JP4880624B2 - 気相成長用サセプター及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)従来のサセプターでは、サセプター本体である黒鉛基材そのものについては、当然、半導体用サセプターとして製造の最終段階で必要な純化処理がなされているわけであるが、SiCコーティングの前にその黒鉛基材の表面をさらに高温下でハロゲンを含むガスにより乾式洗浄することは一般に行われていないこと。
(2)また、2回目のコーティングの際にサセプターを炉出して治具による支持位置を変更した後、再び炉入れするという作業が行われること。
また、別の観点による本発明の気相成長用サセプターは、黒鉛基材の表面に炭化ケイ素膜が被覆された気相成長用サセプターにおいて、前記炭化ケイ素膜を少なくとも2回以上被覆し且つ、前記工程毎に最表面を高温下でハロゲンを含むガスによる乾式洗浄により、最表面の不純物量が、B、Na、Mg、Al、Ca、Cr、Fe、Ni及びCuのいずれの元素においても1.0×10 11 atoms/cm 2 以下である。
(実施例)
12.5μΩm(室温時)及び12.0μΩm(1150℃)の固有抵抗を有し、嵩密度が1800kg/m3 の等方性黒鉛を円盤状(直径740mm、厚み18mm)に削り出した後、エンドミルにて直径150mm、深さ0.7mmのウェハ収納載置用座ぐり凹部を複数加工した。さらに、ハロゲン含有ガス雰囲気中2400℃に加熱して高純度処理した高純度黒鉛基材からなるパンケーキ型のサセプター本体(図1の1に相当)を得た。
〔表面洗浄条件〕:
(1)使用ガスとその濃度:塩素ガス(Cl2 濃度:7%)
(2)キャリアガス:水素ガス
(3)洗浄温度:1200℃
(4)洗浄圧力:100hPa
(5)洗浄時間:30分
〔CVD条件〕:
(6)原料ガス:三塩化シラン(SiHCl3 ),水素ガス及びプロパンガス(C3 H8)
(7)温度:1300℃
(8)時間:90分
(9)炉内圧力:10kPa(ダイアフラム式圧力計にて測定)
実施例1で得たサセプター本体に対し、従来の方法で直ちにCVD処理して、その表面にSiC膜を1層、2層と順次コーティングし、同一厚みのSiC膜が形成されたサセプター(従来型サセプター)を得た。
1a サセプター本体の表面
2 SiC膜(第1層)
2a SiC膜(第1層)の表面
3 SiC膜(第2層)
3a SiC膜(第2層)の表面
L SiC膜全体の厚み
Claims (7)
- 黒鉛基材の表面に炭化ケイ素膜が被覆された気相成長用サセプターにおいて、
前記炭化ケイ素膜の最表層膜表面の不純物量が、B、Na、Mg、Al、Ca、Cr、Fe、Ni及びCuのいずれの元素においても1.0×1011atoms/cm2以下であることを特徴とする気相成長用サセプター。 - 黒鉛基材の表面に炭化ケイ素膜が被覆された気相成長用サセプターにおいて、前記炭化ケイ素膜を少なくとも2回以上被覆し且つ、前記炭化ケイ素膜の最表面を高温下でハロゲンを含むガスによる乾式洗浄により、前記最表面の不純物量が、B、Na、Mg、Al、Ca、Cr、Fe、Ni及びCuのいずれの元素においても1.0×10 11 atoms/cm 2 以下であることを特徴とする気相成長用サセプター。
- 前記ハロゲンを含むガスが、塩素ガスであることを特徴とする請求項2に記載の気相成長用サセプター。
- 座ぐり凹部が形成された黒鉛基材の表面に、炭化ケイ素膜を複数回被覆する炭化ケイ素膜被覆工程と、
前記炭化ケイ素膜被覆工程において被覆された最表層の前記炭化ケイ素膜を、高温下でハロゲンを含むガスにより乾式洗浄する工程とを有することを特徴とする気相成長用サセプターの製造方法。 - 前記最表層炭化ケイ素膜乾式洗浄工程において、前記最表層の炭化ケイ素膜の表面の不純物量が、B、Na、Mg、Al、Ca、Cr、Fe、Ni及びCuのいずれの元素においても1.0×1011 atoms/cm2以下になることを特徴とする請求項4に記載の気相成長用サセプターの製造方法。
- 前記炭化ケイ素膜被覆工程の前に、前記黒鉛基材の表面を高温下でハロゲンを含むガスにより乾式洗浄する黒鉛基材乾式洗浄工程と、
前記炭化ケイ素膜被覆工程において形成された前記炭化ケイ素膜を高温下でハロゲンを含むガスにより乾式洗浄する炭化ケイ素膜乾式洗浄工程とを有することを特徴とする請求項4又は5に記載の気相成長用サセプターの製造方法。 - 前記ハロゲンを含むガスが、塩素ガスであることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の気相成長用サセプターの製造方法。
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