JP4878108B2 - 露光装置、デバイス製造方法、および測定装置 - Google Patents
露光装置、デバイス製造方法、および測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4878108B2 JP4878108B2 JP2004207856A JP2004207856A JP4878108B2 JP 4878108 B2 JP4878108 B2 JP 4878108B2 JP 2004207856 A JP2004207856 A JP 2004207856A JP 2004207856 A JP2004207856 A JP 2004207856A JP 4878108 B2 JP4878108 B2 JP 4878108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- source device
- euv light
- condensing point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
110 ターゲット供給装置
120 レーザー装置
124 集光素子
124b 反射ミラー
130 光学部材
190 プラズマ光源
191 電界印加装置
192 電極
193 電界印加装置
200 維持手段
210 調整手段
220 検出手段
221 ピンホール板
221a ピンホール
222 2次元センサ
222A 2次元CCD
222B 4分割センサ
220D 検出手段
221D 第1のスリット
222D 第2のスリット
223D 第1の光量センサ
224D 第2の光量センサ
225 凹面ミラー
230 制御部
250 検出手段
260 調整手段
270、280及び290 検出手段
290A 4分割センサ
292B フィルタ
294B レンズ
296B CCD
100A乃至100G 光源装置
200A乃至200E 維持手段
300 露光装置
400 測定装置
Claims (4)
- レチクルのパターンを介して被処理体を露光する露光装置であって、
プラズマからの光を反射して集光点を形成する光学部材を含む光源装置と、
前記光源装置からの光を用いて前記レチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルからの光を前記被処理体に投影する投影光学系と、
前記光源装置からの光の前記集光点の位置および前記集光点からの光の角度分布を所定の位置および角度分布にそれぞれ維持する維持手段と、を有し、
前記維持手段は、前記照明光学系に接続部材を介して接続され且つ前記集光点からの光の角度および強度の分布を検出する検出手段を含み、前記検出手段により得られた検出結果を用いて、前記照明光学系の光軸の方向および該光軸の方向に直交する方向における前記集光点の位置および該光軸の方向に対する前記集光点からの光の角度分布を所定の位置および角度分布にそれぞれ維持する、ことを特徴とする露光装置。 - 前記維持手段は、
前記光源装置を調整する調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて前記調整手段を制御する制御部と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 請求項1または2に記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記被処理体を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。 - 被測定体の反射率を測定する測定装置であって、
プラズマからの光を反射して集光点を形成する光学部材を含む光源装置と、
前記光源装置からの光を前記被測定体に照射する照射手段と、
前記被測定体で反射した光を検出する検出器と、
前記光源装置からの光の前記集光点の位置および前記集光点からの光の角度分布を所定の位置および角度分布にそれぞれ維持する維持手段と、を有し、
前記光源装置は、前記プラズマからの光を反射する光学部材を含み、
前記維持手段は、前記照射手段に接続部材を介して接続され且つ前記集光点からの光の角度および強度の分布を検出する検出手段を含み、前記検出手段により得られた検出結果を用いて、前記照射手段の光軸の方向および該光軸の方向に直交する方向における前記集光点の位置および該光軸の方向に対する前記集光点からの光の角度分布を所定の位置および角度分布にそれぞれ維持する、ことを特徴とする測定装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004207856A JP4878108B2 (ja) | 2004-07-14 | 2004-07-14 | 露光装置、デバイス製造方法、および測定装置 |
US11/181,192 US7276710B2 (en) | 2004-07-14 | 2005-07-13 | Light source unit and exposure apparatus having the same |
EP05254383A EP1617292B1 (en) | 2004-07-14 | 2005-07-13 | Light source unit and exposure apparatus having the same |
DE602005025289T DE602005025289D1 (de) | 2004-07-14 | 2005-07-13 | Lichtquelle und dieselbe verwendende Belichtungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004207856A JP4878108B2 (ja) | 2004-07-14 | 2004-07-14 | 露光装置、デバイス製造方法、および測定装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032578A JP2006032578A (ja) | 2006-02-02 |
JP2006032578A5 JP2006032578A5 (ja) | 2010-07-22 |
JP4878108B2 true JP4878108B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=35106785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004207856A Expired - Fee Related JP4878108B2 (ja) | 2004-07-14 | 2004-07-14 | 露光装置、デバイス製造方法、および測定装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7276710B2 (ja) |
EP (1) | EP1617292B1 (ja) |
JP (1) | JP4878108B2 (ja) |
DE (1) | DE602005025289D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005235959A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Canon Inc | 光発生装置及び露光装置 |
US7164144B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
JP4574211B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 光源装置、当該光源装置を有する露光装置 |
JP5025236B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2012-09-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP5149514B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2013-02-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
NL2003192A1 (nl) * | 2008-07-30 | 2010-02-02 | Asml Netherlands Bv | Alignment of collector device in lithographic apparatus. |
EP2154574B1 (en) * | 2008-08-14 | 2011-12-07 | ASML Netherlands BV | Radiation source and method of generating radiation |
JP5168489B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2013-03-21 | 株式会社ニコン | 計測装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US8283643B2 (en) * | 2008-11-24 | 2012-10-09 | Cymer, Inc. | Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source |
JP5670174B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-02-18 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 |
WO2012031841A1 (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, euv radiation generation apparatus and device manufacturing method |
US9029813B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Filter for material supply apparatus of an extreme ultraviolet light source |
US9678431B2 (en) | 2015-03-16 | 2017-06-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV lithography system and method with optimized throughput and stability |
US9826615B2 (en) * | 2015-09-22 | 2017-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV collector with orientation to avoid contamination |
WO2018131146A1 (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0309281B1 (en) * | 1987-09-25 | 1995-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for controlling relation in position between a photomask and a wafer |
US5149972A (en) * | 1990-01-18 | 1992-09-22 | University Of Massachusetts Medical Center | Two excitation wavelength video imaging microscope |
JPH0697027A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Toshiba Corp | X線リソグラフィ装置 |
US5390203A (en) * | 1994-06-13 | 1995-02-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and apparatus for locking laser wavelength to an atomic transition |
US6355570B1 (en) * | 1998-03-04 | 2002-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses |
JP3833810B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2006-10-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法およびその装置 |
US6324255B1 (en) * | 1998-08-13 | 2001-11-27 | Nikon Technologies, Inc. | X-ray irradiation apparatus and x-ray exposure apparatus |
JP2000056099A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Nikon Corp | X線照射装置及びx線発生位置検出器 |
JP4273574B2 (ja) * | 1999-05-27 | 2009-06-03 | 株式会社ニコン | X線発生装置及びこれを有するx線露光装置及びx線の発生方法 |
JP2000346817A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 測定装置、照射装置および露光方法 |
JP2001032096A (ja) | 1999-07-23 | 2001-02-06 | Daihatsu Motor Co Ltd | 自動車車体の電着塗装方法 |
EP1139521A4 (en) * | 1999-09-10 | 2006-03-22 | Nikon Corp | LIGHT SOURCE AND WAVELENGTH STABILIZATION CONTROL METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, METHOD FOR PRODUCING EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE THEREOF |
JP2001267239A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4505664B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | X線発生装置 |
JP2002006096A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Nikon Corp | 電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
US6826424B1 (en) * | 2000-12-19 | 2004-11-30 | Haishan Zeng | Methods and apparatus for fluorescence and reflectance imaging and spectroscopy and for contemporaneous measurements of electromagnetic radiation with multiple measuring devices |
US7253032B2 (en) * | 2001-04-20 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of flattening a crystallized semiconductor film surface by using a plate |
JP4298336B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2009-07-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、光源装置及びデバイス製造方法 |
JP2004128105A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Nikon Corp | X線発生装置及び露光装置 |
JP2005294087A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Nikon Corp | 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4574211B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 光源装置、当該光源装置を有する露光装置 |
-
2004
- 2004-07-14 JP JP2004207856A patent/JP4878108B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-13 US US11/181,192 patent/US7276710B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-13 EP EP05254383A patent/EP1617292B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-13 DE DE602005025289T patent/DE602005025289D1/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1617292A2 (en) | 2006-01-18 |
US7276710B2 (en) | 2007-10-02 |
US20060011870A1 (en) | 2006-01-19 |
DE602005025289D1 (de) | 2011-01-27 |
EP1617292A3 (en) | 2009-05-20 |
JP2006032578A (ja) | 2006-02-02 |
EP1617292B1 (en) | 2010-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1617292B1 (en) | Light source unit and exposure apparatus having the same | |
TWI616724B (zh) | 微影裝置及元件製造方法 | |
US7348582B2 (en) | Light source apparatus and exposure apparatus having the same | |
JP5571316B2 (ja) | 複数の位置調整装置を備えるリソグラフィ装置、及び位置調整測定方法 | |
US20070229788A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP4006217B2 (ja) | 露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
US20090233195A1 (en) | Linewidth measuring method, image-forming-state detecting method, adjustment method, exposure method, and device manufacturing method | |
JPWO2002029870A1 (ja) | 露光条件の決定方法、露光方法、デバイス製造方法及び記録媒体 | |
JP2005235959A (ja) | 光発生装置及び露光装置 | |
JP2006128342A (ja) | 露光装置、光源装置及びデバイス製造方法 | |
JP2008053618A (ja) | 露光装置及び方法並びに該露光装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP2006134974A (ja) | 露光装置、判定方法及びデバイス製造方法 | |
US11474435B2 (en) | Metrology sensor, illumination system and method of generating measurement illumination with a configurable illumination spot diameter | |
JPH11233434A (ja) | 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
JPH1022213A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP2006108521A (ja) | X線発生装置及び露光装置 | |
JP2007142361A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010123755A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP5168489B2 (ja) | 計測装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP4551666B2 (ja) | 照明装置及び露光装置 | |
JP3618853B2 (ja) | X線発生装置、及びこれを用いた露光装置やデバイス生産方法 | |
JP3554243B2 (ja) | 投影露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2009065061A (ja) | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 | |
JP2006203135A (ja) | 光学装置、調整方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JPH09223662A (ja) | 照明装置、走査型露光装置及びそれらを用いたデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070717 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090303 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111125 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |