JP4869839B2 - ボルテージレギュレータ - Google Patents

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Description

本発明は、ボルテージレギュレータに関し、特に高速動作モードと低消費電流動作モードとの切換機能を備えたボルテージレギュレータに関する。
従来、ボルテージレギュレータは、リップル除去率(PSRR)や負荷過渡応答性を向上させるために、消費電流の大きい回路構成を有するものと、高速応答性を必要としないことから消費電流を抑制した回路構成を有するものとがあった。携帯電話等のように、通常の消費電流で動作する動作状態と、スリープモード等のように低消費電流となる待機状態とを有する機種では、高速応答性を有するボルテージレギュレータを使用すると、高速応答性を必要としない待機状態ではボルテージレギュレータによる消費電流の無駄が大きかった。
図4は、従来のボルテージレギュレータの回路例を示した図である(例えば、特許文献1参照。)。
図4において、消費電流は大きいが高速な動作を行う第1誤差増幅回路101と消費電流を抑制した第2誤差増幅回路102にはそれぞれ、制御装置104からの制御信号が入力されており、第1誤差増幅回路101及び第2誤差増幅回路102は、該制御信号に応じて排他的に作動又は停止する。なお、第1誤差増幅回路101及び第2誤差増幅回路102は、動作を停止した場合は消費電流を低減させる。
出力端子105から出力される電流が大きい重負荷動作モードの場合は、第1誤差増幅回路101を作動させると共に、第2誤差増幅回路102の動作を停止させる。この結果、出力トランジスタM101は、第1誤差増幅回路101によって制御されることから、ボルテージレギュレータとしては、消費電流は大きいが高速な動作を行うことができる。
一方、出力端子105から出力される電流が小さい軽負荷動作モードの場合は、第1誤差増幅回路101の動作を停止させると共に、第2誤差増幅回路102を作動させる。この結果、出力トランジスタM101は、第2誤差増幅回路102によって制御されることから、ボルテージレギュレータとしては、消費電流を抑制することができる。
しかし、図4では、出力トランジスタが1つであることから、出力トランジスタM101の素子サイズは、重負荷動作モード時の最大電流を許容できるようにするため大きくなっていた。このため、サイズの大きいトランジスタを使用する分だけ出力トランジスタM101のゲート容量が大きく、このような出力トランジスタM101を消費電流の小さい第2誤差増幅回路102で制御すると、出力電圧の変動に対する過渡応答性が低下するため、軽負荷動作モード時においても過渡応答性が要求される場合は問題となっていた。
そこで、このような問題を解決するために、図5のようなボルテージレギュレータがあった(例えば、特許文献2参照。)。
図5では、消費電流は大きいが高速な動作を行う第1誤差増幅回路111と、消費電流を抑制した第2誤差増幅回路112とを備え、第1誤差増幅回路111は、第1出力トランジスタM111の動作制御を行い、第2誤差増幅回路112は、第1出力トランジスタM111よりも格段に素子サイズの小さい第2出力トランジスタM112の動作制御を行うようにした。第1誤差増幅回路111と第2誤差増幅回路112は、制御信号入力端に入力される制御信号に応じて排他的に作動又は停止する。
図5では、負荷電流が大きい重負荷動作モード時は、第1誤差増幅回路111を作動させると共に第2誤差増幅回路112の動作を停止させ、負荷電流が小さい軽負荷動作モード時は、第1誤差増幅回路111の動作を停止させると共に第2誤差増幅回路112を作動させる。すなわち、軽負荷動作モードでは、出力トランジスタとして素子サイズの小さい第2出力トランジスタM112を使用するようにした。このことから、出力トランジスタのゲート容量が小さくなるため、誤差増幅回路の消費電流を抑制しても高速応答が可能になった。
特開2002−312043号公報 特許第3710468号公報
しかし、図の場合、常に片方の出力トランジスタは作動しないため、効率が悪く、負荷電流の少ないときに動作する出力トランジスタM112といえども、通常のトランジスタよりも格段に大きなスペースを占有することから、チップサイズを大きくする要因になっていた。また、図5の場合、負荷電流を検出するためのトランジスタが、PMOSトランジスタM113とM114の2つ必要になる等、回路規模が増大するという問題があった。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、簡単な回路で、消費電流を低減させることができると共にチップ面積を低減させることができ、軽負荷動作モード時においても出力電圧に対する過渡応答性に優れたボルテージレギュレータを得ることを目的とする。
この発明に係るボルテージレギュレータは、入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換し出力電圧として所定の出力端子から出力するボルテージレギュレータにおいて、
入力された制御信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する第1出力トランジスタと、
入力された制御信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する第2出力トランジスタと、
前記出力端子から出力される出力電圧に比例した比例電圧と所定の基準電圧との電圧差を増幅して出力する第1誤差増幅回路、及び前記比例電圧と前記基準電圧との電圧差を増幅して出力する、該第1誤差増幅回路よりも消費電流が小さい第2誤差増幅回路を有し、前記比例電圧が前記基準電圧になるように前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うと共に、外部から入力された外部制御信号に応じて、前記第1誤差増幅回路を使用して前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うか、又は前記第2誤差増幅回路を使用して前記第2出力トランジスタの動作制御を行って、前記出力端子の電圧を制御する制御回路部と、
を備え、
前記制御回路部は、前記外部制御信号に応じて、前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極を接続するスイッチを備え、前記第1誤差増幅回路は、出力端が前記第1出力トランジスタの制御電極に接続され、前記外部制御信号に応じて作動し、前記第2誤差増幅回路は、出力端が前記第2出力トランジスタの制御電極に接続されるものである。
この場合、前記第1誤差増幅回路は、前記スイッチが前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極を接続するように前記外部制御信号が入力されると作動し、前記スイッチが前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極の接続を遮断するように前記外部制御信号が入力されると動作を停止するようにした。
また、この発明に係るボルテージレギュレータは、入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換し出力電圧として所定の出力端子から出力するボルテージレギュレータにおいて、
入力された制御信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する第1出力トランジスタと、
入力された制御信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する第2出力トランジスタと、
前記出力端子から出力される出力電圧に比例した比例電圧と所定の基準電圧との電圧差を増幅して出力する第1誤差増幅回路、及び前記比例電圧と前記基準電圧との電圧差を増幅して出力する、該第1誤差増幅回路よりも消費電流が小さい第2誤差増幅回路を有し、前記比例電圧が前記基準電圧になるように前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うと共に、前記第2出力トランジスタの制御電極の電圧から前記出力端子より出力される電流が大きいか否かの判定を行い、該判定結果に応じて、前記第1誤差増幅回路を使用して前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うか、又は前記第2誤差増幅回路を使用して前記第2出力トランジスタの動作制御を行って、前記出力端子の電圧を制御する制御回路部と、
を備え、
前記制御回路部は、前記出力端子から出力される電流が大きいと判定すると、前記第1誤差増幅回路を使用して前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行い、前記出力端子から出力される電流が小さいと判定すると、前記第2誤差増幅回路を使用して前記第2出力トランジスタの動作制御を行い、前記出力端子の電圧を制御するものである。
具体的には、前記制御回路部は、
入力された制御信号に応じて、前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極を接続するスイッチと、
前記第2出力トランジスタの制御電極の電圧に応じて、前記第1誤差増幅回路及び該スイッチの動作制御を行う自動切換回路と、
を備え
前記第1誤差増幅回路は、出力端が前記第1出力トランジスタの制御電極に接続され前記自動切換回路からの制御信号に応じて作動し、前記第2誤差増幅回路は、出力端が前記第2出力トランジスタの制御電極に接続されるようにした。
この場合、前記自動切換回路は、第2出力トランジスタの制御電極の電圧から前記出力端子から出力される電流が大きいと判定すると、前記第1誤差増幅回路を作動させると共に前記スイッチに対して前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極を接続させるようにした。
また、前記自動切換回路は、第2出力トランジスタの制御電極の電圧から前記出力端子から出力される電流が小さいと判定すると、前記第1誤差増幅回路の動作を停止させて消費電流を低減させると共に前記スイッチに対して前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極の接続を遮断させるようにした。
また、前記第2出力トランジスタは、前記第1出力トランジスタよりもトランジスタサイズが小さく電流駆動能力が小さいものであってもよい。
また、前記第1出力トランジスタ、第2出力トランジスタ及び制御回路部は、1つのICに集積されるようにしてもよい。
本発明のボルテージレギュレータによれば、外部から入力された外部制御信号に応じて、前記第1誤差増幅回路を使用して前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うか、又は前記第2誤差増幅回路を使用して前記第2出力トランジスタの動作制御を行い、前記出力端子の電圧を制御するようにした。このことから、出力端子から出力される電流が大きい場合は、消費電流が大きいが応答速度の速い第1誤差増幅回路を使用して第1出力トランジスタと第2出力トランジスタの両方を用いて出力電圧の制御を行い、出力端子から出力される電流が小さい場合は、消費電流の小さい第2誤差増幅回路を使用して第2出力トランジスタを用いて出力電圧の制御を行うことができるため、簡単な回路で、消費電流を低減させることができると共にチップ面積を低減させることができ、第2出力トランジスタのサイズを第1出力トランジスタよりも小さくすることによって、出力端子から出力される電流が小さい軽負荷動作モード時においても出力電圧に対する優れた過渡応答性を得ることができる。
また、本発明のボルテージレギュレータによれば、前記第2出力トランジスタの制御電極の電圧から前記出力端子より出力される電流が大きいか否かの判定を行い、該判定結果に応じて、前記第1誤差増幅回路を使用して前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うか、又は前記第2誤差増幅回路を使用して前記第2出力トランジスタの動作制御を行って、前記出力端子の電圧を制御するようにした。このことから、前記と同様の効果を得ることができると共に、第2出力トランジスタのみを使用する軽負荷動作モードと第1出力トランジスタと第2出力トランジスタを使用する重負荷動作モードの切り換えを自動的に行うことができる。
次に、図面に示す実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態におけるボルテージレギュレータの例を示した回路図である。
図1において、ボルテージレギュレータ1は、入力端子INに入力された入力電圧Vinを降圧して所定の定電圧に変換し、出力電圧Voutとして出力端子OUTから出力する。
ボルテージレギュレータ1は、所定の基準電圧Vrefを生成して出力する基準電圧発生回路2と、消費電流は大きいが高速な動作を行う第1誤差増幅回路3と、消費電流を抑制した第2誤差増幅回路4と、電流駆動能力が大きく素子サイズの大きいPMOSトランジスタからなる第1出力トランジスタM1と、第1出力トランジスタM1よりも格段に電流駆動能力が小さく素子サイズの小さいPMOSトランジスタからなる第2出力トランジスタM2と、出力電圧検出用の抵抗R1,R2と、スイッチSWとを備えている。なお、基準電圧発生回路2、第1誤差増幅回路3、第2誤差増幅回路4、抵抗R1,R2及びスイッチSWは制御回路部をなす。また、ボルテージレギュレータ1は、1つのICに集積されるようにしてもよい。
入力電圧Vinと出力端子OUTとの間には第1出力トランジスタM1及び第2出力トランジスタM2が並列に接続され、第1出力トランジスタM1のゲートは第1誤差増幅回路3の出力端に接続されている。また、第2出力トランジスタM2のゲートは第2誤差増幅回路4の出力端に接続され、第1出力トランジスタM1のゲートと第2出力トランジスタM2のゲートとの間にスイッチSWが接続されている。第1誤差増幅回路3及びスイッチSWの各制御信号入力端には外部からの外部制御信号Scがそれぞれ入力され、第1誤差増幅回路3及びスイッチSWは、外部制御信号Scによって動作制御される。出力端子OUTと接地電圧との間には抵抗R1及びR2が直列に接続され、抵抗R1とR2との接続部からは、出力電圧Voutを分圧した分圧電圧Vfbが第1誤差増幅回路3及び第2誤差増幅回路4の各非反転入力端にそれぞれ出力される。第1誤差増幅回路3及び第2誤差増幅回路4の各反転入力端には、基準電圧Vrefがそれぞれ入力されている。
このような構成において、第2誤差増幅回路4は、外部制御信号Scに関係なく常に作動している。スリープモード等のような出力端子OUTから出力される電流が小さい軽負荷動作モードの場合、外部制御信号Scが例えばハイレベルになり、スイッチSWがオフして遮断状態になると共に第1誤差増幅回路3は動作を停止し、第1誤差増幅回路3で消費される電流がカットされる。第2誤差増幅回路4は、基準電圧Vrefと分圧電圧Vfbの電圧差を増幅して第2出力トランジスタM2のゲートに出力し、分圧電圧Vfbが基準電圧Vrefになるように第2出力トランジスタM2の動作制御を行う。すなわち、軽負荷動作モード時には、第2誤差増幅回路4と第2出力トランジスタM2で出力電圧制御を行うため、ボルテージレギュレータ1は低消費電流動作になる。前記のように、第2出力トランジスタM2は、素子サイズが第1出力トランジスタM1よりも小さく、その分ゲート容量も小さいことから、軽負荷動作モード時における過渡応答性の低下を抑制することができる。
次に、出力端子OUTから出力される電流が大きい重負荷動作モードの場合、外部制御信号Scが例えばローレベルになり、スイッチSWがオンして導通状態になると共に第1誤差増幅回路3は作動し、第1出力トランジスタM1と第2出力トランジスタM2の各ゲートはスイッチSWによって接続される。このため、第1誤差増幅回路3は、第1出力トランジスタM1と第2出力トランジスタM2の両方を同時に制御する。第1誤差増幅回路3は、基準電圧Vrefと分圧電圧Vfbの電圧差を増幅して第1出力トランジスタM1及び第2出力トランジスタM2の各ゲートに出力し、分圧電圧Vfbが基準電圧Vrefになるように第1出力トランジスタM1及び第2出力トランジスタM2の動作制御を行う。このとき、第2誤差増幅回路4の動作を停止させるようにしてもよいが、第1誤差増幅回路3が支配的に出力電圧を制御するため、第2誤差増幅回路4が動作状態のままでも問題はない。むしろ重負荷動作モードから軽負荷動作モードへの切り換わりは、第2誤差増幅回路2を常に動作させている方がスムーズに行われる。
ここで、重負荷動作モードで必要とする出力トランジスタの電流駆動能力を10とすると、従来、例えば図5では、第1出力トランジスタM111に10の電流駆動能力を必要としたが、本第1の実施の形態では、第2出力トランジスタM2の電流駆動能力を2とすると、第1出力トランジスタM1の電流駆動能力が8でよいことになる。このため、第1出力トランジスタM1のサイズを小さくすることができチップ面積を小さくすることができる。
このように、本第1の実施の形態におけるボルテージレギュレータは、重負荷動作モードでは、消費電流が大きいが高速な動作を行う第1誤差増幅回路3が第1出力トランジスタM1と第2出力トランジスタM2の両方を同時に制御し、軽負荷動作モードでは、第1誤差増幅回路3の動作を停止させて消費電流を低減させると共に消費電流の小さい第2誤差増幅回路4を用いてトランジスタサイズの小さい第2出力トランジスタM2のみを制御するようにした。このため、簡単な回路で、消費電流を低減させることができると共にチップ面積を低減させることができ、軽負荷動作モード時においても出力電圧に対する優れた過渡応答性を得ることができる。
第2の実施の形態.
前記第1の実施の形態では、外部制御信号Scに応じて第1誤差増幅回路3及びスイッチSWの動作制御を行うようにしたが、第2出力トランジスタM2のゲート電圧に応じて第1誤差増幅回路3及びスイッチSWの動作制御を行う自動切換回路を設けるようにしてもよく、このようにしたものを本発明の第2の実施の形態とする。
図2は、本発明の第2の実施の形態におけるボルテージレギュレータの例を示した回路図である。なお、図2では、図1と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図1との相違点のみ説明する。
図2における図1との相違点は、第1誤差増幅回路3及びスイッチSWの動作制御を行うための制御信号を生成する自動切換回路5を設けたことにあり、これに伴って、図1のボルテージレギュレータ1をボルテージレギュレータ10にした。
図2において、ボルテージレギュレータ10は、入力端子INに入力された入力電圧Vinを降圧して所定の定電圧に変換し、出力電圧Voutとして出力端子OUTから出力する。
ボルテージレギュレータ10は、基準電圧発生回路2と、第1誤差増幅回路3と、第2誤差増幅回路4と、第1出力トランジスタM1と、第2出力トランジスタM2と、抵抗R1,R2と、スイッチSWと、第2出力トランジスタM2のゲート電圧Vg2に応じて第1誤差増幅回路3及びスイッチSWの動作制御を行う自動切換回路5とを備えている。なお、基準電圧発生回路2、第1誤差増幅回路3、第2誤差増幅回路4、抵抗R1,R2、スイッチSW及び自動切換回路5は制御回路部をなす。また、ボルテージレギュレータ10は、1つのICに集積されるようにしてもよい。
自動切換回路5には、第2出力トランジスタM2のゲート電圧Vg2が入力されており、該ゲート電圧Vg2に応じて生成した制御信号Sc1を第1誤差増幅回路3及びスイッチSWの各制御信号入力端にそれぞれ出力し、第1誤差増幅回路3及びスイッチSWは、制御信号Sc1によって動作制御される。
図3は、自動切換回路5の回路例を示した図である。
図3において、自動切換回路5は、出力端子OUTから出力される出力電流に比例した電流を出力するためのPMOSトランジスタM11、PMOSトランジスタM11の出力電流を電圧に変換する抵抗R11、及び抵抗R11で変換された電圧を2値の信号に変換するバッファ11で構成されている。入力電圧Vinと接地電圧との間に、PMOSトランジスタM11及び抵抗R11が直列に接続され、PMOSトランジスタM11のゲートにはゲート電圧Vg2が入力されている。PMOSトランジスタM11と抵抗R11との接続部がバッファ11の出力端に接続され、バッファ11の出力端から制御信号Sc1が出力される。
このような構成において、自動切換回路5は、ゲート電圧Vg2が所定の電圧V1を超えている場合は、制御信号Sc1を例えばハイレベルにし、スイッチSWをオフさせて遮断状態にすると共に第1誤差増幅回路3の動作を停止させて、軽負荷動作モードにする。このため、第1誤差増幅回路3で消費される電流はカットされる。
次に、自動切換回路5は、ゲート電圧Vg2が所定の電圧V1以下に低下すると、軽負荷動作モードから重負荷動作モードに切り換えるために、制御信号Sc1を例えばローレベルにする。このため、スイッチSWがオンして導通状態になると共に第1誤差増幅回路3は作動し、第1出力トランジスタM1と第2出力トランジスタM2の各ゲートはスイッチSWによって接続されることから、第1誤差増幅回路3は、第1出力トランジスタM1と第2出力トランジスタM2の両方を同時に制御する。
なお、自動切換回路5において、軽負荷動作モードから重負荷動作モードへ切り換えるときのゲート電圧Vg2の電圧値と、重負荷動作モードから軽負荷動作モードへ切り換えるときのゲート電圧Vg2の電圧値にヒステリシスを設けるようにしてもよい。この場合、図3のバッファ11の代わりにヒステリシスコンパレータを使用するようにすればよい。
このように、本第2の実施の形態におけるボルテージレギュレータは、前記第1の実施の形態と同様の効果を得ることができると共に、軽負荷動作モードと重負荷動作モードの切り換えを自動的に行うことができる。更に、従来の図5では、第1誤差増幅回路111と第2誤差増幅回路112との切り換えを行う回路が2つのPMOSトランジスタM113,M114、2つの抵抗R113,R114及び1つの比較回路113を必要とするのに対して、第1誤差増幅回路3及びスイッチSWの動作制御を、PMOSトランジスタM11、抵抗R11及びバッファ11からなる自動切換回路5で行うことができるため、回路の簡素化を図ることができチップ面積を更に低減させることができる。
なお、前記第1及び第2の各実施の形態では、第2出力トランジスタM2が第1出力トランジスタM1よりもトランジスタサイズが小さい場合を例にして説明したが、本発明はこれに限定するものではなく、第1出力トランジスタM1が第2出力トランジスタM2と同じものでもよく、又は第1出力トランジスタM1が第2出力トランジスタM2よりもトランジスタサイズが小さくてもよい。これらの場合においても、前記第1及び第2の各実施の形態で記載した効果と同様の効果を得ることができる。
本発明の第1の実施の形態におけるボルテージレギュレータの例を示した回路図である。 本発明の第2の実施の形態におけるボルテージレギュレータの例を示した回路図である。 図2の自動切換回路5の回路例を示した図である。 従来のボルテージレギュレータの例を示した回路図である。 従来のボルテージレギュレータの他の例を示した回路図である。
符号の説明
1,10 ボルテージレギュレータ
2 基準電圧発生回路
3 第1誤差増幅回路
4 第2誤差増幅回路
5 自動切換回路
M1 第1出力トランジスタ
M2 第2出力トランジスタ
R1,R2 抵抗
SW スイッチ

Claims (8)

  1. 入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換し出力電圧として所定の出力端子から出力するボルテージレギュレータにおいて、
    入力された制御信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する第1出力トランジスタと、
    入力された制御信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する第2出力トランジスタと、
    前記出力端子から出力される出力電圧に比例した比例電圧と所定の基準電圧との電圧差を増幅して出力する第1誤差増幅回路、及び前記比例電圧と前記基準電圧との電圧差を増幅して出力する、該第1誤差増幅回路よりも消費電流が小さい第2誤差増幅回路を有し、前記比例電圧が前記基準電圧になるように前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うと共に、外部から入力された外部制御信号に応じて、前記第1誤差増幅回路を使用して前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うか、又は前記第2誤差増幅回路を使用して前記第2出力トランジスタの動作制御を行って、前記出力端子の電圧を制御する制御回路部と、
    を備え、
    前記制御回路部は、前記外部制御信号に応じて、前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極を接続するスイッチを備え、前記第1誤差増幅回路は、出力端が前記第1出力トランジスタの制御電極に接続され、前記外部制御信号に応じて作動し、前記第2誤差増幅回路は、出力端が前記第2出力トランジスタの制御電極に接続されることを特徴とするボルテージレギュレータ。
  2. 前記第1誤差増幅回路は、前記スイッチが前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極を接続するように前記外部制御信号が入力されると作動し、前記スイッチが前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極の接続を遮断するように前記外部制御信号が入力されると動作を停止することを特徴とする請求項1記載のボルテージレギュレータ。
  3. 入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換し出力電圧として所定の出力端子から出力するボルテージレギュレータにおいて、
    入力された制御信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する第1出力トランジスタと、
    入力された制御信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する第2出力トランジスタと、
    前記出力端子から出力される出力電圧に比例した比例電圧と所定の基準電圧との電圧差を増幅して出力する第1誤差増幅回路、及び前記比例電圧と前記基準電圧との電圧差を増幅して出力する、該第1誤差増幅回路よりも消費電流が小さい第2誤差増幅回路を有し、前記比例電圧が前記基準電圧になるように前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うと共に、前記第2出力トランジスタの制御電極の電圧から前記出力端子より出力される電流が大きいか否かの判定を行い、該判定結果に応じて、前記第1誤差増幅回路を使用して前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行うか、又は前記第2誤差増幅回路を使用して前記第2出力トランジスタの動作制御を行って、前記出力端子の電圧を制御する制御回路部と、
    を備え、
    前記制御回路部は、前記出力端子から出力される電流が大きいと判定すると、前記第1誤差増幅回路を使用して前記第1出力トランジスタ及び第2出力トランジスタの動作制御を行い、前記出力端子から出力される電流が小さいと判定すると、前記第2誤差増幅回路を使用して前記第2出力トランジスタの動作制御を行い、前記出力端子の電圧を制御することを特徴とするボルテージレギュレータ。
  4. 前記制御回路部は、
    入力された制御信号に応じて、前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極を接続するスイッチと、
    前記第2出力トランジスタの制御電極の電圧に応じて、前記第1誤差増幅回路及び該スイッチの動作制御を行う自動切換回路と、
    を備え
    前記第1誤差増幅回路は、出力端が前記第1出力トランジスタの制御電極に接続され前記自動切換回路からの制御信号に応じて作動し、前記第2誤差増幅回路は、出力端が前記第2出力トランジスタの制御電極に接続されることを特徴とする請求項3記載のボルテージレギュレータ。
  5. 前記自動切換回路は、第2出力トランジスタの制御電極の電圧から前記出力端子から出力される電流が大きいと判定すると、前記第1誤差増幅回路を作動させると共に前記スイッチに対して前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極を接続させることを特徴とする請求項4記載のボルテージレギュレータ。
  6. 前記自動切換回路は、第2出力トランジスタの制御電極の電圧から前記出力端子から出力される電流が小さいと判定すると、前記第1誤差増幅回路の動作を停止させて消費電流を低減させると共に前記スイッチに対して前記第1出力トランジスタと前記第2出力トランジスタの各制御電極の接続を遮断させることを特徴とする請求項4又は5記載のボルテージレギュレータ。
  7. 前記第2出力トランジスタは、前記第1出力トランジスタよりもトランジスタサイズが小さく電流駆動能力が小さいことを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載のボルテージレギュレータ。
  8. 前記第1出力トランジスタ、第2出力トランジスタ及び制御回路部は、1つのICに集積されることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6又は7記載のボルテージレギュレータ。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7907074B2 (en) * 2007-11-09 2011-03-15 Linear Technology Corporation Circuits and methods to reduce or eliminate signal-dependent modulation of a reference bias
JP5099505B2 (ja) * 2008-02-15 2012-12-19 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
JP5467845B2 (ja) * 2009-09-29 2014-04-09 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
US9887014B2 (en) * 2009-12-18 2018-02-06 Aeroflex Colorado Springs Inc. Radiation tolerant circuit for minimizing the dependence of a precision voltage reference from ground bounce and signal glitch
US8384465B2 (en) 2010-06-15 2013-02-26 Aeroflex Colorado Springs Inc. Amplitude-stabilized even order pre-distortion circuit
TWI444803B (zh) 2011-03-08 2014-07-11 Etron Technology Inc 穩壓電路
US9166028B2 (en) 2011-05-31 2015-10-20 Infineon Technologies Austria Ag Circuit configured to adjust the activation state of transistors based on load conditions
KR101240685B1 (ko) 2011-09-27 2013-03-11 삼성전기주식회사 듀얼모드 스위칭 레귤레이터
KR20140009712A (ko) * 2012-07-12 2014-01-23 삼성전자주식회사 전압 레귤레이터, 전압 레귤레이팅 시스템, 메모리 칩, 및 메모리 장치
US9058049B2 (en) * 2012-09-11 2015-06-16 St-Ericsson Sa Modular low-power unit with analog synchronization loop usable with a low-dropout regulator
US8975882B2 (en) * 2012-10-31 2015-03-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Regulator with improved wake-up time
US10698432B2 (en) * 2013-03-13 2020-06-30 Intel Corporation Dual loop digital low drop regulator and current sharing control apparatus for distributable voltage regulators
JP6211887B2 (ja) * 2013-10-15 2017-10-11 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
CN103677045B (zh) * 2013-11-28 2015-04-15 成都位时通科技有限公司 电压调节电路
US9195248B2 (en) * 2013-12-19 2015-11-24 Infineon Technologies Ag Fast transient response voltage regulator
TWI503645B (zh) * 2014-05-07 2015-10-11 Nuvoton Technology Corp 電壓調節器、方法與晶片
KR102295182B1 (ko) * 2014-07-29 2021-09-01 삼성전자주식회사 직류-직류 변환 회로 및 그것을 포함하는 전력 관리 칩 패키지
TWI536137B (zh) * 2014-09-11 2016-06-01 智原科技股份有限公司 穩壓電路
JP2017126285A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
CN105739587A (zh) * 2016-02-23 2016-07-06 无锡中微亿芯有限公司 一种可输出大电流的自带可调温度系数低压差线性稳压器
CN106980337B (zh) * 2017-03-08 2018-12-21 长江存储科技有限责任公司 一种低压差线性稳压器
JP7141284B2 (ja) * 2017-09-13 2022-09-22 ローム株式会社 レギュレータ回路
JP7062494B2 (ja) * 2018-04-02 2022-05-06 ローム株式会社 シリーズレギュレータ
CN109213252B (zh) * 2018-11-22 2020-06-30 北京昂瑞微电子技术有限公司 一种自适应ldo电路
JP7173915B2 (ja) * 2019-03-28 2022-11-16 ラピスセミコンダクタ株式会社 電源回路
US10795392B1 (en) * 2019-04-16 2020-10-06 Novatek Microelectronics Corp. Output stage circuit and related voltage regulator
US11437989B2 (en) * 2020-08-04 2022-09-06 Pakal Technologies, Inc Insulated gate power device with independently controlled segments
US11329559B2 (en) * 2020-08-24 2022-05-10 Nanya Technology Corporation Low dropout regulator and control method thereof
US11803203B2 (en) * 2021-09-13 2023-10-31 Silicon Laboratories Inc. Current sensor with multiple channel low dropout regulator

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3286869B2 (ja) * 1993-02-15 2002-05-27 三菱電機株式会社 内部電源電位発生回路
JPH09140126A (ja) * 1995-05-30 1997-05-27 Linear Technol Corp 適応スイッチ回路、適応出力回路、制御回路およびスイッチング電圧レギュレータを動作させる方法
US5773966A (en) * 1995-11-06 1998-06-30 General Electric Company Dual-mode, high-efficiency dc-dc converter useful for portable battery-operated equipment
JP2002312043A (ja) * 2001-04-10 2002-10-25 Ricoh Co Ltd ボルテージレギュレータ
US6661279B2 (en) * 2001-04-11 2003-12-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit which outputs first internal power supply voltage and second internal power supply voltage lower than first internal supply power voltage
JP2002373942A (ja) * 2001-04-11 2002-12-26 Toshiba Corp 半導体集積回路
US7443229B1 (en) * 2001-04-24 2008-10-28 Picor Corporation Active filtering
JP3710468B1 (ja) * 2004-11-04 2005-10-26 ローム株式会社 電源装置、及び携帯機器
JP2006190021A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置および無線通信システム
JP4667883B2 (ja) * 2005-01-26 2011-04-13 株式会社リコー 定電圧回路及びその定電圧回路を有する半導体装置
US7199565B1 (en) * 2006-04-18 2007-04-03 Atmel Corporation Low-dropout voltage regulator with a voltage slew rate efficient transient response boost circuit

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