JP4433738B2 - 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機などに用いられる電気光学装置用基板、その電気光学装置用基板を用いた電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器に関する。

従来、自然光や室内照明光などの外光を表示面から入射させ、その光を反射させて表示を行う反射型表示と、光源からの光を表示面の反対側から入射させて表示を行う透過型表示がある。そして、これらの表示方法を必要に応じて切り替えることができる、電気光学装置の一種である半透過反射型液晶表示装置が知られている。

ところが、一般に反射型表示では表示面からの射出光が着色層を２回通過しているのに対し透過型表示では、１回しか通過しない。そのため、そのままでは反射型表示の際の色再現性と透過型表示の際の色再現性とを同じにできない、或は反射型表示の際の明るさが低下するといった問題が生じた。

そこで、例えばカラーフィルタ（着色層）の平面部の厚さと突起部の厚さとをそれぞれ個別に選定することにより、反射型表示の際の色再現性と透過型表示の際の色再現性とを同じにすることなどが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００１−３３７７８号公報（段落[０００８]から[００１０]、図２）

しかしながら、従来のカラーフィルタ（着色層）の平面部の厚さと突起部の厚さとをそれぞれ個別に選定する方法によっても、比較的簡単な構成により反射型表示の際の明るさを確保する点では、万全とはいえない場合が考えられた。

本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、簡単な構成により表示の際の明るさを十分確保できる電気光学装置用基板、その電気光学装置用基板を用いた電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る電気光学装置用基板は、基板と、前記基板上に配置され、画素内に２つ以上の透過領域と少なくとも１つの反射領域とを有し、前記反射領域上に形成された着色領域と、前記反射領域上に前記画素上での位置を片寄らせないように形成された２つ以上の無着色領域とを具備し、前記透過領域と前記無着色領域とは、前記画素ごとに、該透過領域同士及び無着色領域同士が夫々前記画素内の対角線上に位置することを特徴とする。ここで、「透過領域」は例えば反射層が形成されておらず光が透過する領域であり、「無着色領域」は例えば着色層が形成されておらず光が着色されない領域である。また、「画素」とは例えば赤、緑及び青のいずれか１色を現す領域をいうものとする。

本発明では、基板と、その基板上に配置され、画素内に２つ以上の透過領域と少なくとも１つの反射領域とを有し、その反射領域上に着色領域と画素上での位置が片寄らないように２つ以上の無着色領域とを形成し、透過領域と無着色領域とは、画素ごとに、該透過領域同士及び無着色領域同士が夫々前記画素内の対角線上に位置することとしたので、反射型表示時に反射層の反射領域で反射される光の一部が無着色領域を通過し、着色層で着色されない白色光として表示画面に現れ、全体的に反射率を向上させることができる。これにより、表示の際の明るさを十分確保できることとなる。

また、反射光と透過光とで表示にずれを生じさせたり、その表示が粗くなったりすることを防ぐことができる。また、例えば画素内で真ん中に透過領域が配置されると共に、その上下に無着色領域が配置され１つの画素が表示画面上あたかも２つの画素により構成されるかのように見えることを防ぐことができる。また、例えば画素内で透過領域と無着色領域とをよりバランスよく均等（片寄りなく）に配置でき、透過光と反射光との表示ずれやその表示が粗くなるのを防ぐことができる。

本発明の一の形態によれば、複数の前記画素を有し、該複数の画素は赤の着色領域、緑の着色領域、青の着色領域を有し、該緑の着色領域を有する画素内の無着色領域の面積が赤若しくは青の着色領域を有する画素内の夫々の無着色領域の面積より大きいことを特徴とする。これにより、色調のバランスのとれた明るい画面表示とすることができる。

本発明の一の形態によれば、前記透過領域は、前記画素の長手方向に該透過領域の長手方向が略一致するスリット状に形成されていることを特徴とする。これにより、画素内での透過領域を複数しかも、夫々を該画素内で片寄らずに配置可能となる。

本発明の他の観点に係る電気光学装置は、電気光学材料を狭持する一対の基板と、前記一対の基板のうちいずれか一方の基板の前記電気光学材料側に配置され、画素内に２つ以上の透過領域と少なくとも１つの反射領域とを有し、前記いずれか一方の基板若しくは前記一対の基板のうちの他方の基板の電気光学材料側に前記反射領域に対応するように形成された着色領域と、前記いずれか一方の基板若しくは前記他方の基板の前記電気光学材料側に前記反射領域に対応するように配置され、前記画素上での位置を片寄らせないように形成された２つ以上の無着色領域とを具備し、前記透過領域と前記無着色領域とは、前記画素ごとに、該透過領域同士及び無着色領域同士が夫々前記画素内の対角線上に位置するように形成されていることを特徴とする。

本発明では、電気光学材料を狭持する一対の基板のうちいずれか一方の基板の電気光学材料側に配置され、画素内に２つ以上の透過領域と少なくとも１つの反射領域とを有し、その基板若しくは他方の基板の電気光学材料側に該反射領域に対応するように形成された着色領域と、その一方の基板若しくは他方の基板の電気光学材料側に該反射領域に対応するように配置され、画素上での位置を片寄らせないように形成された２つ以上の無着色領域とを具備し、前記透過領域と前記無着色領域とは、前記画素ごとに、該透過領域同士及び無着色領域同士が夫々前記画素内の対角線上に位置するように形成することとしたので、反射型表示時に反射領域で反射される光の一部が無着色領域を通過し、例えば着色層で着色されない白色光として表示画面に現れ、全体的に反射率を向上させることができる。これにより、簡単な構成により表示の際の明るさを十分確保できる電気光学装置を提供することが可能となる。

また、反射光と透過光とで表示にずれが生じたり、その表示が粗くなったりすることを防ぐことができる。

本発明の一の形態によれば、前記着色領域及び無着色領域は、前記いずれか一方の基板の反射領域上に形成されていることを特徴とする。これにより、着色領域及び無着色領域が一対の基板のうちいずれか一方の基板上に配置された例えば反射層上に形成されることとなる。その結果、対向する一対の基板の一方に反射領域及び透過領域を配置し、他方に着色領域及び無着色領域を配置する場合に比べ、透過領域と無着色領域との平面方向の間隔を製造上ぎりぎりまで小さくでき、比較的自由に透過領域と無着色領域とを配置できる。

本発明の一の形態によれば、複数の前記画素を有し、前記複数の画素は赤の着色領域、緑の着色領域、青の着色領域を有し、該緑の着色領域を有する画素内の無着色領域の面積が赤若しくは青の着色領域を有する画素内の夫々の無着色領域の面積より大きいことを特徴とする。

本発明の一の形態によれば、前記透過領域は、前記画素の長手方向に該透過領域の長手方向が略一致するスリット状に形成されていることを特徴とする。

本発明の他の観点に係る電子機器は、上述に記載した電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本発明では、電気光学材料を狭持する一対の基板のうちいずれか一方の基板の電気光学材料側に配置され、画素内に２つ以上の透過領域と少なくとも１つの反射領域とを有し、その基板若しくは他方の基板の電気光学材料側に該反射領域に対応するように形成された着色領域と、その一方の基板若しくは他方の基板の電気光学材料側に該反射領域に対応するように配置され、画素上での位置を片寄らせないように形成された２つ以上の無着色領域とを具備し、前記透過領域と前記無着色領域とは、前記画素ごとに、該透過領域同士及び無着色領域同士が夫々前記画素内の対角線上に位置するように形成することとしたので、反射型表示時に反射領域で反射される光の一部が無着色領域を通過し、例えば着色層で着色されない白色光として表示画面に現れ、電子機器の表示に際し反射率を向上させることができる。

以上のように、本発明によれば、簡単な構成により反射率を向上させ表示の際の明るさを確保できる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、以下に実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置の例として液晶装置及びその液晶装置を用いた電子機器について説明する。具体的には、まず反射半透過型のパッシブマトリックス方式、同じく反射半透過型の能動素子としてＴＦＤ（二端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式及び能動素子としてＴＦＴ（三端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式の液晶装置、またそれらの液晶装置を用いた電子機器を例をあげて夫々説明する。

（第１の実施形態）
まず、本発明を反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第１の実施形態について説明する。

図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルのカラーフィルタ基板の概略平面図、図２は図１のＡ−Ａ´線の断面図及び図３は液晶パネルの概略斜視図である。なお、図１及び以下に示す各図においては、各層や各部材の大きさや構成はその説明の必要に応じて異ならせてある。例えば、図３ではオーバコート層や配向膜は省略してある。

液晶装置１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。

（液晶パネルの構成）
液晶パネル２は、図２及び図３に示すように電気光学材料である液晶と、その液晶を狭持する一対の基板であるカラーフィルタ基板３及び対向基板４とを有する。カラーフィルタ基板３は、ガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板５を基体とする。また、対向基板４はカラーフィルタ基板３に対向し、ガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第２基板６を基体とする。更にカラーフィルタ基板３及び対向基板４がシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その間に液晶、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型が封入された液晶層７等が、形成されている。

また、第１基板５の外面には位相差板８及び偏光板９が配置され、第２基板６の外面には位相差板１０及び偏光板１１が配置されている。

カラーフィルタ基板３は、図１及び図２に示すように第１基板５の液晶層７側の表面には下地層１２が形成され、その下地層１２の表面には後述する反射層が形成されていない透過領域Ｋと光を反射する反射領域Ｌである反射層１３及び光を遮蔽する光遮蔽層１４が形成されている。また、その反射層１３の表面の一部及び透過領域Ｋには着色層１５が形成されており、その反射層１３の表面の残りは着色層１５が形成されていない無着色領域Ｍとして形成されている。すなわち、反射領域Ｌの表面には、反射する光が着色されない無着色領域Ｍ及び反射する光が着色される着色領域が形成されることとなる。

更にその着色層１５及び光遮蔽層１４の表面と無着色領域Ｍにこれらを保護するオーバコート層１６が、またオーバコート層１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる透明電極１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜１８が形成されている。

また、対向基板４には、図１、図２及び図３に示すように第２基板６の液晶層７側の表面に、透明電極１９が第１基板側の透明電極１７と直交する方向に（図１のＹ方向）延びる帯状に形成され、更にその液晶層７側には配向膜２０が形成されている。

透明電極１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極１９はこれと直交する方向に、相互に並列してストライプ状に構成されている。

ここで、所定の第１基板側の透明電極１７と第２基板側の透明電極１９とで特定される領域が画素２１となる。

カラーフィルタ基板３の下地層１２は樹脂材料からなり、滑らかな凹凸が形成されている。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。

また、反射領域Ｌである反射層１３は例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって、下地層１２表面の凹凸により反射層１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。

更に透過領域Ｋは、例えば図２に示すように反射層１３が形成されずに下地層１２の上に直接着色層１５が形成されている。また、透過領域Ｋは、図１及び図２に示すように画素２１の長手方向（図１のＹ方向）にその領域の長手方向がほぼ一致するように、例えば四角形の反射層１３の開口部２２（図１中の点線で囲まれた領域）に充填された着色層１５により形成されている。また、該透過領域Ｋは該透過領域Ｋ同士が画素内の対角線上に位置するように、画素２１の左隅上方と右隅下方の２箇所に形成されている。

これによって、図２に示すようにバックライト等のカラーフィルタ基板３から入射した光が液晶層７へ透過できることとなると共に、透過領域Ｋが画素内でバランスよく配置でき、表示が粗くなることを防ぐことができる。

なお、透過領域Ｋは図１に示すような画素２１内に２箇所形成する場合に限られるものでなく、３個以上でその長手方向が画素２１の長手方向と略一致するスリット状に形成したものであっても良い。この場合に透過領域Ｋ同士が、例えば画素２１の長手方向（図１のＹ方向）と斜め方向に配置される。これによって、より画素内の配置を片寄らせることなく均等にできる。

また、着色層１５は第１基板５を通過したバックライト等による光を透過する透過領域Ｋと、この透過領域Ｋの周りの反射領域Ｌ上で反射光を着色する着色領域とを形成する原色系フィルタであって、例えばＲ（赤）１５Ｒ、Ｇ（緑）１５Ｇ、Ｂ（青）１５Ｂの３色のいずれかで構成されている。その着色層１５は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって形成されている。

無着色領域Ｍは、画素２１内に図１、図２及び図３に示す四角形の領域（図１中の実線で囲まれた領域）となるように、反射領域Ｌ（反射層１３）上の着色層１５の開口部２３に充填される例えばオーバコート層１６により形成されている。これにより、無着色領域Ｍは反射層１３の例えば単体金属膜により外部光がそのまま着色されず反射されるので、反射半透過型の液晶装置１の反射率を向上させ、表示を明るくすることができる。

更に該無着色領域Ｍは、例えば図１及び図３に示すように該無着色領域Ｍ同士が画素内の対角線上に位置するように画素２１の右隅上方と左隅下方の２箇所に形成されている。

また、該無着色領域Ｍは、例えば図１及び図３に示すように１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの３色の夫々の着色領域を有する画素のうち、１５Ｇの着色領域を有する画素の該無着色領域Ｍの方が１５Ｒ若しくは１５Ｂの着色領域を有する画素の該無着色領域Ｍよりもその面積が大きく形成されている。これによって、表示全体の明るさを確保できる。

なお、無着色領域Ｍは図１及び図３に示す例のように画素２１内に２箇所形成する場合に限られるものでなく、３個以上であってもよい。この場合、無着色領域Ｍ同士が、例えば画素２１の長手方向（図２のＹ方向）と斜め方向に配置される。これによって、より画素内の配置を偏らせることなく均等にできる。

更に、着色層１５の配列パターンとして、図１ではストライプ配列（１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂ）を採用しているが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。

光遮蔽層１４は、各画素２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板５の透明電極１７の長手方向（図１のＸ方向）及びこれに直交する方向（図１のＹ方向）に延びる帯状に形成されている。

また、光遮蔽層１４は例えば着色層１５Ｂを一番下層に配置し、その上に着色層１５Ｒ、着色層１５Ｇの順、或は着色層１５Ｇ、着色層１５Ｒの順で重ねて形成してもよいし、下地層１２の上に例えばクロム膜を形成し、その上に隣り合う２色の着色層１５を重ねて形成してもよい。

（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について簡単に説明する。

まず、第１基板５上に均一に樹脂材料をスピンコートにより塗布などして下地層１２が第１基板５上に形成される。

次に、下地層１２上に蒸着法やスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図１のように各画素２１の左上方及び右下方に四角形の反射層１３が形成されていない開口部２２を設けると共に、それ以外の領域に反射層１３による反射領域Lを形成する。

また、形成された反射層１３の反射領域L及び開口部２２などの上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして例えば図１に示すように反射領域Ｌ上に、各画素２１の右上方及び左下方に四角形の着色層１５が形成されていない開口部２３を設けると共に、それ以外の領域に青色系例えば青色の着色層１５Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層１５Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層１５Ｒを順次形成していく。

これによって、開口部２２に着色層１５が充填され透過領域Ｋが形成されると共に、各画素２１には青色の着色層１５Ｂ、緑色の着色層１５Ｇ及び赤色の着色層１５Ｇが夫々単独で形成される。

更に上述の着色層１５及び光遮蔽層１４の表面と開口部２３にオーバコート層１６を形成する。これにより、開口部２３にオーバコート層１６が充填され無着色領域Ｍが形成されることとなる。その上に透明電極１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図１のようにＸ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。

また、その上に配向膜１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板３の製造が終了する。

次に、第２基板６上に透明電極１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図１のようにY方向にストライプ状に、透明電極１９を形成する。更にその上に配向膜２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板４を製造する。

また、対向基板４上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板３と対向基板４とを貼り合わせる。その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する。更に、位相差板８，１０及び偏光板９，１１を第１基板５及び第２基板６の各外面上に貼着等の方法により取り付ける。

最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、液晶装置１が完成する。

（液晶装置の動作）
まず、外光が対向基板４側から入射し反射層１３で反射され偏光板１１から射出する反射型表示の場合について簡単に説明する。

第１基板５に形成された所定の透明電極１７及び第２基板６に形成された所定の透明電極１９に図示しない駆動用ドライバから信号が供給されると、透明電極１７と透明電極１９とが交差する特定の画素２１において保持されている液晶のみが駆動される。

従って、例えば対向基板側から入射した外光は画素２１ごとに光変調され、一部は図２に示す光路Ｂのように着色層１５Ｒに入射し反射層１３で反射し、再び着色層１５Ｒに入射し液晶層７を透過し偏光板１１から射出する。この場合の射出光は２回通過する着色層１５Ｒにより着色層１５Ｒの色に着色される。

一方、残りは図２に示す光路Ｃのように反射領域Ｌ上に形成された無着色領域Ｍに入射し反射層１３により反射され、そのまま再び液晶層７を透過し偏光板１１から射出する。この場合の射出光は、着色層１５Ｒが形成されていない無着色領域Ｍを通過するだけで着色層１５による吸収を受けないので、外光である白色光のままとなる。

これにより、反射型表示の場合には着色層１５により着色されて反射層１３により反射された着色光と無着色領域Ｍを通過して無着色のまま反射層１３により反射された例えば白色光とが射出し、全体として色純度のよく明るいカラー画像を表示できることとなる。

次に、バックライトなどの照明装置からの光がカラーフィルタ基板３側から入射し偏光板１１から射出する透過型表示の場合について簡単に説明する。

まず、反射型表示と同様、透明電極１７と透明電極１９とが交差する特定の画素２１において保持されている液晶のみが駆動される。

そして、第１基板５に入射した光は図２に示す光路Ｄのように透過領域Ｋに入射し、そのまま反射されずに着色層１５Ｒに入射する。ここで、着色層１５Ｒの色に着色され、液晶層７を透過し偏光板１１から射出する。この場合の射出光は、１回通過する着色層１５Ｒにより明るさを保ちながら着色層１５Ｒの色に着色される。

このように本実施形態によれば、液晶装置１は第１基板５上に配置され、画素内に少なくとも１つの透過領域Ｋと反射領域Ｌとを有し、該反射領域上に形成された着色領域と、反射領域Ｌ上に該画素上での位置を片寄らせないように形成された少なくとも１つの無着色領域Ｍとを具備することとしたので、反射型表示時に反射領域Ｌで反射される光の一部が無着色領域Ｍを通過し、着色層１５で着色されない白色光として表示画面に現れ、全体的に反射率を向上させることができる。これにより、表示の際の明るさを十分確保できることとなる。

また、第１基板５上での透過領域Ｋと無着色領域Ｍとの位置が、例えば赤、緑及び青の三色夫々ごとで形成される１つの画素２１で片寄らないように形成されているので、反射光と透過光とで表示にずれが生じたり、その表示が粗くなったりすることを防ぐことができる。

更に着色領域及び無着色領域Ｍと反射領域及び透過領域Ｋとが両方とも第１基板５上に配置されているので、例えば対向する一対の基板の一方に反射領域及び透過領域Ｋを配置し、他方に着色領域及び無着色領域Ｍを配置する場合に比べ、透過領域Ｋと無着色領域Ｍとの平面方向の間隔を製造上ぎりぎりまで小さくでき、比較的自由に透過領域Ｋと無着色領域Ｍとを配置できる。

また、透過領域Ｋは第１基板５上に形成される複数の画素２１の長手方向に該透過領域Ｋの長手方向が略一致するスリット状に形成されているので、画素２１内での透過領域Ｋを複数しかも、夫々を該画素２１内で片寄らないように配置可能となる。

更に透過領域Ｋと無着色領域Ｍとは、画素２１ごとに、該透過領域同士及び無着色領域同士が夫々画素２１の長手方向に対し斜め方向に位置するように形成されているので、例えば画素２１内で真ん中に透過領域Ｋが配置されると共に、その上下に無着色領域Ｍが配置され、１つの画素２１が表示画面上あたかも２つの画素２１により構成されるかのように見えることを防ぐことができる。

また、透過領域Ｋと無着色領域Ｍとは第１基板５上に形成される複数の画素２１ごとに、該透過領域同士及び無着色領域同士が夫々画素２１内の対角線上に位置するように形成されているので、例えば画素２１内で透過領域Ｋと無着色領域Ｍとをよりバランスよく片寄らずに配置でき、透過光と反射光との表示ずれやその表示が粗くなるのを防ぐことができる。また、無着色領域Ｍが画素２１内に均等（片寄らず）に配置できるので、反射時についても白色の反射光が分散され、表示画像が滑らかに見え見栄えが向上する。

（第２の実施形態）
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いた液晶装置に適用した第２の実施形態について説明する。なお、第２の実施形態は第１の実施形態のパッシブマトリックス方式に対しＴＦＤ（二端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式である点を除けば第１の実施形態と同様であるので、異なる点を中心に説明する。また、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。

ここで、図4は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの対向基板の概略平面図、図５は図４の液晶パネルの概略断面図（図４におけるＥ−Ｅ´線及びＦ−Ｆ´の断面図が図５に相当する。）及び図６は本実施形態に係る液晶パネルの概略斜視図である。

（液晶パネルの構成）
まず、第１基板５の液晶層７側の表面には、図５及び図６に示すように第１の実施形態と同様に下地層１２が形成され、その下地層１２の表面には反射層１３が形成されていない透過領域Ｋと光を反射する反射領域Ｌである反射層１３及び光を遮蔽する光遮蔽層１４が形成されている。また、その反射層１３の表面の一部及び透過領域Ｋには着色層１５（例えば１５Ｒ）が形成されており、その反射層１３の表面の残りは着色層１５が形成されていない無着色領域Ｍとして形成されている。すなわち、反射領域Ｌの表面には、反射する光が着色されない無着色領域Ｍ及び反射する光が着色される着色領域が形成されることとなる。

更にその着色層１５及び光遮蔽層１４の表面と無着色領域Ｍにこれらを保護するオーバコート層１６が、またオーバコート層１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる走査線３１が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜１８が形成されている。

また、第２基板６の液晶層７側の表面にはマトリクス状に配列する複数の画素電極３２と、各画素電極３２の境界領域において上述した走査線３１と交差する方向（図４のＹ方向）に帯状に延びる複数のデータ線３３と、該画素電極３２及びデータ線３３に接続されたＴＦＤ３４が配置され、その液晶層７側には配向膜２０が形成されている。

ここで、走査線３１は所定の方向（図４のＸ方向）に延びる帯状に形成され、複数の走査線３１が相互に並列してストライプ状に構成されており、該走査線３１と画素電極３２とによって特定される領域が画素２１となる。

更に光遮蔽層１４は、各画素２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第２基板６のデータ線３３の長手方向（図４のＹ方向）及びこれに直交する方向（図４のＸ方向）に延びる帯状に形成されている。

次に、画素電極３２は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体により形成されており、当該画素電極３２に隣り合うデータ線３３とは、ＴＦＤ３４を介して接続されている。

ＴＦＤ３４は、例えば図５に示すように第２基板６の表面に成膜された下地層３５の上に形成されている。

また、ＴＦＤ３４は第１金属層３６と、該第１金属層３６の表面に形成された絶縁膜３７と、該絶縁膜３７の上に形成された第２金属層３８とによって構成されている。

ここで、第１金属層３６は例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成されており、データ線３３に接続されている。

また、絶縁膜３７は例えば厚さが１０〜３５ｎｍ程度の酸化タンタル等によって形成されている。

更に、第２金属層３８は例えば、クロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されており、画素電極３２に接続されている。

（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について簡単に説明する。なお、製造方法についても液晶パネルの構成と同様に第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。

まず、第１の実施形態と同様に第１基板５上に下地層１２を形成し、その上に透過領域Ｋ及び反射領域Ｌ（反射層１３）と光遮蔽層１４とを形成する。また、その反射領域Ｌの上に着色層１５が形成されない無着色領域Ｍと着色層１５が形成される着色領域とを形成すると共に、透過領域Ｋにも着色層１５を形成する。その後、着色層１５及び光遮蔽層１４上と無着色領域Ｍにオーバコート層１６を形成し、その上に走査線３１の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図４のようにＸ方向に所定の幅をもって走査線３１をストライプ状に形成する。

更にその上に配向膜１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板５側の製造が終了する。

次に、第２基板６上にＴＦＤ３４、データ線３３及び画素電極３２を形成する。

ここで、ＴＦＤ３４は第２基板６上にＴａ酸化物等を一様な厚さに成膜し下地層３５を形成し、その上にＴａ等をスパッタリングによって一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法によりデータ線３３と第１金属層３６とを同時に形成する。このとき、データ線３３と第１金属層３６とはブリッジでつながっている。

また、上述の第１金属層３６に絶縁膜である酸化タンタル等を一様な厚さで成膜し絶縁膜３７を形成して、更にその上にＣｒをスパッタリング等により一様な厚さで成膜し、フォトリソグラフィ法を利用して第２金属層３８を形成する。

更に画素電極３２の形成予定領域の下地層３５を除去した後、ＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、更にフォトリソグラフィ法等によって１画素の大きさに相当する所定形状の画素電極３２を一部が第２金属層３８と重なるように形成する。これら一連の処理により、ＴＦＤ３４及び画素電極３２が形成される。また、その上に配向膜２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板６側の製造が終了する。

次に、第２基板６側の配向膜２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板５側と第２基板６側とを貼り合わせる。その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する。更に、位相差板８，１０及び偏光板９，１１を第１基板５及び第２基板６の各外面上に貼着等の方法により取り付ける。

最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、液晶装置１が完成する。

（液晶装置の動作）
次に、本実施形態に係る液晶装置１の動作について簡単に説明する。

まず、外光が対向基板４側から入射し反射層１３で反射され偏光板１１から射出する反射型表示の場合について簡単に説明する。

第２基板６に形成されているデータ線３３の夫々にデータ信号を供給する一方、第１基板５側に形成されている走査線３１に走査信号を供給すると、画素電極３２と走査線３１とが対向する部分において保持されている液晶のみを駆動される。

従って、例えば第２基板６及び画素電極３２を通過して液晶層７に入射した外光は、該液晶層７によって画素２１毎に光変調され、一部は図５に示す光路Ｂのように着色層１５Ｒに入射し反射層１３で反射し、再び着色層１５Ｒに入射し液晶層７を透過し偏光板１１から射出する。この場合の射出光は２回通過する着色層１５Ｒにより着色層１５Ｒの色に着色される。

一方、残りは図５に示す光路Ｃのように着色層１５Ｒに形成された無着色領域Ｍに入射し反射層１３により反射され、そのまま再び液晶層７を透過し偏光板１１から射出する。この場合の射出光は、着色層１５Ｒが形成されていない無着色領域Ｍを通過するだけで着色層１５による吸収を受けないので、外光である例えば白色光のままとなる。

これにより、反射型表示の場合には着色層１５により着色されて反射層１３により反射された着色光と無着色領域Ｍを通過して無着色のまま反射層１３により反射された例えば白色光とが射出し、全体として色純度のよく明るいカラー画像を表示できることとなる。

次に、バックライトなどの照明装置からの光がカラーフィルタ基板３側から入射し偏光板１１から射出する透過型表示の場合について簡単に説明する。

まず、反射型表示と同様、画素電極３２と走査線３１とが対向する特定の画素２１において保持されている液晶のみが駆動される。

そして、第１基板５に入射した光は図５に示す光路Ｄのように透過領域Ｋに入射し、そのまま反射されずに透過し着色層１５Ｒに入射する。ここで、着色層１５Ｒの色に着色され、液晶層７を透過し偏光板１１から射出する。この場合の射出光は、１回通過する着色層１５Ｒにより明るさを保ちながら着色層１５Ｒの色に着色される。

このように本実施形態によれば、液晶装置１は第１基板５上に配置され、画素内に少なくとも１つの透過領域Ｋと反射領域Ｌとを有し、該反射領域上に形成された着色領域と、反射領域Ｌ上に該画素上での位置を片寄らせないように形成された少なくとも１つの無着色領域Ｍとを具備することとしたので、反射型表示時に反射領域Ｌで反射される光の一部が無着色領域Ｍを通過し、着色層１５で着色されない白色光として表示画面に現れ、全体的に反射率を向上させることができる。これにより、表示の際の明るさを十分確保できることとなる。

また、第１基板５上での透過領域Ｋと無着色領域Ｍとの位置が、例えば赤、緑及び青の三色夫々ごとで形成される１つの画素２１で片寄らないように形成されているので、反射光と透過光とで表示にずれが生じたり、その表示が粗くなったりすることを防ぐことができる。

更に、本実施形態ではＴＦＤ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、消費電力及び製造コストを低く抑えられる。

（第３の実施形態）
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として三端子型スイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）を用いた液晶装置に適用した第３の実施形態について説明する。なお、第３の実施形態は第１の実施形態のパッシブマトリックス方式に対しＴＦＴ（三端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式である点を除けば第１の実施形態と同様であるので、異なる点を中心に説明する。また、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。

ここで、図７は本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの対向基板の概略平面図、図８は図７の液晶パネルの概略断面図（図７におけるＧ−Ｇ′線及びＨ−Ｈ′線の断面図が図８に相当する。）及び図９は本実施形態に係る液晶パネルの概略斜視図である。

（液晶パネルの構成）
まず、第１基板５の液晶層７側の表面には、図８及び図９に示すように第１の実施形態と同様に下地層１２が形成され、その下地層１２の表面には反射層１３が形成されていない透過領域Ｋと光を反射する反射領域Ｌである反射層１３及び光を遮蔽する光遮蔽層１４が形成されている。また、その反射層１３の表面の一部及び透過領域Ｋには着色層１５（例えば１５Ｒ）が形成されており、その反射層１３の表面の残りは着色層１５が形成されていない無着色領域Ｍとして形成されている。すなわち、反射領域Ｌの表面には、反射する光が着色されない無着色領域Ｍ及び反射する光が着色される着色領域が形成されることとなる。

更にその着色層１５及び光遮蔽層１４の表面と無着色領域Ｍにこれらを保護するオーバコート層１６が、またオーバコート層１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる共通電極５１が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜１８が形成されている。

次に、第２基板６の液晶層７側の表面には、マトリクス状に配列する複数の画素電極５２と、各画素電極５２の境界領域においてゲート配線５３及びソース配線５４とが直交するように配置され（ゲート配線５３が図７のＹ方向、ソース配線５４がＸ方向）、その配線の交差部分付近にはＴＦＴ５５が設けられ、更にその上には配向膜２０が形成されている。

ここで、共通電極５１はオーバコート層１６の表面全域に形成された面電極であり、ゲート配線５３とソース配線５４とによって囲まれる領域が、画素２１となる。

更に光遮蔽層１４は、各画素２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に第２基板６のゲート配線５３の長手方向（図７のＹ方向）及びこれに直交する方向（図７のＸ方向）に延びる帯状に形成されている。

次に、ＴＦＴ５５は、第２基板６上に形成されたゲート電極５６と、このゲート電極５６の上で第２基板６の全域に形成されたゲート絶縁膜５７と、このゲート絶縁膜５７を挟んでこのゲート電極５６の上方位置に形成された半導体層５８と、その半導体層５８の一方側にコンタクト電極５９を介して形成されたソース電極６０と、更に半導体層５８の他方の側にコンタクト電極５９を介して形成されたドレイン電極６１とを有する。

ここで、ゲート電極５６はゲート配線５３に接続され、ソース電極６０はソース配線５４に接続されている。ゲート配線５３は第２基板６の平面方向に伸びていて縦方向（図７のＹ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。

また、ソース配線５４はゲート絶縁膜５７を挟んでゲート配線５３と交差するように第２基板６の平面方向に伸びていて横方向（図７のＸ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。

画素電極５２は、互いに交差するゲート配線５３とソース配線５４とによって区画される方形領域のうち、ＴＦＴ５５に対応する部分を除いた領域を覆うように構成され、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体により形成されている。

更に、ゲート配線５３とゲート電極５６とは例えば、クロム、タンタル等によって形成され、ゲート絶縁膜５７は例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）等によって形成される。又、ソース電極６０及びそれと一体的なソース配線５４並びにドレイン電極６１は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって成形されている。

（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について簡単に説明する。なお、製造方法についても液晶パネルの構成と同様に第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。

まず、第１の実施形態と同様に第１基板５上に下地層１２を形成し、その上に透過領域Ｋ及び反射領域Ｌ（反射層１３）と光遮蔽層１４とを形成する。また、その反射領域Ｌの上に着色層１５が形成されない無着色領域Ｍと着色層１５が形成される着色領域とを形成すると共に、透過領域Ｋにも着色層１５を形成する。その後、着色層１５及び光遮蔽層１４上と無着色領域Ｍにオーバコート層１６を形成し、その上に共通電極５１の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングしてオーバコート層１６の上面に共通電極５１を形成する。

更にその上に配向膜１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板５側の製造が終了する。

次に、第２基板６上にＴＦＴ５５、ゲート配線５３、ソース配線５４及び画素電極５２等を形成する。

ここで、ＴＦＴ５５は第２基板６上に例えば、スパッタリングによってクロム、タンタル等を一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法によりパターニングしてゲート配線５３及びそれと一体的なゲート電極５６を形成し、更に例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって窒化シリコンからなるゲート絶縁膜５７を形成する。

また、例えば半導体層５８となるａ−Ｓｉ層とコンタクト電極５９となるｎ＋型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成し、更に形成されたｎ＋型ａ−Ｓｉ層及びａ−Ｓｉ層のパターニングを行って半導体層５８及びコンタクト電極５９とを形成すると共に、ゲート絶縁膜５７上の画素電極５２となる部分にＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして画素電極５２を形成する。

また、第２基板６の表面の全域に例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等をスパッタリングによって形成し、パターニングを行ってソース電極６０、ドレイン電極６１及びソース配線５４を形成する。これら一連の処理により、ＴＦＴ５５及び画素電極５２が形成される。更にその上に配向膜２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板６側の製造が終了する。

次に、第２基板６側の配向膜２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板５側と第２基板６側とを貼り合わせる。その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する。更に、位相差板８，１０及び偏光板９，１１を第１基板５及び第２基板６の各外面上に貼着等の方法により取り付ける。

最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、液晶装置１が完成する。

（液晶装置の動作）
次に、本実施形態に係る液晶装置１の動作について簡単に説明する。

まず、外光が対向基板４側から入射し反射層１３で反射され偏光板１１から射出する反射型表示の場合について簡単に説明する。

第１基板５に形成されている共通電極５１に信号を提供する一方、第２基板６に形成されているゲート配線５３とソース配線５４に信号を提供すると、画素２１毎に画素電極５２が選択され、この選択された画素電極５２と共通電極５１との間に保持される液晶のみが、電圧が印加されることによって液晶の配向が制御され、反射光が変調される。

従って、例えば第２基板６及び画素電極５２を通過して液晶層７に入射した外光は、該液晶層７によって画素２１毎に光変調され、一部は図８に示す光路Ｂのように着色層１５Ｒに入射し反射層１３で反射し、再び着色層１５Ｒに入射し液晶層７を透過し偏光板１１から射出する。この場合の射出光は２回通過する着色層１５Ｒにより着色層１５Ｒの色に着色される。

一方、残りは図８に示す光路Ｃのように着色層１５Ｒに形成された無着色領域Ｍに入射し反射層１３により反射され、そのまま再び液晶層７を透過し偏光板１１から射出する。この場合の射出光は、着色層１５Ｒが形成されていない無着色領域Ｍを通過するだけで着色層１５による吸収を受けないので、外光である例えば白色光のままとなる。

これにより、反射型表示の場合には着色層１５により着色されて反射層１３により反射された着色光と無着色領域Ｍを通過して無着色のまま反射層１３により反射された例えば白色光とが射出し、全体として色純度のよく明るいカラー画像を表示できることとなる。

次に、バックライトなどの照明装置からの光がカラーフィルタ基板３側から入射し偏光板１１から射出する透過型表示の場合について簡単に説明する。

まず、反射型表示と同様、選択された画素電極５２と共通電極５１との間に保持される液晶のみが、電圧が印加されることによって液晶の配向が制御され、透過光が変調される。

そして、第１基板５に入射した光は図８に示す光路Ｄのように透過領域Ｋに入射し、そのまま反射されずに透過し着色層１５Ｒに入射する。ここで、着色層１５Ｒの色に着色され、液晶層７を透過し偏光板１１から射出する。この場合の射出光は、１回通過する着色層１５Ｒにより明るさを保ちながら着色層１５Ｒの色に着色される。

このように本実施形態によれば、液晶装置１は第１基板５上に配置され、画素内に少なくとも１つの透過領域Ｋと反射領域Ｌとを有し、該反射領域上に形成された着色領域と、反射領域Ｌ上に該画素上での位置を片寄らせないように形成された少なくとも１つの無着色領域Ｍとを具備することとしたので、反射型表示時に反射領域Ｌで反射される光の一部が無着色領域Ｍを通過し、着色層１５で着色されない白色光として表示画面に現れ、全体的に反射率を向上させることができる。これにより、表示の際の明るさを十分確保できることとなる。

また、第１基板５上での透過領域Ｋと無着色領域Ｍとの位置が、例えば赤、緑及び青の三色夫々ごとで形成される１つの画素２１で片寄らないように形成されているので、反射光と透過光とで表示にずれが生じたり、その表示が粗くなったりすることを防ぐことができる。

更に、本実施形態ではＴＦＴ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、コントラストを更に強くできる。

（電子機器）
次に、上述した液晶装置１を備えた本発明の第４実施形態に係る電子機器について説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。

図１０は本発明の第４の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成を示す概略構成図である。

電子機器２００は、表示制御系として例えば図１０に示すように液晶パネル２及び表示制御回路２９０などを備え、その表示制御回路２９０は表示情報出力源２９１、表示情報処理回路２９２、電源回路２９３及びタイミングジェネレータ２９４などを有する。

また、液晶パネル２には表示領域Aを駆動する駆動回路２６１を有する。

表示情報出力源２９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源２９１は、タイミングジェネレータ２９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路２９２に供給するように構成されている。

また、表示情報処理回路２９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２６１へ供給する。駆動回路２６１は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路２９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。

このように本実施形態によれば、電子機器２００は第１基板５上に配置され、画素内に少なくとも１つの透過領域Ｋと反射領域Ｌとを有し、該反射領域上に形成された着色領域と、反射領域Ｌ上に該画素上での位置を片寄らせないように形成された少なくとも１つの無着色領域Ｍとを具備することとしたので、反射型表示時に反射領域Ｌで反射される光の一部が無着色領域Ｍを通過し、着色層１５で着色されない白色光として表示画面に現れ、全体的に反射率を向上させることができる。これにより、電子機器２００の表示の際の明るさを十分確保できることとなる。

また、第１基板５上での透過領域Ｋと無着色領域Ｍとの位置が、例えば赤、緑及び青の三色夫々ごとで形成される１つの画素２１で片寄らないように形成されているので、電子機器２００の表示で反射光と透過光とで表示にずれが生じたり、その表示が粗くなったりすることを防ぐことができる。

特に携帯可能な電子機器にあっては、室外で使用しても画面表示が鮮明であることが求められており、例えば外光による反射型表示においても反射率が高く、カラー画像の明瞭化が図れる本発明の意義は大きいといえる。

具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１が適用可能なのは言うまでもない。

なお、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば、上述した電気光学装置はいずれも液晶パネルを有する液晶表示装置であるが、無機或は有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ‐Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置であってもよい。

以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。

例えば、上述の実施形態では透過領域Ｋ及び反射領域Ｌと無着色領域Ｍ及び着色領域とは両方とも第１基板５上に配置するものとしたが、これに限られるものではなく、組み立て精度が向上すれば夫々別々の基板に形成してもよい。これにより、透過領域Ｋ及び反射領域Ｌ（反射層１３）と無着色領域Ｍ及び着色領域とを別々の基板に形成し、反射型表示においても反射率を高くできる。

第１の実施形態に係るカラーフィルタ基板の概略平面図である。 図１のＡ−Ａ´線の断面図である。 第１の実施形態に係る液晶パネルの概略斜視図である。 第２の実施形態に係る対向基板の概略平面図である。 図４におけるＥ−Ｅ´線及びＦ−Ｆ´の断面図である。 第２の実施形態に係る液晶パネルの概略斜視図である。 第３の実施形態に係る対向基板の概略平面図である。 図７におけるＧ−Ｇ′線及びＨ−Ｈ′線の断面図である。 第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略斜視図である。 第４の実施形態に係る電子機器の表示制御系の概略構成図である。

符号の説明

１ 液晶装置、 ２ 液晶パネル、 ３ カラーフィルタ基板、 ４ 対向基板、 ５ 第１基板、 ６ 第２基板、 ７ 液晶層、 ８，１０ 位相差板、 ９，１１ 偏光板、 １２，３５ 下地層、 １３ 反射層、 １４ 光遮蔽層、 １５ 着色層（１５Ｒ（赤）、１５Ｇ（緑）、１５Ｂ（青））、 １６ オーバコート層、 １７，１９ 透明電極、 １８，２０ 配向膜、 ２１ 画素、 ２２，２３ 開口部、 ３１ 走査線、 ３２，５２ 画素電極、 ３３ データ線、 ３４ ＴＦＤ、 ３６ 第１金属層、 ３７ 絶縁膜、 ３８ 第２金属層、 ５１ 共通電極、 ５３ ゲート配線、 ５４ ソース配線、 ５５ ＴＦＴ、 ５６ ゲート電極、 ５７ ゲート絶縁膜、 ５８ 半導体層、 ５９ コンタクト電極、 ６０ ソース電極、 ６１ ドレイン電極、 ２００ 電子機器、 ２６１ 駆動回路、 ２９０ 制御回路、 Ｋ 透過領域、 Ｌ 反射領域、 Ｍ 無着色領域

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板上に配置され、画素内に２つ以上の透過領域と少なくとも１つの反射領域とを有し、
   前記反射領域上に形成された着色領域と、前記反射領域上に前記画素上での位置を片寄らせないように形成された２つ以上の無着色領域とを具備し、
   前記透過領域と前記無着色領域とは、前記画素ごとに、該透過領域同士及び無着色領域同士が夫々前記画素内の対角線上に位置することを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 複数の前記画素を有し、該複数の画素は赤の着色領域、緑の着色領域、青の着色領域を有し、該緑の着色領域を有する画素内の無着色領域の面積が赤若しくは青の着色領域を有する画素内の夫々の無着色領域の面積より大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
3. 前記透過領域は、前記画素の長手方向に該透過領域の長手方向が略一致するスリット状に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置用基板。
4. 電気光学材料を狭持する一対の基板と、
   前記一対の基板のうちいずれか一方の基板の前記電気光学材料側に配置され、画素内に２つ以上の透過領域と少なくとも１つの反射領域とを有し、
   前記いずれか一方の基板若しくは前記一対の基板のうちの他方の基板の電気光学材料側に前記反射領域に対応するように形成された着色領域と、前記いずれか一方の基板若しくは前記他方の基板の前記電気光学材料側に前記反射領域に対応するように配置され、前記画素上での位置を片寄らせないように形成された２つ以上の無着色領域とを具備し、
   前記透過領域と前記無着色領域とは、前記画素ごとに、該透過領域同士及び無着色領域同士が夫々前記画素内の対角線上に位置するように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
5. 前記着色領域及び無着色領域は、前記いずれか一方の基板の反射領域上に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 複数の前記画素を有し、前記複数の画素は赤の着色領域、緑の着色領域、青の着色領域を有し、該緑の着色領域を有する画素内の無着色領域の面積が赤若しくは青の着色領域を有する画素内の夫々の無着色領域の面積より大きいことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記透過領域は、前記画素の長手方向に該透過領域の長手方向が略一致するスリット状に形成されていることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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