JP4898226B2 - 縦形mosトランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
この半導体基板上に形成された第1の導電型のエピタキシャル成長層と、
エピタキシャル成長層上に形成された第2の導電型のボディ領域と、
このボディ領域を貫通し、第1導電型のエピタキシャル成長層の内部に達するように形成されたトレンチと、
ボディ領域の表面及びトレンチの壁面及び底面に沿って形成されたゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜に接し、ゲート絶縁膜に囲まれるようにトレンチ内に形成された多結晶シリコンゲートと、
多結晶シリコンゲートに接し、ゲート絶縁膜及び多結晶シリコンゲートに囲まれるようにトレンチ内に形成された金属シリサイドゲートと、
ボディ領域の表面で且つトレンチ周囲にゲート絶縁膜に接して形成された第1の導電型のソース領域と、
多結晶シリコンゲート及び金属シリサイドゲートに接続されたゲート電極と、
ソース領域に接続されたソース電極と、
半導体基板に接続されたドレイン電極とを、備えたことを特徴とする縦形MOSトランジスタとした。
ボディ領域上のトレンチ形成予定領域から該第2のボディ領域を貫通し、半導体基板の内部まで異方性エッチングを行い、トレンチを形成する工程と、
ボディ領域の表面及び前記トレンチの壁面に沿ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
ゲート絶縁膜上に多結晶シリコン層を、トレンチの幅の半分以下の層厚で堆積する工程と、
多結晶シリコン層上に金属シリサイド層を、先のトレンチ幅の半分と多結晶シリコン層の厚さの差以上の層厚で形成する工程と、
金属シリサイド層に対して、エッチングを行う工程と、
多結晶シリコン層に対してエッチングを行い、トレンチ内にゲートを形成する工程と、
ボディ領域の表面で且つゲート絶縁膜に接した領域に第1の導電型のソース領域を形成する工程とを、行うことを特徴とする縦形MOSトランジスタの製造方法とした。
まず、図3〜図5のように、第1導電型の高濃度不純物領域と低濃度エピタキシャル領域を有する半導体基板に第2導電型のボディ領域を形成し、このボディ領域を貫通するようにトレンチを形成し、このトレンチの角部の丸め処理を行い、内壁にゲート絶縁膜を形成し、高濃度不純物を含んだ多結晶シリコンをトレンチを完全に埋め込まない膜厚で堆積する。
2 第1導電型エピタキシャル層
3 第2導電型ボディ領域
4 トレンチ
5 ゲート絶縁膜
6 多結晶シリコン
7 第1導電型高濃度ソース領域
8 第2導電型高濃度ボディコンタクト領域
9 金属シリサイド
10 グレイン境界
12 シリコン酸化膜
Claims (1)
- 第1の導電型の半導体基板主表面から、第2の導電型のボディ領域を第2導電型の不純物の注入及び熱拡散により形成する工程と、
前記ボディ領域上のトレンチ形成予定領域から前記第2の導電型のボディ領域を貫通し、前記半導体基板の内部まで異方性エッチングを行い、トレンチを形成する工程と、
前記ボディ領域の表面及び前記トレンチの壁面に沿ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板主表面の全面および前記ゲート絶縁膜上に、多結晶シリコン層を、前記トレンチを完全には埋め込まない膜厚で堆積する工程と、
エッチングされていない前記多結晶シリコン層を熱酸化することでシリコン酸化膜を形成し、前記トレンチ内に堆積された前記多結晶シリコン層が埋め込んでいない領域を埋め込むまで、前記多結晶シリコン層を酸化する工程と、
前記シリコン酸化膜に対して、前記トレンチ内に形成された前記シリコン酸化膜のみが残るようにエッチングを行う工程と、
前記多結晶シリコン層に対してエッチングを行い、前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、
前記ボディ領域の表面で且つゲート絶縁膜に接した領域に第1の導電型のソース領域を形成する工程と、
からなる縦形MOSトランジスタの製造方法。
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