JP4879536B2 - COMPOSITE BOARD, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE - Google Patents
COMPOSITE BOARD, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE Download PDFInfo
- Publication number
- JP4879536B2 JP4879536B2 JP2005265640A JP2005265640A JP4879536B2 JP 4879536 B2 JP4879536 B2 JP 4879536B2 JP 2005265640 A JP2005265640 A JP 2005265640A JP 2005265640 A JP2005265640 A JP 2005265640A JP 4879536 B2 JP4879536 B2 JP 4879536B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- wiring board
- substrate
- composite substrate
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明は、電子デバイスや光学デバイス、MEMSデバイス等の高密度実装、またはそれらのデバイスを一つのパッケージ内でシステム化するSiP(System in Package) を可能にする貫通配線を備えた配線基板を複数用いて重ね合わせてなる複合基板及びその製造方法、並びに電子装置に関する。 The present invention provides a plurality of wiring boards having through wirings that enable high-density mounting of electronic devices, optical devices, MEMS devices, etc., or SiP (System in Package) for systematizing these devices in one package. The present invention relates to a composite substrate formed by superposition, a manufacturing method thereof, and an electronic device.
近年、携帯電話機等の電子機器の高度化に伴い、それらに使われる電子デバイス等にも更なる高速化、高機能化が要求されている。これを実現するためには、微細化等によるデバイス自身の高速化だけではなく、デバイスのパッケージにも高速化、高密度化に向けた技術開発が必須となっている。
高密度実装を実現する技術として、微細な貫通電極を用いてチップを積層実装する3次元実装や、貫通電極が形成された配線基板を用いたSiPが提案されており、これを実現するための貫通電極形成技術や配線基板の形成技術が活発に研究、開発されている。
In recent years, with the advancement of electronic devices such as mobile phones, electronic devices and the like used for them are required to have higher speed and higher functionality. In order to realize this, not only the speed of the device itself by miniaturization and the like, but also the development of technology for the speed and density of the device package is indispensable.
As a technique for realizing high-density mounting, three-dimensional mounting in which chips are stacked and mounted using fine through electrodes and SiP using a wiring substrate on which through electrodes are formed have been proposed. Through-electrode formation technology and wiring board formation technology are actively researched and developed.
図24は、セラミックやシリコン等のリジッドな配線基板を用いてなるSiPの模式的な断面図である。配線基板151上に複数のデバイス152,153が貫通電極154と電気的に接続するように実装されており、全体として一つのパッケージを形成している。その際、図24に示すように、従来の配線基板においては、その表裏の主平面間を最短距離でつなぐように主平面に対して垂直に貫通電極が設けられていた。
FIG. 24 is a schematic cross-sectional view of SiP using a rigid wiring substrate such as ceramic or silicon. A plurality of
これまでに、貫通電極や配線基板に関する技術として、以下のようなものが提案されている。たとえば、熱可塑性樹脂からなる電気絶縁性基板の一方の面に形成された配線溝に導電ペーストを充填して硬化させてなる導体回路と、前記配線溝を経て基板を貫通する貫通孔に導電ペーストを充填して硬化させ、前記導体回路と接続し、かつ基板を貫通する導体プラグとを備えたものがある(例えば、特許文献1参照)。
また、樹脂の射出成形によって一方の主面に配線用の溝を有する基材を形成し、次いで、レーザやドリルなどによりスルーホール形成部分の溝に基材を貫通する穴を形成し、さらに、基材の溝及び穴に導電材料である導電ペーストを充填するようにしたものがある(例えば、特許文献2参照)。
また、所望の回路が形成されたチップ本体と、このチップ本体の表裏を貫通した複数の貫通孔にそれぞれ埋め込み形成された貫通電極と、これらの貫通電極の両端部にそれぞれ設けられた外部電極とを備えたものがある(例えば、特許文献3参照)。
さらに、半導体チップの表裏間を貫通する複数の貫通電極を備えると共に、上記貫通電極は断面積が相互に異なるようにしたものがある(例えば、特許文献4参照)。
So far, the following technologies have been proposed as techniques related to the through electrode and the wiring board. For example, a conductive circuit in which a wiring groove formed on one surface of an electrically insulating substrate made of thermoplastic resin is filled with a conductive paste and cured, and a conductive paste in a through-hole penetrating the substrate through the wiring groove And a conductor plug that is connected to the conductor circuit and penetrates the substrate (for example, see Patent Document 1).
Moreover, a base material having a groove for wiring on one main surface is formed by injection molding of resin, and then a hole penetrating the base material is formed in the groove of the through hole forming portion by a laser or a drill, There is one in which a conductive paste, which is a conductive material, is filled in grooves and holes in a base material (see, for example, Patent Document 2).
Further, a chip body in which a desired circuit is formed, through electrodes embedded in a plurality of through holes penetrating the front and back of the chip body, external electrodes provided at both ends of these through electrodes, (For example, refer to Patent Document 3).
Furthermore, there are a plurality of through electrodes that penetrate between the front and back sides of the semiconductor chip, and the through electrodes have different cross-sectional areas (see, for example, Patent Document 4).
ところが、貫通電極を用いた3次元実装だけでなく、SiP等に用いられる配線基板においても、今後はデバイス等を内包した基材を複数重ね合わせて一つの基板をなし、より高密度な実装を可能とする複合基板を提供していく必要がある。この際、基板上に搭載されるデバイスの電極ピッチとマザーボード等に実装される際のバンプピッチとを整合させるため、或いは構成機材に内包する機能素子と電気的な接続をするため、当該配線基板内には、自由度の大きい貫通配線、つまり、直線的に基板を貫通するものだけではなく、それぞれの基材において別々の場所に形成された貫通孔を電気的に接続できるような貫通配線の形成が必要である。
これを実現するための一つの手法としては、複数の基材それぞれに貫通電極を形成しておき、表面配線等を用いてそれぞれ電気的に接続するように基材を接合する方法が考えられる。
However, not only three-dimensional mounting using penetrating electrodes, but also wiring boards used for SiP, etc., in the future, a single substrate will be formed by stacking multiple substrates containing devices, etc., to achieve higher density mounting. There is a need to provide a composite substrate that can be made possible. At this time, in order to match the electrode pitch of the device mounted on the substrate with the bump pitch when mounted on the motherboard or the like, or to make an electrical connection with the functional element included in the component equipment, the wiring substrate Inside, there are not only through wires with a high degree of freedom, that is, through wires that can be electrically connected to through holes formed at different locations in each base material as well as those that penetrate the substrate linearly. Formation is necessary.
As one method for realizing this, a method is conceivable in which through electrodes are formed on each of a plurality of base materials, and the base materials are joined so as to be electrically connected to each other using surface wiring or the like.
しかしながら、この方法では、あらかじめ各々の基材に貫通電極を形成しておき、それぞれの基材に形成された貫通電極が電気的に接続するように、表面配線等を用いて電気的に基材を接続するように形成するため、平坦化が困難であると共に、基材の枚数が多くなるほど貫通配線の接続箇所が多くなり、それに伴う接触抵抗の増加や接合不良などを生じる虞が高くなり、信頼性の高い基板の提供が困難になってくる。また、それぞれの基材に対して貫通電極及び表面配線等を形成するため、工数の増加、ひいてはコストの増加を招いてしまう。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、貫通配線を備えた配線基板を複数用いて重ね合わせてなる複合基板において、基材表面の平坦化を可能にするとともに、電気的な信頼性が高く、設計上の自由度にも優れ、高密度な実装をも可能とする複合基板を提供することを目的とする。
また本発明は、少ない工数により形成できる複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
さらに本発明は、高速化および高機能化を図ることが可能な電子装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a composite substrate formed by superimposing a plurality of wiring substrates provided with through wirings, the substrate surface can be planarized and electrically An object of the present invention is to provide a composite substrate that is highly reliable, has excellent design freedom, and enables high-density mounting.
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a composite substrate that can be formed with a small number of steps.
A further object of the present invention is to provide an electronic device capable of achieving high speed and high functionality.
本発明の請求項1に係る複合基板は、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に第一導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた配線基板を複数用い、前記主面の一方又は両方を重ね合わせてなり、前記貫通配線と電気的に接続するデバイスを、該配線基板の重ね合わせ面以外の表面に実装するための複合基板であって、前記複合基板を構成する前記配線基板は全て半導体基材からなり、前記配線基板同士を重ね合わせた面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び/又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る複合基板は、請求項1において、前記重ね合わせ面に、デバイスが備えられていることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る複合基板は、請求項1または2において、前記配線基板同士の重ね合わせ面に位置する接続配線は、該重ね合わせ面をなす、両方の配線基板を跨ぐように形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る複合基板は、請求項1から3のいずれか1項において、前記接続配線は、一端が前記貫通配線と電気的に接続され、他端が配線基板の側面に露呈するように形成されることを特徴とする。
The composite substrate according to
The composite substrate according to
Composite board according to
A composite substrate according to a fourth aspect of the present invention is the composite substrate according to any one of the first to third aspects, wherein one end of the connection wiring is electrically connected to the through wiring and the other end is exposed to a side surface of the wiring substrate. It is formed so that it may do.
本発明の請求項5に係る複合基板は、請求項1から4のいずれか1項において、前記第一導電性物質は微細孔に、前記第二導電性物質は溝に、それぞれ設けられ、両者は一緒に充填され、連続体をなすことを特徴とする。 A composite substrate according to a fifth aspect of the present invention is the composite substrate according to any one of the first to fourth aspects, wherein the first conductive material is provided in a fine hole and the second conductive material is provided in a groove. Are packed together to form a continuum.
本発明の請求項6に係る複合基板は、請求項1から5のいずれか1項において、前記複合基板は、前記貫通配線が、デバイスを搭載した際にバンプピッチの整合をとる、または、前記基材に内包する機能素子と電気的に接続するために用いられるものであることを特徴とする。
The composite substrate according to claim 6 of the present invention is the composite substrate according to any one of
本発明の請求項7に係る複合基板の製造方法は、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた第一配線基板と第二配線基板とを互いに重ね合わせてなり、前記貫通配線と電気的に接続するデバイスを、該第一配線基板および該第二配線基板の重ね合わせ面以外の表面に実装するための複合基板の製造方法であって、前記第一配線基板と前記第二配線基板を構成する各基材として、いずれも半導体基材を用い、その対向する主面を結ぶように各々の半導体基材に微細孔を形成する工程と、前記第一配線基板と前記第二配線基板とを重ね合わせた面において、前記第一配線基板と前記第二配線基板とを構成する各々の半導体基材に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方もしくは両方の半導体基材の重ね合わせ面に溝を形成する工程と、前記重ね合わせた状態において、各々の半導体基材の外面と、前記微細孔と前記溝の各内壁面を絶縁処理して絶縁部を設ける工程と、前記第一配線基板と前記第二配線基板とを重ね合わせた状態として、前記微細孔の内部に第一導電性物質を、前記溝の内部に第二導電性物質を、連続体をなすように、一緒に充填する工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a composite substrate manufacturing method comprising: a through-hole formed by arranging a fine hole so as to connect opposing main surfaces of a base material; and filling the fine hole with a conductive substance. In order to mount a device which is formed by superimposing one wiring board and a second wiring board and electrically connected to the through wiring on a surface other than the overlapping surface of the first wiring board and the second wiring board A method of manufacturing a composite substrate according to
本発明の請求項8に係る複合基板の製造方法は、請求項7において、前記配線基板として、前記重ね合わせ面にデバイスを備えているものを用いることを特徴とする。
本発明の請求項9に係る複合基板の製造方法は、請求項7または8において、前記複合基板として、前記貫通配線が、デバイスを搭載した際にバンプピッチの整合をとる、または、前記基材に内包する機能素子と電気的に接続するものを用いることを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a composite substrate according to the seventh aspect, wherein the wiring board is provided with a device on the overlapping surface.
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a composite substrate manufacturing method according to the seventh or eighth aspect, wherein, as the composite substrate, the through wiring takes a bump pitch alignment when a device is mounted, or the base material A device that is electrically connected to a functional element included in the device is used.
本発明の請求項10に係る電子装置は、前記請求項1から6のいずれか1項に記載の複合基板に電子部品を実装してなることを特徴とする。
本発明の請求項11に係る複合基板は、請求項10において、前記複合基板は、前記電子部品を内包していることを特徴とする。
An electronic device according to a tenth aspect of the present invention is characterized in that an electronic component is mounted on the composite substrate according to any one of the first to sixth aspects.
A composite substrate according to an eleventh aspect of the present invention is the composite substrate according to the tenth aspect, wherein the composite substrate includes the electronic component.
本発明の請求項1に係る複合基板にあっては、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び/又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝を配置し、該溝に導電性物質を充填して接続配線を形成している。この構成によれば、電気的に配線基板を接続するために表面配線を設ける必要が無くなり、また配線基板の表面の平坦化を図ることも可能となり、ひいては高密度な実装が可能な複合基板が得られる。
In the composite substrate according to
また、本発明の請求項4及び請求項5に係る複合基板の製造方法は何れも、配線基板を重ね合わせて接合した後、配線基板に設けた微細孔と溝の内部に導電性物質を一緒に充填するので、それぞれ別個に貫通配線や接続配線を形成した配線基板を接合するものに比べて、工数を大幅に削減し、コストの増加を招くこと無く、複合基板を大量にかつ安価に提供することができる。 Further, in both the composite substrate manufacturing methods according to claims 4 and 5 of the present invention, after the wiring substrates are overlapped and joined, a conductive substance is put together in the fine holes and grooves provided in the wiring substrate. Compared with the case of connecting wiring boards with separate through wiring and connection wiring, the number of man-hours is greatly reduced, and a large number of composite boards are provided at low cost without increasing costs. can do.
さらに、本発明の請求項6に係る電子装置にあっては、SiP等においてより高機能、高密度なパッケージを実現することが可能な、上述した構成の複合基板に電子部品を実装しているので、高速化、高機能化に貢献することができる。 Furthermore, in the electronic device according to claim 6 of the present invention, the electronic component is mounted on the composite substrate having the above-described configuration capable of realizing a package with higher function and higher density in SiP or the like. Therefore, it can contribute to high speed and high functionality.
以下、本発明の一実施形態について説明する。
図1から21は、本発明に係る複合基板の一例を示す概略断面図である。各図に示すように、本発明の複合基板は、何れも貫通配線を備えた配線基板が複数枚重ね合わされ、接合されてなるものである。また、本発明の複合基板を構成する配線基板は、全て半導体基材からなる。複合基板はデバイス(電子部品)を内包していてもよい。本発明の複合基板は、貫通配線と電気的に接続するデバイスを、配線基板の重ね合わせ面以外の表面に実装するために用いられるものである。
すなわち、本発明の複合基板は、貫通配線が、デバイスを搭載した際にバンプピッチの整合をとる、または、基材に内包する機能素子と電気的に接続するために用いることができる。
前記配線基板は、当該配線基板を構成する基材の対向する主面を結ぶように微細孔が配されている。また、配線基板は、前記微細孔と共に、互いに接合した面(すなわち、重ね合わせ面)において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び/又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝が配置されている。そして、前記微細孔と前記溝の内部には、導電性物質がそれぞれ充填されている。
したがって、前記配線基板を複数用い、重ね合わせることにより、その両主面、及び/又は、何れか一方の主面と側面とを電気的に接続する複合基板が構成されるものとなる。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
1 to 21 are schematic sectional views showing an example of a composite substrate according to the present invention. As shown in each drawing, each of the composite substrates of the present invention is formed by superimposing and bonding a plurality of wiring substrates each provided with a through wiring. Also, wiring board that make up the composite substrate of the present invention consists of all semiconductor substrate. The composite substrate may contain a device (electronic component). The composite substrate of the present invention is used for mounting a device that is electrically connected to the through wiring on a surface other than the overlapping surface of the wiring substrate.
That is, the composite substrate of the present invention can be used for the through wiring to adjust the bump pitch when the device is mounted, or to electrically connect the functional element included in the base material.
The wiring board is provided with fine holes so as to connect opposing main surfaces of the base material constituting the wiring board. In addition, in the wiring board, the ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other on the surfaces joined together with the fine holes (that is, the overlapping surface) and / or either one of them. Grooves are arranged on the overlapping surface of the base material forming one or both of the wiring boards so that the ends of the fine holes provided in the wiring board communicate with the side surfaces of the wiring board. And the inside of the said micropore and the said groove | channel is filled with the electroconductive substance, respectively.
Therefore, by using a plurality of the wiring boards and overlapping them, a composite board that electrically connects both the main surfaces and / or any one of the main surfaces and the side surfaces is formed.
このように、本発明の複合基板は、基材に微細孔と溝を形成した配線基板を重ね合わせて接合した後、第一導電性物質は微細孔の内部に、第二導電性物質は溝の内部に、それぞれ一緒に充填され、連続体をなす。そのため、それぞれ別個に貫通配線や接続配線を形成して接合したものに比べて、工数を大幅に削減することができる。
また、本発明の複合基板における導電性物質は、重ね合わせる配線基板の枚数が多くなっても、配線基板をなす基材の重ね合わせ面に配置した溝に充填された連続体をなす導電性物質からなる接続配線によって基板同士を接続しているので、接触抵抗の増加や接続不良といった電気特性不良を抑制することが可能となる。しかも、微細孔及び溝の内部において同一の導電性物質によって接続されているので、一層接触抵抗の増加や接続不良といった電気特性不良を抑制することが可能となる。
さらに、本発明の複合基板は、連通する微細孔と溝を適宜組み合わせることにより、配線基板の上面と下面のピッチを自由に設定できるため、工数が少なく、自由度の高い複合基板を製造することができる。
Thus, in the composite substrate of the present invention, the first conductive material is placed inside the microhole, and the second conductive material is placed in the groove after the wiring substrate having the fine holes and the grooves formed on the base material is joined. inside of, each filled together form a continuum. Therefore , the number of man-hours can be greatly reduced as compared with the case where the through wiring and the connection wiring are separately formed and joined.
In addition, the conductive material in the composite substrate of the present invention is a conductive material that forms a continuum filled in a groove disposed on the overlapping surface of the base material forming the wiring substrate, even if the number of wiring substrates to be superimposed increases. Since the substrates are connected to each other by the connection wiring made of, it is possible to suppress an electrical characteristic failure such as an increase in contact resistance or a connection failure. In addition, since the minute holes and the grooves are connected by the same conductive material, it is possible to further suppress electrical characteristic defects such as an increase in contact resistance and connection failure.
Furthermore, since the composite substrate of the present invention can freely set the pitch between the upper surface and the lower surface of the wiring substrate by appropriately combining fine holes and grooves that communicate with each other, it is possible to manufacture a composite substrate with less man-hours and a high degree of freedom. Can do.
本発明の複合基板としては、前述したように、具体的に大きく分けて6つの形態が挙げられる。
この6つの形態とは、すなわち、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に第一導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた配線基板の重ね合わせ面において、(1)各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えたもの、(2)何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えたもの、(3)各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、それぞれ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えたもの、といった3つの形態に、前記溝が、前記重ね合わせ面の(a)一方の配線基板をなす基材に配置されているもの、もしくは(b)両方の配線基板をなす基材に配置されているもの、といった2つの形態を掛け合わせたものである。
As described above, the composite substrate of the present invention can be roughly divided into six forms.
These six forms are: a superposition of wiring boards provided with through-holes in which fine holes are arranged so as to connect the opposing main surfaces of the base material and the fine holes are filled with the first conductive material. (1) a groove is disposed so that the ends of the fine holes provided in each wiring substrate communicate with each other, and the connection wiring formed by filling the groove with a second conductive material is provided. 2) A groove is arranged so that the end of the fine hole provided in any one of the wiring boards communicates with the side surface of the wiring board, and a connection wiring formed by filling the groove with the second conductive material is provided. (3) The ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other, and the ends of the fine holes provided in any one of the wiring boards communicate with the side surfaces of the wiring boards. Each having a groove, and having a connection wiring formed by filling the groove with a second conductive material, etc. In one form, the groove is (a) arranged on the base material forming one wiring board of the overlapping surface, or (b) the base material forming both wiring boards, These two are combined.
次に、それぞれの形態について図面に基づき詳細に説明する。
(第一実施形態)
第一実施形態は、前記重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記(1)に前記(a)を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第一実施形態における複合基板としては、たとえば、図1から3に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板11,12または12,13に、それぞれの基材1,2,3の対向する主面を結ぶように微細孔15が配され、該微細孔15に第一導電性物質16aを充填した貫通配線17を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板11,12または12,13に備えた前記貫通配線17同士を、互いに重ね合わされる一方の配線基板12にだけ配置した溝14の内部に第二導電性物質16bを充填した接続配線18によって繋いだ例が挙げられる。なお、図1から21では、配線基板が2枚又は3枚重ねあわされた複合基板しか説明されていないが、本発明はこれに限定されず、4枚以上の配線基板が重ねあわされた複合基板としても良く、以下に説明する他の実施形態においても同様である。
Next, each form is demonstrated in detail based on drawing.
(First embodiment)
In the first embodiment, grooves are arranged only on the base material forming one wiring board so that the ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other on the overlapping surface, and It is the thing of the structure which provided the connection wiring formed by filling two electroconductive substances, and multiplied said (a) to said (1).
As a composite substrate in the first embodiment of the present invention, for example, as shown in FIGS. 1 to 3, a plurality of wiring substrates 11, 12 or 12, 13 that are superposed on each other are respectively provided with
図1は、二つの配線基板11a,12aを重ね合わせた複合基板10Aを示すものである。配線基板11a及び配線基板12aは、共に貫通配線17を一箇所ずつ備えている。また、配線基板12aは、前記配線基板11aとの重ね合わせ面において、前記貫通配線17の上面A側に位置する端部と前記配線基板11aにおける貫通配線17の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線18を備えている。これにより、前記二つの配線基板11a,12aは、それぞれ備えている各貫通配線17,17と、重ね合わせ面において一方の配線基板12aの主面に備えた接続配線18によって、前記複合基板10Aの上面Aと下面Bとを電気的に接続している。
FIG. 1 shows a
また、図2は、二つの配線基板11b,12bを重ね合わせた複合基板10Bを示すものである。配線基板11b及び配線基板12bは、共に貫通配線17を二箇所ずつ備えている。また、配線基板12bは、前記配線基板11bとの重ね合わせ面において、側面C側に位置する前記貫通配線17の上面A側に位置する端部と、前記配線基板11bにおける側面C側に位置する貫通配線17の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線18、及び側面D側に位置する前記貫通配線17の上面A側に位置する端部と、前記配線基板11bにおける側面D側に位置する貫通配線17の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線18を備えている。これにより、前記二つの配線基板11b,12bは、それぞれ備えている各貫通配線17,17と、重ね合わせ面において一方の配線基板12bの主面に備えた二つの接続配線18によって、前記複合基板10Bの上面Aと下面Bとを二箇所でそれぞれ電気的に接続している。
FIG. 2 shows a composite substrate 10B in which two
また、図3は、三つの配線基板11c,12c,13cを重ね合わせた複合基板10Cを示すものである。配線基板11c、配線基板12c及び配線基板13cは、それぞれ貫通配線17を一箇所備えている。また、配線基板12cは、前記配線基板11cとの重ね合わせ面において、前記貫通配線17の上面A側に位置する端部と、前記配線基板11cにおける貫通配線17の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線18、及び前記配線基板13cとの重ね合わせ面において、前記貫通配線17の下面B側に位置する端部と、前記配線基板13cにおける貫通配線17の上面A側に位置する端部とを繋ぐ接続配線18を備えている。これにより、前記三つの配線基板11c,12c,13cは、それぞれ備えている各貫通配線17,17,17と、重ね合わせ面において何れも一方の配線基板12cの主面に備えた接続配線18によって、前記複合基板10Cの上面Aと下面Bとを電気的に接続している。
FIG. 3 shows a composite substrate 10C in which three
(第二実施形態)
第二実施形態は、前記重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、双方の配線基板をなす基材にそれぞれ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記(1)に前記(b)を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第二実施形態における複合基板としては、たとえば、図4から6に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板21,22または22,23に、それぞれの基材1,2,3の対向する主面を結ぶように微細孔25が配され、該微細孔25に第一導電性物質26aを充填した貫通配線27を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板21,22または22,23に備えた前記貫通配線27同士を、互いに重ね合わされる双方の配線基板21,22または22,23にそれぞれ配置した溝24の内部に第二導電性物質26bを充填した接続配線28によって繋いだ例が挙げられる。
(Second embodiment)
In the second embodiment, grooves are arranged in the base material forming both wiring boards so that the ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other on the overlapping surface. It has a configuration in which (b) is multiplied by (1) above, which includes a connection wiring filled with two conductive substances.
As the composite substrate in the second embodiment of the present invention, for example, as shown in FIGS. 4 to 6, a plurality of wiring substrates 21, 22 or 22, 23 that are superposed on each other are respectively
図4は、二つの配線基板21a,22aを重ね合わせた複合基板20Aを示すものである。配線基板21a及び配線基板22aは、共に貫通配線27を一箇所ずつ備えている。また、配線基板21aは、前記配線基板22aとの重ね合わせ面において、該貫通配線27の下面B側に位置する端部と、前記配線基板22aにおける貫通配線27の上面A側に位置する端部とを繋ぐ接続配線28を備えている。また、配線基板22aは、前記配線基板21aとの重ね合わせ面において、該貫通配線27の上面A側に位置する端部と、前記配線基板21aにおける貫通配線27の下面B側に位置する端部とを、前記配線基板21aにおける接続配線28と同様に繋ぐ接続配線28を備えている。これにより、前記二つの配線基板21a,22aは、それぞれ備えている各貫通配線27,27と、重ね合わせ面において双方の配線基板21a,22aの主面にそれぞれ備えた接続配線28によって、前記複合基板20Aの上面Aと下面Bとを電気的に接続している。
すなわち、配線基板21a,22aの重ね合わせ面に位置する接続配線28は、該重ね合わせ面をなす、両方の配線基板を跨ぐように形成されている。
FIG. 4 shows a
That is, the
また、図5は、二つの配線基板21b,22bを重ね合わせた複合基板20Bを示すものである。配線基板21b及び配線基板22bは、共に貫通配線27を二箇所ずつ備えている。また、配線基板21bは、前記配線基板22bとの重ね合わせ面において、側面D側に位置する前記貫通配線27の下面B側に位置する端部と、前記配線基板22bにおける側面D側に位置する貫通配線27の上面A側に位置する端部とを繋ぐ接続配線28を備えている。また、配線基板22bは、前記配線基板21bとの重ね合わせ面において、側面C側に位置する前記貫通配線27の上面A側に位置する端部と、前記配線基板21bにおける側面C側に位置する貫通配線27の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線28を備えている。これにより、前記二つの配線基板21b,22bは、それぞれ備えている各貫通配線27,27と、重ね合わせ面において双方の配線基板21b,22bの主面にそれぞれ備えた各接続配線28によって、前記複合基板20Bの上面Aと下面Bとを二箇所でそれぞれ電気的に接続している。
FIG. 5 shows a
また、図6は、三つの配線基板21c,22c,23cを重ね合わせた複合基板20Cを示すものである。配線基板21c、配線基板22c及び配線基板23cは、共に貫通配線27を二箇所ずつ備えている。前記貫通配線27のうち、配線基板21cにおける側面D側に位置する貫通配線27の下面B側に位置する端部と、配線基板22cにおける側面D側に位置する貫通配線27の上面A側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板22cは、前記配線基板21cとの重ね合わせ面において、側面C側に位置する前記貫通配線27の上面A側に位置する端部と、前記配線基板21cにおける側面C側に位置する貫通配線27の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線28、及び前記配線基板23cとの重ね合わせ面において、側面D側に位置する前記貫通配線27の下面B側に位置する端部と、前記配線基板23cにおける側面D側に位置する貫通配線27の上面A側に位置する端部とを繋ぐ接続配線28を備えている。また、配線基板23cは、前記配線基板22cとの重ね合わせ面において、側面C側に位置する前記貫通配線27の上面A側に位置する端部と、前記配線基板22cにおける側面C側に位置する貫通配線27の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線28、及び側面D側に位置する前記貫通配線27の上面A側に位置する端部と、前記配線基板22cにおける側面D側に位置する貫通配線27の下面B側に位置する端部とを、前記配線基板22cにおける接続配線28と同様に繋ぐ接続配線28を備えている。これにより、前記三つの配線基板21c,22c,23cは、それぞれ備えている各貫通配線27,27,27と、上面A側の重ね合わせ面において一方の配線基板22cの主面に備えた接続配線28によって前記複合基板20Aの上面Aと下面Bとを電気的に接続すると共に、下面B側の重ね合わせ面において一方の配線基板23cの主面に備えた接続配線28と、双方の配線基板22c,23cの主面にそれぞれ備えた接続配線28によって前記複合基板20Aの上面Aと下面Bとを電気的に接続する。
FIG. 6 shows a composite substrate 20C in which three
(第三実施形態)
第三実施形態は、前記重ね合わせ面において、前記重ね合わせ面において、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記(2)に前記(a)を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第三実施形態における複合基板としては、たとえば、図7から9に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板31,32また32,33に、それぞれの基材1,2,3の対向する主面を結ぶように微細孔35が配され、該微細孔35に第一導電性物質36aを充填した貫通配線37を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板31,32または32,33に備えた前記貫通配線37の端部と該配線基板の側面とを、互いに重ね合わされる一方の配線基板31にだけ配置した溝34の内部に第二導電性物質36bを充填した接続配線38によって繋いだ例が挙げられる。
このように第三実施形態は、各配線基板31,32,33の重ね合わせ面少なくとも一方に形成する溝34の少なくとも一部が、各配線基板31,32,33の側面C又はDに開口しているものである。
これにより、複合基板の上面Aと下面Bとのみでなく、上面A又は下面Bと側面C又は側面Dとを電気的に接続でき、たとえば、側面方向にデバイスを搭載することで、機能キューブのような高性能デバイスパッケージを実現でき、より一層の高機能化を達成できる自由度の高い配線基板を提供できる。
(Third embodiment)
In the third embodiment, one wiring board is arranged on the overlapping surface so that the end of the microhole provided in any one of the wiring boards communicates with the side surface of the wiring board. A groove is disposed only in the base material to be formed, and a connection wiring formed by filling the groove with a second conductive material is provided with (2) multiplied by (a).
As the composite substrate in the third embodiment of the present invention, for example, as shown in FIGS. 7 to 9, a plurality of wiring substrates 31, 32 or 32, 33 stacked on each other are respectively provided with
As described above, in the third embodiment, at least a part of the
Thereby, not only the upper surface A and the lower surface B of the composite substrate but also the upper surface A or the lower surface B and the side surface C or the side surface D can be electrically connected. For example, by mounting the device in the side surface direction, Such a high-performance device package can be realized, and a wiring board with a high degree of freedom capable of achieving further higher functionality can be provided.
図7は、二つの配線基板31a,32aを重ね合わせた複合基板30Aを示すものである。配線基板31aは、貫通配線37を二箇所、及び配線基板32aは、貫通配線37を一箇所それぞれ備えている。前記貫通配線37のうち、配線基板31aにおける側面C側に位置する貫通配線37の下面B側に位置する端部と、配線基板32aにおける貫通配線37の上面A側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板31aは、前記配線基板32aとの重ね合わせ面において、側面D側に位置する前記貫通配線37の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板31aにおける側面Dに露呈する接続配線38を備えている。これにより、前記二つの配線基板31a,32aは、それぞれ備えている各貫通配線37,37によって前記複合基板30Aの上面Aと下面Bを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において、一方の配線基板31aの主面に備えた側面Dに露呈する接続配線38によって上面Aと側面Dとを電気的に接続している。
FIG. 7 shows a
また、図8は、二つの配線基板31b,32bを重ね合わせた複合基板30Bを示すものである。配線基板31b及び配線基板32bは、共に貫通配線37を一箇所ずつ備えている。また、配線基板32bは、前記配線基板31bとの重ね合わせ面において、前記配線基板31bの貫通配線37の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板32bにおける側面Dに露呈する接続配線38、及び該貫通配線37の上面A側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板32bにおける側面Cに露呈する接続配線38を備えている。これにより、前記二つの配線基板31b,32bは、配線基板31bが備えている貫通配線37と、重ね合わせ面において一方の配線基板32bの主面に備えた側面Dに露呈する接続配線38によって上面Aと側面Dを電気的に接続すると共に、配線基板32bが備えている貫通配線37と、重ね合わせ面において側面Cに露呈する接続配線38によって下面Bと側面Cとを電気的に接続している。
FIG. 8 shows a
また、図9は、三つの配線基板31c,32c,33cを重ね合わせた複合基板30Cを示すものである。配線基板31c及び配線基板33cは、共に貫通配線37を一箇所ずつ備え、配線基板32cは、貫通配線37を二箇所備えている。前記貫通配線37のうち、配線基板31cにおける貫通配線37の下面B側に位置する端部と、配線基板32cにおける側面D側に位置する貫通配線37の上面A側に位置する端部とは直接繋がり、また、配線基板32cにおける側面C側に位置する貫通配線37の下面B側に位置する端部と、配線基板33cにおける貫通配線37の上面A側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板32cは、前記配線基板31cとの重ね合わせ面において、側面C側に位置する前記貫通配線37の上面A側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板32cにおける側面Cに露呈する接続配線38、及び側面D側に位置する前記貫通配線37の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板32cにおける側面Dに露呈する接続配線38を備えている。これにより、前記三つの配線基板31c,32c,33cは、配線基板31c及び配線基板32cがそれぞれ備えている貫通配線37,37と、配線基板32cと配線基板33cとの重ね合わせ面において一方の配線基板32cの主面に備えた側面Dに露呈する接続配線38によって上面Aと側面Dを電気的に接続すると共に、配線基板32c及び配線基板33cがそれぞれ備えている貫通配線37,37と、配線基板31cと配線基板32cとの重ね合わせ面において一方の配線基板32cの主面に備えた側面Cに露呈する接続配線38によって下面Bと側面Cとを電気的に接続している。
FIG. 9 shows a composite substrate 30C in which three
(第四実施形態)
第四実施形態は、前記重ね合わせ面において、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、双方の配線基板をなす基材にそれぞれ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記(2)に前記(b)を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第四実施形態における複合基板としては、たとえば、図10から12に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板41,42また42,43に、それぞれの基材1,2,3の対向する主面を結ぶように微細孔45が配され、該微細孔45に第一導電性物質46aを充填した貫通配線47を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板41,42または42,43に備えた前記貫通配線47の端部と該配線基板の側面とを、互いに重ね合わされる双方の配線基板41,42または42,43にそれぞれ配置した溝44の内部に第二導電性物質46bを充填した接続配線48によって繋いだ例が挙げられる。
(Fourth embodiment)
In the fourth embodiment, grooves are formed in the base material forming both wiring boards so that the end of the fine hole provided in one of the wiring boards and the side surface of the wiring board communicate with each other on the overlapping surface. And (2) multiplied by (b) above, provided with a connection wiring formed by filling the groove with a second conductive material.
As a composite substrate in the fourth embodiment of the present invention, for example, as shown in FIGS. 10 to 12, a plurality of wiring substrates 41, 42, and 42, 43 that are superposed on each other are provided with
図10は、二つの配線基板41a,42aを重ね合わせた複合基板40Aを示すものである。配線基板41a及び配線基板42aは、共に貫通配線47を一箇所ずつ備えている。また、配線基板41aは、前記配線基板42aとの重ね合わせ面において、該貫通配線47の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板41aにおける側面Dに露呈する接続配線48を備えている。また、配線基板42aは、前記配線基板41aとの重ね合わせ面において、該貫通配線47の上面A側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板42aにおける側面Cに露呈する接続配線48を備えている。これにより、前記二つの配線基板41a,42aは、配線基板41aが備えている貫通配線47と、重ね合わせ面において一方の配線基板41aの主面に備えた側面Dに露呈する接続配線48によって上面Aと側面Dを電気的に接続すると共に、配線基板42aが備えている貫通配線47と、重ね合わせ面において他方の配線基板42aの主面に備えた側面Cに露呈する接続配線48によって下面Bと側面Cを電気的に接続している。
FIG. 10 shows a
また、図11は、二つの配線基板41b,42bを重ね合わせた複合基板40Bを示すものである。配線基板41bは、貫通配線47を二箇所、及び配線基板42bは、貫通配線47を一箇所それぞれ備えている。前記貫通配線47のうち、配線基板41bにおける側面C側に位置する貫通配線47の下面B側に位置する端部と、配線基板42bにおける貫通配線47の上面A側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板41bは、前記配線基板42bとの重ね合わせ面において、側面D側に位置する前記貫通配線47の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板41bにおける側面Dに露呈する接続配線48を備えている。また、配線基板42bは、前記配線基板41bとの重ね合わせ面において、前記配線基板41bの側面D側に位置する前記貫通配線47の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板42bにおける側面Dに露呈する接続配線48を備えている。これにより、前記二つの配線基板41b,42bは、それぞれ備えている各貫通配線47,47によって前記複合基板40Bの上面Aと下面Bを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において双方の配線基板41b,42bの主面にそれぞれ備えた側面Dに露呈する接続配線48,48によって前記複合基板40Bの上面Aと側面Dを電気的に接続している。
FIG. 11 shows a
また、図12は、三つの配線基板41c,42c,43cを重ね合わせた複合基板40Cを示すものである。配線基板41cと配線基板42cは、貫通配線47を一箇所、及び配線基板42cは、貫通配線47を二箇所それぞれ備えている。前記貫通配線47のうち、配線基板41cにおける貫通配線47の下面B側に位置する端部と、配線基板42cにおける側面D側に位置する貫通配線47の上面A側に位置する端部とは直接繋がり、また、配線基板42cにおける側面C側に位置する貫通配線47の下面B側に位置する端部と、配線基板43cにおける貫通配線47の上面A側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板42cは、前記配線基板41cとの重ね合わせ面において、側面C側に位置する前記貫通配線47の上面A側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板42cにおける側面Cに露呈する接続配線48、及び側面D側に位置する前記貫通配線47の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板42cにおける側面Dに露呈する接続配線48を備えている。また、配線基板43cは、前記配線基板42cとの重ね合わせ面において、前記配線基板42cの側面D側に位置する前記貫通配線47の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板43cにおける側面Dに露呈する接続配線48を備えている。これにより、前記三つの配線基板41c,42c,43cは、配線基板41c及び配線基板42cがそれぞれ備えている貫通配線47,47と、配線基板42cと配線基板43cとの重ね合わせ面において双方の配線基板42c,43cの主面にそれぞれ備えた側面Dに露呈する接続配線48,48によって前記複合基板40Cの上面Aと側面Dを電気的に接続すると共に、配線基板42c及び配線基板43cがそれぞれ備えている貫通配線47,47と、配線基板41cと配線基板42cとの重ね合わせ面において一方の配線基板42cの主面に備えた側面Cに露呈する接続配線48によって下面Bと側面Cを電気的に接続している。
FIG. 12 shows a composite substrate 40C in which three
(第五実施形態)
第五実施形態は、前記重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記(3)に前記(a)を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第五実施形態における複合基板としては、たとえば、図13から15に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板51,52また52,53に、それぞれの基材1,2,3の対向する主面を結ぶように微細孔55が配され、該微細孔55に第一導電性物質56aを充填した貫通配線57を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板51,52または52,53に備えた前記貫通配線57同士を、互いに重ね合わされる一方の配線基板52にだけ配置した溝54の内部に第二導電性物質56bを充填した接続配線58によって繋いだ例が挙げられる。
(Fifth embodiment)
In the fifth embodiment, the ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other on the overlapping surface, and the ends of the fine holes provided in any one of the wiring boards and the wiring board The above (3) includes a connection wiring in which a groove is disposed only on a base material forming one wiring board so as to communicate with the side surface of the wiring board, and the groove is filled with a second conductive material. a) multiplied by a).
As a composite substrate in the fifth embodiment of the present invention, for example, as shown in FIGS. 13 to 15, a plurality of wiring substrates 51, 52 or 52, 53 overlapped with each other, each
図13は、二つの配線基板51a,52aを重ね合わせた複合基板50Aを示すものである。配線基板51aは、貫通配線57を二箇所、及び配線基板52aは、貫通配線57を一箇所それぞれ備えている。また、配線基板52aは、前記配線基板51aとの重ね合わせ面において、前記配線基板51aの側面C側に位置する前記貫通配線57の下面B側に位置する端部と、該貫通配線57の上面A側に位置する端部とを繋ぐ接続配線58、及び前記配線基板51aの側面D側に位置する前記貫通配線57の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板52aにおける側面Dに露呈する接続配線58を備えている。これにより、前記二つの配線基板51a,52aは、それぞれ備えている各貫通配線57,57と、重ね合わせ面において一方の配線基板52aの主面に備えた側面C側に位置する接続配線58によって前記複合基板50Aの上面Aと下面Bを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において側面Dに露呈する接続配線58によって上面Aと側面Dを電気的に接続している。
FIG. 13 shows a
また、図14は、二つの配線基板51b,52bを重ね合わせた複合基板50Bを示すものである。配線基板51bは、貫通配線57を一箇所、及び配線基板52bは、貫通配線57を二箇所それぞれ備えている。また、配線基板52bは、前記配線基板51bとの重ね合わせ面において、側面C側に位置する該貫通配線57の上面A側に位置する端部と、前記配線基板51bの前記貫通配線57の下面B側に位置する端部と繋ぐ接続配線58、側面D側に位置する前記貫通配線57の端部の上面A側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板52bにおける側面Dに露呈する接続配線58を備えている。これにより、前記二つの配線基板51b,52bは、それぞれ備えている各貫通配線57,57と、重ね合わせ面において一方の配線基板52bの主面に備えた側面C側に位置する接続配線58によって前記複合基板50Bの上面Aと下面Bを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において一方の配線基板52bの主面に備えた側面Dに露呈する接続配線58によって下面Bと側面Dを電気的に接続している。
FIG. 14 shows a
また、図15は、三つの配線基板51c,52c,53cを重ね合わせた複合基板50Cを示すものである。配線基板51cと配線基板52cは、貫通配線57を二箇所、及び配線基板53cは、貫通配線57を一箇所それぞれ備えている。前記貫通配線57のうち、配線基板51cにおける側面D側に位置する貫通配線57の下面B側に位置する端部と、配線基板52cにおける側面D側に位置する貫通配線57の上面A側に位置する端部とは直接繋がり、また、配線基板52cにおける側面C側に位置する貫通配線57の下面B側に位置する端部と、配線基板53cにおける貫通配線57の上面A側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板52cは、前記配線基板51cとの重ね合わせ面において、側面C側に位置する該貫通配線57の上面A側に位置する端部と前記配線基板51cの側面C側に位置する前記貫通配線57の下面B側に位置する端部と繋ぐ接続配線58を備えると共に、前記配線基板53cとの重ね合わせ面において、側面D側に位置する前記貫通配線57の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板52cにおける側面Dに露呈する接続配線58を備えている。これにより、前記三つの配線基板51c,52c,53cは、それぞれ備えている各貫通配線57,57,57と、配線基板51cと配線基板52cとの重ね合わせ面において一方の配線基板52cの主面に備えた接続配線58によって前記複合基板50Cの上面Aと下面Bを電気的に接続すると共に、配線基板51c及び配線基板52cがそれぞれ備えている貫通配線57,57と、配線基板52cと配線基板53cとの重ね合わせ面において側面Dに露呈する接続配線58によって上面Aと側面Dを電気的に接続している。
FIG. 15 shows a composite substrate 50C in which three
(第六実施形態)
第六実施形態は、前記重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、双方の配線基板をなす基材にそれぞれ溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなる接続配線を備えた、前記(3)に前記(b)を掛け合わせた構成のものである。
本発明の第六実施形態における複合基板としては、たとえば、図16から18に示すように、互いに重ね合わされる複数の配線基板61,62また62,63に、それぞれの基材1,2,3の対向する主面を結ぶように微細孔65が配され、該微細孔65に第一導電性物質66aを充填した貫通配線67を備えると共に、互いに重ね合わされる各々の配線基板61,62または62,63に備えた前記貫通配線67の端部と該配線基板の側面とを、互いに重ね合わされる双方の配線基板61,62または62,63にそれぞれ配置した溝64の内部に第二導電性物質66bを充填した接続配線68によって繋いだ例が挙げられる。
(Sixth embodiment)
In the sixth embodiment, the ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other on the overlapping surface, and the ends of the fine holes provided in any one of the wiring boards and the wiring board In (3), the above (3) includes a connection wiring formed by arranging grooves in the base material forming both wiring boards so as to communicate with the side surfaces of the wiring board, and filling the grooves with the second conductive material. b) is multiplied.
As a composite substrate in the sixth embodiment of the present invention, for example, as shown in FIGS. 16 to 18, a plurality of wiring substrates 61, 62 or 62, 63 that are superposed on each other are respectively
図16は、二つの配線基板61a,62aを重ね合わせた複合基板60Aを示すものである。配線基板61aは、貫通配線67を二箇所、及び配線基板62aは、貫通配線67を一箇所それぞれ備えている。また、配線基板61aは、前記配線基板62aとの重ね合わせ面において、側面D側に位置する前記貫通配線67の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板61aにおける側面Dに露呈する接続配線68を備えている。また、配線基板62aは、前記配線基板61aとの重ね合わせ面において、前記配線基板61aの側面C側に位置する前記貫通配線67の下面B側に位置する端部と、該貫通配線67の上面A側に位置する端部とを繋ぐ接続配線68を備えている。これにより、前記二つの配線基板61a,62aは、それぞれ備えている各貫通配線67,67と、重ね合わせ面において一方の配線基板62aの主面に備えた接続配線68によって前記複合基板60Aの上面Aと下面Bを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において一方の配線基板61aの主面に備えた側面Dに露呈する接続配線68によって上面Aと側面Dを電気的に接続している。
FIG. 16 shows a
また、図17は、二つの配線基板61b,62bを重ね合わせた複合基板60Bを示すものである。配線基板61bは、貫通配線67を二箇所、及び配線基板62bは、貫通配線67を一箇所それぞれ備えている。また、配線基板61bは、前記配線基板62bとの重ね合わせ面において、側面D側に位置する前記貫通配線67の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板61bにおける側面Dに露呈する接続配線68を備えている。また、配線基板62bは、前記配線基板61bとの重ね合わせ面において、前記配線基板61bの側面C側に位置する前記貫通配線67の下面B側に位置する端部と、該貫通配線67の上面A側に位置する端部とを繋ぐ接続配線68、及び前記配線基板61bの側面D側に位置する前記貫通配線67の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板62bにおける側面Dに露呈する接続配線68を備えている。これにより、前記二つの配線基板61b,62bは、それぞれ備えている各貫通配線67,67と、重ね合わせ面において一方の配線基板62bの主面に備えた側面C側に位置する接続配線68によって前記複合基板60Bの上面Aと下面Bを電気的に接続すると共に、重ね合わせ面において双方の配線基板61b及び62bの主面に備えた側面Dに露呈する接続配線68によって上面Aと側面Dを電気的に接続している。
FIG. 17 shows a
また、図18は、三つの配線基板61c,62c,63cを重ね合わせた複合基板60Cを示すものである。配線基板61cと配線基板62cは、貫通配線67を二箇所、及び配線基板63cは、貫通配線67を一箇所それぞれ備えている。前記貫通配線67のうち、配線基板61cにおける側面D側に位置する貫通配線67の下面B側に位置する端部と、配線基板62cにおける側面D側に位置する貫通配線67の上面A側に位置する端部とは直接繋がっている。また、配線基板62cは、前記配線基板61cとの重ね合わせ面において、側面C側に位置する該貫通配線67の上面A側に位置する端部と、前記配線基板61cの側面C側に位置する前記貫通配線67の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線68を備えると共に、前記配線基板63cとの重ね合わせ面において、側面D側に位置する前記貫通配線67の下面B側に位置する端部と一端が繋がり、他端が該配線基板62cにおける側面Dに露呈する接続配線68を備えている。また、配線基板63cは、前記配線基板62cとの重ね合わせ面において、該貫通配線67の上面A側に位置する端部と、前記配線基板62cの側面C側に位置する前記貫通配線67の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線68を備えている。これにより、前記三つの配線基板61c,62c,63cは、それぞれ備えている各貫通配線67,67,67と、配線基板61cと配線基板62cとの重ね合わせ面において一方の配線基板62cの主面に備えた接続配線68、及び配線基板62cと配線基板63cとの重ね合わせ面において一方の配線基板63cの主面に備えた接続配線68によって前記複合基板60Cの上面Aと下面Bを電気的に接続すると共に、配線基板61c及び配線基板62cがそれぞれ備えている貫通配線67,67と、前記配線基板62cと配線基板63cとの重ね合わせ面において他方の配線基板62cの主面に備えた側面Dに露呈する接続配線68によって上面Aと側面Dを電気的に接続している。
FIG. 18 shows a composite substrate 60C in which three
(第七実施形態)
第七実施形態は、互いに重ね合わせる複数の基板のうち、少なくとも1つが異なる材料からなる構成のものである。
本発明の第七実施形態における複合基板としては、たとえば、図19に示すように、互いに重ね合わされる一方の配線基板71を、ガラスよりなる基材1を用いたガラス基板とし、他方の配線基板72を、シリコンよりなる基材2を用いたシリコン基板とする、二つの配線基板71,72を重ね合わせた複合基板70の例が挙げられる。
複合基板70は、それぞれの配線基板を構成する各基板の材料が互いに異なる以外は、前述した図2に示す複合基板10Bと同様の構成である。すなわち、複合基板70を構成するガラス基板71とシリコン基板72は、共に貫通配線77を二箇所ずつ備えている。また、シリコン基板72は、前記ガラス基板71との重ね合わせ面において、側面C側に位置する前記貫通配線77の上面A側に位置する端部と前記ガラス基板71における側面C側に位置する貫通配線77の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線78と、側面D側に位置する前記貫通配線77の上面A側に位置する端部と前記ガラス基板71における側面D側に位置する貫通配線77の下面B側に位置する端部とを繋ぐ接続配線78を備えている。
これにより、互いに重ね合わさる配線基板を構成する基材の少なくとも1つが異なる材料からなる構成であっても、前記複合基板70の上面Aと下面Bとを電気的に接続する構成とすることができる。また、異種基材を接合することにより、たとえば、本実施形態で示したガラス基板のような透明基材を接合することで、外部からの光がガラス基板を透過するため、シリコン基板に対して光学デバイスを集積することが可能となる等、更なる高機能化を達成できる。
(Seventh embodiment)
In the seventh embodiment, at least one of a plurality of substrates stacked on each other is configured of different materials.
As a composite substrate in the seventh embodiment of the present invention, for example, as shown in FIG. 19, one
The
As a result, even when at least one of the base materials constituting the wiring boards stacked on each other is made of a different material, the upper surface A and the lower surface B of the
(第八実施形態)
本発明の第八実施形態における複合基板としては、少なくとも一方の主面に配線やバンプ、樹脂層などを形成した構成のものであり、たとえば、図20に示すような複合基板80の例が挙げられる。図20では、複合基板80の下面Bに配線81とバンプ82と樹脂層83が形成されている点のみ、図19に示す複合基板70とは相違し、それ以外は同じ構成となっている。
これにより、配線基板として、様々なデバイスの高密度パッケージやSiPに応用することができる。また、配線81を貫通配線77と接続させることで、さらに下面B上で様々なパターンを形成することができるので、より一層配線基板としての自由度が増すものとなる。
(Eighth embodiment)
The composite substrate in the eighth embodiment of the present invention has a configuration in which wirings, bumps, a resin layer, etc. are formed on at least one main surface. For example, an example of a
Thereby, it can apply to the high-density package and SiP of various devices as a wiring board. Moreover, since various patterns can be formed on the lower surface B by connecting the
(第九実施形態)
本発明の第九実施形態における複合基板としては、配線基板を構成する基材の内部に機能素子を埋設した構成のものであり、たとえば、図21に示すような複合基板90の例が挙げられる。図21では、配線基板91と配線基板92で挟まれるように、配線基板92の一面に機能素子99が埋設されている点のみ、図6に示す複合基板20Cとは相違し、それ以外は同じ構成となっている。前記機能素子99としては、たとえば、コンデンサや抵抗などの受動素子、あるいは各種センサなどのMEMSデバイスが挙げられる。
これにより、より高機能の配線基板を提供することができる。また、機能素子99が二つの配線基板の間に挟み込まれ、あるいは密閉された形態とすることができるので、外力に対して耐久性に優れた構成が得られる。あらに、機能素子99が外部環境に曝される虞がないので、耐環境性の改善も図ることができる。
(Ninth embodiment)
The composite substrate according to the ninth embodiment of the present invention has a configuration in which a functional element is embedded in a base material constituting a wiring substrate. For example, an example of a
Thereby, a more highly functional wiring board can be provided. Further, since the
続いて、図22及び図23を用いて、本発明における複合基板の製造方法の一例を説明する。
図22は、本発明に係る複合基板の第一製造方法の一例を工程順に示した断面模式図である。本実施形態では、二つの基材を重ね合わせる場合について説明し、各基材として、何れも厚さが200μmのシリコン基材を用いる。なお、本発明では、基材としてシリコン基材を用いたが、本発明はこれに限定されず、ガリウム砒素(GaAs)やインジウムリン(InP)など他の半導体基材を使用することができるものである。
Next, an example of a method for manufacturing a composite substrate in the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 22 is a schematic cross-sectional view showing an example of a first method for manufacturing a composite substrate according to the present invention in the order of steps. In this embodiment, a case where two base materials are overlapped will be described, and a silicon base material having a thickness of 200 μm is used as each base material. In the present invention, a silicon substrate is used as the substrate. However, the present invention is not limited to this, and other semiconductor substrates such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphide (InP) can be used. It is.
はじめに、図22(a)に示すように、第一配線基板及び第二配線基板をそれぞれ構成するシリコン基材101及び102に、対向する主面を結ぶように微細孔115をそれぞれ形成する。
次いで、図22(b)に示すように、前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた面において、前記第一配線基板と前記第二配線基板とを構成する各々のシリコン基材101及び102に設けた微細孔115の端部同士が連通するように、一方のシリコン基材102の重ね合わせ面に溝114を形成する。
First, as shown in FIG. 22A, the
Next, as shown in FIG. 22B, each silicon substrate constituting the first wiring board and the second wiring board on the surface where the first wiring board and the second wiring board are overlapped with each other. A
前記溝114及び前記貫通孔115は、たとえばシリコン基板をDeep-Reactive Ion Etching (DRIEと略記)法によりエッチングすることで形成することができる。DRIE法とは、エッチングガスに六フッ化硫黄(SF6 )を用い、高密度プラズマによるエッチングと、側壁へのパッシベーション成膜を交互に行なうBoschプロセスにより、シリコン基板を深堀エッチングするものである。なお、前記溝114及び前記貫通孔115の形成方法は、前記DRIE法に限定されず、水酸化カリウム(KOH)水溶液等によるウェットエッチング法や、レーザやマイクロドリル等による物理的な加工、及びこれらを適宜組み合わせたものを用いることができる。
その際、前記溝114は、たとえば深さを20μmとすることができるが、本発明はこれに限定されず、適宜設定することができる。また、前記微細孔115は、たとえば孔径を50μmとすることができるが、やはり本発明はこれに限定されず、それぞれ適宜設定することができる。
The
At this time, the depth of the
さらに、図22(c)に示すように、前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた状態において、各々のシリコン基材101及び102の外面と、前記溝114と前記微細孔115の各内壁面を絶縁処理して絶縁部109を設ける。この絶縁部109は、各々のシリコン基材101及び102の重ね合わせ前、もしくは重ね合わせ接合後の何れに設けても良い。この際、前記絶縁部109は、たとえば本実施形態の場合であれば、シリコン基板を高温で処理する熱酸化によりSiO2 からなる絶縁層を形成することができる。また、絶縁部を設ける方法はこれに限定されず、テトラエトキシシラン(TEOS)やシラン(SiH4 )原料としたプラズマCVD、絶縁樹脂のコーティング、およびこれらを適宜組み合わせたものを用いることができる。
なお、各々のシリコン基材101及び102の接合は、たとえば常温接合により行うことができる。
Further, as shown in FIG. 22C, in the state where the first wiring board and the second wiring board are overlapped, the outer surface of each of the
The
そして、図22(d)に示すように、各々のシリコン基材101及び102の外面と、前記溝114と前記微細孔115の各内壁面に絶縁部109を設けた後、前記第一配線基板と第二配線基板とを重ね合わせた状態として、前記溝114と前記微細孔115の内部に導電性物質116を一緒に充填する。
Then, as shown in FIG. 22 (d), after the insulating
これにより、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線と、第一配線基板と第二配線基板との重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に導電性物質を充填してなる接続配線を備えた複合基板100Aとすることができる。
Thereby, a fine hole is arranged so as to connect the opposing main surfaces of the base material, and a through wiring formed by filling the fine hole with a conductive substance, and an overlapping surface of the first wiring board and the second wiring board In this case, a connection wiring formed by arranging a groove only in the base material forming one wiring board and filling the groove with a conductive substance so that the ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other. The
また、本発明の複合基板は、配線基板を構成する基材として上述した半導体基材に限らず、絶縁性基材を用いることもできる。もちろん、半導体基材と絶縁性基材を組み合わせたものとしても良い。
以下、本発明の複合基板の第二の製造方法として、配線基板を構成する基材として絶縁基材を用いた場合について説明する。
図23は、本発明に係る複合基板の第二製造方法の一例を工程順に示した断面模式図である。本実施形態では、各絶縁性基材として、何れも厚さが300μmのガラス基材を用いる。なお、本実施形態では、絶縁性基材としてガラス基材を用いたが、本発明はこれに限定されず、セラミックなど他の絶縁性基板を使用しても良い。
The composite substrate of the present invention is not limited to the semiconductor substrate described above as a substrate constituting the wiring substrate, and an insulating substrate can also be used. Of course, it is good also as what combined the semiconductor base material and the insulating base material.
Hereinafter, a case where an insulating base material is used as a base material constituting the wiring board will be described as a second manufacturing method of the composite board of the present invention.
FIG. 23 is a schematic cross-sectional view showing an example of a second method for manufacturing a composite substrate according to the present invention in the order of steps. In this embodiment, a glass substrate having a thickness of 300 μm is used as each insulating substrate. In the present embodiment, a glass substrate is used as the insulating substrate, but the present invention is not limited to this, and other insulating substrates such as ceramics may be used.
はじめに、図23(a)に示すように、半導体基材と同様、第三配線基板及び第四配線基板をそれぞれ構成するガラス基材103及び104に、対向する主面を結ぶように微細孔115をそれぞれ形成する。
次いで、図23(b)に示すように、前記第三配線基板と第四配線基板とを重ね合わせた面において、前記第三配線基板と前記第四配線基板とを構成する各々のガラス基材103及び104に設けた微細孔115の端部同士が連通するように、一方のガラス基材104の重ね合わせ面に溝114を形成する。
First, as shown in FIG. 23A, as in the case of the semiconductor substrate, the
Next, as shown in FIG. 23 (b), each glass substrate constituting the third wiring board and the fourth wiring board on the surface where the third wiring board and the fourth wiring board are overlaid.
さらに、図23(c)に示すように、各々ガラス基材103及び104に設けた微細孔115の端部同士が前記溝114を介して連通するように各々のガラス基材103及び104を重ね合わせ接合する。
そして、図23(d)に示すように、前記第三配線基板と第四配線基板とを重ね合わせた状態として、前記溝114と前記微細孔115の内部に導電性物質116を一緒に充填する。
Furthermore, as shown in FIG. 23 (c), the
Then, as shown in FIG. 23D, the third wiring board and the fourth wiring board are overlapped with each other, and the inside of the
これにより、基材の対向する主面を結ぶように微細孔を配し、該微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線と、第三配線基板と第四配線基板との重ね合わせ面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方の配線基板をなす基材にのみ溝を配置し、該溝に導電性物質を充填してなる接続配線を備えた複合基板100Bとすることができる。
Thereby, a fine hole is arranged so as to connect the opposing main surfaces of the base material, and the through-hole wiring formed by filling the fine hole with a conductive substance, and the overlapping surface of the third wiring board and the fourth wiring board In this case, a connection wiring formed by arranging a groove only in the base material forming one wiring board and filling the groove with a conductive substance so that the ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other. The
前記導電性物質116としては、たとえば、金錫(Au80wt%−Sn20wt%)を用い、溶融金属吸引法により充填することができる。また、本発明はこれに限定されず、異なる組成を有する金錫合金や、錫(Sn)、インジウム(In)等の金属、また、錫鉛(Sn−Pb)系、錫(Sn)基、鉛(Pb)基、金(Au)基、インジウム(In)基、アルミニウム(Al)基等のはんだを使用することもできる。
As the
なお、上述した複合基板の製造方法では、何れも微細孔を配した基材の対向する主面の何れか一方に、一方の端部が前記微細孔の端部と連通し、他方の端部が前記基材の該主面上に止まる溝を形成した場合について説明したが、本発明では、前記溝の形成方法と同様の方法により、微細孔を配した基材の対向する主面の両方に、一方の端部が前記微細孔の端部と連通し、他方の端部が前記基材の該主面上に止まる溝を形成する場合や、前記溝に換えてもしくは前記溝と共に、微細孔を配した基材の対向する主面の何れか一方もしくは両方に、一方の端部が前記微細孔の端部と連通し、他方の端部が前記基材の側面に達する溝を形成するようにしても良い。 In the above-described method for manufacturing a composite substrate, any one of the opposing main surfaces of the base material provided with micropores has one end communicating with the end of the micropore, and the other end. However, in the present invention, both of the opposing main surfaces of the base material provided with the fine holes are formed by the same method as the groove forming method. In addition, when one end portion communicates with the end portion of the fine hole and the other end portion forms a groove that stops on the main surface of the base material, or in place of the groove or together with the groove, Either or both of the opposing main surfaces of the base material provided with holes are formed with grooves in which one end portion communicates with the end portion of the fine hole and the other end portion reaches the side surface of the base material. You may do it.
以上のように、基材の対向する主面を結ぶように微細孔が配され、該微細孔に第一導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた配線基板を複数用い、互いに重ね合わせた面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び/又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝を配置し、該溝の内部に第二導電性物質を充填することにより、基材表面の平坦化を可能とし、電気的な信頼性が高く、自由度の高い複合基板を、工数が少なく形成することができる。 As described above, fine holes are arranged so as to connect the opposing main surfaces of the base material, and a plurality of wiring boards provided with through wires formed by filling the fine holes with the first conductive material are overlapped with each other. On the other side, the ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other and / or the ends of the fine holes provided in any one of the wiring boards communicate with the side surfaces of the wiring board. As described above, by arranging a groove on the overlapping surface of the base material forming one or both of the wiring boards and filling the inside of the groove with the second conductive material, the surface of the base material can be flattened, A composite substrate having high electrical reliability and a high degree of freedom can be formed with fewer man-hours.
1、2、3 基材、10(10A、10B、10C) 複合基板、11、12、13 配線基板、14 溝、15 微細孔、16a 第一導電性物質、16b 第二導電性物質、17 貫通配線、18 接続配線。
1, 2, 3 Base material, 10 (10A, 10B, 10C) Composite substrate, 11, 12, 13 Wiring substrate, 14 Groove, 15 Fine hole, 16a First conductive material, 16b Second conductive material, 17 Through Wiring, 18 Connection wiring.
Claims (11)
前記複合基板を構成する前記配線基板は全て半導体基材からなり、
前記配線基板同士を重ね合わせた面において、各々の配線基板に設けた微細孔の端部同士が連通するように、及び/又は、何れか一方の配線基板に設けた微細孔の端部と該配線基板の側面とが連通するように、一方もしくは両方の配線基板をなす基材の重ね合わせ面に溝を配置し、該溝に第二導電性物質を充填してなることを特徴とする複合基板。 Using a plurality of wiring boards provided with through holes formed by connecting fine holes so as to connect the opposing main surfaces of the base material, and filling the fine holes with the first conductive material, one or both of the main surfaces is used A composite substrate for mounting a device electrically connected to the through wiring on a surface other than the overlapping surface of the wiring substrate ,
All the wiring substrate constituting the composite substrate comprises a semiconductor substrate,
The ends of the fine holes provided in each wiring board communicate with each other on the surface where the wiring boards are overlapped, and / or the ends of the fine holes provided in any one of the wiring boards and the A composite in which a groove is arranged on the overlapping surface of the base material forming one or both of the wiring boards so as to communicate with the side surface of the wiring board, and the groove is filled with a second conductive material. substrate.
前記第一配線基板と前記第二配線基板を構成する各基材として、いずれも半導体基材を用い、その対向する主面を結ぶように各々の半導体基材に微細孔を形成する工程と、
前記第一配線基板と前記第二配線基板とを重ね合わせた面において、前記第一配線基板と前記第二配線基板とを構成する各々の半導体基材に設けた微細孔の端部同士が連通するように、一方もしくは両方の半導体基材の重ね合わせ面に溝を形成する工程と、
前記重ね合わせた状態において、各々の半導体基材の外面と、前記微細孔と前記溝の各内壁面を絶縁処理して絶縁部を設ける工程と、
前記第一配線基板と前記第二配線基板とを重ね合わせた状態として、前記微細孔の内部に第一導電性物質を、前記溝の内部に第二導電性物質を、連続体をなすように、一緒に充填する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする複合基板の製造方法。 The first wiring board and the second wiring board, each having a through-hole formed by arranging a fine hole so as to connect the opposing main surfaces of the base material and filling the fine hole with a conductive material, are superposed on each other. A method of manufacturing a composite substrate for mounting a device electrically connected to the through wiring on a surface other than the overlapping surface of the first wiring substrate and the second wiring substrate ,
As each base material constituting the first wiring board and the second wiring board, both use a semiconductor base material, and a step of forming micropores in each semiconductor base material so as to tie the opposing main surfaces;
On the surface where the first wiring board and the second wiring board are overlapped, the end portions of the fine holes provided in the respective semiconductor substrates constituting the first wiring board and the second wiring board communicate with each other. So as to form a groove in the overlapping surface of one or both semiconductor substrates,
In the superposed state, the outer surface of each semiconductor substrate, and the step of insulating each inner wall surface of the fine hole and the groove to provide an insulating portion;
In a state where the first wiring board and the second wiring board are overlaid, a first conductive material is formed inside the fine hole, a second conductive material is formed inside the groove, and a continuous body is formed. Filling together, and
A method for producing a composite substrate, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005265640A JP4879536B2 (en) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | COMPOSITE BOARD, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005265640A JP4879536B2 (en) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | COMPOSITE BOARD, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007081053A JP2007081053A (en) | 2007-03-29 |
JP4879536B2 true JP4879536B2 (en) | 2012-02-22 |
Family
ID=37941045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005265640A Expired - Fee Related JP4879536B2 (en) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | COMPOSITE BOARD, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4879536B2 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7910837B2 (en) | 2007-08-10 | 2011-03-22 | Napra Co., Ltd. | Circuit board, electronic device and method for manufacturing the same |
JP5138395B2 (en) * | 2008-01-22 | 2013-02-06 | 新光電気工業株式会社 | Wiring board and manufacturing method thereof |
WO2011048858A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | 株式会社フジクラ | Device mounting structure and device mounting method |
WO2011048862A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | 株式会社フジクラ | Device-mounting structure and device-mounting method |
JP5372272B1 (en) * | 2012-05-24 | 2013-12-18 | 有限会社 ナプラ | Laminated board |
JP6138026B2 (en) * | 2013-11-12 | 2017-05-31 | 日本メクトロン株式会社 | Method for filling conductive paste and method for producing multilayer printed wiring board |
JP6804115B1 (en) * | 2019-08-09 | 2020-12-23 | 板橋精機株式会社 | Printed board |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61229549A (en) * | 1985-04-05 | 1986-10-13 | 松下電器産業株式会社 | Manufacture of ceramic multilayer wiring substrate |
JP3785661B2 (en) * | 1995-11-06 | 2006-06-14 | カシオ計算機株式会社 | Method for manufacturing double-sided wiring board and method for manufacturing semiconductor device |
JPH10284836A (en) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | Collectively laminated ceramic wiring board and its manufacture |
JP2000294674A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
JP3530149B2 (en) * | 2001-05-21 | 2004-05-24 | 新光電気工業株式会社 | Wiring board manufacturing method and semiconductor device |
JP3800335B2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | Optical device, optical module, semiconductor device, and electronic apparatus |
JP2005243831A (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ceramic wiring board, manufacturing method thereof, and component-packaged wiring board using the same |
-
2005
- 2005-09-13 JP JP2005265640A patent/JP4879536B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007081053A (en) | 2007-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4879536B2 (en) | COMPOSITE BOARD, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP5790682B2 (en) | Module and manufacturing method thereof | |
CN107207245B (en) | MEMS device with high integration density | |
CN102379038B (en) | Electronic device mounting structure and electronic device mounting method | |
WO2004088731A3 (en) | Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures | |
JP3975194B2 (en) | Package manufacturing method | |
JP2006303360A (en) | Through-wire board, composite board, and electronic apparatus | |
KR20160106754A (en) | Micromechanical pressure sensor and corresponding production method | |
JP5610105B1 (en) | Electronic component built-in module | |
CN105374778A (en) | Chip package and method for manufacturing the same | |
TWI735444B (en) | Mems device with electrodes permeable to outgassing species | |
JP3731420B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP5248179B2 (en) | Manufacturing method of electronic device | |
CN112820712A (en) | Fan-out type packaging structure integrated by three-dimensional heterogeneous and manufacturing method | |
US7067907B2 (en) | Semiconductor package having angulated interconnect surfaces | |
CN102398886B (en) | Packaged structure with micro-electromechanical device and manufacture method thereof | |
US20120061831A1 (en) | Semiconductor package and method for making the same | |
US8115265B2 (en) | Interconnection system on a plane adjacent to a solid-state device structure | |
US20110024171A1 (en) | Multilayer laminated circuit | |
KR101184612B1 (en) | MEMS Structure and Method of Manufacturing thereof Using Method of Forming Through Electrode | |
US20190270636A1 (en) | Packaged semiconductor devices and methods for producing packaged semiconductor devices | |
JP2011066449A (en) | Method for manufacturing passing wiring substrate, method for manufacturing complex substrate, and method for manufacturing electronic device using passing wiring substrate and complex substrate formed by those manufacturing methods | |
TWI439192B (en) | Interposer substrate, electronic device package, and electronic component | |
US20120031657A1 (en) | Electronic device mounting structure and electronic device mounting method | |
CN113299626B (en) | Conductive assembly for multi-chip packaging and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111130 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |