JP4885309B2 - 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4885309B2 JP4885309B2 JP2010539079A JP2010539079A JP4885309B2 JP 4885309 B2 JP4885309 B2 JP 4885309B2 JP 2010539079 A JP2010539079 A JP 2010539079A JP 2010539079 A JP2010539079 A JP 2010539079A JP 4885309 B2 JP4885309 B2 JP 4885309B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- layer
- alloy
- optical semiconductor
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 214
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 213
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 213
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 157
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 124
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 124
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 72
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 39
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 34
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 21
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H lead(2+);dicarbonate;dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 10
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N silver silver Chemical compound [Ag].[Ag] OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 398
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 5
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 5
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 229910017980 Ag—Sn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOBIJTFWSZQXPN-UHFFFAOYSA-N [Rh].[Ag] Chemical compound [Rh].[Ag] IOBIJTFWSZQXPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMGVPAUIBBRNCO-UHFFFAOYSA-N [Ru].[Ag] Chemical compound [Ru].[Ag] JMGVPAUIBBRNCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002140 antimony alloy Substances 0.000 description 2
- LGFYIAWZICUNLK-UHFFFAOYSA-N antimony silver Chemical compound [Ag].[Sb] LGFYIAWZICUNLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- KRRRBSZQCHDZMP-UHFFFAOYSA-N selanylidenesilver Chemical compound [Ag]=[Se] KRRRBSZQCHDZMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017827 Cu—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- FJMNNXLGOUYVHO-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc Chemical group [Al].[Zn] FJMNNXLGOUYVHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- CCXYPVYRAOXCHB-UHFFFAOYSA-N bismuth silver Chemical compound [Ag].[Bi] CCXYPVYRAOXCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M potassium thiocyanate Chemical compound [K+].[S-]C#N ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 silver-white metal oxide Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
(1) 導電性基体上に銀または銀合金からなる層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、
前記銀又は銀合金からなる層が、錫、インジウム、アンチモンの群から選ばれた1つ以上の元素を、合計で20質量%以下含み、
前記銀または銀合金からなる層の外層に、錫、インジウム、及びアンチモンからなる群から選ばれた1つ以上の元素からなる銀以外の金属の金属酸化物層を有し、該金属酸化物層は無色透明もしくは銀白色を呈し、かつ厚さが0.001μm以上0.2μm以下であり、
前記銀または銀合金からなる層と前記金属酸化物層との間には、錫、インジウム、及びアンチモンからなる群から選ばれた1つ以上の元素からなる前記銀以外の金属と銀とを含有する緩衝層が形成され、該緩衝層は銀濃度が80%以上であり、前記銀または銀合金からなる層と緩衝層との合計の厚さが0.2μm以上5.0μm以下であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
(2)JIS H8502記載の硫化試験(H 2 S 3ppm、40℃、80%)24時間後のレイティングナンバーが9.8以上であることを特徴とする、(1)記載の光半導体装置用リードフレーム。
(3)前記銀合金層と緩衝層との間に、錫、インジウム、及びアンチモンからなる群から選ばれた1つ以上の元素からなる前記銀以外の金属と銀とを含有する残存層が形成され、該残存層の銀濃度が80%未満であることを特徴とする(1)又は(2)に記載の光半導体装置用リードフレーム。
(4)前記導電性基体は、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群から選ばれた金属または合金からなることを特徴とする、(1)〜(3)のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
(5)前記導電性基体と前記銀または銀合金からなる層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が少なくとも1層形成されていることを特徴とする、(1)〜(4)のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
(6)(1)〜(5)のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、
導電性基体上に前記銀または銀合金からなる層を形成する工程と、
前記銀または銀合金からなる層の外表面に、錫、インジウム、及びアンチモンからなる群から選ばれた1つ以上の元素からなる銀以外の金属からなる金属層を形成する工程と、
100℃以上200℃以下の温度において、酸素濃度が1000ppm以上の雰囲気で1〜48時間加熱処理を施すことで、表層に前記銀以外の金属の酸化物からなる金属酸化物層を形成せしめる工程とを含むことを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、
前記加熱処理により、前記銀以外の金属を前記銀または合金からなる層に固溶させ、前記銀金属酸化物層と前記銀または銀合金からなる層との間に、銀と前記銀以外の金属とを含有する緩衝層を形成するに当たり、該緩衝層を銀濃度80%以上とすることを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
(7)前記加熱処理により、前記銀または銀合金からなる層と緩衝層との間に、銀と前記銀以外の金属とを含有する残存層が形成され、該残存層の銀濃度が80%未満であることを特徴とする(6)に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
(8)前記加熱処理前の金属層の厚さが、0.001μm以上0.3μm以下であることを特徴とする、(6)または(7)に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
(9)前記銀または銀合金からなる層を形成する工程が、めっき法による工程であることを特徴とする、(6)〜(8)のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
(10)前記導電性基体と前記銀または銀合金からなる層との間に、めっき法により中間層を形成する工程をさらに有することを特徴とする、(6)〜(9)のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
(11)前記銀以外の金属からなる金属層を形成する工程は、めっき法によることを特徴とする、(6)〜(10)のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
(12)(1)〜(5)のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、前記光半導体装置用リードフレームの少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に前記金属酸化物層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
図1に示すように、本実施態様のリードフレームは、導電性基体1上に銀または銀合金からなる層2が形成され、最外層として金属酸化物からなる金属酸化物層3が形成されており、金属酸化物層3の一部の表面上に光半導体素子4が搭載されている。図中、7はボンディングワイヤを示す。
また、本発明において「反射特性が良好」とは、波長400nm以上800nm以下の可視光の全領域において反射率が80%以上であることを意味する。
なお、図2以降の各図中の説明において、特に言及しない符号については、前出の符号と同じ意味を表すこととする。
中間層6は、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなることが好ましい。
導電性基体1および銀または銀合金からなる層2との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅または銅合金からなる中間層6を設けることで、光半導体素子の発熱によって導電性基体を構成する材料が銀または銀合金からなる層へ拡散することによる反射率特性の劣化を防ぎ、長期にわたって信頼性の高い反射率特性を得ることができる。
本発明においては、図5に示したように、残存層と緩衝層がどちらも形成される場合の各層の順序は、「導電性基体1−中間層6−銀または銀合金層2−緩衝層5−残存層5A−金属酸化物層3」であって、金属酸化物層3の上に光半導体素子4を搭載する。つまり、形成される場合には、緩衝層5の外側に(上層として)残存層5Aが存在する。
このように、本発明において、金属層を構成する金属の内で酸化されないで残存した金属(残存金属ともいう)がある場合には、この残存金属は銀または銀合金層に拡散して、この残存金属が銀または銀合金からなる層の銀に固溶した層をなしていてもよい。こうして形成された銀とその金属の固溶体からなる銀合金の層においては、最外層の金属酸化物層側から内層の銀又は銀合金層側に向かってその銀以外の金属の濃度勾配が減少している。該銀合金層は、緩衝層1層のみとして形成されるか、または、緩衝層と残存層の2層として形成される。ここで、緩衝層と残存層とは、その銀含有率によって区別され、銀80質量%以上の層を緩衝層といい、銀80質量%未満の層を残存層という。
具体的には、インジウムやスズなどの金属は最表層側(金属酸化物層3側)から濃度勾配をもって次第に含有率が減少している。したがって、インジウムやスズなどの金属は最表層近くでは濃化(より高濃度で存在)しており、すなわち銀濃度がより小さい。本発明において、残存層5とは、インジウムやスズなどの金属濃度が20質量%以上、すなわち銀濃度が80質量%未満の領域をいい、一方、緩衝層とは、インジウムやスズなどの金属濃度が20質量%未満、すなわち銀濃度が80質量%以上の領域をいう。
ここで、緩衝層5と銀合金層2とは、同一層であっても別層であってもよい。緩衝層5と銀合金層2とが同一層であるとは、元々の銀合金層(2)の組成が、そのまま緩衝層(5)の組成と同一である場合である。例えば、下層に銀層を、その上層に銀以外の金属(例えば、In)層を、それぞれめっきで設けて、これらをリフローして合金化すると、1つの層として銀合金層(例えば、Ag−In層)が得られる。この銀含有率が80質量%以上であれば、これはすなわち緩衝層である。一方、緩衝層5と銀合金層2とが別層であるとは、緩衝層5で固溶体を形成する金属と銀合金層2における金属が別異の金属である場合が挙げられる。
緩衝層が元の銀合金層に等しい、つまり、元の銀合金層がそのまま緩衝層となる場合について詳述する。銀合金層を形成せしめ、その上にインジウム等を被覆して、加熱拡散させた場合には、例えば後述の実施例に示したように、表中に示した加熱後の「銀合金層」と「緩衝層」が同一になる。つまり、実施例でリフローにより銀合金層を配設した場合、加熱後の「銀合金層」の欄に数値を記入し、緩衝層の欄には「左に同様」という意味で「←」を記入した。ちなみにこれらの実施例では銀合金層をリフロー形成させた後にインジウム等をごく薄く被覆させ、さらに低温で加熱処理を施しているので、激しい拡散は起こらず、被覆したインジウム等がそのまま酸化皮膜となっている。
残存層と緩衝層では、残存金属(Sn、In、Sb)が銀と固溶体を形成した銀合金からなっており、残存金属は単体の層としては残っておらず、かつ、残存金属は酸化されていないので酸素は含有せずに、残存金属と銀以外には他の元素は含有しない。
(1)例えば、図1〜3や図5〜7に示した実施形態のリードフレームにおいて、図4に示した実施形態のリードフレームと同様に、部分的な形成であってもよい。
(2)図3に示した実施形態のリードフレームにおいて、緩衝層5を有していてもよい。
(3)図4〜7に示した実施形態のリードフレームにおいて、緩衝層5を有さなくてもよい。
(4)前記緩衝層5を有するいずれかの実施形態(図示した形態も図示しなかった形態も両方含む)のリードフレームにおいて、緩衝層5と金属酸化物層3との間に、残存層5Aを有していてもよい。
(5)前記緩衝層5を有するいずれかの実施形態(図示した形態も図示しなかった形態も両方含む)のリードフレームにおいて、銀または銀合金層2が全て緩衝層5であってもよい。このような形態は、例えば、下層に銀層2とその上層に銀以外の金属層(例えばIn層)を別々にめっきにより設けておき、酸化するための加熱処理の前に、これらの2層にリフロー処理を施すことによって、前記2つの層を完全に合金化して1つの銀合金層としたものであり、銀合金中の銀含有率の前記定義からこの層が緩衝層5に該当する場合である。
以上まとめると、本発明のリードフレームにおいては、銀以外の金属からなる金属層から、
「金属酸化物層3」だけが形成されるか(参考例)、
「金属酸化物層3」と「緩衝層5」が形成されるか、または
「金属酸化物層3」と「緩衝層5」と「残存層5A」が形成される
3つの場合がある。このそれぞれにおいて、得られるリードフレームにおいては銀または銀合金層(2)を有さずに、これが緩衝層(5)で置き換わっていてもよい。また、金属酸化物層3を含む各層が、図4に代表的に示したように部分的に形成されていてもよい。
実施例1として、厚さ0.2mm、幅50mmの表1−1、1−2に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、以下に示すめっき処理を施し、100〜200℃で1〜48時間、大気雰囲気で恒温槽(エスペック社製)を用いて熱処理を施すことにより、表1−1、1−2に示す構成の発明例、参考例、従来例、および比較例のリードフレームを作成した。表中に示した「リフロー」処理を行った場合には、銀層と、銀以外の金属(In、Sn、Sbのいずれか)の層を先にそれぞれめっき液を用いて形成し、これに前記熱処理の前にリフローを施すことで銀合金(Ag−In、Ag−Sn、Ag−Sbのいずれか)層を形成して、その後に、金属層を設け、さらに前記と同様に加熱処理に付すことで金属酸化物層を形成した。なお、リードフレームは、特に断らない限り、図1に示す第1の実施形態のリードフレームとした。
緩衝層が元の銀合金層に等しい、つまり、元の銀合金層がそのまま緩衝層となった場合について詳述する。銀合金層を形成し、その上にインジウム等を被覆して、加熱拡散させた場合には、加熱後の「銀合金層」と「緩衝層」が同一である。具体的には、リフローにより銀合金層を配設した場合が該当する。ちなみに、これらの実施例では銀合金層をリフロー形成させた後にインジウム等をごく薄く被覆させ、さらに低温で加熱処理を施したので、激しい拡散は起こらず、被覆したインジウム等がそのまま酸化皮膜となった。
また、「SUS304」、および「42アロイ」は鉄系基体を表し、「SUS304」は日本工業規格(JIS G 4305:2005)規定のステンレス鋼(Fe−18Cr−8Ni−0.06C)、「42アロイ」は42質量%Ni含有鉄合金を表す。
[電解脱脂]
脱脂液:NaOH 60g/リットル
脱脂条件:2.5A/dm2、温度60℃、脱脂時間60秒
[酸洗]
酸洗液:10%硫酸
酸洗条件:30秒 浸漬、室温
[亜鉛置換]基体がアルミニウムの時に使用
亜鉛置換液:NaOH 500g/リットル、ZnO 100g/リットル、酒石酸(C4H6O6) 10g/リットル、FeCl2 2g/リットル
処理条件:30秒 浸漬、室温
(めっき条件)
めっき液:CuSO4・5H2O 250g/リットル、H2SO4 50g/リットル
、NaCl 0.1g/リットル
めっき条件:電流密度 6A/dm2、温度 40℃
[Niめっき]
めっき液:Ni(SO3NH2)2・4H2O 500g/リットル、NiCl2 30g/リットル、H3BO3 30g/リットル
めっき条件:電流密度 5A/dm2、温度 50℃
[Coめっき]
めっき液:Co(SO3NH2)2・4H2O 500g/リットル、CoCl2 30g/リットル、H3BO3 30g/リットル
めっき条件:電流密度 5A/dm2、温度 50℃
めっき液:AgCN 50g/リットル、KCN 100g/リットル、K2CO3 30g/リットル
めっき条件:電流密度 1A/dm2、温度 30℃
[Ag−Sn合金めっき](リフローせず)
めっき液:KCN 100g/リットル、NaOH 50g/リットル、AgCN 10g/リットル、K2Sn(OH)6 80g/リットル
めっき条件:電流密度 1A/dm2、温度 40℃
[Ag−Pd合金めっき](リフローせず)
めっき液:KAg[CN]2 20g/リットル、PdCl2 25g/リットル、K4O7P2 60g/リットル、KSCN 150g/リットル
めっき条件:電流密度 0.5A/dm2、温度 40℃
[Ag−In合金めっき](リフローせず)
めっき液:KCN 100g/リットル、NaOH 50g/リットル、AgCN 10g/リットル、InCl3 1〜20g/リットル
めっき条件:電流密度 2A/dm2、温度 30℃
めっき液:SnSO4 80g/リットル、H2SO4 80g/リットル
めっき条件:電流密度 2A/dm2、温度 30℃
[Inめっき]
めっき液:InCl3 45 g/リットル、KCN 150g/リットル、KOH 35g/リットル、デキストリン 35g/リットル
めっき条件:電流密度 2A/dm2、温度 20℃
[Sbめっき]
めっき液:KSb(C4H2O6)・1.5H2O 100g/リットル、KNaC4H4O6・4H2O 50g/リットル、KOH 10g/リットル
めっき条件:電流密度 1A/dm2、温度 30℃
前記Snめっき、Inめっき、Sbめっきは、Agめっき後に行い、さらにリフローに付すことでそれぞれAg−Sn合金、Ag−In合金、Ag−Sb合金に、合金化した。
上記条件により得られた、発明例、比較例、および従来例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。その結果を表2−1、2−2に示す。
(1)反射率測定:分光光度計(U−4100(商品名、日立ハイテクノロジーズ社製))において、全反射率を400nm〜800nmにかけて連続測定を実施した。このうち、400nm、600nm、および800nmにおける反射率(%)を表2−1、2−2に示す。
(2)金属酸化物層の厚さ:AES測定装置(Model−680(商品名、アルバック・ファイ社製))において、深さ方向分析を実施、スパッタレートを厚さに換算して厚さを算出した。測定された金属酸化物層、残存層、緩衝層の厚さを表1−1、1−2に示す。なお、測定結果から、銀の含有率が80質量%未満の領域を残存層、80%質量以上の領域を緩衝層とした。
(3)耐食性:硫化試験(JIS H8502記載)、H2S 3ppm、24時間後の腐食状態について、レイティングナンバー(RN)評価を実施した。結果を表2−1、2−2に示す。なお、ここで、レイティングナンバーが9以上の場合は、光半導体素子(LED素子)を40000時間点灯しても輝度の低下が数%程度と小さいことを意味する。
(4)硫化試験後の反射率測定:反射率測定:分光光度計(U−4100(商品名、日立ハイテクノロジーズ社製))において、全反射率を400nm〜800nmにかけて連続測定を実施した。この結果から、耐食性として、600nmにおいて、硫化試験後の反射率の硫化試験前の反射率に対する比(%)を求めた。結果を表2−1、2−2に示す。
(5)放熱性(熱伝導性):導電性基材の導電率がIACS(International Annealed Copper Standard)で10%以上であるものを熱伝導性が高いとして「良」とし、10%未満であるものを熱伝導性が低いとして「否」とし、表2−1、2−2に示した。これは、導電率と熱伝導性はほぼ比例関係にあり、IACSで10%以上の導電率があるものは熱伝導性がよく放熱性も高いと判断されるためである。また、導電性基材の導電率が高いと、導電性基材自体の発熱も抑制できて好ましいためである。なお、この項目は参考のために示すものであり、上記(1)〜(4)の各項目の評価を満足すれば、(5)の項目の評価を満足しなくとも、そのサンプルは高い放熱性が要求されないような用途を選択することにより実用上問題ない。
発明例と比較例2、3、6、8では、インジウムなどの金属からなる金属層で被覆し、加熱処理を施すと、該金属の残存分が銀層の表層側に拡散することによって、緩衝層または残存層が形成された。従って、緩衝層や残存層に含まれる銀の量に応じて、金属層厚≠(金属酸化物層厚+緩衝層厚+残存層厚)であった。表には、各層の厚さとして、前記拡散後の厚さを表した。
発明例7〜8と比較例4では、銀めっきとその上に設けたインジウムめっき錫めっきなどをリフローに付したことによって、インジウムやスズなどで被覆する前に銀合金層を形成した。この銀合金層では、予めリフロー処理に付したため、銀と他の金属が均一に拡散されていて濃度分布が均一な銀合金であり、前記本発明における緩衝層の定義から表中の緩衝層である。また、最表層の金属層厚は薄いため、全てが加熱後、酸化皮膜となった。そして、表記際の厚さについては拡散後の厚さを表した。
比較例5では、1μmのAg−In合金を予めリフロー処理によって形成せしめ、しかもその温度が600℃と高温であったので、銀合金層中のインジウムの一部が表層側に上がり、濃化した。リフロー後に加熱処理を施したことによって、濃化分が薄い酸化皮膜となったが、十分な耐食性は得られなかった。なお、上記と同様に、表中の厚さは拡散後の厚さで表した。
比較例6では、「加熱処理なし」なので、インジウムは表層に濃化して残存した。若干、めっき後に銀と拡散し、緩衝層を形成したが、加熱処理を行った他の試験例と比較して、緩衝層の厚さは極めて薄くなった。この比較例6では、熱処理後の拡散後ではないので、最表層にインジウム被覆を行った直後の厚さを表中に示した。
2 銀または銀合金からなる層
3 金属酸化物層
4 光半導体素子
5 緩衝層
6 中間層
7 ボンディングワイヤ
Claims (12)
- 導電性基体上に銀または銀合金からなる層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、
前記銀又は銀合金からなる層が、錫、インジウム、アンチモンの群から選ばれた1つ以上の元素を、合計で20質量%以下含み、
前記銀または銀合金からなる層の外層に、錫、インジウム、及びアンチモンからなる群から選ばれた1つ以上の元素からなる銀以外の金属の金属酸化物層を有し、該金属酸化物層は無色透明もしくは銀白色を呈し、かつ厚さが0.001μm以上0.2μm以下であり、
前記銀または銀合金からなる層と前記金属酸化物層との間には、錫、インジウム、及びアンチモンからなる群から選ばれた1つ以上の元素からなる前記銀以外の金属と銀とを含有する緩衝層が形成され、該緩衝層は銀濃度が80%以上であり、前記銀または銀合金からなる層と緩衝層との合計の厚さが0.2μm以上5.0μm以下であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。 - JIS H8502記載の硫化試験(H 2 S 3ppm、40℃、80%)24時間後のレイティングナンバーが9.8以上であることを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置用リードフレーム。
- 前記銀合金層と緩衝層との間に、錫、インジウム、及びアンチモンからなる群から選ばれた1つ以上の元素からなる前記銀以外の金属と銀とを含有する残存層が形成され、該残存層の銀濃度が80%未満であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体装置用リードフレーム。
- 前記導電性基体は、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群から選ばれた金属または合金からなることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
- 前記導電性基体と前記銀または銀合金からなる層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が少なくとも1層形成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、
導電性基体上に前記銀または銀合金からなる層を形成する工程と、
前記銀または銀合金からなる層の外表面に、錫、インジウム、及びアンチモンからなる群から選ばれた1つ以上の元素からなる銀以外の金属からなる金属層を形成する工程と、
100℃以上200℃以下の温度において、酸素濃度が1000ppm以上の雰囲気で1〜48時間加熱処理を施すことで、表層に前記銀以外の金属の酸化物からなる金属酸化物層を形成せしめる工程とを含むことを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、
前記加熱処理により、前記銀以外の金属を前記銀または合金からなる層に固溶させ、前記銀金属酸化物層と前記銀または銀合金からなる層との間に、銀と前記銀以外の金属とを含有する緩衝層を形成するに当たり、該緩衝層を銀濃度80%以上とすることを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 前記加熱処理により、前記銀または銀合金からなる層と緩衝層との間に、銀と前記銀以外の金属とを含有する残存層が形成され、該残存層の銀濃度が80%未満であることを特徴とする請求項6に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記加熱処理前の金属層の厚さが、0.001μm以上0.3μm以下であることを特徴とする、請求項6または7に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記銀または銀合金からなる層を形成する工程が、めっき法による工程であることを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記導電性基体と前記銀または銀合金からなる層との間に、めっき法により中間層を形成する工程をさらに有することを特徴とする、請求項6〜9のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記銀以外の金属からなる金属層を形成する工程は、めっき法によることを特徴とする、請求項6〜10のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、前記光半導体装置用リードフレームの少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に前記金属酸化物層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010539079A JP4885309B2 (ja) | 2009-07-10 | 2010-06-23 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009164132 | 2009-07-10 | ||
JP2009164132 | 2009-07-10 | ||
JP2010131605 | 2010-06-09 | ||
JP2010131605 | 2010-06-09 | ||
PCT/JP2010/060672 WO2011004711A1 (ja) | 2009-07-10 | 2010-06-23 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置 |
JP2010539079A JP4885309B2 (ja) | 2009-07-10 | 2010-06-23 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4885309B2 true JP4885309B2 (ja) | 2012-02-29 |
JPWO2011004711A1 JPWO2011004711A1 (ja) | 2012-12-20 |
Family
ID=43429134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010539079A Expired - Fee Related JP4885309B2 (ja) | 2009-07-10 | 2010-06-23 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120168810A1 (ja) |
EP (1) | EP2453491A4 (ja) |
JP (1) | JP4885309B2 (ja) |
KR (1) | KR101485226B1 (ja) |
CN (1) | CN102473830B (ja) |
TW (1) | TWI496325B (ja) |
WO (1) | WO2011004711A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8737089B2 (en) * | 2010-09-27 | 2014-05-27 | Micro Stamping Corporation | Lead frames for capacitors |
JP5767521B2 (ja) * | 2011-07-21 | 2015-08-19 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
JP6015231B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-10-26 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用基板及びその製造方法、並びにled素子搭載用基板を用いた半導体装置 |
JP6038598B2 (ja) * | 2012-11-08 | 2016-12-07 | パナソニック デバイスSunx竜野株式会社 | Ledパッケージ、led発光素子及びそれらの製造方法 |
TW201338219A (zh) * | 2012-03-12 | 2013-09-16 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體元件 |
KR101757786B1 (ko) * | 2012-05-18 | 2017-07-14 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 표면수식 금속산화물 입자재료, 분산액, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 수지 복합체, 광반도체 발광 장치, 조명 기구 및 액정 화상 장치 |
TWI468090B (zh) * | 2013-01-15 | 2015-01-01 | Hsin Sun Engineering Co Ltd | Method for manufacturing high reflector thermal conductive metal carrier plate and high reflection heat conducting metal carrier plate |
JP6232792B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9859481B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-01-02 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP6701711B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2020-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9590158B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-03-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP6653139B2 (ja) * | 2015-07-24 | 2020-02-26 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム及びその製造方法 |
US10622531B2 (en) * | 2017-09-28 | 2020-04-14 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
TWI796980B (zh) * | 2022-03-28 | 2023-03-21 | 新唐科技股份有限公司 | 半導體材料及包含其之半導體結構 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000180848A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 液晶表示素子用基板およびそれを用いた反射型液晶表示素子 |
JP2004207769A (ja) * | 2004-04-16 | 2004-07-22 | Showa Denko Kk | 透光性電極およびその作製方法 |
JP2008072013A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2008192635A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置、リードフレームおよび光半導体装置の製造方法 |
JP2009135355A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-18 | Hitachi Cable Precision Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに受発光装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5759369A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-09 | Hitachi Cable Ltd | Conductor coated heat resisting silver |
JPS61148883A (ja) | 1984-12-22 | 1986-07-07 | Toshiba Corp | 光半導体装置用リ−ドフレ−ム |
CN1237376C (zh) * | 2001-04-24 | 2006-01-18 | 三井化学株式会社 | 灯反射器和反射器 |
JP2005129970A (ja) | 2005-02-08 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
JP4383481B2 (ja) | 2005-02-18 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | 燃料電池システム |
TWI394300B (zh) * | 2007-10-24 | 2013-04-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 光電元件之封裝結構及其製造方法 |
JP4367457B2 (ja) | 2006-07-06 | 2009-11-18 | パナソニック電工株式会社 | 銀膜、銀膜の製造方法、led実装用基板、及びled実装用基板の製造方法 |
US7967476B2 (en) * | 2007-07-04 | 2011-06-28 | Nichia Corporation | Light emitting device including protective glass film |
EP2232595A4 (en) * | 2007-12-24 | 2011-06-22 | Samsung Led Co Ltd | LEUCHTDIODENKAPSELUNG |
JP2010131605A (ja) | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Tamura Seisakusho Co Ltd | はんだコート形成材料及びはんだコート形成材料の製造方法 |
-
2010
- 2010-06-23 KR KR1020127001999A patent/KR101485226B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-06-23 US US13/382,995 patent/US20120168810A1/en not_active Abandoned
- 2010-06-23 CN CN201080034641.9A patent/CN102473830B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-23 JP JP2010539079A patent/JP4885309B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-23 WO PCT/JP2010/060672 patent/WO2011004711A1/ja active Application Filing
- 2010-06-23 EP EP10797022.0A patent/EP2453491A4/en not_active Withdrawn
- 2010-06-23 TW TW099120388A patent/TWI496325B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000180848A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 液晶表示素子用基板およびそれを用いた反射型液晶表示素子 |
JP2004207769A (ja) * | 2004-04-16 | 2004-07-22 | Showa Denko Kk | 透光性電極およびその作製方法 |
JP2008072013A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2008192635A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置、リードフレームおよび光半導体装置の製造方法 |
JP2009135355A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-18 | Hitachi Cable Precision Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに受発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120168810A1 (en) | 2012-07-05 |
WO2011004711A1 (ja) | 2011-01-13 |
KR101485226B1 (ko) | 2015-01-22 |
CN102473830A (zh) | 2012-05-23 |
EP2453491A4 (en) | 2014-01-08 |
KR20120036991A (ko) | 2012-04-18 |
CN102473830B (zh) | 2015-04-29 |
TWI496325B (zh) | 2015-08-11 |
EP2453491A1 (en) | 2012-05-16 |
JPWO2011004711A1 (ja) | 2012-12-20 |
TW201110427A (en) | 2011-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4885309B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置 | |
JP4763094B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
US8338926B2 (en) | Lead frame for optical semiconductor devices, method of producing the same, and optical semiconductor device | |
WO2010150824A1 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 | |
JP5089795B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 | |
JP5578960B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
WO2011158811A1 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 | |
JP5695841B2 (ja) | Led用リードフレーム | |
JP5525315B2 (ja) | Led用リードフレーム | |
JP5767521B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
JP2011222680A (ja) | 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
JP2012151289A (ja) | 光半導体実装用基板、その製造方法、及び光半導体装置 | |
JP5839861B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 | |
JP2011129658A (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 | |
JP5554155B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置 | |
JP2014072247A (ja) | 長期信頼性を有する高反射率光半導体装置用リードフレーム用基体、それを用いた光半導体装置用リードフレームとその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111108 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4885309 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |