JP2009294348A - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】反射層の凹凸面上に平坦化層を介して電極を形成する構成を有し、コンタクトホール内の断線を抑えかつ開口率が大きな液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】素子基板１０の液晶層４０側には、ＴＦＴ素子２０と、少なくとも反射表示領域Ｒに凹凸面を有する樹脂層２２と、樹脂層２２を貫通するコンタクトホール２２ａと、樹脂層２２の凹凸面を反映した表面を有する導電膜からなり、コンタクトホール２２ａを介してＴＦＴ素子２０に電気的に接続された反射層２４と、少なくとも反射層２４を覆う平坦化層２６と、画素４の領域外に位置しており、平坦化層２６を貫通するコンタクトホール２６ａと、平坦化層２６上に設けられ、コンタクトホール２６ａを介して反射層２４に電気的に接続された画素電極１６と、を備え、コンタクトホール２２ａとコンタクトホール２６ａとは、互いに平面的に重ならないように配置されていることを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶表示装置および電子機器に関する。

液晶層に入射した外光を反射する反射層を有し、反射表示を行うことができる液晶表示装置が知られている。この反射層は、例えば、凹凸面を有する下地層上に反射層を形成することで付与された凹凸面を有している。このような液晶表示装置では、凹凸面の凹部と凸部とで液晶層の厚みが異なるため、反射表示におけるコントラスト低下が生じる場合がある。これに対して、反射層上に平坦化層を設けることにより、液晶層側の面を平坦化する構成が知られている。

ところで、反射層上に設けられた平坦化層の上に形成された電極と、基板上に形成されたスイッチング素子との間をコンタクトホールを介して電気的に接続する場合、コンタクトホールの深さは下地層および平坦化層の層厚分の深さとなる。コンタクトホールが深くなると、コンタクトホールの内面に形成される導電膜の膜厚が不足する部分が生じることにより、コンタクトホール内で断線が発生しやすくなる。

このようなコンタクトホールの深さに起因して発生する断線を防止する方法として、コンタクトホール内に導電材料を充填する方法が提案されている（例えば特許文献１）。また、２つのコンタクトホールをそれぞれ異なる層に設け、両コンタクトホールおよびそれらの間に位置する反射層を介して駆動素子と電極とを電気的に接続する方法が提案されている（例えば特許文献２および特許文献３）。このような方法によれば、コンタクトホールの深さを浅くできるので、コンタクトホール内での断線が抑えられる。

特開平１０−３１２３１号公報 特開２０００−３５２７２５号公報 特開２００６−７８８９０号公報

しかしながら、コンタクトホール内に導電材料を充填する方法では、製造工程における工数が増大し、サイクルタイムの上昇を招く。また、２つのコンタクトホールを設ける方法では、電極側に設けられたコンタクトホールが表示領域内に配置されると、このコンタクトホールの設けられた部分が実質的に表示に寄与しないため、画素の開口率が低下するという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶表示装置は、互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に狭持された液晶層と、反射表示領域を有する複数の画素と、を備えた液晶表示装置であって、前記第１の基板の前記液晶層側には、スイッチング素子と、前記スイッチング素子上に形成され、少なくとも前記反射表示領域に対応した領域に凹凸面を有する下地層と、前記下地層を貫通して前記スイッチング素子に到達する第１のコンタクトホールと、前記下地層上の前記反射表示領域と前記画素の領域外とに亘って形成され、前記凹凸面を反映した表面を有する導電膜からなり、前記第１のコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続された反射層と、少なくとも前記反射層を覆うように形成された平坦化層と、前記画素の領域外に位置しており、前記平坦化層を貫通して前記反射層に到達する第２のコンタクトホールと、前記平坦化層上に設けられ、前記第２のコンタクトホールを介して前記反射層に電気的に接続された第１の電極と、を備え、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとは、互いに平面的に重ならないように配置されていることを特徴とする。

この構成によれば、互いに平面的に重ならないように配置された第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールとを介して、第１の電極がスイッチング素子に電気的に接続されている。このため、一つのコンタクトホールで平坦化層と下地層とを貫通させる場合に比べて、それぞれのコンタクトホールの深さを浅くできる。これにより、それぞれのコンタクトホールの内面に形成される導電膜の膜厚不足が生じにくくなる。また、第１の電極のうち第２のコンタクトホールが位置する部分は表示に寄与しないが、第２のコンタクトホールが画素の領域外に配置されているので、実質的に表示に寄与する領域を大きくできる。この結果、平坦化層により液晶層の厚みのムラや第１の電極の断線を抑える構成を有しながら、コンタクトホール内での断線が抑えられ、かつ開口率が大きな液晶表示装置を提供できる。

［適用例２］上記適用例に係る液晶表示装置であって、前記反射層は、前記スイッチング素子に平面的に重なるように配置されていてもよい。

この構成によれば、反射表示領域をスイッチング素子に平面的に重なる領域まで大きくできるので、画素の開口率をより大きくできる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶表示装置であって、前記第２の基板には、前記第１の電極との間で電界を生じさせる第２の電極が設けられていてもよい。

この構成によれば、基板に垂直な方向の縦電界により液晶分子の配向制御を行う方式で、コンタクトホール内での断線が少なく開口率の大きな液晶表示装置を提供できる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶表示装置であって、前記第１の基板には、前記第１の電極との間で電界を生じさせる第２の電極が設けられていてもよい。

この構成によれば、基板に平行な方向の横電界により液晶分子の配向制御を行う方式で、コンタクトホール内での断線が少なく開口率の大きな液晶表示装置を提供できる。

［適用例５］上記適用例に係る液晶表示装置であって、前記画素の領域内に、前記反射層が配置されていない透過表示領域をさらに有し、前記平坦化層は、前記反射表示領域と前記透過表示領域とに亘って形成されていてもよい。

この構成によれば、半透過反射型で、コンタクトホール内での断線が少なく開口率の大きな液晶表示装置を提供できる。

［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、電子機器は、上記の液晶表示装置を表示部として有しているので、表示品位の向上が図られる。

以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、参照する各図面において、素子、配線、接続部等を省略してある。

＜液晶表示装置＞
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す図である。詳しくは、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の表示領域を拡大して示した平面図である。図３は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示す等価回路図である。

本実施形態に係る液晶表示装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置であるとともに、ＴＮ（Twisted Nematic）方式の半透過反射型の液晶表示装置である。図１に示すように、液晶表示装置１００は、第１の基板としての素子基板１０と、素子基板１０に対向して配置された第２の基板としての対向基板３０とを備えている。素子基板１０と対向基板３０とは、枠状のシール剤４１を介して対向して貼り合わされている。

素子基板１０と対向基板３０とシール剤４１とによって囲まれた空間には、液晶層４０が封入されている。素子基板１０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板４４が配置されており、対向基板３０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板４５が配置されている。素子基板１０は、対向基板３０より大きく、一部が対向基板３０に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層４０を駆動するためのドライバＩＣ４２が実装されている。液晶表示装置１００は、液晶層４０が封入された表示領域２において表示を行う。

図２に示すように、表示領域２には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の表示に寄与する画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ（以下では、対応する色について区別しない場合には単に画素４とも呼ぶ）が複数配置されている。画素４は、液晶表示装置１００の表示の最小単位であり、隣り合う画素４同士の間に間隔が空くように、Ｘ軸およびＹ軸に沿ってマトリクス状に配置されている。画素４の領域は、例えば矩形状である。画素４の領域外、すなわち隣り合う画素４同士の間には、遮光層３２が配置されている。遮光層３２は、格子状に形成されており、画素４の領域を区画している。遮光層３２は、画素４同士の間から漏れる光を遮って表示のコントラストを向上させる役割を果たす。なお、Ｘ軸は画素４の行方向を示し、Ｙ軸は画素４の列方向を示している。

それぞれの画素４は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを有している。Ｘ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列され、Ｙ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列されている。画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂから画素群６が構成されている。液晶表示装置１００では、画素群６において画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。

図３に示すように、表示領域２には、複数の走査線１２と複数のデータ線１４とが交差するように形成され、走査線１２とデータ線１４との交差に対応して画素４が設けられている。画素４のそれぞれには、第１の電極としての画素電極１６と、画素電極１６をスイッチング制御するためのＴＦＴ素子２０とが形成されている。

ＴＦＴ素子２０のソース電極２０ｓ（図５参照）は、データ線駆動回路１３から延在するデータ線１４に電気的に接続されている。データ線１４には、データ線駆動回路１３からデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ素子２０のゲート電極２０ｇ（図５参照）は、走査線駆動回路１５から延在する走査線１２の一部である。走査線１２には、走査線駆動回路１５から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄ（図５参照）は、画素電極１６に電気的に接続されている。

データ信号（画素信号）Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、ＴＦＴ素子２０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線１４を介して画素電極１６に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極１６を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画素信号は、第２の電極としての共通電極１８（図４参照）との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、走査線１２に沿って形成された容量線１７と画素電極１６との間に蓄積容量１７ａが形成され、液晶容量と並列に配置されている。

次に、液晶表示装置１００の詳細な構成について図を参照して説明する。図４および図５は、液晶表示装置１００の画素４の構成を示す図である。詳しくは、図４は、図５中のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。図５は、対向基板３０側から見たときの平面図であり、対向基板３０の図示を省略している。なお、図５において、画素４の領域を２点鎖線で示すが、この画素４の領域外に平面的に重なるように遮光層３２（図４参照）が配置されている。また、Ｘ軸およびＹ軸は、それぞれ図２におけるＸ軸およびＹ軸の方向を示している。

図４に示すように、素子基板１０は、基板１１を基体として構成されており、基板１１上に、ＴＦＴ素子２０と、絶縁層２１と、下地層としての樹脂層２２と、反射層２４と、平坦化層２６と、画素電極１６と、配向膜２８とを備えている。基板１１は、透光性を有する材料からなり、例えばガラスからなる。基板１１の材料は、石英や樹脂であってもよい。

基板１１の液晶層４０側には、ゲート電極２０ｇが形成されている。ゲート電極２０ｇは、同層に形成された走査線１２の一部である。絶縁層２１は、基板１１とゲート電極２０ｇ（走査線１２）とを覆うように形成されている。絶縁層２１は、例えばＳｉＯ₂（酸化ケイ素）からなる。

絶縁層２１上には、図５に示す半導体層２０ａとソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄとが形成されている。半導体層２０ａは、走査線１２に平面的に重なる位置に形成されている。半導体層２０ａは、アモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体からなる。ソース電極２０ｓは、データ線１４から分岐した部分であり、その一部が半導体層２０ａの一部を覆うように形成されている。ドレイン電極２０ｄは、一部が半導体層２０ａの一部を覆うように形成されている。

ゲート電極２０ｇと半導体層２０ａとソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄとで、ＴＦＴ素子２０が構成される。反射表示領域Ｒは、画素４の領域においてＴＦＴ素子２０側に位置しており、ＴＦＴ素子２０および走査線１２に平面的に重なっている。

図４に戻って、樹脂層２２は、ＴＦＴ素子２０および絶縁層２１の上に形成されている。樹脂層２２は、透光性を有する樹脂からなり、例えばポジ型の感光性アクリル樹脂からなる。樹脂層２２は、液晶層４０側の少なくとも反射表示領域Ｒに対応した領域と画素４の領域外とに亘って形成された凹凸面を有している。この凹凸面は、凹凸形状の凸部の非形成領域に露光光が照射される開口パターンを有するマスクを用いてパターニングした後、加熱処理を施して凸部の上端面をだれさせることにより形成される。樹脂層２２の層厚は、例えば２μｍ程度であり、凹凸面の凸部と凹部との段差は、例えば０．５μｍ〜１μｍ程度である。樹脂層２２には、反射表示領域Ｒに、樹脂層２２を貫通してＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄに到達する、第１のコンタクトホールとしてのコンタクトホール２２ａが設けられている。

反射層２４は、樹脂層２２の凹凸面上に位置しており、樹脂層２２の凹凸面を反映した表面、すなわち凹凸面を有している。反射層２４は、画素４のそれぞれに対応して個別に形成されている。反射層２４は、反射表示領域Ｒと画素４の領域外とに亘って形成されており、ＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄに平面的に重なるように配置されている。反射層２４をドレイン電極２０ｄに重なるように配置することにより、反射表示領域Ｒをより大きくすることができる。

反射層２４は、光反射性を有する金属膜からなり、例えばアルミニウムからなる。反射層２４の材料は、ＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）であってもよい。反射層２４の層厚は、例えば１００ｎｍ程度である。反射層２４は、凹凸面を有することにより、液晶層４０側から入射した光を散乱反射する。反射層２４は、コンタクトホール２２ａを介してドレイン電極２０ｄに電気的に接続されている。

コンタクトホール２２ａには、反射層２４の材料からなる金属膜がコンタクトホール２２ａの内面に接するように形成されている。この金属膜は、反射層２４を形成する工程と同一の工程において、反射層２４の材料を堆積させて形成される。この金属膜が介在することにより、反射層２４がドレイン電極２０ｄに電気的に接続される。

平坦化層２６は、樹脂層２２と反射層２４とを覆うように形成されている。平坦化層２６は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔと画素４の領域外とに亘って配置されている。平坦化層２６は、透光性を有する樹脂からなり、例えばネガ型の感光性樹脂からなる。平坦化層２６の材料は、ＵＶ硬化型樹脂であってもよい。平坦化層２６は、反射層２４の凹凸面の段差を埋めることにより反射表示領域Ｒにおける液晶層４０側の面を略平坦化するとともに、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘って略平坦な面を構成している。したがって、平坦化層２６の材料は、低粘度であることが好ましい。平坦化層２６の層厚は、例えば１．５μｍ〜２μｍ程度である。

平坦化層２６には、画素４の領域外に位置しており平坦化層２６を貫通して反射層２４に到達する、第２のコンタクトホールとしてのコンタクトホール２６ａが設けられている。コンタクトホール２６ａとコンタクトホール２２ａとは、互いに平面的に重ならない位置に配置されている。

画素電極１６は、平坦化層２６上に、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘って形成されている。画素電極１６は、コンタクトホール２６ａに平面的に重なるように、反射表示領域Ｒ側から画素４の領域外に張り出した張出部１６ａを有している。画素電極１６は、透光性を有する導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。画素電極１６は、例えばスパッタリング法を用いて形成される。画素電極１６は、反射層２４の凹凸面が反映されない略平坦な平坦化層２６上に形成されるので、略平坦な表面を有している。画素電極１６は、張出部１６ａにおいて、コンタクトホール２６ａを介して反射層２４に電気的に接続されている。なお、画素電極１６のうちコンタクトホール２６ａが位置する部分は表示に寄与しないが、コンタクトホール２６ａが画素４の領域外に配置されているので、実質的に表示に寄与する領域を大きくできる。

コンタクトホール２６ａには、画素電極１６の材料からなる導電膜がコンタクトホール２６ａの内面に接するように形成されている。この導電膜は、画素電極１６を形成する工程と同一の工程において、画素電極１６の材料を堆積させて形成される。この導電膜が介在することにより、画素電極１６が反射層２４に電気的に接続される。この結果、画素電極１６は、コンタクトホール２６ａと反射層２４とコンタクトホール２２ａとを介してドレイン電極２０ｄに電気的に接続される。したがって、反射層２４には、画素電極１６と同一の信号（電位）が印加される。

ここで、コンタクトホール２２ａ，２６ａは、平坦化層２６の画素電極１６が形成されている面に対して略垂直方向に形成されている。このため、コンタクトホール２２ａ，２６ａの深さが深いと、コンタクトホール２２ａ，２６ａの内面に形成される導電膜の膜厚が不足する部分が生じ易くなるので、コンタクトホール２２ａ，２６ａ内での断線が発生し、液晶表示装置１００の製造歩留り低下を招くおそれがある。例えば、素子基板１０においてコンタクトホール２２ａとコンタクトホール２６ａとが平面的に重なるように位置している場合、換言すれば、平坦化層２６と反射層２４と樹脂層２２とを貫通するようにコンタクトホールが設けられている場合、コンタクトホールの深さは、樹脂層２２と反射層２４と平坦化層２６との合計の層厚相当、すなわち３．６μｍ〜４．１μｍ程度となる。

これに対して、本実施形態では、コンタクトホール２２ａとコンタクトホール２６ａとが平面的に重ならない位置に配置されているので、コンタクトホール２２ａは樹脂層２２の層厚分の深さであり、コンタクトホール２６ａは平坦化層２６の層厚分の深さである。これにより、コンタクトホール２２ａ，２６ａの内面に形成される導電膜の膜厚不足が生じにくくなるので、コンタクトホール２２ａ，２６ａ内での断線を抑えることができる。

続いて、配向膜２８は、素子基板１０の液晶層４０に接する側、すなわち平坦化層２６と画素電極１６とを覆うように形成されている。配向膜２８は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜２８の表面には、例えば、画素４の行方向（図５のＸ軸方向）に沿った方向を配向方向とするラビング処理等の配向処理が施されている。

次に、対向基板３０は、液晶表示装置１００の観察側に位置している。対向基板３０は、基板３１を基体として構成されており、基板３１上に、遮光層３２と、カラーフィルタ層３４と、オーバーコート層３５と、配向膜３６と、位相差層３７と、共通電極１８と、配向膜３８とを備えている。基板３１は、透光性を有する材料からなり、例えばガラスからなる。基板３１の材料は、石英や樹脂であってもよい。

遮光層３２とカラーフィルタ層３４とは、基板３１の液晶層４０側に形成されている。遮光層３２は、基板３１上の隣り合う画素４同士の間の領域に配置されている。カラーフィルタ層３４は、画素４の領域に対応して配置されている。カラーフィルタ層３４は、例えばアクリル樹脂等からなり、画素４で表示するＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する色材を含有している。オーバーコート層３５は、遮光層３２とカラーフィルタ層３４とを覆うように形成されている。オーバーコート層３５は、透光性を有する樹脂からなる。

配向膜３６は、オーバーコート層３５を覆うように形成されている。配向膜３６は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜３６の表面には所定の方向に配向処理が施されている。

位相差層３７は、配向膜３６上に設けられ、反射表示領域Ｒに配置されている。位相差層３７は、例えば、複屈折性を有する光硬化性材料が配向膜３６に施された配向処理により配向された状態で硬化されて形成されている。位相差層３７は、入射される可視光の波長に対し所定の位相差、例えば１／４波長分の位相差を付与する。位相差層３７は、自身の層厚により、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとにおいて液晶層４０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層としての役割も果たしている。なお、位相差層３７は、オーバーコート層３５と同じ材料で形成された保護層であってもよいし、保護層と位相差層とを含む構成であってもよい。

共通電極１８は、配向膜３６と位相差層３７とを覆うように形成されている。共通電極１８は、画素電極１６に平面的にほぼ重なる領域に、画素電極１６に対向するように配置されている。共通電極１８は、透光性を有する導電材料からなり、例えばＩＴＯからなる。共通電極１８は、画素電極１６との間に、素子基板１０および対向基板３０に垂直な方向の縦電界を発生させる。

配向膜３８は、対向基板３０の液晶層４０に接する側に、共通電極１８を覆うように形成されている。配向膜３８は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜３８の表面には、配向膜２８の配向方向と略直交する方向に配向処理が施されている。

液晶層４０は、素子基板１０と対向基板３０との間に配置されている。液晶層４０は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで層厚が異なる。具体的には、液晶層４０の反射表示領域Ｒにおける層厚は、液晶層４０の透過表示領域Ｔにおける層厚の略１／２となっている。

液晶層４０において、画素電極１６と共通電極１８との間に電界が発生していない状態（オフ状態）では、液晶分子は配向処理面に対してほぼ水平に配向した状態となり、配向膜２８と配向膜３８とに施された配向処理によって略９０°ツイストしている。オフ状態では、液晶層４０は入射される可視光の波長に対して、例えば、反射表示領域Ｒにおいて１／４波長分の位相差を付与し、透過表示領域Ｔにおいて１／２波長分の位相差を付与する。

また、液晶層４０において、画素電極１６と共通電極１８との間に電界が発生している状態（オン状態）では、液晶分子は素子基板１０および対向基板３０に垂直な電界の方向に沿って立ち上がる。液晶層４０は、オン状態では入射される可視光の波長に対して位相差を付与しない。

なお、反射表示領域Ｒにおける素子基板１０の液晶層４０に接する面は、平坦化層２６により反射層２４の凹凸面が反映されない略平坦な面となっている。これにより、液晶層４０の反射表示領域Ｒにおける厚みのばらつきが抑えられる。また、液晶層４０を通過して反射層２４の凹凸面に入射した光は、反射層２４の液晶層４０側の表面が凹凸面であることから、散乱反射されて液晶層４０に再度入射する。これにより、オン状態における外光の正反射を防止して視認性に優れた反射表示となる。

偏光板４４の透過軸は、画素４の列方向（図５のＹ軸方向）に沿うように設けられており、偏光板４５の透過軸は、画素４の行方向（図５のＸ軸方向）に沿うように設けられている。したがって、偏光板４４の透過軸と偏光板４５の透過軸とは、互いに略直交するように設けられている。なお、図示しないが、偏光板４４の側にはバックライト装置が、偏光板４４に対向して配置されている。

次に、液晶表示装置１００の動作について説明する。まず、透過表示（透過モード）について説明する。素子基板１０の外面側から透過表示領域Ｔに入射した光は、偏光板４４によって画素４の列方向に平行な直線偏光に変換されて液晶層４０に入射する。ここで、オフ状態の場合には、液晶層４０に入射した直線偏光は、液晶分子のツイストによって入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層４０から射出される。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板４５の透過軸と平行であるため、偏光板４５を透過して表示光として視認されるので、明表示となる。

一方、オン状態の場合には、液晶層４０に入射した直線偏光は、液晶層４０により入射時と同一の偏光状態で液晶層４０から射出される。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板４５の透過軸と直交するため、偏光板４５で遮断されるので、暗表示となる。

続いて、反射表示（反射モード）について説明する。対向基板３０の外面側から入射した光は、偏光板４５によって画素４の行方向に平行な直線偏光に変換された後、位相差層３７により円偏光に変換されて液晶層４０に入射する。ここで、オフ状態の場合には、液晶層４０に入射した円偏光は、画素４の列方向に平行な直線偏光に変換されて反射層２４に到達する。そして、反射層２４でそのままの偏光状態で反射された直線偏光は、液晶層４０により再び円偏光に戻り、位相差層３７により画素４の行方向に平行な直線偏光に変換される。この直線偏光は偏光板４５を透過して表示光として視認されるので、明表示となる。

一方、オン状態の場合には、液晶層４０に入射した円偏光は、そのままの状態で反射層２４に到達する。そして、反射層２４で反射され回転方向が逆転された円偏光は、そのままの状態で液晶層４０を通過した後、位相差層３７により入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換される。この直線偏光は、その偏光方向が偏光板４５の透過軸と直交するため、偏光板４５で遮断されるので、暗表示となる。

ここで、素子基板１０の液晶層４０側のコンタクトホール２６ａが設けられた位置では、配向膜２８の配向規制力が素子基板１０に平行に作用しない。また、この位置では、画素電極１６と共通電極１８との間に発生する電界が素子基板１０および対向基板３０に垂直な方向にならない。そのため、コンタクトホール２６ａが設けられた位置では、オン状態およびオフ状態において液晶分子の配向に乱れが生じる。したがって、コンタクトホール２６ａが設けられた位置は実質的に表示に寄与しない部分となる。液晶表示装置１００は、コンタクトホール２６ａが画素４の領域外に配置された構成を有しているので、画素４の実質的な開口率を大きくできる。

上記第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。

（１）互いに平面的に重ならないように配置されたコンタクトホール２２ａとコンタクトホール２６ａとを介して、画素電極１６がＴＦＴ素子２０に電気的に接続されている。このため、一つのコンタクトホールで平坦化層２６と樹脂層２２とを貫通させる場合に比べて、コンタクトホール２２ａ，２６ａのそれぞれの深さを浅くできる。これにより、コンタクトホール２２ａ，２６ａのそれぞれの内面に形成される導電膜の膜厚不足が生じにくくなるので、コンタクトホール２２ａ，２６ａのそれぞれでの断線を抑えることができる。

（２）反射層２４がＴＦＴ素子２０に平面的に重なるように配置されているため、反射表示領域ＲをＴＦＴ素子２０に平面的に重なる領域まで大きくできる。また、コンタクトホール２６ａが画素４の領域外に位置しているため、実質的に表示に寄与する領域を大きくできる。したがって、画素４の開口率を大きくできる。

（３）平坦化層２６により、反射表示領域Ｒにおける液晶層４０側の面が略平坦化されるとともに、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘って略平坦な面が構成される。これにより、液晶層４０の厚みのムラが抑えられる。

これらの結果、良好な明るさとコントラスト特性を有し、製造歩留り低下を抑えた液晶表示装置１００を提供できる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る液晶表示装置の構成について図を参照して説明する。図６は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図７および図８は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の画素４の構成を示す図である。詳しくは、図７は、図８中のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。図８は、対向基板側から見たときの平面図であり、対向基板の図示を省略している。なお、図８において、画素４の領域を２点鎖線で示すが、この画素４の領域外に平面的に重なるように遮光層３２（図７参照）が配置されている。また、Ｘ軸およびＹ軸は、それぞれ図２におけるＸ軸およびＹ軸の方向を示している。

第２の実施形態に係る液晶表示装置は、第１の実施形態に係る液晶表示装置に対して、素子基板が共通電極を備え、素子基板に平行な方向の横電界により液晶分子の配向制御を行う点が異なっている。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。本実施形態に係る液晶表示装置は、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の半透過反射型の液晶表示装置である。

図６に示すように、液晶表示装置２００において、画素４のそれぞれには、画素電極５６と、画素電極５６を制御するためのＴＦＴ素子２０と、画素電極５６との間で横電界を発生させるための共通電極５８とが形成されている。ＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄ（図７参照）は、画素電極５６に電気的に接続されている。共通電極５８は、共通配線５７に電気的に接続されている。

データ信号（画素信号）Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線１４を介して画素電極５６に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極５６を介して、液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画素信号は、共通電極５８との間で一定期間保持される。ここで、画素電極５６と共通電極５８との間には保持容量５９が形成されており、画素電極５６の電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも長い時間保持される。これにより、電荷の保持特性が改善されるので、液晶表示装置２００はコントラスト比の高い表示を行うことができる。

図７に示すように、素子基板５０は、基板１１を基体として構成されており、基板１１上に、ＴＦＴ素子２０と、絶縁層２１と、樹脂層２２と、反射層２４と、平坦化層２６と、共通配線５７と、共通電極５８と、絶縁層５４と、画素電極５６と、配向膜２８とを備えている。

共通配線５７と共通電極５８とは、平坦化層２６上に形成されている。共通電極５８は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘ってベタ状に形成されている。共通電極５８は、その一辺部において共通配線５７に重なっており、この部分で共通配線５７に電気的に接続されている。共通電極５８は、平坦化層２６上に配置されることにより、反射層２４の凹凸面の影響を受けることなく、略平坦に形成されている。共通電極５８は、透光性を有する導電材料からなり、例えばＩＴＯからなる。共通電極５８には、開口部５８ａが設けられている。開口部５８ａは、共通電極５８が後述するコンタクトホール２６ｂに接しないように、コンタクトホール２６ｂよりも一回り大きく形成されている。

絶縁層５４は、平坦化層２６と共通配線５７と共通電極５８とを覆うように形成されている。絶縁層５４は、平坦化層２６の液晶層４０側に配置されることにより、反射層２４の凹凸面が反映されない略平坦な表面を有している。絶縁層５４は、例えばＳｉＮ（窒化ケイ素）からなる。絶縁層５４の層厚は、例えば０．１μｍ〜０．５μｍ程度である。

絶縁層５４と平坦化層２６とには、画素４の領域外に位置しており、絶縁層５４と平坦化層２６とを貫通して反射層２４に到達するコンタクトホール２６ｂが設けられている。

画素電極５６は、絶縁層５４上に、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘って形成されている。図８に示すように、画素電極５６は、共通電極５８に平面的にほぼ重なる領域に形成され、複数のスリット状の開口部５６ａを有している。また、画素電極５６は、コンタクトホール２６ｂに平面的に重なるように、反射表示領域Ｒ側から画素４の領域外に張り出した張出部５６ｂを有している。画素電極５６は、例えばＩＴＯからなる。画素電極５６は、例えばスパッタリング法を用いてベタ状の膜を形成した後、画素電極５６の外形と開口部５６ａとに対応した部分をパターニングすることにより形成される。画素電極５６は、反射層２４の凹凸面が反映されない略平坦な絶縁層５４上に形成されるので、開口部５６ａの周辺や張出部５６ｂにおける断線の発生が抑えられる。

図７に示すように、画素電極５６は、張出部５６ｂにおいて、コンタクトホール２６ｂを介して反射層２４に電気的に接続されている。この結果、画素電極５６は、コンタクトホール２６ｂと反射層２４とコンタクトホール２２ａとを介してドレイン電極２０ｄに電気的に接続される。したがって、反射層２４には画素電極５６と同一の信号（電位）が印加される。

上述の通り、画素電極５６と共通電極５８とが絶縁層５４を間に介して対向しており、画素電極５６と共通電極５８との間に絶縁層５４を誘電体膜とする保持容量５９（図６参照）が形成されている。なお、反射表示領域Ｒにおいて共通電極５８と反射層２４とが平坦化層２６を間に介して対向しており、共通電極５８と反射層２４との間にも平坦化層２６を誘電体膜とする容量成分が形成される。この容量成分は保持容量５９に並列に電気的に接続されるので、保持容量５９が小さい場合にこの容量成分で補うようにしてもよい。

素子基板５０では、画素電極５６と共通電極５８との間に電圧が印加されると、スリット状の開口部５６ａおよびその周辺に素子基板５０に平行な方向の横電界が発生する。この横電界によって、液晶層４０の液晶分子の配向が制御される。

ところで、素子基板５０において、コンタクトホール２６ｂが反射表示領域Ｒ内に設けられた場合、画素電極５６には、コンタクトホール２６ｂに平面的に重なる位置に開口部５６ａを設けることができない。一方、共通電極５８には、コンタクトホール２６ｂに平面的に重なる位置に開口部５８ａが設けられる。したがって、コンタクトホール２６ｂが反射表示領域Ｒ内に設けられた場合、コンタクトホール２６ｂの周囲には、画素電極５６と共通電極５８との間に電圧が印加されても横電界が発生しない部分、すなわち実質的に表示に寄与しない部分が生じてしまう。本実施形態では、コンタクトホール２６ｂが画素４の領域外に配置された構成を有していることにより、画素４の領域の開口率を実質的に大きくすることができる。

コンタクトホール２６ｂには、画素電極５６の材料からなる導電膜がコンタクトホール２６ｂの内面に接するように形成されている。この導電膜は、画素電極５６を形成する工程と同一の工程において、画素電極５６の材料を堆積させて形成される。この導電膜が介在することにより、画素電極５６が反射層２４に電気的に接続される。

ここで、コンタクトホール２２ａ，２６ｂは、平坦化層２６の画素電極５６が形成されている面に対して略垂直方向に形成されている。このため、コンタクトホール２２ａ，２６ｂの深さが深いと、コンタクトホール２２ａ，２６ｂの内面に形成される導電膜の膜厚が不足する部分が生じ易くなるため、コンタクトホール２２ａ，２６ｂ内での断線が発生し、液晶表示装置２００の製造歩留り低下を招くおそれがある。例えば、素子基板５０においてコンタクトホール２２ａとコンタクトホール２６ｂとが平面的に重なるように位置している場合、換言すれば、絶縁層５４と平坦化層２６と反射層２４と樹脂層２２とを貫通するようにコンタクトホールが設けられている場合、コンタクトホールの深さは、絶縁層５４と樹脂層２２と反射層２４と平坦化層２６との合計の層厚相当、すなわち３．７μｍ〜４．６μｍ程度となる。

これに対して、本実施形態では、コンタクトホール２２ａとコンタクトホール２６ｂとが平面的に重ならない位置に配置されているので、コンタクトホール２２ａは樹脂層２２の層厚分の深さであり、コンタクトホール２６ｂは絶縁層５４と平坦化層２６との層厚分の深さである。これにより、コンタクトホール２２ａ，２６ｂの内面に形成される導電膜の膜厚不足が生じにくくなるので、コンタクトホール２２ａ，２６ｂ内での断線を抑えることができる。

配向膜２８は、素子基板５０の液晶層４０に接する側、すなわち絶縁層５４と画素電極５６とを覆うように形成されている。配向膜２８の表面には、例えば、画素４の行方向（図８のＸ軸方向）に沿った方向を配向方向とするラビング処理等の配向処理が施されている。

次に、対向基板６０は、基板３１を基体として構成されており、基板３１上に、遮光層３２と、カラーフィルタ層３４と、オーバーコート層３５と、配向膜３６と、位相差層６２と、配向膜３８とを備えている。

位相差層６２は、配向膜３６上に設けられ、反射表示領域Ｒに配置されている。位相差層６２は、例えば、複屈折性を有する光硬化性材料が配向膜３６に施された配向処理により配向された状態で硬化されて形成されている。位相差層６２は、入射される可視光の波長に対し所定の位相差、例えば１／２波長分の位相差を付与する。位相差層６２は、自身の層厚により、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとにおいて液晶層４０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層としての役割も果たしている。なお、位相差層６２は、オーバーコート層３５と同じ材料で形成された保護層であってもよいし、保護層と位相差層とを含む構成であってもよい。

配向膜３８は、配向膜３６と位相差層６２とを覆うように形成されている。配向膜３８の表面には、配向膜２８の配向方向と同方向の配向処理が施されている。

液晶層４０は、素子基板５０と対向基板６０との間に配置されている。液晶層４０の液晶分子は、画素電極５６と共通電極５８との間に電界が発生していない状態（オフ状態）では、配向膜２８と配向膜３８とに施された配向処理によって規制される方向、すなわち図８に示すＸ軸方向に沿って水平に配向する。また、液晶層４０の液晶分子は、画素電極５６と共通電極５８との間に電界が発生している状態（オン状態）では、開口部５６ａの延在方向と直交する方向に沿って配向する。したがって、液晶層４０では、オフ状態とオン状態とにおける液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して液晶層４０を通過する光に対して位相差を付与している。

なお、反射表示領域Ｒにおける素子基板５０の液晶層４０に接する面は、平坦化層２６により反射層２４の凹凸面が反映されない略平坦な面となっている。これにより、液晶層４０の反射表示領域Ｒにおける厚みのばらつきが抑えられる。

偏光板４４の透過軸は、画素４の列方向（図８のＹ軸方向）に沿うように設けられており、偏光板４５の透過軸は、画素４の行方向（図８のＸ軸方向）に沿うように設けられている。したがって、偏光板４４の透過軸と偏光板４５の透過軸とは、互いに略直交するように設けられている。

次に、液晶表示装置２００の動作について説明する。まず、透過表示（透過モード）について説明する。素子基板５０の外面側から透過表示領域Ｔに入射した光は、偏光板４４によって画素４の列方向に平行な直線偏光に変換されて液晶層４０に入射する。ここで、オフ状態の場合には、液晶層４０に入射した直線偏光は、液晶層４０により入射時と同一の偏光状態で液晶層４０から射出される。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板４５の透過軸と直交するため、偏光板４５で遮断されるので、暗表示となる。

一方、オン状態の場合には、液晶層４０に入射した直線偏光は、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層４０から射出される。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板４５の透過軸と平行であるため、偏光板４５を透過して表示光として視認されるので、明表示となる。

続いて、反射表示（反射モード）について説明する。対向基板６０の外面側から入射した光は、偏光板４５によって画素４の行方向に平行な直線偏光に変換されて液晶層４０に入射する。ここで、オフ状態の場合には、液晶層４０に入射した直線偏光は、円偏光に変換されて反射層２４に到達する。この円偏光が反射層２４で反射されると、回転方向が反転する。その後、円偏光は、液晶層４０により入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層４０から射出される。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板４５の透過軸と直交するため、偏光板４５で遮断されるので、暗表示となる。

一方、オン状態の場合には、液晶層４０に入射した直線偏光は、液晶層４０により入射時と同一の偏光状態で反射層２４に到達する。そして、反射層２４で反射された直線偏光は、入射時と同一の偏光方向で液晶層４０から射出される。その後、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板４５の透過軸と平行であるため、偏光板４５を透過して表示光として視認されるので、明表示となる。

上記第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。

（１）互いに平面的に重ならないように配置されたコンタクトホール２２ａとコンタクトホール２６ｂとを介して、画素電極５６がＴＦＴ素子２０に電気的に接続されている。このため、一つのコンタクトホールで絶縁層５４と平坦化層２６と樹脂層２２とを貫通させる場合に比べて、コンタクトホール２２ａ，２６ｂのそれぞれの深さを浅くできる。これにより、コンタクトホール２２ａ，２６ｂのそれぞれの内面に形成される導電膜の膜厚不足が生じにくくなるので、コンタクトホール２２ａ，２６ｂのそれぞれでの断線を抑えることができる。

（２）反射層２４が、ＴＦＴ素子２０に平面的に重なるように配置されているため、反射表示領域ＲをＴＦＴ素子２０に平面的に重なる領域まで大きくできる。また、コンタクトホール２６ｂが画素４の領域外に配置されているため、実質的に表示に寄与する領域を大きくできる。したがって、画素４の開口率を大きくできる。

（３）平坦化層２６により、反射表示領域Ｒにおける液晶層４０側の面が略平坦化されるとともに、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘って略平坦な面が構成される。これにより、液晶層４０の厚みのムラが抑えられるとともに、画素電極５６の断線の発生を抑えることができる。

これらの結果、良好な明るさとコントラスト特性を有し、製造歩留り低下を抑えた液晶表示装置２００を提供できる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る液晶表示装置の構成について図を参照して説明する。図９は、第３の実施形態に係る液晶表示装置の画素４の構成を示す断面図である。

第３の実施形態に係る液晶表示装置は、第２の実施形態に係る液晶表示装置に対して、画素４における反射表示領域の位置と透過表示領域の位置とが互いに入れ替わっており、反射層がＴＦＴ素子に平面的に重ならない配置となっている点が異なっているが、その他の構成は同じである。第２の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。

図９に示すように、液晶表示装置３００において、素子基板７０は、基板１１を基体として構成されており、基板１１上に、ＴＦＴ素子２０と、絶縁層２１と、樹脂層２２と、反射層２４と、接続電極７２と、平坦化層２６と、共通配線５７と、共通電極５８と、絶縁層５４と、画素電極５６と、配向膜２８とを備えている。液晶表示装置３００では、画素４の領域において、透過表示領域ＴがＴＦＴ素子２０側に位置しており、反射表示領域ＲがＴＦＴ素子２０とは反対側に位置している。

樹脂層２２には、樹脂層２２を貫通してＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄに到達するコンタクトホール２２ｂが設けられている。

反射層２４は、ＴＦＴ素子２０とは反対側に配置されており、ＴＦＴ素子２０および走査線１２に平面的に重なっていない。

樹脂層２２上には、コンタクトホール２２ｂと反射層２４とを電気的に接続する接続電極７２が形成されている。接続電極７２は、透光性を有する導電材料からなり、例えばＩＴＯからなる。接続電極７２は、例えばスパッタリング法を用いて成膜された導電膜をパターニングして形成される。コンタクトホール２２ｂには、接続電極７２の材料からなる導電膜がコンタクトホール２２ｂの内面に接するように形成されている。この導電膜は、接続電極７２を形成する工程と同一の工程において、接続電極７２の材料を堆積させて形成される。反射層２４は、接続電極７２とコンタクトホール２２ｂとを介して、ドレイン電極２０ｄに電気的に接続されている。

上記第３の実施形態によれば、第２の実施形態と同様の効果が得られる。ただし、反射層２４がＴＦＴ素子２０および走査線１２に平面的に重ならない配置となっているので、画素４の開口率は第２の実施形態よりも低下する。しかしながら、第２の実施形態のようにＴＦＴ素子２０および走査線１２と反射層２４とが対向して配置されることにより、ＴＦＴ素子２０および走査線１２と反射層２４との間に寄生容量が生じて液晶表示装置２００の動作に影響を及ぼす場合に、第３の実施形態の構成によれば、このような寄生容量が生じるのを回避できる。

なお、第３の実施形態の構成を第１の実施形態の液晶表示装置１００に適用してもよい。

＜電子機器＞
上述した液晶表示装置１００，２００，３００は、例えば、図１０に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に液晶表示装置１００，２００，３００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は優れた表示品質を有している。

また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器、液晶プロジェクタであってもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。

（変形例１）
上記の第１の実施形態の液晶表示装置は、ＴＮ方式の半透過反射型の液晶表示装置であったが、この形態に限定されない。液晶表示装置は、ＴＮ方式と同様に素子基板と対向基板との間に生じる縦電界により液晶分子の配向制御を行う、ＶＡ（Vertical Alignment）方式やＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式の液晶表示装置であってもよい。このようなＶＡ方式やＥＣＢ方式の液晶表示装置においても、同様の効果が得られる。

（変形例２）
上記の第２の実施形態および第３の実施形態の液晶表示装置は、ＦＦＳ方式で画素電極が共通電極よりも液晶層側に配置された半透過反射型の液晶表示装置であったが、この形態に限定されない。液晶表示装置は、共通電極が画素電極よりも液晶層側に配置された構成を有していてもよい。このような構成の場合は、画素電極がベタ状に形成され、共通電極にスリット状の開口部が設けられる。また、液晶表示装置は、ＦＦＳ方式と同様に横電界により液晶分子の配向制御を行うＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶表示装置であってもよい。液晶表示装置がＩＰＳ方式である場合、例えば、画素電極と共通電極とは、ともに平坦化層上に櫛歯形状に形成され、互いの櫛歯形状が噛み合うように配置される。これらの液晶表示装置においても、同様の効果が得られる。

（変形例３）
上記の実施形態および変形例の液晶表示装置は、半透過反射型の液晶表示装置であったが、この形態に限定されない。液晶表示装置は、反射型の液晶表示装置であってもよい。このような反射型の液晶表示装置においても、同様の効果が得られる。

第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す図。 第１の実施形態に係る液晶表示装置の表示領域を拡大して示した平面図。 第１の実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示す等価回路図。 図５中のＢ−Ｂ’線に沿った断面図。 液晶表示装置の画素の構成を示す図。 第２の実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示す等価回路図。 図８中のＣ−Ｃ’線に沿った断面図。 第２の実施形態に係る液晶表示装置の画素の構成を示す図。 第３の実施形態に係る液晶表示装置の画素の構成を示す断面図。 本実施の形態における電子機器を示す図。

符号の説明

２…表示領域、４…画素、６…画素群、１０，５０，７０…素子基板、１１…基板、１２…走査線、１３…データ線駆動回路、１４…データ線、１５…走査線駆動回路、１６…画素電極、１６ａ…張出部、１７…容量線、１７ａ…蓄積容量、１８…共通電極、２０…ＴＦＴ素子、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイン電極、２０ｇ…ゲート電極、２０ｓ…ソース電極、２１…絶縁層、２２…樹脂層、２２ａ，２２ｂ…コンタクトホール、２４…反射層、２６…平坦化層、２６ａ，２６ｂ…コンタクトホール、２８…配向膜、３０，６０…対向基板、３１…基板、３２…遮光層、３４…カラーフィルタ層、３５…オーバーコート層、３６…配向膜、３７，６２…位相差層、３８…配向膜、４０…液晶層、４１…シール剤、４２…ドライバＩＣ、４４…偏光板、４５…偏光板、５４…絶縁層、５６…画素電極、５６ａ…開口部、５６ｂ…張出部、５７…共通配線、５８…共通電極、５８ａ…開口部、５９…保持容量、７２…接続電極、１００，２００，３００…液晶表示装置、５００…携帯電話機、５０２…表示部。

Claims (6)

1. 互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に狭持された液晶層と、反射表示領域を有する複数の画素と、を備えた液晶表示装置であって、
   前記第１の基板の前記液晶層側には、
   スイッチング素子と、
   前記スイッチング素子上に形成され、少なくとも前記反射表示領域に対応した領域に凹凸面を有する下地層と、
   前記下地層を貫通して前記スイッチング素子に到達する第１のコンタクトホールと、
   前記下地層上の前記反射表示領域と前記画素の領域外とに亘って形成され、前記凹凸面を反映した表面を有する導電膜からなり、前記第１のコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続された反射層と、
   少なくとも前記反射層を覆うように形成された平坦化層と、
   前記画素の領域外に位置しており、前記平坦化層を貫通して前記反射層に到達する第２のコンタクトホールと、
   前記平坦化層上に設けられ、前記第２のコンタクトホールを介して前記反射層に電気的に接続された第１の電極と、を備え、
   前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとは、互いに平面的に重ならないように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１に記載の液晶表示装置であって、
   前記反射層は、前記スイッチング素子に平面的に重なるように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項１または２に記載の液晶表示装置であって、
   前記第２の基板には、前記第１の電極との間で電界を生じさせる第２の電極が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項１または２に記載の液晶表示装置であって、
   前記第１の基板には、前記第１の電極との間で電界を生じさせる第２の電極が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶表示装置であって、
   前記画素の領域内に、前記反射層が配置されていない透過表示領域をさらに有し、
   前記平坦化層は、前記反射表示領域と前記透過表示領域とに亘って形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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