JP2006108521A - Ｘ線発生装置及び露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 露光光の照度と角度分布の均一性を改善し、安定してＸ線（例えば、ＥＵＶ光）を発生させることができるＸ線発生装置及び露光装置を提供する。
【解決手段】 プラズマを生成し、当該プラズマから放射されるＸ線を取り出すＸ線発生装置であって、前記プラズマを生成する手段と、前記Ｘ線を異なる光路で導光する複数の反射光学系とを有することを特徴とするＸ線発生装置を提供する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、Ｘ線や極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を発生するＸ線発生装置及びそれを有する露光装置に関する。

フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクル（又はマスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する投影露光装置が従来から使用されている。微細化を達成するためには、露光光の短波長化やマスクをケーラー照明する照度の均一化やマスクやウェハを照明する露光光の角度分布である有効光源分布の均一化も重要である。

投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例するため、最近では紫外線光よりも更に波長が短い、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度のＥＵＶ光を用いた投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。ＥＵＶ露光装置は、レーザー光をターゲット材に照射してプラズマを発生させてＥＵＶ光線を発生させるレーザープラズマ光源や、電極にガスを流して放電することによってプラズマを発生させてＥＵＶ光を発生させる放電型プラズマ光源を、光源として典型的に使用する（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。

しかし、レーザープラズマ光源は、ＥＵＶ光と共にターゲット材からデブリと呼ばれる飛散粒子を発生させてしまう。また、ターゲット材を供給する供給機構からもデブリが放出される。更に、放電型プラズマ光源でも電極材からデブリが飛散する。デブリは、光学素子を汚染、損傷し、反射率の低下を引き起こして照度ムラやスループットの低下をもたらす。そこで、発光点とミラーとの間にデブリを除去するデブリ除去装置が配置される（例えば、特許文献３）。
特開２００２−１７４７００号公報 特開２００４−２２６２４４号公報 米国特許第６，３５９，９６９号明細書

デブリ除去装置は、デブリを除去すると共にＥＵＶ光を通過するように設計されているが、実際にはＥＵＶ光の一部を遮光して照度及びそれによるスループットの低下をもたらす。また、デブリ除去装置がある角度のＥＵＶ光を遮光するために角度分布が不均一性となり結像性能の低下をもたらす。例えば、図３は、光源出口での単位立体角あたりの強度と光軸からの角度の関係を模式的に示している。Ｅ１は光学系によって取り込まれるエネルギーである。最小角度θ_１は図４に示すようにデブリ除去装置によって遮光される領域によって決定され、最大角度θ_２は下流の光学系によって決定される。デブリ除去装置がなければ、最小角度θ_１はより小さくなり、角度と強度の積に依存する照度や角度均一性は改善される。しかし、デブリ除去装置がなければ、デブリによりミラーは損傷してしまう。

そこで、本発明は、露光光の照度と角度分布の均一性を改善し、安定してＸ線（例えば、ＥＵＶ光）を発生させることができるＸ線発生装置及び露光装置を提供することを例示的目的とする。

本発明の一側面としてのＸ線発生装置は、プラズマを生成し、当該プラズマから放射されるＸ線を取り出すＸ線発生装置であって、前記プラズマを生成する手段と、前記Ｘ線を異なる光路で導光する複数の反射光学系とを有することを特徴とする。

本発明の更に別の側面としての露光装置は、上述のＸ線発生装置と、パターンを有するレチクルを、前記Ｘ線発生装置が発生した前記Ｘ線により照明する照明光学系と、前記照明光学系により照明された前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする。

本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、露光光の照度と角度分布の均一性を改善し、安定してＸ線（例えば、ＥＵＶ光）を発生させることができるＸ線発生装置及び露光装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照して本実施例のＸ線発生装置（ＥＵＶ光源）１０について説明する。ここで、図１は、ＥＵＶ光源１０の部分断面図である。ＥＵＶ光源１０は、後述する図１には図示しないプラズマ生成手段と、デブリ除去装置１４と、ＥＵＶ光を異なる光路で導光する第１及び第２光学系２０及び３０とを真空チャンバー１２内に含む。このように、ＥＵＶ光源１０は、複数の光学系を備えることで角度分布の均一化及び光源強度の増加を実現している。

第１光学系２０は、プラズマ発光点ＰＬから発生するＸ線（ＥＵＶ光）を集光するための楕円ミラーからなる集光光学系である。第１光学系２０の焦点のうち一方はプラズマ発光点ＰＬであり、他方は光源出口Ｏである。プラズマ発光点ＰＬとＯのそれぞれの中心とを結んだ直線は光軸ＯＡに対応する。取り込み立体角はデブリ除去装置１４及び下流の照明光学系によって決定される。

第２光学系３０は、光源出口ＯにおけるＥＵＶ光の照度及び角度分布を高めるための光学系である。より詳細には、第２光学系３０は、デブリ除去装置１４が遮光した角度に対応するＥＵＶ光の光源出口Ｏにおける照度及び角度分布を補填している。第２光学系３０は、回転楕円ミラー３２と回転双曲面ミラー３４とを含む。第１光学系２０は１回反射であり、第２光学系３０は２回反射であるため、反射回数は異なる。また、第２光学系の焦点も一方はプラズマ発光点ＰＬ、他方は光源出口Ｏである。より詳細には、回転楕円ミラー３２は、一方の焦点がプラズマ発光点ＰＬであり、他方の焦点Ｆが光軸ＯＡ上にあるのに対して回転双曲面ミラー３４の焦点はプラズマ発光点ＰＬと光源出口Ｏであるように設計される。このように、第１及び第２光学系２０及び３０は、集光点がほぼ等しい。「ほぼ等しい」とは公差を含む趣旨である。第２光学系３０は、第１光学系２０の光路を遮らない場所に設置される。

本実施例は、プラズマＰＬは焦平面上に円状に一様に分布しており、各場所から等方的にＥＵＶ光が発光すると仮定している。また、第１光学系２０は像点のプラズマＰＬを物点位置に、即ち、光源出口Ｏに理想的に結像すると仮定している。このため、像点位置における像も円状に一様に分布しており、ＥＵＶ光の角度分布は場所に依存しないと仮定している。また、第１光学系３０の反射率をＲとする。

プラズマＰＬの発光の輝度をＩ［Ｗ／ｍｍ^２／ｓｒ／ｎｍ］とすると、以上の仮定から取り込む光学系に拘らず光源出口Ｏにおける輝度はＩＲ［Ｗ／ｍｍ^２／ｓｒ／ｎｍ］となることが導かれる。光源より下流の光学系で取り込む光源出口Ｏでの像の大きさＳは決まっているので、光源出口Ｏでの単位立体角あたりの強度はＩＲＳ［Ｗ／ｓｒ／ｎｍ］となる。よって、第１光学系２０による光源出口Ｏでの単位立体角あたりの強度の違いは反射率だけとなる。

第１光学系２０だけでは、例えば、図２に示すように、デブリ除去装置１４が遮光し、反射光が存在しない領域Ａが存在する。よって、光源から出射されるＥＵＶ光の角度分布は図３に示すようになる。Ｅ１は、第１光学系２０が取り込むエネルギーである。しかし、第２光学系３０を適当に設計し、第２光学系３０の反射率をＲ’とすると、図４に示すように、角度分布を補正することができる。図４においては、Ｅ１は第１光学系２０が取り込むエネルギーであり、Ｅ２は第２光学系３０が取り込むエネルギーである。図４においては、Ｅ１は、図３と同様の光強度分布を示し、θ_０からθ_１までの角度領域だけ光強度分布Ｅ２が拡張されたことになる。これにより、光量（照度）が増加し、スループットの向上を図ることができると共に、角度分布がよりθ_０からθ_２の範囲でより均一になるために結像性能の向上も図ることができる。

ＥＵＶ光の取り込み量は、立体角とサイズの積であるエテンデュ（ｅｔｔｅｎｄｕｅ）で表される。つまり、エテンデュ［ｍｍ^２・ｓｒ］＝（光学系に取り込まれる立体角）×サイズと定義することができる。１００ｎｍ以下の露光にはエテンデュは１以下であることが望ましい。

以下、図１の具体的構成を説明する。まず、図５に示すように、第１光学系２０のみが存在する状態において、プラズマ発光点ＰＬは焦平面上にφ０．５ｍｍの円上に一様分布し、プラズマの輝度は５０［Ｗ／ｍｍ^２／ｓｒ／ｎｍ］とする。例えば、特許文献３に開示されているデブリ除去装置１４の大きさはそのデブリ除去能力を考慮し、φ１００ｍｍとする。光源より下流の光学系に取り込むことのできる像の大きさは１０ｍｍ^２、立体角は０．１ｓｒ（エテンデュ＝１［ｍｍ^２・ｓｒ］）とする。プラズマ発光点のサイズ、デブリ除去装置１４の大きさ、エテンデュより決定された第１光学系２０のパラメータを表１に示す。

光源出口Ｏでの角度分布は、図６に示すように、図３において、ＩＲＳ＝３００[Ｗ／ｓｒ／ｎｍ]、θ_１＝３．４°、θ_２＝１０°となる。従って、光軸ＯＡから０°から３．４°まではデブリ除去装置１４に遮られるため光が存在せず、３．４°から１０°まで光が存在する。光源出口での結像する像のサイズは約１０ｍｍ^２、立体角は０．１ｓｒであるのでエテンデュは約１［ｍｍ^２・ｓｒ］である。光源から出射されるＥＵＶ光の単位立体角あたりのエネルギーは、ミラー反射率を０．６とし、３００［Ｗ／ｓｒ／ｎｍ］となる。第１光学系２０によって取り込まれて光源から出射される全エネルギーは、３００［Ｗ／ｓｒ／ｎｍ］×０．１［ｓｒ］＝３０［Ｗ／ｎｍ］となる。

そこで、第２光学系３０を、０°から３．４°までの角度分布を補うように、回転楕円ミラー３２と回転双曲面ミラー３４を組み合わせて、図１に示すように、構成する。プラズマ発光点ＰＬから発光されたＥＵＶ光は第２光学系３０によって取り込まれ、光源出口Ｏに光源像を結ぶ。第２光学系３０のパラメータの一例を表２に示す。

第２光学系３０により、図７に示すように、０．７５°から３．４°までの光が存在する。第２光学系３０による光源出口Ｏでの像のサイズは約１０ｍｍ^２、立体角は０．０１ｓｒである。よって光源から出射されるＥＵＶ光の単位立体角あたりのエネルギーは、回転楕円ミラー３２及び回転双曲面ミラー３４のそれぞれの反射率を０．６として、１８０［Ｗ／ｓｒ／ｎｍ］となる。第２光学系によって取り込まれて光源から出射される全エネルギーは、１８０［Ｗ／ｓｒ／ｎｍ］×０．０１［ｓｒ］＝１．８［Ｗ／ｎｍ］となる。これは、図４において、θ_０＝０．７５、ＩＲ’Ｓ＝１８０に対応する。

第１光学系２０及び第２光学系３０を併用した結果、単位立体角あたりのエネルギーの角度分布は図７に示すようになり、角度分布の不均一性が補正される。また、全エネルギーの増加率は１．８［Ｗ／ｎｍ］／３０［Ｗ／ｎｍ］＝０．０６となり、６％程度光量が増える。

第２光学系３０のパラメータの一例を表に示したが、第２光学系３０の構成は回転楕円ミラー３２と回転双曲面ミラー３４を組み合わせる場合でも一通りだけではない。下流の照明光学系に取り込むことのできる像の大きさは１０ｍｍ^２であり、０°から３．４°までの立体角は０．０１ｓｒである。よって、第２光学系３０で取り込んで下流の光学系に送ることのできる最大のエテンデュは１０［ｍｍ^２］×０．０１ｓｒ＝０．１［ｍｍ^２・ｓｒ］である。第２光学系は０．１［ｍｍ^２・ｓｒ］以上のエテンデュをプラズマから取り込み０°から３．４°までの角度分布を補う構成であれば任意である。

例えば、図８のような構成を有する第２光学系３０Ａを有するＥＵＶ光源１０Ａでも得られる効果は同じである。第２光学系３０Ａのパラメータを表３に示す。

更に、図９に示すように、平面ミラー３２Ｂと曲率を持ったミラー３４Ｂとを有する第２光学系３０Ｂを有するＥＵＶ光源１０Ｂが使用されてもよい。第２光学系３０Ｂの焦点は第１光学系２０の２つの焦点（プラズマ発光点ＰＬ及び光源出口Ｏ）と一致している。第２光学系３０Ｂのミラー３２Ｂ及び３４Ｂは必ずしも光軸に対して回転体である必要はないが、光軸に対して回転対称性を持つことが好ましい。第２光学系３０Ｂでの反射回数は２回に限定されるものではないが、反射率によるエネルギーの減衰を考慮すると少ない反射回数が好ましい。また、第２光学系３０Ｂは第１光学系２０の光路を遮らない場所に設置される点は第１の実施例と同様である。

第２光学系３０を曲率を持ったミラーの組み合わせで構成する。第２光学系３０の焦点は第１光学系２０の２つの焦点（プラズマ発光点ＰＬ及び光源出口Ｏ）と一致している。第２光学系３０のそれぞれのミラーは必ずしも光軸に対して回転体である必要はないが、光軸に対して回転対称性を持つことが好ましい。第２光学系での反射回数は２回に限定されるものではないが、反射率によるエネルギーの減衰を考慮すると少ない反射回数が好ましい。また、第２光学系３０は第１光学系２０の光路を遮らない場所に設置される点は第１の実施例と同様である。

以下、図１０を参照して、本実施例のデブリ除去装置を有するＸ線発生装置及びそれを有する露光装置１００について説明する。ここで、図１０は、露光装置１００の構成を示す概略ブロック図である。

露光装置１００は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクル１２０に形成された回路パターンを被処理体１４０に露光する投影露光装置である。露光装置１００は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。

露光装置１００は、照明装置１１０と、レチクル１２０を載置するレチクルステージ１２５と、投影光学系１３０と、被処理体１４０を載置するウェハステージ１４５と、アライメント検出機構１５０と、フォーカス位置検出機構１６０とを有する。

照明装置１１０は、投影光学系１３０の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）によりレチクル１２０を照明する照明装置であって、ＥＵＶ光源１１２と、照明光学系１１４とを有する。

本実施例のＥＵＶ光源１１２は、ターゲットＴにレーザー光ＬＬを照射してプラズマ１を生成し、かかるプラズマ１から放射されるＥＵＶ光ＥＬを取り出すレーザープラズマ光源であり、上述のＥＵＶ光源１０乃至１０Ｂのいずれをも適用することができる。ＥＵＶ光源１１２は、上述のＥＵＶ光源１０の構成に加え、レーザー光ＬＬを照射するレーザー光源部４０と、レーザー光ＬＬをターゲットＴに導光する光学系５０と、ターゲット供給装置６０とを有する。なお、図１０では、ＥＵＶ光源１０の構成の詳細は作図の便宜上省略されている。

レーザー光源部４０から射出されたレーザー光ＬＬは、光学系５０を介して集光され、ターゲットＴに照射される。ターゲットＴは、銅、錫、アルミニウム等の他の金属でもよく、また、Ｘｅのガス、液滴、クラスタでもよい。例えば、ターゲットＴはＸｅ液滴として、ターゲット供給装置６０からレーザー光源部４０のレーザー光ＬＬの発光に同期して断続的に供給される。レーザー光ＬＬからのエネルギーによって、ターゲットＴから高温、高密度のプラズマＰＬが生成され、プラズマＰＬからＥＵＶ光が発光される。ＥＵＶ光は、第１光学系１０により集められ、後段の照明光学系１１４へ供給される。

光学系５０は、レンズ、ミラー、平行平板ガラスなどから構成され、真空チャンバー１２の真空隔壁の一部も兼ねている。レーザー光ＬＬを真空チャンバー１２に透過するレーザー導入窓５４も光学系５０に含まれる。光学系５０は、大気中又は真空中に設置されている。光学系５０は、ＥＵＶ光を効率よく取り出すために、レーザー光ＬＬをターゲットＴ上でプラズマＰＬの生成に必要、且つ、十分なスポットサイズ及びエネルギー密度となるようにする機能を有する。

プラズマＰＬからはＥＵＶ光だけでなく、ターゲットＴからのデブリ、銅などのデブリ及びターゲット供給装置６０からのデブリが発生する。発生したデブリは、このままでは、第１光学系１０に徐々に付着、堆積して光量の低下をもたらす。そこで、デブリ除去装置１４がプラズマ発光点ＰＬと第１光学系１０との間に配置される。また、図１０には図示しない第２光学系３０がデブリ除去装置１４によって遮光されたＥＵＶ光を補完する。

照明光学系１１４は、集光ミラー１１４ａ、オプティカルインテグレーター１１４ｂから構成される。集光ミラー１１４ａは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター１１４ｂは、レチクル１２０を均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
照明光学系１１４は多層膜ミラーを使用しても斜入射全反射ミラーを使用してもよい。

レチクル１２０は、反射型レチクルで、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、レチクルステージ１２５に支持及び駆動されている。レチクル１２０から発せられた回折光は、投影光学系１３０で反射されて被処理体１４０上に投影される。レチクル１２０と被処理体１４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル１２０と被処理体１４０を走査することによりレチクル１２０のパターンを被処理体１４０上に縮小投影する。

レチクルステージ１２５は、レチクル１２０を支持して図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ１２５は、当業界周知のいかなる構造をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にレチクルステージ１２５を駆動することでレチクル１２０を移動することができる。露光装置１００は、レチクル１２０と被処理体１４０を同期した状態で走査する。

投影光学系１３０は、複数の反射ミラー（即ち、多層膜ミラー）１３０ａを用いて、レチクル１２０面上のパターンを像面である被処理体１４０上に縮小投影する。複数のミラー１３０ａの枚数は、４枚乃至６枚程度である。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、レチクル１２０と被処理体１４０を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系１３０の開口数（ＮＡ）は、０．２乃至０．３程度である。

被処理体１４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体１４０には、フォトレジストが塗布されている。

ウェハステージ１４５は、ウェハチャック１４５ａによって被処理体１４０を支持する。ウェハステージ１４５は、例えば、リニアモーターを利用してＸＹＺ方向に被処理体１４０を移動する。レチクル１２０と被処理体１４０は同期して走査される。また、レチクルステージ１２５の位置とウェハステージ１４５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。

アライメント検出機構１５０は、レチクル１２０の位置と投影光学系１３０の光軸との位置関係、及び、被処理体１４０の位置と投影光学系１３０の光軸との位置関係を計測し、レチクル１２０の投影像が被処理体１４０の所定の位置に一致するようにレチクルステージ１２５及びウェハステージ１４５の位置と角度を設定する。

フォーカス位置検出機構１６０は、被処理体１４０面でフォーカス位置を計測し、ウェハステージ１４５の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体１４０面を投影光学系１３０による結像位置に保つ。

露光において、照明装置１１０から射出されたＥＵＶ光はレチクル１２０を照明し、投影光学系１３０によりレチクル１２０面上のパターンを被処理体１４０面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状（リング状）の像面となり、レチクル１２０と被処理体１４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル１２０の全面を露光する。露光装置１００に用いられる照明装置１１０が有するＥＵＶ光源１１２は、露光光の照度と角度分布の均一性を改善し、良好なデブリ除去を実現し、安定してＥＵＶ光を発生させることができるため、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。

次に、図１１及び図１２を参照して、露光装置１００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１１は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。

図１２は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１００によってレチクルの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１１（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

本発明の一側面としてのＸ線発生装置（ＥＵＶ光源）の概略断面図である。 図１に示すＥＵＶ光源において第１光学系のみを使用した場合の問題点を説明するための概略断面図である。 図２に示す構成で光源出口における光強度分布を示す図である。 図１に示す構成で光源出口における光強度分布を示す図である。 図２に示す構成の具体例を示す概略断面図である。 図５に示す構成で光源出口における光強度分布を示す図である。 図１に示す構成の具体例で光源出口における光強度分布を示す図である。 本発明の第１の実施例の変形例としてのＥＵＶ光源の概略断面図である。 本発明の第２の実施例のＥＵＶ光源の概略断面図である。 本発明の一側面としての露光装置の概略ブロック図である。 デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。 図１１に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。

符号の説明

１０ Ｘ線発生装置（ＥＵＶ光源）
２０ 第１光学系（集光ミラー）
３０ 第２光学系
１００ 露光装置

Claims (13)

1. プラズマを生成し、当該プラズマから放射されるＸ線を取り出すＸ線発生装置であって、
   前記プラズマを生成する手段と、
   前記Ｘ線を異なる光路で導光する複数の反射光学系とを有することを特徴とするＸ線発生装置。
2. 前記複数の反射光学系は、集光点がほぼ等しいことを特徴とする請求項１記載のＸ線発生装置。
3. 前記複数の反射光学系は、反射回数が異なることを特徴とする請求項１又は２記載のＸ線発生装置。
4. 前記複数の反射光学系は、回転楕円ミラーを含む第１の反射光学系と、回転楕円ミラーと回転双曲面ミラーとを含む第２の反射光学系とを含むことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載のＸ線発生装置。
5. 前記複数の反射光学系は、回転楕円ミラーを含む第１の反射光学系と、回転対称を持つように複数の場所に配置された楕円ミラーと双曲面ミラーとを含む第２及び第３の反射光学系とを含むことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載のＸ線発生装置。
6. 前記複数の反射光学系は、回転楕円ミラーを含む第１の反射光学系と、曲率を持った複数のミラーを含む第２の反射光学系とを含むことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載のＸ線発生装置。
7. 前記複数の反射光学系は、回転楕円ミラーを含む第１の反射光学系と、平面ミラーと曲率を持ったミラーを含む第２の反射光学系とを含むことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載のＸ線発生装置。
8. 前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが前記複数の光学系の一に到達することを防止するデブリ除去装置を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか一項記載のＸ線発生装置。
9. 前記複数の光学系のうち前記一以外の光学系は、前記一の光学系のみが形成する前記Ｘ線の集光点における光強度分布を光軸からの角度に関して広げることを特徴とする請求項８記載のＸ線発生装置。
10. 前記複数の光学系のうち前記一以外の光学系は、回転対称なミラーを含むことを特徴とする請求項８又は９記載のＸ線発生装置。
11. 前記Ｘ線は、２０ｎｍ以下の波長を有することを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか一項記載のＸ線発生装置。
12. 請求項１記載のＸ線発生装置と、
    パターンを有するレチクルを、前記Ｘ線発生装置が発生した前記Ｘ線により照明する照明光学系と、
    前記照明光学系により照明された前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
13. 請求項１２記載の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、
    露光された前記被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。