板２０とにより液晶層５０を挟持している。

シール材４０の外側は、周辺回路領域であり、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路７０および外部回路と接続するための複数の実装端子８０とが設けられている。また、素子基板１０のＸ軸方向において対向する他の二辺に沿って、それぞれ走査線駆動回路９０が設けられている。素子基板１０の残る一辺に沿って、２つの走査線駆動回路９０を接続する複数の配線１３が設けられている。

シール材４０の内側には、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列した複数の画素を有している。１つの画素は、３色のカラーフィルタ２２Ｒ（赤），２２Ｇ（緑），２２Ｂ（青）に対応した３つのサブ画素から構成されている。３色のカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、同色のカラーフィルタがＹ軸方向に連続するように対向基板２０側に形成されている。また、素子基板１０側には、サブ画素ごとに、これを駆動制御するスイッチング素子としての複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）３０が設けられている。すなわち、液晶装置１００は、ストライプ方式のカラーフィルタを備え、カラー表示を可能としたアクティブ型の表示装置である。

本実施形態では、実際に表示に寄与する複数の画素の領域を表示領域Ｅとし、シール材４０と表示領域Ｅとの間に、見切り領域６０が設けられている。詳しくは後述するが、見切り領域６０に遮光性材料からなる遮光膜が設けられており、液晶装置１００を電子機器に取り付ける際に、表示領域Ｅの位置を規定する目安となっている。

また、液晶装置１００の表裏面にそれぞれ偏光板が貼り付けられている。このような液晶装置１００は、ＬＥＤなどを光源とした照明装置により照明される。図１では、偏光板と照明装置について図示省略している。より詳細な液晶装置１００の構造については後述する。

図２は、液晶装置の等価回路図である。図２に示すように、液晶装置１００の表示領域Ｅを構成する各サブ画素ＳＧは、画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とを有している。画素電極９と共通電極１９との間には液晶層５０が介在している。共通電極１９は走査線駆動回路９０から延びる共通線３ｂと電気的に接続されており、各サブ画素ＳＧにおいて共通の電位に保持されるようになっている。

データ線駆動回路７０から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースと電気的に接続されている。データ線駆動回路７０は、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを、データ線６ａを介して各サブ画素ＳＧに供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループごとに供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路９０から延びる走査線３ａが電気的に接続されている。走査線駆動回路９０から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。

スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極１９との間で一定期間保持される。

図３は、画素の構造を示す概略平面図である。図３に示すように、液晶装置１００の１つの画素は、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂに対応する３つのサブ画素ＳＧにより構成されている。各サブ画素ＳＧには、複数のスリット（隙間）２９が略梯子状に形成された矩形の画素電極９が設けられている。画素電極９の外周を取り囲むようにして、走査線３ａと共通線３ｂと複数のデータ線６ａとが配置されている。
走査線３ａとデータ線６ａとの交差部近傍にＴＦＴ３０が形成されており、ＴＦＴ３０はデータ線６ａおよび画素電極９と電気的に接続されている。また、画素電極９と平面視でほぼ重なる位置に矩形状の共通電極１９が形成されている。

画素電極９は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。１つのサブ画素ＳＧの画素電極９に１７本のスリット２９が形成されている。各スリット２９は、走査線３ａおよびデータ線６ａの双方と交差する方向（図中斜め方向）に延びて、Ｙ軸方向において等間隔に配列するように形成されている。各スリット２９は略同一の幅に形成され、互いに平行である。これにより、画素電極９は、複数本（図示では１６本）の帯状電極部９ｃを有することになる。スリット２９が一定の幅を有して等間隔で配列していることから、帯状電極部９ｃも一定の幅を有して等間隔で配列している。本実施形態では、スリット２９の幅と帯状電極部９ｃの幅はいずれも４μｍである。

共通電極１９は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる平面視矩形状の透明共通電極１９ｔと、アルミニウムや銀などの光反射性を有する金属材料からなる平面視略矩形状の反射共通電極１９ｒとからなる。透明共通電極１９ｔと反射共通電極１９ｒとは、互いの辺端部において電気的に接続されている。
反射共通電極１９ｒは、走査線３ａと平行に延びる共通線３ｂと一体に形成されている。したがって、透明共通電極１９ｔと反射共通電極１９ｒとからなる共通電極１９は共通線３ｂと電気的に接続されている。
反射共通電極１９ｒの形成領域が当該サブ画素ＳＧの反射表示領域Ｒを構成しており、透明共通電極１９ｔの形成領域が透過表示領域Ｔを構成している。

なお、共通線３ｂと反射共通電極１９ｒとを別々の導電膜を用いて形成し、これらを電気的に接続してもよい。その方法としては、反射共通電極１９ｒと共通線３ｂとを層間絶縁膜を介して異なる配線層に形成し、層間絶縁膜に開口したコンタクトホールを介して両者を接続する方法が挙げられる。また、透明共通電極１９ｔが反射共通電極１９ｒを覆って形成されていてもよい。

ＴＦＴ３０は、走査線３ａ上に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、データ線６ａを分岐して半導体層３５上に延出されたソース電極３１と、半導体層３５上から画素電極９の形成領域に延びる矩形状のドレイン電極３２とを備えている。
走査線３ａは、半導体層３５と対向する位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。ドレイン電極３２と画素電極９とは、両者が平面的に重なる位置に形成された画素コンタクトホール４７を介して電気的に接続されている。
なお、図示のサブ画素ＳＧにおいて、画素電極９と共通電極１９とが平面視で重なる領域が、当該サブ画素ＳＧの容量として機能するので、画像信号を保持するために別途保持容量をサブ画素ＳＧの形成領域内に設ける必要が無く、高い開口率を得ることができる。

図４および図５を参照して、液晶装置１００の構造をさらに詳しく説明する。図４は、液晶装置の構造を示す概略断面図である。詳しくは、同図（ａ）は図３のＡ−Ａ’線で切った断面図、同図（ｂ）はＸ方向における見切り領域を含む断面図である（サブ画素の部分は、図３のＢ−Ｂ’線で切った断面図に相当する）。図５は、位相差層の配置を示す概略平面図である。

図４（ａ）に示すように、液晶装置１００は、画素電極９を有する素子基板１０と、カラーフィルタ２２を有する対向基板２０とにより、液晶層５０を挟持している。対向基板２０のカラーフィルタ２２上（液晶層５０側）には、反射表示領域Ｒに対応して位相差層２６とセル厚調整層２７とが選択的に形成されている。したがって、透過表示領域Ｔのセル厚ｄに対して反射表示領域Ｒのセル厚が薄くなっており、本実施形態では、およそｄ／２、すなわち、半分となっている。
このように反射表示を行う液晶装置１００では、光学設計上、反射黒表示を行う際に反射共通電極１９ｒに到達する外光がすべての可視波長で略円偏光である必要がある。反射共通電極１９ｒに到達した外光が楕円偏光であると黒表示に色づきが生じ、高コントラストな反射表示を得ることが困難になるからである。
そこで本実施形態では、カラーフィルタ２２上の反射表示領域Ｒに対応する領域に選択的に位相差層２６とセル厚調整層２７とを形成し、反射表示領域Ｒにおけるセル厚が透過表示領域Ｔに比して薄くなるように構成している。これにより、下偏光板１４と位相差層２６と反射表示領域Ｒ内の液晶層５０とで広帯域円偏光を作り出せるようにして反射共通電極１９ｒに到達する外光をすべての可視波長で円偏光に近づけている。

透明なガラス等からなる素子基板１０上には、走査線３ａ、共通電極１９および共通線３ｂが形成されている。これらの走査線３ａ、共通電極１９および共通線３ｂを覆って、シリコン酸化物膜等からなる絶縁薄膜１１が形成されている。絶縁薄膜１１上には、島状の半導体層３５と、半導体層３５と一部が重なるようにソース電極３１とドレイン電極３２とが形成されている。これらの半導体層３５、ソース電極３１およびドレイン電極３２を覆って、シリコン酸化物膜や樹脂膜からなる層間絶縁膜１２が形成されている。層間絶縁膜１２上には、画素電極９が形成され、層間絶縁膜１２を貫通してドレイン電極３２に達する画素コンタクトホール４７を介して、画素電極９とドレイン電極３２とが電気的に接続されている。

画素電極９を覆って、ポリイミド等からなる配向膜１８が形成されている。配向膜１８は、ラビング処理等の配向処理を施されて液晶を所定方向に配向させるようになっている。配向膜１８による配向規制方向は、本実施形態では、走査線３ａの延在方向と平行であり、画素電極９のスリット２９の延在方向とは交差する方向である。

同じく透明なガラス等からなる対向基板２０上には、液晶層５０側に向かってカラーフィルタ２２（２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒ）と、配向膜２３と、位相差層２６と、セル厚調整層２７と、配向膜２８とが順に形成されている。また、対向基板２０の表面（液晶層５０側に対して反対側の表面）には、上偏光板２４が貼り付けられている。上偏光板２４および素子基板１０側の下偏光板１４の光学的な配置は、クロスニコルとなっている。

カラーフィルタ２２は、例えば、各色の着色材料を含む感光性樹脂材料を対向基板２０に塗布して、これをフォトリソグラフィ法により露光・現像することにより形成することができる。塗布方法としては、スピンコート、スリットコートなどの方法を用いることができる。

位相差層２６は、反射表示領域Ｒに対応してカラーフィルタ２２上に選択的に形成されている。位相差層２６は、位相差層２６を透過する光に対して略１／２波長（λ／２）の位相差（リタデーション）を付与するものであり、一対の基板により液晶層５０を狭持したセルの内面側に設けられた所謂内面位相差層である。
かかる位相差層２６は、公知の方法を用いて形成すればよい。例えば、高分子液晶の溶液や液晶性モノマーの溶液を、カラーフィルタ２２を覆って形成した配向膜２３上に塗布し、所定方向に配向させた状態で固化する方法により形成することができる。そして、反射表示領域Ｒに対応するように選択的に成形する方法としては、必要な部分をマスキングして不要な部分をエッチングして取り除く方法が挙げられる。
あるいは、光重合性液晶化合物を配向膜２３上に塗布し、不要な部分をマスキングして必要な部分の配向を維持した状態で硬化させる。そして、有機溶剤等の現像液を用いて未硬化部分（不要な部分）を取り除く方法が挙げられる。このような方法では、エッチング工程または現像工程において、位相差層２６の端部が鉛直に形成されず、膜減りして傾斜し易い。後者の光重合液晶化合物を用いた例では、位相差層２６の層厚（膜厚）をおよそ１．５〜２μｍとして形成した場合、傾斜した端部の水平方向の距離は、およそ３〜１０μｍであった。すなわち、上記端部では、層厚に対して倍以上の長さの傾斜部が形成された。
なお、前述した高分子液晶、液晶モノマー、光重合型液晶化合物の配向方向を規制する配向膜２３は、液晶層５０に面する配向膜１８，２８と同じ膜材料を用いることができる。その場合には、配向膜２３の表面をラビングして、配向方向を定める。また、配向膜２３に限らず、カラーフィルタ２２の表面に、シリコン酸化物などを斜め蒸着する方法や、感光性配向材料を塗布して、紫外線を照射することにより、光配向させる方法などがある。

位相差層２６を透過する光に対して付与する位相差の値（以降、位相差値と呼ぶ）は、その構成材料である液晶性高分子の種類や、位相差層２６の層厚によって調整することができる。しかし、上記端部では、位相差層２６が傾斜しているので層厚が徐々に減少しており、位相差値も変化することになる。本実施形態では、位相差層２６の位相差値は、２８０ｎｍであり、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の位相差値（λ／２）と同等となっている。なお、液晶層５０の位相差値は、液晶分子の複屈折率Δｎにセル厚ｄを乗ずることにより求められる。よって、反射表示領域Ｒの液晶層５０の位相差値は、λ／４となる。

図５（ａ）および（ｂ）は、位相差層の配置例を示す概略平面図である。本実施形態の位相差層２６は、上記端部の位相差値の変化を考慮して、次のように配置している。複数のサブ画素ＳＧの反射表示領域Ｒに跨るように帯状（Ｘ軸方向に連続する）に位相差層２６を形成している。これにより、サブ画素ＳＧごとに、位相差層２６を形成する場合に比べて、サブ画素ＳＧ内に掛かる位相差層２６の端部を減らすことができる。

また、図５（ａ）に示すように、帯状の位相差層２６の短辺側の端部２６ａ，２６ｂが、見切り領域６０内に位置するように位相差層２６を形成する。詳しくは、図４（ｂ）に示すように、見切り領域６０に設けられた遮光膜６１に傾斜した端部２６ａ（２６ｂ）が位置するように形成する。言い換えれば、帯状の位相差層２６の両方の端部２６ａ，２６ｂがそれぞれ遮光膜６１上に位置しているので、位相差層２６の端部２６ａ（２６ｂ）における層厚変化の影響を受けないで済む。もちろん、図５（ｂ）に示すように、見切り領域６０のさらに外側に端部２６ａ（２６ｂ）が位置するように形成してもよい。ただし、位相差層２６がシール材４０に掛かることによるセル厚のムラを回避するため、シール材４０に掛からないように形成することが好ましい。なお、反射表示領域Ｒにおいてセル厚ムラが生じないように、位相差層２６上に形成されたセル厚調整層２７も同様に帯状に形成しておく。セル厚調整層２７は、例えば、透明な感光性アクリル系樹脂を用いて、フォトリソグラフィ法で形成する方法が挙げられる。

本実施形態では、各サブ画素ＳＧ内の透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとは遮光膜等で区画されていないので、サブ画素ＳＧ内の位相差層２６の一方の端部２６ｃ（図４（ａ）参照）は、反射表示領域Ｒ内に位置するように形成する。また、他方の端部２６ｄ（図４（ａ）参照）は、Ｙ軸方向に配列するサブ画素ＳＧの間、つまり画素間に位置するように形成することが望ましい。これにより、透過表示領域Ｔには、位相差層２６が入り込まないので、透過表示領域Ｔにおけるセル厚ムラを回避できる。また、反射表示領域Ｒ内に一方の端部２６ｃが位置しても、当該端部２６ｃの位相差値の変化による色づきは、反射表示の明るさが透過表示の明るさよりも暗いため目立ち難い。

また、図４（ｂ）に示すように、表示領域Ｅと見切り領域６０との間に、ダミーの画素電極９とダミーのカラーフィルタ２２とからなるダミー画素を設けている。ダミー画素は、表示に寄与するサブ画素ＳＧに隣接し、表示領域Ｅの外周部において、急激にセル厚が変化することを防ぐものである。よって、当然ながらダミーの画素電極９は、ＴＦＴ３０に電気的に接続される必要はない。すなわち、ダミー画素は表示に寄与しないので、帯状の位相差層２６を、ダミー画素が形成されたダミー画素領域内にその両方の端部２６ａ，２６ｂが位置するように形成してもよい。なお、ダミーのカラーフィルタ２２は、色材を含む必要はなく、透明であってもよい。

図４（ａ）に示された配向膜２８は、素子基板１０側の配向膜１８と同様の構成であり、配向膜２８による配向規制方向は、配向膜１８の配向規制方向と反平行である。すなわち、配向処理時には、配向膜１８に対して１８０度反対方向にラビングする。したがって、液晶層５０は、素子基板１０と対向基板２０との間で、水平配向の初期配向状態を呈する。セルの表裏に貼り付けられた上下偏光板２４，１４の光学軸との関係から、非駆動状態のモードは、ノーマリーブラックである。なお、光学設計によりノーマリーホワイトモードにも対応可能である。

以上、本実施形態の液晶装置１００は、サブ画素ＳＧごとに透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有し、反射表示領域Ｒに対応してセル内に位相差層２６を有する所謂ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれるものである。光学設計が最適化され、帯状の位相差層２６の両方の端部２６ａ，２６ｂにおける位相差値の変化やセル厚ムラが表示に影響しないように、当該端部２６ａ，２６ｂが表示領域Ｅの外側に位置するように設けられている。よって、表示領域Ｅに対して額縁状の光漏れ（コントラストムラ）が生じない透過表示および反射表示を実現している。

上記実施形態１によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００は、複数のサブ画素ＳＧの反射表示領域Ｒに跨った帯状の位相差層２６をセル内（対向する一対の基板間）に有している。帯状の位相差層２６の両方の端部２６ａ，２６ｂは、表示領域Ｅの外側に設けられた見切り領域６０内に位置している。したがって、当該端部２６ａ，２６ｂの位相差値の変化およびセル厚ムラに起因する表示領域Ｅの額縁状の光漏れ（コントラストムラ）を低減することができる。なお、帯状の位相差層２６の両方の端部２６ａ，２６ｂのうちの一方が、表示領域Ｅの外側に位置するように位相差層２６を形成しても、それ相当の効果を奏する。

（２）液晶装置１００において、サブ画素ＳＧ内の位相差層２６の一方の端部２６ｃは、反射表示領域Ｒ内に位置するように形成されている。また、他方の端部２６ｄは、Ｙ軸方向に配列するサブ画素ＳＧ間に位置するように形成されている。これにより、透過表示領域Ｔには、位相差層２６が入り込まないので、透過表示領域Ｔにおけるセル厚ムラを回避できる。また、一方の端部２６ｃの位相差値の変化による色づきを目立ち難くくすることができる。さらに、他方の端部２６ｄがＹ軸方向におけるサブ画素ＳＧ間に位置しているので、反射表示に与える位相差値の変化の影響をより少なくすることができる。

（３）液晶装置１００は、光学設計が最適化され、帯状の位相差層２６の両方の端部２６ａ，２６ｂにおける位相差値の変化やセル厚ムラが表示に影響しないように、位相差層２６がセル内に配置されている。したがって、優れた表示品質を有する半透過反射型ＦＦＳ方式の液晶装置１００を提供することができる。

（実施形態２）
次に、本実施形態に係る電子機器について図６を参照して説明する。図６は、電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図である。

図６に示すように、本実施形態の携帯型電話機２００は、操作用の入力部と表示部２０１とを備えた本体を有する。表示部２０１には、実施形態１の液晶装置１００とこれを照明する照明装置とが搭載されている。したがって、照明装置からの透過光を利用した透過表示と、外光などの入射光を利用した反射表示とにより、表示された情報を確認することが可能である。すなわち、屋外など十分な明るさの環境化では、照明装置を駆動せず、反射表示モードにより情報を確認することができる。すなわち、省電力化を実現し、長い電池寿命を有する携帯型電話機２００を実現している。

液晶装置１００を携帯型電話機２００に搭載する場合には、液晶装置１００の見切り領域６０の位置を目安として、本体との間に隙間が生じないように、額縁状のガスケットなどが組み込まれている。

上記実施形態２によれば、以下の効果が得られる。
（１）電子機器としての携帯型電話機２００は、高い表示品質を有する半透過反射型の液晶装置１００を搭載しているので、使用環境の明るさを問わず表示された情報を確認でき、省電力化を実現した携帯型電話機２００を提供することができる。

上記実施形態の他にも、様々な変形を加えることができる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記実施形態１の液晶装置１００において、帯状の位相差層２６の形状は、これに限定されない。図７（ａ）および（ｂ）は、変形例の位相差層の形状を示す概略平面図である。例えば、同図（ａ）に示すように、各サブ画素ＳＧにおける透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界を平面視で傾斜させる。すなわち、図３に示した透明共通電極１９ｔと反射共通電極１９ｒとの境界を画素電極９に形成されたスリット２９と同じ傾きとなるように傾斜させる。当然ながら帯状の位相差層６２の形状をこれに対応させて一方の端部６２ｃが鋸歯のような形状とする。これにより、画素電極９と共通電極１９とに駆動電圧を印加したときの液晶のツイスト方向に、端部６２ｃが平面視で傾斜しているので、上記境界における配向制御においてドメインなどの不正配向が生ずることを低減できる。また、例えば、反射共通電極１９ｒの平面視の形状に対応して、同図（ｂ）に示すように、一方の端部６４ｃが円弧状の位相差層６４としてもよい。

（変形例２）上記実施形態１の液晶装置１００において、帯状の位相差層２６の配置は、これに限定されない。図８（ａ）および（ｂ）は、変形例の位相差層の配置を示す概略平面図である。例えば、同図（ａ）に示すように、Ｙ軸方向に隣接するサブ画素ＳＧに跨ったＸ軸方向に延在する帯状の位相差層６６としてもよい。さらには、同図（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向に隣接するサブ画素ＳＧに跨ったＹ軸方向に延在する帯状の位相差層６８としてもよい。当然ながら、各サブ画素ＳＧにおける反射共通電極１９ｒの形成も位相差層６８に従うと共に、反射表示領域Ｒの面積は、光学設計に基づいて決定される。

（変形例３）上記実施形態１の液晶装置１００において、見切り領域６０に遮光膜６１を設けず、仮想の領域として当該見切り領域６０を設定してもよい。例えば、上記実施形態２に示した電子機器としての携帯型電話機２００において、仮想の見切り領域６０に合致する額縁状のガスケットを介して液晶装置１００を組み込めば、実質上、帯状の位相差層２６の端部２６ａ，２６ｂにおける層厚変化に起因した光漏れは、ガスケットによって遮光される。

（変形例４）上記実施形態１の液晶装置１００において、セル厚調整層２７を位相差層２６上に設ける構成は、これに限定されない。例えば、セル厚調整層２７は、素子基板１０側に設けてもよい。その場合、反射共通電極１９ｒの下層に設けるのが望ましい。また、セル厚調整機能を有するように位相差層２６の層厚を調整して、セル厚調整層２７を削除してもよい。これによれば、より簡単なセル構造とすることができる。

（変形例５）上記実施形態１の液晶装置１００において、反射表示領域Ｒを実現するサブ画素ＳＧの構成は、光反射性を有する反射共通電極１９ｒに限定されない。例えば、透明共通電極１９ｔを平面視で画素電極９と同じ大きさで設け、透明共通電極１９ｔの下層に光反射性を有する反射層を形成してもよい。例えば、反射層は、複数の凹凸を有する樹脂層上にＡｌ、Ａｇなどの金属薄膜を成膜する方法が挙げられる。このような反射層は反射表示領域Ｒに対応して形成する。これによれば、反射層で反射した光の指向性を低減してより明るい反射表示を実現できる。

（変形例６）上記実施形態１の液晶装置１００において、３色のカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの配置は、ストライプ方式に限定されない。図９（ａ）および（ｂ）は、カラーフィルタの配置を示す概略平面図である。例えば、同図（ａ）に示すようなモザイク方式の配置、同図（ｂ）に示すようなデルタ方式の配置においても、上記実施形態１の位相差層の構成を適用することができる。特にデルタ方式において、位相差層を図面上縦方向に配置する場合には、縦方向に配列する２色のカラーフィルタに跨るように配置する方法が挙げられる。なお、カラーフィルタ２２は、３色に限定されず、Ｒ，Ｇ，Ｂ以外の色を加えた多色構成としてもよい。また、カラーフィルタ２２を設けず、所謂白黒表示のみの半透過反射型液晶装置においても適用可能である。

（変形例７）上記実施形態１の液晶装置１００は、ＦＦＳ方式の半透過反射型に限定されない。例えば、ＩＰＳ方式、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。また、スイッチング素子は、ＴＦＴ３０に限らず、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子でもよい。さらには、スイッチング素子を備えたアクティブ方式に限定されず、単純マトリクス方式の液晶装置にも適用可能である。

（変形例８）上記実施形態２において、液晶装置１００を搭載した電子機器は、携帯型電話機２００に限定されない。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ、電子手帳、映像情報を表示するビューワーやＤＶＤプレーヤ、携帯型情報端末などの電子機器に搭載すれば、好適である。

（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の概略断面図。 液晶装置の等価回路図。 画素の構造を示す概略平面図。 （ａ）は図３のＡ−Ａ’線で切った断面図、（ｂ）はＸ軸方向における見切り領域を含む断面図。 （ａ）および（ｂ）は位相差層の配置を示す概略平面図。 電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図。 （ａ）および（ｂ）は変形例の位相差層の形状を示す概略平面図。 （ａ）および（ｂ）は変形例の位相差層の配置を示す概略平面図。 （ａ）および（ｂ）は変形例のカラーフィルタの配置を示す概略平面図。

符号の説明

１０…基板としての素子基板、２０…基板としての対向基板、２６…位相差層、２６ａ，２６ｂ…帯状の位相差層の端部、５０…液晶層、６０…見切り領域、６１…遮光膜、１００…液晶装置、２００…電子機器としての携帯型電話機、Ｅ…表示領域、Ｒ…反射表示領域、ＳＧ…サブ画素、Ｔ…透過表示領域。

Claims (5)

1. 一対の基板と、
   前記一対の基板に挟持された液晶層と、
   透過表示領域と反射表示領域とを具備する画素を複数配列した表示領域と、
   複数の前記画素の前記反射表示領域に跨がるように前記一対の基板のいずれか一方に帯状に設けられ、透過する光に対して略１／２波長の位相差を付与する位相差層とを備え、
   前記帯状の位相差層の端部が前記表示領域の外側に位置していることを特徴とする液晶装置。
2. 前記表示領域の外側に見切り領域が設けられ、前記帯状の位相差層の端部が前記見切り領域内に位置していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記見切り領域に遮光性材料からなる遮光膜が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
4. 前記表示領域の外側に少なくとも１つのダミー画素が配設され、前記帯状の位相差層の端部は、前記ダミー画素が配設されたダミー画素領域内に位置していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置を搭載したことを特徴とする電子機器。

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