JP4866550B2 - 自己整合型の半導体メサおよびコンタクト層を有する半導体デバイス、および、該デバイスに関連する構造の形成方法 - Google Patents
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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Description
さらに、従来の半導体レーザデバイスの電気的に脆弱な部分は、電流漏れ、短絡、および/または励起閾値の上昇を招くことがある。
Claims (68)
- 半導体デバイスの形成方法であって、
半導体層上に導電金属層を形成する工程と、
前記半導体層と反対側の前記導電金属層上にマスクを形成する工程と、
メサ側壁と、メサ表面とを有する半導体メサを画定するために前記マスクを維持し、前記半導体メサと前記マスクの間の前記メサ表面の全体にわたって金属コンタクト層を画定しつつ、前記マスクを介して露出している前記導電金属層および前記半導体層の一部を選択的に除去する工程と、
前記マスク上と、前記メサ側壁上とに、パッシベーション層を形成する工程と、
ここで、前記メサ側壁上には、該メサ側壁と前記メサ表面との間の境界に当たる角部を覆う位置まで該パッシベーション層を形成し、
前記マスクと、前記マスク上の前記パッシベーション層の一部とを除去する工程と
を具え、前記金属コンタクト層において、前記マスクと接触していたコンタクト面と、該マスクと接触していなかった側壁の一部とを露出させることを特徴とする方法。 - 前記半導体層は、III―V族の半導体材料を具えたことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記半導体層は、III族の窒化物半導体材料を具えたことを特徴とする請求項2記載の方法。
- 前記半導体層は、第1の導電型の第1の層と、前記第1の層上に第2の導電型の第2の層とを具えたことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記半導体層の一部を除去する工程は、
前記第1の導電型の前記第1の層の一部を除去せずに前記第2の導電型の前記第2の層の一部を除去する工程を具えたことを特徴とする請求項4記載の方法。 - 前記半導体層の一部を除去する工程は、前記第1および前記第2の層の一部を除去する工程を具えたことを特徴とする請求項4記載の方法。
- 前記半導体層は、前記第1の層と前記第2の層との間に活性層をさらに具えたことを特徴とする請求項4記載の方法。
- 前記半導体メサ内に含まれる前記半導体層の一部は、0.1から5ミクロンの範囲内の厚さを有することを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記半導体メサ内に含まれる前記半導体層の一部は、2.5ミクロン未満の厚さを有することを特徴とする請求項8記載の方法。
- 前記メサ表面の一部は、前記金属コンタクト層との界面で、1から5ミクロンの範囲内の幅を有することを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記マスクと、前記マスク上の前記パッシベーション層の一部とを除去した後で、前記メサ表面上に配置された前記金属コンタクト層の露出した部分と前記パッシベーション層の一部分上とに、導電性オーバーレイ層を形成する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記導電性オーバーレイ層は、金属層を具えたことを特徴とする請求項11記載の方法。
- 前記導電性オーバーレイ層は、ニッケル(Ni)、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、および/またはパラジウム(Pd)の少なくとも1つを具えたことを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記パッシベーション層は、窒化シリコン、酸化シリコン、および/または酸化アルミニウムの少なくとも1つを具えたことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記パッシベーション層を形成する工程は、
化学気相成長法(CVD)、プラズマ化学気相成長法(PECVD)、低圧化学気相成長法(LPCVD)、スパッタリング法、および/または電子ビーム蒸着法の少なくとも1つを使用して前記パッシベーション層を堆積させる工程を具えたことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記金属コンタクト層は、内側へ傾いた前記側壁と、前記半導体メサ表面と反対側に前記コンタクト面とを含み、
前記パッシベーション層は、前記金属コンタクト層の前記内側へ傾いた側壁へ延び、
前記金属コンタクト層の前記コンタクト面は、前記パッシベーション層と接触していないことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記コンタクト面に隣接する前記内側へ傾いた側壁の一部は、前記パッシベーション層と接触していないことを特徴とする請求項16記載の方法。
- 前記半導体メサの側壁は、前記半導体層の基板側の底面に対して第1の勾配を有し、前記金属コンタクト層の側壁は、前記半導体層の基板側の底面に対して第2の勾配を有し、前記第1の勾配は、前記第2の勾配よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記導電金属層および前記半導体層の一部を選択的に除去する工程は、
前記導電金属層および前記半導体層の一部をドライエッチングする工程を具えたことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記半導体層を形成する工程は、エピタキシャル半導体層を形成する工程を具えたことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記半導体メサは、前記パターン付けされた半導体層内で電流閉じ込めと光閉じ込めの少なくとも1つを発光デバイスにもたらすように構成されていることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記導電金属層の一部を選択的に除去しつつ、前記マスクの側壁上に前記導電金属層の副生物を再堆積させる工程をさらに具えたことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 半導体デバイスの形成方法であって、
メサ側壁と、メサ表面とを有する半導体メサを含み、さらに前記メサ表面上に、側壁と、前記メサ表面と反対側にコンタクト面とを有し、前記メサ表面の全体にわたって延びる金属コンタクト層を含む半導体構造部を形成する工程と、
前記金属コンタクト層を形成した後、前記メサ側壁上と、前記メサ表面に隣接する前記金属コンタクト層の前記側壁の一部分上とに、パッシベーション層を形成する工程と
を具え、
前記パッシベーション層は、前記金属コンタクト層における前記コンタクト面の全体および前記側壁の一部を露出させ、
前記半導体構造部の前記メサ側壁は、前記メサ表面に対して第1の勾配を有し、前記金属コンタクト層の側壁は、前記メサ表面に対して第2の勾配を有し、前記第2の勾配は、前記第1の勾配よりも小さいことを特徴とする方法。 - 前記半導体構造部は、III―V族の半導体材料を含むことを特徴とする請求項23記載の方法。
- 前記半導体構造部は、III族の窒化物半導体材料を含むことを特徴とする請求項24記載の方法。
- 前記半導体構造部は、第1の導電型の第1の層と、前記第1の層上に第2の導電型の第2層とを具えたことを特徴とする請求項23記載の方法。
- 前記メサ側壁は、前記第1の導電型の前記第1の層の一部を露出させることなく、前記第2の導電型の前記第2の層の一部を露出させることを特徴とする請求項26記載の方法。
- 前記メサ側壁は、前記第1の導電型の前記第1の層の一部および前記第2の導電型の前記第2の層の一部を露出させることを特徴とする請求項26記載の方法。
- 前記半導体構造部は、前記第1の層と前記第2の層との間に、活性層をさらに具えたことを特徴とする請求項26記載の方法。
- 前記メサ内に含まれる前記半導体構造部の一部は、0.1から5ミクロンの範囲内の厚さを有することを特徴とする請求項23記載の方法。
- 前記メサ内に含まれる前記半導体構造部の一部は、2.5ミクロン未満の厚さを有することを特徴とする請求項30記載の方法。
- 前記半導体構造部の前記メサ表面は、1から3ミクロンの範囲内の幅を有することを特徴とする請求項23記載の方法。
- 前記金属コンタクト層の前記露出した部分上と、前記金属コンタクト層を囲む前記パッシベーション層の一部分上とに、導電性オーバーレイ層を形成することをさらに具えたことを特徴とする請求項23記載の方法。
- 前記導電性オーバーレイ層は、金属層を具えたことを特徴とする請求項33記載の方法。
- 前記導電性オーバーレイ層は、ニッケル(Ni)、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、および/またはパラジウム(Pd)の少なくとも1つを具えたことを特徴とする請求項34記載の方法。
- 前記パッシベーション層は、窒化シリコン、酸化シリコン、および/または酸化アルミニウムの少なくとも1つを具えたことを特徴とする請求項23記載の方法。
- 前記パッシベーション層を形成する工程は、
化学気相成長法(CVD)、プラズマ化学気相成長法(PECVD)、低圧化学気相成長法(LPCVD)、スパッタリング法、および/または電子ビーム蒸着法の少なくとも1つを使用して前記パッシベーション層を堆積させる工程を具えたことを特徴とする請求項23記載の方法。 - 前記金属コンタクト層の前記側壁は内側へ傾いており、前記パッシベーション層は、前記メサ表面と反対側にある前記金属コンタクト層の内側へ傾いた側壁上へ延びていることを特徴とする請求項23記載の方法。
- 前記パッシベーション層を形成する前に、前記メサ表面と反対側の前記金属コンタクト層上にマスクを維持する工程と、ここで、該パッシベーション層を形成する工程は、前記パッシベーション層を前記マスク上に形成する工程を具え、
前記パッシベーションを形成した後で、前記マスクと、前記マスク上の前記パッシベーション層の一部とを除去する工程と
をさらに具えたことを特徴とする請求項23記載の方法。 - 前記半導体構造部を形成する工程とおよび前記金属コンタクト層を形成する工程とは、
基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に導電金属層を形成する工程と、
前記半導体層と反対側の前記導電金属層上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを介して露出している前記導電金属層および前記半導体層の一部を除去して金属コンタクト層および半導体層を形成する工程と
を具えたことを特徴とする請求項39記載の方法。 - 前記マスクを介して露出している前記導電金属層の一部を除去しつつ、前記マスクの側壁上に前記導電金属層の副生物を再堆積させる工程をさらに具えたことを特徴とする請求項40記載の方法。
- 前記パッシベーション層は、前記コンタクト面に隣接する前記金属コンタクト層の前記側壁の一部を露出させることを特徴とする請求項23記載の方法。
- 前記半導体メサは、前記半導体構造内で光閉じ込めまたは電流閉じ込めの少なくとも1つを発光デバイスにもたらすように構成されることを特徴とする請求項23記載の方法。
- 前記メサ側壁は、前記金属コンタクト層と接触していないことを特徴とする請求項23記載の方法。
- メサ側壁と、平坦なメサ表面とを有するメサを含む半導体構造部と、
前記平坦なメサ表面上にあり、側壁と、前記平坦なメサ表面と反対側にコンタクト面とを有し、前記メサに隣接する当該金属コンタクト層のコンタクト面の全体が平坦となり、かつ、前記メサ側壁が当該金属コンタクト層に接触しないように、前記メサ表面の全体にわたって延びる金属コンタクト層と、
前記メサ側壁上および前記メサ表面に隣接する前記金属コンタクト層の前記側壁の一部分上に配置された絶縁性のパッシベーション層と
を具え、
前記パッシベーション層は、前記金属コンタクト層における前記コンタクト面の全体および前記側壁の一部を露出させ、
前記半導体構造部の前記メサ側壁は、前記メサ表面に対して第1の勾配を有し、前記金属コンタクト層の前記側壁は、前記メサ表面に対して第2の勾配を有し、前記第2の勾配は前記第1の勾配よりも小さいことを特徴とする半導体デバイス。 - 前記半導体構造部は、III―V族の半導体材料を具えたことを特徴とする請求項45記載の半導体デバイス。
- 前記半導体構造部は、III族の窒化物半導体材料を具えたことを特徴とする請求項46記載の半導体デバイス。
- 前記半導体構造部は、
第1の導電型の第1の層と、前記第1の層上に第2の導電型の第2層とを具えたことを特徴とする請求項45記載の半導体デバイス。 - 前記メサ側壁は、前記第1の導電型の前記第1の層の一部を露出させることなく、前記第2の導電型の前記第2の層の一部を露出させることを特徴とする請求項48記載の半導体デバイス。
- 前記メサ側壁は、前記第1の導電型の前記第1の層の一部および前記第2の導電型の前記第2の層の一部を露出させることを特徴とする請求項48記載の半導体デバイス。
- 前記半導体構造部は、前記第1の層と前記第2の層との間に、活性層をさらに具えたことを特徴とする請求項48記載の半導体デバイス。
- 前記メサ内に含まれる前記半導体構造部の一部は、0.1から5ミクロンの範囲内の厚さを有することを特徴とする請求項45記載の半導体デバイス。
- 前記メサ内に含まれる前記半導体構造部の一部は、2.5ミクロン未満の厚さを有することを特徴とする請求項52記載の半導体デバイス。
- 前記半導体構造部の前記メサ表面は、1から3ミクロンの範囲内の幅を有することを特徴とする請求項45記載の半導体デバイス。
- 前記金属コンタクト層の前記露出した部分上と、前記金属コンタクト層を囲む前記パッシベーション層の一部分上とに、導電性オーバーレイ層をさらに具えたことを特徴とする請求項45記載の半導体デバイス。
- 前記導電性オーバーレイ層は、金属層を具えたことを特徴とする請求項55記載の半導体デバイス。
- 前記導電性オーバーレイ層は、ニッケル(Ni)、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、および/またはパラジウム(Pd)の少なくとも1つを具えたことを特徴とする請求項56記載の半導体デバイス。
- 前記パッシベーション層は、窒化シリコン、酸化シリコン、および/または酸化アルミニウムの少なくとも1つを具えたことを特徴とする請求項45記載の半導体デバイス。
- 前記金属コンタクト層の前記側壁は、内側へ傾いており、
前記パッシベーション層は、前記メサと反対側にある前記金属コンタクト層の内側へ傾いた側壁上へ延びていることを特徴とする請求項45記載の半導体デバイス。 - 前記パッシベーション層は、前記コンタクト面に隣接する前記金属コンタクト層側壁の一部を露出させることを特徴とする請求項45記載の半導体デバイス。
- 前記メサは、前記半導体構造内で光閉じ込めまたは電流閉じ込めの少なくとも1つを発光デバイスにもたらすように構成されることを特徴とする請求項45記載の半導体デバイス。
- 前記メサ側壁は、前記金属コンタクト層と接触していないことを特徴とする請求項45に記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイスの形成方法であって、
メサ表面と、メサ側壁とを有する半導体メサを含み、前記メサ表面の全体にわたる金属コンタクト層を含み、さらに前記金属コンタクト層上にマスクを含む半導体構造部を形成する工程と、
前記マスク上と、前記メサ側壁上とに、パッシベーション層を形成する工程と、
ここで、前記メサ側壁上には、該メサ側壁と前記メサ表面との間の境界に当たる角部を覆う位置まで該パッシベーション層を形成し、
前記マスクと、前記マスク上の前記パッシベーション層の一部とを除去する工程と
を具え、前記金属コンタクト層において、前記マスクと接触していたコンタクト面と、該マスクと接触していなかった側壁の一部とを露出させることを特徴とする半導体デバイスの形成方法。 - 前記金属コンタクト層を形成する工程は、
マスクを越えて延びる金属層を形成する工程と、
前記パッシベーション層を形成する前に前記マスクを越えて延びる前記金属層の一部を選択的に除去する工程と
を具えたことを特徴とする請求項63記載の方法。 - 前記半導体構造部を形成する工程は、
前記マスクを越えて延びる半導体層を形成する工程と、
前記パッシベーション層を形成する前に前記マスクを越えて延びる前記半導体層の一部を選択的に除去する工程と
を具えたことを特徴とする請求項64記載の方法。 - 前記金属層の一部を選択的に除去しつつ、前記マスクの側壁上の前記金属層の副生物を再堆積させることをさらに具えたことを特徴とする請求項64記載の方法。
- 前記メサは、前記半導体構造部内で光閉じ込めまたは電流閉じ込めの少なくとも1つを発光デバイスにもたらすように構成されることを特徴とする請求項63記載の方法。
- 前記メサ側壁は、前記金属コンタクト層と接触していないことを特徴とする請求項63記載の方法。
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US7707455B2 (en) * | 2007-03-14 | 2010-04-27 | Microsoft Corporation | Self-service recovery of application data |
US7833695B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-11-16 | Corning Incorporated | Methods of fabricating metal contact structures for laser diodes using backside UV exposure |
US8237183B2 (en) * | 2007-08-16 | 2012-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
KR100892983B1 (ko) * | 2007-09-05 | 2009-04-10 | 한국광기술원 | 매립형 레이저 다이오드 형성 방법 |
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US7935620B2 (en) * | 2007-12-05 | 2011-05-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming semiconductor devices with low leakage Schottky contacts |
JP2009158745A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9318874B2 (en) * | 2009-06-03 | 2016-04-19 | Nichia Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
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US20130009045A1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | Raytheon Company | Self-Aligned Contacts for Photosensitive Detection Devices |
US10115764B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-10-30 | Raytheon Company | Multi-band position sensitive imaging arrays |
GB2494008A (en) * | 2011-08-23 | 2013-02-27 | Oclaro Technology Ltd | semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device |
US8710859B2 (en) * | 2011-09-23 | 2014-04-29 | Powertech Technology Inc. | Method for testing multi-chip stacked packages |
CN103021840B (zh) * | 2011-09-23 | 2015-11-04 | 中国科学院微电子研究所 | 防止钝化层过刻蚀的方法 |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
CN104380545B (zh) * | 2012-05-08 | 2017-09-15 | 镁可微波技术有限公司 | 具有光束形状修改的激光器 |
JP6205826B2 (ja) * | 2013-05-01 | 2017-10-04 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
RU2617179C2 (ru) * | 2014-11-14 | 2017-04-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) | Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs |
WO2017201459A1 (en) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Semiconductor lasers and processes for the planarization of semiconductor lasers |
KR102505559B1 (ko) * | 2016-10-06 | 2023-03-06 | 스테판 위드함 | 먼지 결합 장치 및 방법 |
US11211525B2 (en) | 2017-05-01 | 2021-12-28 | Ohio State Innovation Foundation | Tunnel junction ultraviolet light emitting diodes with enhanced light extraction efficiency |
CN108666216B (zh) * | 2018-05-15 | 2021-05-07 | 西安电子科技大学 | 基于叠层钝化结构的hemt器件及其制备方法 |
KR102544296B1 (ko) * | 2018-09-13 | 2023-06-16 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 표면발광레이저 소자 및 이를 구비한 표면발광레이저 장치 |
CN109659810B (zh) * | 2018-12-24 | 2021-10-08 | 香港中文大学(深圳) | 一种降低微腔半导体激光器阈值的方法 |
CN113228220A (zh) | 2018-12-26 | 2021-08-06 | Asml荷兰有限公司 | 制造孔径装置的方法 |
WO2020258282A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Radiation detection and method of fabricating radiation detector |
KR20220078638A (ko) * | 2019-10-30 | 2022-06-10 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 갈륨 함유 발광 장치의 성능 향상 방법 |
US11626532B2 (en) | 2021-01-06 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming light emitting diodes |
TWI748856B (zh) * | 2021-01-29 | 2021-12-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體及顯示面板 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04276682A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-10-01 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体レーザとそれを有する装置とその製造方法 |
JPH05190968A (ja) * | 1990-04-06 | 1993-07-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 自己整合性半導体レーザのリッジ構造の形成方法 |
JPH07221081A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにエッチングガスによる加工方法 |
JP2000058965A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子 |
JP2000299528A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Nec Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Family Cites Families (145)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US15721A (en) * | 1856-09-09 | Improvement in harvesters | ||
US25121A (en) * | 1859-08-16 | Improvement in mole-plows | ||
US542995A (en) * | 1895-07-23 | Mechanism for giving reciprocating motion to canvas | ||
US6418A (en) * | 1849-05-01 | Improvement in the preparation of flour for bread-making | ||
US592053A (en) * | 1897-10-19 | Antifriction-bearing | ||
US45015A (en) * | 1864-11-15 | Improvement in flaring metal hoops | ||
US93020A (en) * | 1869-07-27 | Improvement in eye-xlasses | ||
US22290A (en) * | 1858-12-14 | Harness-snap | ||
US123164A (en) * | 1872-01-30 | Improvement in fishing-apparatus | ||
US920409A (en) * | 1908-11-21 | 1909-05-04 | Rudolf Wild | Manicure implement. |
GB406665A (en) * | 1932-08-30 | 1934-02-28 | Roger Harry Cubitt | Improvements relating to the manufacture of photo-electric cells |
US3495140A (en) * | 1967-10-12 | 1970-02-10 | Rca Corp | Light-emitting diodes and method of making same |
US4142160A (en) * | 1972-03-13 | 1979-02-27 | Hitachi, Ltd. | Hetero-structure injection laser |
US3865646A (en) * | 1972-09-25 | 1975-02-11 | Bell Telephone Labor Inc | Dielectric optical waveguides and technique for fabricating same |
US3833435A (en) * | 1972-09-25 | 1974-09-03 | Bell Telephone Labor Inc | Dielectric optical waveguides and technique for fabricating same |
GB1432697A (en) * | 1973-05-04 | 1976-04-22 | Standard Telephones Cables Ltd | Optically coupled semiconductive switching devices |
US4084130A (en) * | 1974-01-18 | 1978-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Laser for integrated optical circuits |
GB1478152A (en) * | 1974-10-03 | 1977-06-29 | Standard Telephones Cables Ltd | Light emissive diode |
NL176323C (nl) * | 1975-03-11 | 1985-03-18 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van incoherente straling. |
US4099305A (en) * | 1977-03-14 | 1978-07-11 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of mesa devices by MBE growth over channeled substrates |
US4236122A (en) * | 1978-04-26 | 1980-11-25 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mesa devices fabricated on channeled substrates |
US4276098A (en) * | 1980-03-31 | 1981-06-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Batch processing of semiconductor devices |
DE3208638A1 (de) * | 1982-03-10 | 1983-09-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Lumineszenzdiode aus siliziumkarbid |
JPS61236189A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
FR2613547B1 (fr) * | 1987-04-01 | 1989-06-23 | Cit Alcatel | Laser semiconducteur a heterostructure enterree |
US5003548A (en) * | 1988-09-21 | 1991-03-26 | Cornell Research Foundation, Inc. | High power (1,4 W)AlGaInP graded-index separate confinement heterostructure visible (λ-658 nm) laser |
JP2650744B2 (ja) | 1988-12-28 | 1997-09-03 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード |
JPH02188983A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-25 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体レーザ装置 |
KR900013612A (ko) * | 1989-02-17 | 1990-09-05 | 프레데릭 얀 스미트 | 두 물체의 연결 방법 및 장치 |
US4966862A (en) | 1989-08-28 | 1990-10-30 | Cree Research, Inc. | Method of production of light emitting diodes |
JPH0396289A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Nec Corp | 半導体レーザ |
JP3011729B2 (ja) * | 1990-01-16 | 2000-02-21 | 沖電気工業株式会社 | バイポーラ型半導体集積回路装置の製造方法 |
US5243204A (en) | 1990-05-18 | 1993-09-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Silicon carbide light emitting diode and a method for the same |
US5208183A (en) * | 1990-12-20 | 1993-05-04 | At&T Bell Laboratories | Method of making a semiconductor laser |
US5260230A (en) * | 1991-07-12 | 1993-11-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing buried heterostructure semiconductor laser |
JPH05235481A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光装置およびその製造方法 |
DE69308977T2 (de) * | 1992-09-25 | 1997-10-09 | Furukawa Electric Co Ltd | Halbleiterlaservorrichtung |
US5276699A (en) * | 1992-11-05 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Depressed-index ridge waveguide laser diode containing a stabilizing region |
DE4305296C3 (de) | 1993-02-20 | 1999-07-15 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode |
US5416342A (en) * | 1993-06-23 | 1995-05-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency |
JPH0750448A (ja) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
US5422901A (en) * | 1993-11-15 | 1995-06-06 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with high heat conductivity |
JP2822868B2 (ja) * | 1993-12-10 | 1998-11-11 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
US5418190A (en) | 1993-12-30 | 1995-05-23 | At&T Corp. | Method of fabrication for electro-optical devices |
DE69517614T2 (de) * | 1994-03-22 | 2001-02-15 | Uniphase Opto Holdings Inc., San Jose | Halbleiterdiodenlaser und dessen Herstellungsverfahren |
US5559053A (en) * | 1994-04-14 | 1996-09-24 | Lucent Technologies Inc. | Vertical cavity semiconductor laser |
US5838029A (en) * | 1994-08-22 | 1998-11-17 | Rohm Co., Ltd. | GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate |
US5592501A (en) | 1994-09-20 | 1997-01-07 | Cree Research, Inc. | Low-strain laser structures with group III nitride active layers |
US5631190A (en) * | 1994-10-07 | 1997-05-20 | Cree Research, Inc. | Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures |
JP3497627B2 (ja) * | 1994-12-08 | 2004-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5787104A (en) * | 1995-01-19 | 1998-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and method for fabricating the same |
US5661074A (en) * | 1995-02-03 | 1997-08-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same |
US5739554A (en) * | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
KR970008386A (ko) | 1995-07-07 | 1997-02-24 | 하라 세이지 | 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치 |
JPH0936484A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-02-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
DE19536438A1 (de) | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement und Herstellverfahren |
KR0172797B1 (ko) * | 1995-10-16 | 1999-03-30 | 김주용 | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
WO1997023900A1 (en) * | 1995-12-21 | 1997-07-03 | Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a semiconductor device with a pn junction provided through epitaxy |
KR970054992A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-31 | 김주용 | 레이저 다이오드 제조방법 |
KR970054972A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-31 | 김주용 | 레이저 다이오드 제조방법 |
US5923690A (en) * | 1996-01-25 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
JPH09270569A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
US5874747A (en) | 1996-02-05 | 1999-02-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same |
JPH09270528A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード素子及びその製造方法 |
JP3708213B2 (ja) * | 1996-04-18 | 2005-10-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH1027940A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザー装置 |
US5668049A (en) * | 1996-07-31 | 1997-09-16 | Lucent Technologies Inc. | Method of making a GaAs-based laser comprising a facet coating with gas phase sulphur |
JPH1075011A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Sony Corp | 半導体レーザ |
JPH1075009A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Nec Corp | 光半導体装置とその製造方法 |
KR100251348B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2000-05-01 | 김영환 | Rwg 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
JP3954686B2 (ja) | 1997-03-24 | 2007-08-08 | 平田機工株式会社 | 基板の搬送装置及び基板の搬送方法 |
JP3897186B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2007-03-22 | シャープ株式会社 | 化合物半導体レーザ |
EP2234142A1 (en) * | 1997-04-11 | 2010-09-29 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor substrate |
JPH10290025A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ledアレイ |
US5923946A (en) * | 1997-04-17 | 1999-07-13 | Cree Research, Inc. | Recovery of surface-ready silicon carbide substrates |
JP3339369B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2002-10-28 | 株式会社デンソー | レーザダイオード |
ATE279789T1 (de) | 1997-08-29 | 2004-10-15 | Cree Inc | Robuste lichtemittierende diode aus einer nitridverbindung von elementen der gruppe iii für hohe zuverlässigkeit in standardpackungen |
US6825501B2 (en) | 1997-08-29 | 2004-11-30 | Cree, Inc. | Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications |
US5972781A (en) | 1997-09-30 | 1999-10-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing semiconductor chips |
US6201262B1 (en) | 1997-10-07 | 2001-03-13 | Cree, Inc. | Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure |
JP3270374B2 (ja) * | 1997-11-07 | 2002-04-02 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
JPH11150334A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP3653169B2 (ja) * | 1998-01-26 | 2005-05-25 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
JP3604278B2 (ja) * | 1998-02-17 | 2004-12-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザー素子 |
JP4166885B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2008-10-15 | 富士通株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP4352473B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2009-10-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4245691B2 (ja) * | 1998-08-04 | 2009-03-25 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置 |
US6365968B1 (en) * | 1998-08-07 | 2002-04-02 | Corning Lasertron, Inc. | Polyimide/silicon oxide bi-layer for bond pad parasitic capacitance control in semiconductor electro-optical device |
US6459100B1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-10-01 | Cree, Inc. | Vertical geometry ingan LED |
KR100281692B1 (ko) * | 1998-10-17 | 2001-03-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 자기정렬 콘택 패드 및 그 형성 방법 |
US6413839B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-07-02 | Emcore Corporation | Semiconductor device separation using a patterned laser projection |
US6255198B1 (en) | 1998-11-24 | 2001-07-03 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby |
JP3907854B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2007-04-18 | 富士通株式会社 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
US6744800B1 (en) * | 1998-12-30 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate |
US6201264B1 (en) * | 1999-01-14 | 2001-03-13 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Advanced semiconductor devices fabricated with passivated high aluminum content III-V materials |
JP2000223742A (ja) | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Toshiba Corp | 窒素化合物半導体素子 |
ATE452445T1 (de) * | 1999-03-04 | 2010-01-15 | Nichia Corp | Nitridhalbleiterlaserelement |
JP3459607B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2003-10-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP3735638B2 (ja) * | 1999-04-23 | 2006-01-18 | ソニー株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2001156398A (ja) * | 1999-05-19 | 2001-06-08 | Canon Inc | 半導体素子の製造方法、半導体素子、及びジャイロ |
US6432788B1 (en) * | 1999-07-22 | 2002-08-13 | Implant Sciences Corporation | Method for fabricating an emitter-base junction for a gallium nitride bipolar transistor |
JP2001094197A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Nec Corp | 自励発振型半導体レーザ |
US6812053B1 (en) * | 1999-10-14 | 2004-11-02 | Cree, Inc. | Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures |
JP2001148532A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Pioneer Electronic Corp | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
US6835963B2 (en) * | 1999-12-22 | 2004-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light-emitting element and method of fabrication thereof |
JP4007737B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2007-11-14 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子 |
US6699775B2 (en) * | 2000-02-22 | 2004-03-02 | International Rectifier Corporation | Manufacturing process for fast recovery diode |
JP3636976B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2005-04-06 | 日本電気株式会社 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
JP4060511B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2008-03-12 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体素子の分離方法 |
US6475889B1 (en) | 2000-04-11 | 2002-11-05 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
JP3484394B2 (ja) * | 2000-04-12 | 2004-01-06 | Necエレクトロニクス株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
US7266515B2 (en) * | 2000-04-20 | 2007-09-04 | General Electric Company | Method and system for graphically identifying replacement parts for generally complex equipment |
US6420252B1 (en) * | 2000-05-10 | 2002-07-16 | Emcore Corporation | Methods of forming robust metal contacts on compound semiconductors |
US6642270B2 (en) * | 2000-05-15 | 2003-11-04 | Paratek Pharmaceuticals, Inc. | 7-substituted fused ring tetracycline compounds |
US6925101B2 (en) * | 2000-06-08 | 2005-08-02 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device, and method of manufacturing the same |
US6432735B1 (en) * | 2000-06-23 | 2002-08-13 | Agere Systems Guardian Corp. | High power single mode laser and method of fabrication |
KR100338803B1 (ko) * | 2000-08-12 | 2002-05-31 | 이형도 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
JP2002094181A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Sony Corp | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
JP2002094189A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学装置 |
US6387804B1 (en) | 2000-09-19 | 2002-05-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Passivation of sidewall spacers using ozonated water |
US6475100B1 (en) * | 2000-10-11 | 2002-11-05 | Callaway Golf Company | Golf club head with adjustable face angle |
US7053413B2 (en) * | 2000-10-23 | 2006-05-30 | General Electric Company | Homoepitaxial gallium-nitride-based light emitting device and method for producing |
DE10054966A1 (de) | 2000-11-06 | 2002-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement für die Optoelektronik |
KR100346843B1 (ko) * | 2000-12-07 | 2002-08-03 | 삼성전자 주식회사 | 층간절연막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US6800876B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-10-05 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137) |
JP2002222859A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子のコンタクト電極形成方法 |
US6791119B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
JP2002335048A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-11-22 | Sony Corp | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP3849758B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2006-11-22 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP4304883B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2009-07-29 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザダイオード、並びにその製造方法 |
US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
ATE487255T1 (de) * | 2001-05-31 | 2010-11-15 | Nichia Corp | Halbleiterlaserelement |
JP3876649B2 (ja) * | 2001-06-05 | 2007-02-07 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
KR20040012754A (ko) | 2001-06-15 | 2004-02-11 | 크리 인코포레이티드 | Sic 기판 상에 형성된 gan 기반 led |
US6740906B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-05-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for submount bonding |
US6747298B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-06-08 | Cree, Inc. | Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates |
US6888167B2 (en) * | 2001-07-23 | 2005-05-03 | Cree, Inc. | Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding |
US6977953B2 (en) * | 2001-07-27 | 2005-12-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same |
US6746948B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor light-emitting device |
DE10148227B4 (de) | 2001-09-28 | 2015-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement |
US6580054B1 (en) * | 2002-06-10 | 2003-06-17 | New Wave Research | Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser |
US6995032B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-02-07 | Cree, Inc. | Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same |
US20040075160A1 (en) * | 2002-10-18 | 2004-04-22 | Jack Eng | Transient voltage suppressor having an epitaxial layer for higher avalanche voltage operation |
DE10254190B4 (de) * | 2002-11-20 | 2005-12-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Infrarothalbleiterlaser |
EP1573870B1 (en) * | 2002-12-20 | 2007-02-07 | Cree, Inc. | Methods of forming semiconductor devices including mesa structures and multiple passivation layers and related devices |
-
2003
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-
2005
- 2005-11-17 HK HK05110264A patent/HK1076330A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-09-13 US US11/520,383 patent/US7613219B2/en active Active
-
2007
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05190968A (ja) * | 1990-04-06 | 1993-07-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 自己整合性半導体レーザのリッジ構造の形成方法 |
JPH04276682A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-10-01 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体レーザとそれを有する装置とその製造方法 |
JPH07221081A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにエッチングガスによる加工方法 |
JP2000058965A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子 |
JP2000299528A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Nec Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
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