JP4863948B2 - 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行う露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に複数の移動ステージを備えた露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてフォトマスク(以下、「マスク」と称す)のパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。
近年、表示用パネルの各種基板の製造では、大型化及びサイズの多様化に対応するため、比較的大きな基板を用意し、表示用パネルのサイズに応じて、1枚の基板から1枚又は複数枚の表示用パネル基板を製造している。この場合、プロキシミティ方式では、基板の一面を一括して露光しようとすると、基板と同じ大きさのマスクが必要となり、高価なマスクのコストがさらに増大する。そこで、基板より比較的小さなマスクを用い、移動ステージにより基板をXY方向にステップ移動しながら、基板の一面を複数のショットに分けて露光する方式が主流となっている。以下、この方式を、プロキシミティXYステップ方式と呼ぶ。
特許文献1には、プロキシミティXYステップ方式の露光において、レーザー測長系を用いて露光時の基板の位置決めを精度良く行い、焼き付け精度を向上する技術が開示されている。レーザー測長系は、レーザー光を発生する光源と、チャックに取り付けられた反射手段(バーミラー)と、光源からのレーザー光と反射手段(バーミラー)により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを備える。また、特許文献2には、プロキシミティ方式の露光において、基板を固定する複数のチャック及び各チャックを移動する複数の移動ステージを用いることにより、スループットを向上させる技術が開示されており、特にプロキシミティXYステップ方式の露光においてスループット向上の効果が大きい。
特開2005−331542号公報 特開2005−140935号公報
特許文献2に記載の様に複数のチャック及び複数の移動ステージを用いる場合、各移動ステージが基板のロード/アンロード位置と露光位置とを移動するためのステージベースは、運搬のために、ロード/アンロード位置用の副ステージベースと露光位置用の主ステージベースとに分割して構成される。そして、特許文献1に記載の様なレーザー測長系を用いて露光時の基板の位置決めを行うためには、レーザー測長系のレーザー干渉計を副ステージベース又は主ステージベースのいずれかに設置しなければならない。
レーザー測長系のレーザー干渉計を副ステージベースに設置すると、レーザー干渉計が副ステージベースの振動の影響を受ける。また、レーザー干渉計から主ステージベース上の移動ステージまでの測定距離が長くなる。これらの原因で、測定誤差が発生し易いという問題が生じる。一方、レーザー測長系のレーザー干渉計を主ステージベースに設置すると、そのままでは各移動ステージが副ステージベースと主ステージベースとを移動する際にレーザー干渉計と衝突するため、レーザー干渉計を移動させる必要がある。レーザー干渉計を移動すると、測定結果の再現性に問題が生じる。
本発明の課題は、複数の移動ステージを用いるプロキシミティ方式の露光において、レーザー測長系を用いて、露光時の基板の位置決めを精度良く行うことである。また、本発明の課題は、パターンの焼付けを精度良く行って、高品質な基板を製造することである。
本発明の露光装置は、プロキシミティ方式を用いた露光装置であって、基板を保持する複数のチャックと、マスクを保持するマスクホルダと、マスクホルダの下方に配置された主ステージベースと、主ステージベースのX方向(又はY方向)に隣接して配置された複数の副ステージベースと、主ステージベース上から複数の副ステージベース上へ伸びるガイドと、ガイドに搭載されX方向(又はY方向)へ移動する第1のステージ、第1のステージに搭載されY方向(又はX方向)へ移動する第2のステージ、及び第2のステージに搭載されθ方向へ回転する第3のステージを有し、各チャックを搭載して、1つの副ステージベース上及び主ステージベース上へ移動し、主ステージベース上で基板の位置決めを行う複数の移動ステージと、各移動ステージのX方向(又はY方向)の位置を検出する複数の第1のレーザー測長系と、各移動ステージを駆動する複数のステージ駆動回路と、各ステージ駆動回路を制御する制御装置とを備え、各第1のレーザー測長系が、レーザー光を発生する光源と、各移動ステージの第1のステージの下に取り付けられた反射手段と、主ステージベースのガイドから外れた位置に設置され、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを有し、制御装置が、各第1のレーザー測長系の検出結果に基づいて、各ステージ駆動回路を制御するものである。
また、本発明の露光方法は、プロキシミティ方式を用いた露光方法であって、マスクを保持するマスクホルダの下方に主ステージベースを配置し、主ステージベースのX方向(又はY方向)に隣接して複数の副ステージベースを配置し、主ステージベース上から複数の副ステージベース上へ伸びるガイドを設置し、ガイドに搭載されX方向(又はY方向)へ移動する第1のステージ、第1のステージに搭載されY方向(又はX方向)へ移動する第2のステージ、及び第2のステージに搭載されθ方向へ回転する第3のステージを有し、基板を保持するチャックを搭載する複数の移動ステージを設け、各移動ステージを1つの副ステージベース上及び主ステージベース上へ移動し、主ステージベース上で各移動ステージにより基板の位置決めを行い、レーザー光を発生する光源と、各移動ステージに取り付けられた反射手段と、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを有する複数の第1のレーザー測長系を用い、各反射手段を各移動ステージの第1のステージの下に取り付け、各レーザー干渉計を主ステージベースのガイドから外れた位置に設置して、各移動ステージのX方向(又はY方向)の位置を検出し、検出結果に基づいて、各移動ステージによる基板の位置決めを制御するものである。
主ステージベース上から複数の副ステージベース上へ伸びるガイドを設置し、各移動ステージの第1のステージがガイドに搭載されるので、主ステージベース及び副ステージベースと各移動ステージの第1のステージとの間に、ガイドの高さに応じた空間が発生する。各移動ステージのX方向(又はY方向)の位置を検出する複数の第1のレーザー測長系の各反射手段を各移動ステージの第1のステージの下に取り付け、各レーザー干渉計を主ステージベースのガイドから外れた位置に設置するので、各移動ステージは副ステージベースと主ステージベースとを移動する際に各レーザー干渉計と衝突することがない。そして、各レーザー干渉計を主ステージベースに設置するので、各レーザー干渉計が副ステージベースの振動の影響を受けない。また、各レーザー干渉計から主ステージベース上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、各第1のレーザー測長系を用いて、各移動ステージのX方向(又はY方向)の位置が精度良く検出される。
さらに、本発明の露光装置は、各第1のレーザー測長系が、主ステージベースのガイドから外れた位置に設置された複数のレーザー干渉計を有するものである。また、本発明の露光方法は、各第1のレーザー測長系で、複数のレーザー干渉計を主ステージベースのガイドから外れた位置に設置するものである。各第1のレーザー測長系で、複数のレーザー干渉計を主ステージベースに設置するので、複数のレーザー干渉計の測定結果から、各移動ステージの第1のステージがX方向(又はY方向)へ移動する際のヨーイングが検出される。
さらに、本発明の露光装置は、主ステージベースのY方向(又はX方向)に取り付けられた台と、主ステージベース上での各移動ステージのY方向(又はX方向)の位置を検出する第2のレーザー測長系とを備え、第2のレーザー測長系が、レーザー光を発生する光源と、各移動ステージの第2のステージに取り付けられた反射手段と、台に設置され、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを有し、制御装置が、第2のレーザー測長系の検出結果に基づいて、各ステージ駆動回路を制御するものである。
また、本発明の露光方法は、主ステージベースのY方向(又はX方向)に台を取り付け、レーザー光を発生する光源と、各移動ステージに取り付けられた反射手段と、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを有する第2のレーザー測長系を用い、各反射手段を各移動ステージの第2のステージに取り付け、レーザー干渉計を台に設置して、主ステージベース上での各移動ステージのY方向(又はX方向)の位置を検出し、検出結果に基づいて、各移動ステージによる基板の位置決めを制御するものである。
主ステージベース上での各移動ステージのY方向(又はX方向)の位置を検出する第2のレーザー測長系のレーザー干渉計を主ステージベースのY方向(又はX方向)に取り付けられた台に設置するので、レーザー干渉計が副ステージベースの振動の影響を受けない。また、レーザー干渉計から主ステージベース上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、第2のレーザー測長系を用いて、主ステージベース上での各移動ステージのY方向(又はX方向)の位置が精度良く検出される。
さらに、本発明の露光装置は、第2のレーザー測長系の各反射手段が、ほぼ各移動ステージが搭載するチャックの高さに取り付けられたものである。また、本発明の露光方法は、第2のレーザー測長系の各反射手段を、ほぼ各移動ステージが搭載するチャックの高さに取り付けるものである。第2のレーザー測長系の各反射手段を、ほぼ各移動ステージが搭載するチャックの高さに取り付けるので、各移動ステージのY方向(又はX方向)の位置が基板の近傍で検出される。
さらに、本発明の露光装置は、各チャックに取り付けられた反射手段と、各チャックに対応して設けられ、各反射手段の変位を測定する複数のレーザー変位計と、複数のレーザー変位計の測定結果から各チャックのθ方向の傾きを検出する傾き検出手段とを備え、制御装置が、傾き検出手段の検出結果に基づいて、各ステージ駆動回路を制御するものである。また、本発明の露光方法は、各チャックに反射手段を取り付け、各反射手段の変位をそれぞれ複数のレーザー変位計で測定して、各チャックのθ方向の傾きを検出し、検出結果に基づいて、各移動ステージによる基板の位置決めを制御するものである。各チャックに反射手段を取り付け、各反射手段の変位をそれぞれ複数のレーザー変位計で測定するので、各チャックのθ方向の傾きが精度良く検出される。
さらに、本発明の露光装置は、複数のレーザー変位計が、各移動ステージの第1のステージに設置されたものである。また、本発明の露光方法は、複数のレーザー変位計を各移動ステージの第1のステージに設置するものである。複数のレーザー変位計を各移動ステージの第1のステージに設置するので、複数のレーザー変位計の測定結果から、第1のステージに搭載された第2のステージがY方向(又はX方向)へ移動する際のヨーイングが検出される。
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。露光時の基板の位置決めが精度良く行われるので、パターンの焼付けが精度良く行われ、高品質な基板が製造される。
本発明の露光装置及び露光方法によれば、各第1のレーザー測長系を用いて、各移動ステージのX方向(又はY方向)の位置を精度良く検出することができる。従って、露光時のX方向(又はY方向)の基板の位置決めを精度良く行うことができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、各第1のレーザー測長系で、複数のレーザー干渉計を主ステージベースに設置することにより、複数のレーザー干渉計の測定結果から、各移動ステージの第1のステージがX方向(又はY方向)へ移動する際のヨーイングを検出することができる。従って、露光時のX方向(又はY方向)の基板の位置決めをさらに精度良く行うことができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、第2のレーザー測長系を用いて、主ステージベース上での各移動ステージのY方向(又はX方向)の位置を精度良く検出することができる。従って、露光時のY方向(又はX方向)の基板の位置決めを精度良く行うことができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、第2のレーザー測長系の各反射手段を、ほぼ各移動ステージが搭載するチャックの高さに取り付けることにより、各移動ステージのY方向(又はX方向)の位置を基板の近傍で検出することができる。従って、露光時のY方向(又はX方向)の基板の位置決めをさらに精度良く行うことができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、各チャックに反射手段を取り付け、各反射手段の変位をそれぞれ複数のレーザー変位計で測定することにより、各チャックのθ方向の傾きを精度良く検出することができる。従って、露光時のθ方向の基板の位置決めを精度良く行うことができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、複数のレーザー変位計を各移動ステージの第1のステージに設置することにより、複数のレーザー変位計の測定結果から、第1のステージに搭載された第2のステージがY方向(又はX方向)へ移動する際のヨーイングを検出することができる。従って、露光時のY方向(又はX方向)の基板の位置決めをさらに精度良く行うことができる。
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、露光時の基板の位置決めを精度良く行うことができるので、パターンの焼付けを精度良く行って、高品質な基板を製造することができる。
図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。露光装置は、複数のチャック10a,10b、主ステージベース11、複数の副ステージベース11a,11b、台12、Xガイド13、複数の移動ステージ、マスクホルダ20、レーザー測長系制御装置30、複数の第1のレーザー測長系、第2のレーザー測長系、レーザー変位計制御装置40、レーザー変位計42,43、バーミラー44,45、主制御装置70、入出力インタフェース回路71,72、及びステージ駆動回路80a,80bを含んで構成されている。なお、露光装置は、これらの他に、露光光を照射する照射光学系、基板1を搬入する搬入ユニット、基板1を搬出する搬出ユニット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
なお、本実施の形態では、チャック、副ステージベース、移動ステージ、第1のレーザー測長系及びステージ駆動回路がそれぞれ2つ設けられているが、これらをそれぞれ3つ以上設けてもよい。また、以下に説明する実施の形態におけるXY方向は例示であって、X方向とY方向とを入れ替えてもよい。
図1において、基板1の露光を行う露光位置の上空に、マスク2を保持するマスクホルダ20が設置されている。マスクホルダ20は、マスク2の周辺部を真空吸着して保持する。マスクホルダ20に保持されたマスク2の上空には、図示しない照射光学系が配置されている。露光時、照射光学系からの露光光がマスク2を透過して基板1へ照射されることにより、マスク2のパターンが基板1の表面に転写され、基板1上にパターンが形成される。
マスクホルダ20の下方には、主ステージベース11が配置されている。主ステージベース11の左右には、主ステージベース11のX方向に隣接して副ステージベース11a,11bが配置されている。主ステージベース11のY方向には、台12が取り付けられている。チャック10aは、後述する移動ステージによって、副ステージベース11a上のロード/アンロード位置と主ステージベース11上の露光位置との間を移動される。また、チャック10bは、後述する移動ステージによって、副ステージベース11b上のロード/アンロード位置と主ステージベース11上の露光位置との間を移動される。基板1は、副ステージベース11a,11b上のロード/アンロード位置において、図示しない搬入ユニットによりチャック10a,10bへ搭載され、また図示しない搬出ユニットによりチャック10a,10bから回収される。チャック10a,10bは、基板1を真空吸着して保持する。
図2は、チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示す上面図である。また、図3は、チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。図2において、主ステージベース11上及び副ステージベース11a,11b上には、主ステージベース11上から副ステージベース11a,11b上へX方向に伸びるXガイド13が設けられている。
図3において、チャック10a,10bは、それぞれ移動ステージに搭載されている。各移動ステージは、Xステージ14、Yガイド15、Yステージ16、θステージ17、及びチャック支持台19を含んで構成されている。Xステージ14は、Xガイド13に搭載され、Xガイド13に沿ってX方向へ移動する。Yステージ16は、Xステージ14上に設けられたYガイド15に搭載され、Yガイド15に沿ってY方向(図面奥行き方向)へ移動する。θステージ17は、Yステージ16に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台19は、θステージ17に搭載され、チャック10a,10bを支持する。
各移動ステージのXステージ14のX方向への移動により、チャック10aは、副ステージベース11a上のロード/アンロード位置と主ステージベース11上の露光位置との間を移動され、チャック10bは、副ステージベース11b上のロード/アンロード位置と主ステージベース11上の露光位置との間を移動される。図4は、チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す上面図である。また、図5は、チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。
主ステージベース11上の露光位置において、各移動ステージのXステージ14のX方向への移動及びYステージ16のY方向への移動により、チャック10a,10bに保持された基板1のXY方向へのステップ移動が行われる。そして、各移動ステージのXステージ14のX方向への移動、Yステージ16のY方向への移動、及びθステージ17のθ方向への回転により、露光時の基板1の位置決めが行われる。また、図示しないZ−チルト機構によりマスクホルダ20をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせが行われる。図1において、ステージ駆動回路80aは、主制御装置70の制御により、チャック10aを搭載する移動ステージのXステージ14、Yステージ16、及びθステージ17を駆動する。また、ステージ駆動回路80bは、主制御装置70の制御により、チャック10bを搭載する移動ステージのXステージ14、Yステージ16、及びθステージ17を駆動する。
なお、本実施の形態では、マスクホルダ20をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行っているが、各移動ステージにZ−チルト機構を設けて、チャック10a,10bをZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行ってもよい。
以下、本実施の形態の露光装置の基板の位置決め動作について説明する。本実施の形態では、2つの第1のレーザー測長系の一方により、チャック10aを搭載する移動ステージのX方向の位置を検出し、他方により、チャック10bを搭載する移動ステージのX方向の位置を検出する。また、第2のレーザー測長系により、主ステージベース11上での各移動ステージのY方向の位置を検出する。さらに、レーザー変位計42,43を用いて、チャック10a,10bのθ方向の傾きを検出する。
図1において、第1のレーザー測長系の一方は、レーザー光源31a、2つのレーザー干渉計32a、及び後述するバーミラー34aを含んで構成されている。第1のレーザー測長系の他方は、レーザー光源31b、2つのレーザー干渉計32b、及び後述するバーミラー34bを含んで構成されている。また、第2のレーザー測長系は、レーザー光源31b、レーザー干渉計33、及びバーミラー35を含んで構成されている。
図6は、主ステージベース上にある移動ステージの上面図である。図7は、主ステージベース上にある移動ステージのX方向の一部断面側面図である。図8は、主ステージベース上にある移動ステージのY方向の側面図である。図6〜図8は、チャック10aを搭載する移動ステージを示しており、チャック10bを搭載する移動ステージは、チャック10aを搭載する移動ステージとX方向において左右対称な構成となっている。なお、図7ではXガイド13が省略され、図8ではレーザー干渉計32a,32bが省略されている。
図8において、移動ステージのXステージ14がXガイド13に搭載されているので、主ステージベース11及び副ステージベース11a,11bとXステージ14との間に、Xガイド13の高さに応じた空間が発生している。第1のレーザー測長系のバーミラー34aは、この空間を利用して、Xステージ14の下に取り付けられている。バーミラー34bも同様である。第1のレーザー測長系の2つのレーザー干渉計32aは、図1に示す様に、主ステージベース11のXガイド13から外れた位置に設置されている。レーザー干渉計32bも同様である。
図6〜図8において、第2のレーザー測長系のバーミラー35は、アーム36により、ほぼチャック10aの高さでYステージ16に取り付けられている。チャック10bを搭載する移動ステージについても、同様に、バーミラー35は、ほぼチャック10bの高さでYステージ16に取り付けられている。第2のレーザー測長系のレーザー干渉計33は、図6及び図8に示す様に、主ステージベース11のY方向に取り付けられた台12に設置されている。
図9及び図10は、レーザー干渉計の動作を説明する図である。なお、図9は、チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示し、図10は、チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す。
図9及び図10において、各レーザー干渉計32aは、レーザー光源31aからのレーザー光をバーミラー34aへ照射し、バーミラー34aにより反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源31aからのレーザー光とバーミラー34aにより反射されたレーザー光との干渉を測定する。図1において、レーザー測長系制御装置30は、主制御装置70の制御により、2つのレーザー干渉計32aの測定結果から、チャック10aを搭載する移動ステージのX方向の位置を検出し、またXステージ14がX方向へ移動する際のヨーイングを検出する。
図9及び図10において、各レーザー干渉計32bは、レーザー光源31bからのレーザー光をバーミラー34bへ照射し、バーミラー34bにより反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源31bからのレーザー光とバーミラー34bにより反射されたレーザー光との干渉を測定する。図1において、レーザー測長系制御装置30は、主制御装置70の制御により、2つのレーザー干渉計32bの測定結果から、チャック10bを搭載する移動ステージのX方向の位置を検出し、またXステージ14がX方向へ移動する際のヨーイングを検出する。
第1のレーザー測長系のバーミラー34a,34bを各移動ステージのXステージ14の下に取り付け、レーザー干渉計32a,32bを主ステージベース11のXガイド13から外れた位置に設置するので、各移動ステージは副ステージベース11a,11bと主ステージベース11とを移動する際にレーザー干渉計32a,32bと衝突することがない。そして、レーザー干渉計32a,32bを主ステージベース11に設置するので、レーザー干渉計32a,32bが副ステージベース11a,11bの振動の影響を受けない。また、レーザー干渉計32a,32bから主ステージベース11上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、各第1のレーザー測長系を用いて、各移動ステージのX方向の位置が精度良く検出される。そして、各第1のレーザー測長系で、複数のレーザー干渉計32a,32bを主ステージベース11に設置するので、複数のレーザー干渉計32a,32bの測定結果から、各移動ステージのXステージ14がX方向へ移動する際のヨーイングが検出される。
図9及び図10において、レーザー干渉計33は、レーザー光源31bからのレーザー光をバーミラー35へ照射し、バーミラー35により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源31bからのレーザー光とバーミラー35により反射されたレーザー光との干渉を測定する。図1において、レーザー測長系制御装置30は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計33の測定結果から、主ステージベース11上での各移動ステージのY方向の位置を検出する。
第2のレーザー測長系のレーザー干渉計33を主ステージベース11のY方向に取り付けられた台12に設置するので、レーザー干渉計33が副ステージベース11a,11bの振動の影響を受けない。また、レーザー干渉計33から主ステージベース11上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、第2のレーザー測長系を用いて、主ステージベース11上での各移動ステージのY方向の位置が精度良く検出される。そして、第2のレーザー測長系の各バーミラー35を、ほぼ各移動ステージが搭載するチャック10a,10bの高さに取り付けるので、各移動ステージのY方向の位置が基板1の近傍で検出される。
図11は、X方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。図11は、チャック10aを搭載する移動ステージに取り付けられたレーザー変位計を示しており、チャック10bを搭載する移動ステージに取り付けられたレーザー変位計は、図11とX方向において左右対称な構成となっている。バーミラー44は、チャック10a,10bのY方向の一側面に取り付けられている。2つのレーザー変位計42は、それぞれ、アーム46により、バーミラー44の高さでブロック48に取り付けられている。ブロック48は、Xステージ14に取り付けられている。
図12は、Y方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。図12において、バーミラー45は、取り付け具49により、チャック10a,10bの裏面に取り付けられている。レーザー変位計43は、図7及び図12に示す様に、アーム47により、バーミラー45の高さでYステージ16に取り付けられている。なお、図12は、バーミラー45及び取り付け具49が見える様にするため、チャック10a,10bの一部を切り欠いた状態を示している。
図11において、各レーザー変位計42は、レーザー光をバーミラー44へ照射し、バーミラー44により反射されたレーザー光を検出することにより、バーミラー44のX方向の変位を測定する。また、図12において、レーザー変位計43は、レーザー光をバーミラー45へ照射し、バーミラー45により反射されたレーザー光を検出することにより、バーミラー45のY方向の変位を測定する。図1において、レーザー変位計制御装置40は、主制御装置70の制御により、2つのレーザー変位計42及びレーザー変位計43の測定結果から、チャック10a,10bのθ方向の傾きを検出し、またYステージ16がYX方向へ移動する際のヨーイングを検出する。
チャック10a,10bにバーミラー44を取り付け、各バーミラー44の変位をそれぞれ複数のレーザー変位計42で測定するので、チャック10a,10bのθ方向の傾きが精度良く検出される。そして、複数のレーザー変位計42を各移動ステージのXステージ14に設置するので、複数のレーザー変位計42の測定結果から、Xステージ14に搭載されたYステージ16がY方向へ移動する際のヨーイングが検出される。
図1において、主制御装置70は、レーザー測長系制御装置30の検出結果を、入出力インタフェース回路71を介して入力する。また、主制御装置70は、レーザー変位計制御装置40の検出結果を、入出力インタフェース回路72を介して入力する。そして、主制御装置70は、レーザー測長系制御装置30の検出結果及びレーザー変位計制御装置40の検出結果に基づき、ステージ駆動回路80a,80bを制御して各移動ステージを駆動させ、露光時の基板1の位置決めを行う。
以上説明した本実施の形態によれば、各第1のレーザー測長系を用いて、各移動ステージのX方向の位置を精度良く検出することができる。従って、露光時のX方向の基板1の位置決めを精度良く行うことができる。
さらに、以上説明した本実施の形態によれば、各第1のレーザー測長系で、複数のレーザー干渉計32a,32bを主ステージベース11に設置することにより、複数のレーザー干渉計32a,32bの測定結果から、各移動ステージのXステージ14がX方向へ移動する際のヨーイングを検出することができる。従って、露光時のX方向の基板1の位置決めをさらに精度良く行うことができる。
さらに、以上説明した本実施の形態によれば、第2のレーザー測長系を用いて、主ステージベース11上での各移動ステージのY方向の位置を精度良く検出することができる。従って、露光時のY方向の基板1の位置決めを精度良く行うことができる。
さらに、以上説明した本実施の形態によれば、第2のレーザー測長系の各バーミラー35を、ほぼ各移動ステージが搭載するチャック10a,10bの高さに取り付けることにより、各移動ステージのY方向の位置を基板1の近傍で検出することができる。従って、露光時のY方向の基板1の位置決めをさらに精度良く行うことができる。
さらに、以上説明した本実施の形態によれば、チャック10a,10bにバーミラー44を取り付け、各バーミラー44の変位をそれぞれ複数のレーザー変位計42で測定することにより、チャック10a,10bのθ方向の傾きを精度良く検出することができる。従って、露光時のθ方向の基板1の位置決めを精度良く行うことができる。
さらに、以上説明した本実施の形態によれば、複数のレーザー変位計42を各移動ステージのXステージ14に設置することにより、複数のレーザー変位計42の測定結果から、Xステージ14に搭載されたYステージ16がY方向へ移動する際のヨーイングを検出することができる。従って、露光時のY方向の基板1の位置決めをさらに精度良く行うことができる。
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、露光時の基板の位置決めを精度良く行うことができるので、パターンの焼付けを精度良く行って、高品質な基板を製造することができる。
例えば、図13は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップ101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップ102)では、ロール塗布法等により感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布して、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップ103)では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程(ステップ104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップ105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップ106)では、エッチング工程(ステップ105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。
また、図14は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップ202)では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップ203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップ204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。
図13に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップ103)において、図14に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。 チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示す上面図である。 チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。 チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す上面図である。 チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。 主ステージベース上にある移動ステージの上面図である。 主ステージベース上にある移動ステージのX方向の一部断面側面図である。 主ステージベース上にある移動ステージのY方向の側面図である。 レーザー干渉計の動作を説明する図である。 レーザー干渉計の動作を説明する図である。 X方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。 Y方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。 液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
符号の説明
1 基板
2 マスク
10a,10b チャック
11 主ステージベース
11a,11b 副ステージベース
12 台
13 Xガイド
14 Xステージ
15 Yガイド
16 Yステージ
17 θステージ
19 チャック支持台
20 マスクホルダ
30 レーザー測長系制御装置
31a,31b レーザー光源
32a,32b,33 レーザー干渉計
34a,34b,35 バーミラー
36 アーム
40 レーザー変位計制御装置
42,43 レーザー変位計
44,45 バーミラー
46,47 アーム
48 ブロック
49 取り付け具
70 主制御装置
71,72 入出力インタフェース回路
80a,80b ステージ駆動回路

Claims (14)

  1. プロキシミティ方式を用いた露光装置であって、
    基板を保持する複数のチャックと、
    フォトマスクを保持するマスクホルダと、
    前記マスクホルダの下方に配置された主ステージベースと、
    前記主ステージベースのX方向(又はY方向)に隣接して配置された複数の副ステージベースと、
    前記主ステージベース上から前記複数の副ステージベース上へ伸びるガイドと、
    前記ガイドに搭載されX方向(又はY方向)へ移動する第1のステージ、第1のステージに搭載されY方向(又はX方向)へ移動する第2のステージ、及び第2のステージに搭載されθ方向へ回転する第3のステージを有し、各チャックを搭載して、1つの副ステージベース上及び前記主ステージベース上へ移動し、前記主ステージベース上で基板の位置決めを行う複数の移動ステージと、
    各移動ステージのX方向(又はY方向)の位置を検出する複数の第1のレーザー測長系と、
    各移動ステージを駆動する複数のステージ駆動回路と、
    各ステージ駆動回路を制御する制御装置とを備え、
    各第1のレーザー測長系は、レーザー光を発生する光源と、各移動ステージの第1のステージの下に取り付けられた反射手段と、前記主ステージベースの前記ガイドから外れた位置に設置され、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを有し、
    前記制御装置は、各第1のレーザー測長系の検出結果に基づいて、各ステージ駆動回路を制御することを特徴とする露光装置。
  2. 各第1のレーザー測長系は、前記主ステージベースの前記ガイドから外れた位置に設置された複数のレーザー干渉計を有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記主ステージベースのY方向(又はX方向)に取り付けられた台と、
    前記主ステージベース上での各移動ステージのY方向(又はX方向)の位置を検出する第2のレーザー測長系とを備え、
    前記第2のレーザー測長系は、レーザー光を発生する光源と、各移動ステージの第2のステージに取り付けられた反射手段と、前記台に設置され、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを有し、
    前記制御装置は、前記第2のレーザー測長系の検出結果に基づいて、各ステージ駆動回路を制御することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の露光装置。
  4. 前記第2のレーザー測長系の各反射手段は、ほぼ各移動ステージが搭載するチャックの高さに取り付けられたことを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
  5. 各チャックに取り付けられた反射手段と、
    各チャックに対応して設けられ、各反射手段の変位を測定する複数のレーザー変位計と、
    前記複数のレーザー変位計の測定結果から各チャックのθ方向の傾きを検出する傾き検出手段とを備え、
    前記制御装置は、前記傾き検出手段の検出結果に基づいて、各ステージ駆動回路を制御することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の露光装置。
  6. 前記複数のレーザー変位計は、各移動ステージの第1のステージに設置されたことを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
  7. プロキシミティ方式を用いた露光方法であって、
    フォトマスクを保持するマスクホルダの下方に主ステージベースを配置し、
    主ステージベースのX方向(又はY方向)に隣接して複数の副ステージベースを配置し、
    主ステージベース上から複数の副ステージベース上へ伸びるガイドを設置し、
    ガイドに搭載されX方向(又はY方向)へ移動する第1のステージ、第1のステージに搭載されY方向(又はX方向)へ移動する第2のステージ、及び第2のステージに搭載されθ方向へ回転する第3のステージを有し、基板を保持するチャックを搭載する複数の移動ステージを設け、
    各移動ステージを1つの副ステージベース上及び主ステージベース上へ移動し、
    主ステージベース上で各移動ステージにより基板の位置決めを行い、
    レーザー光を発生する光源と、各移動ステージに取り付けられた反射手段と、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを有する複数の第1のレーザー測長系を用い、各反射手段を各移動ステージの第1のステージの下に取り付け、各レーザー干渉計を主ステージベースのガイドから外れた位置に設置して、各移動ステージのX方向(又はY方向)の位置を検出し、
    検出結果に基づいて、各移動ステージによる基板の位置決めを制御することを特徴とする露光方法。
  8. 各第1のレーザー測長系で、複数のレーザー干渉計を主ステージベースのガイドから外れた位置に設置することを特徴とする請求項7に記載の露光方法。
  9. 主ステージベースのY方向(又はX方向)に台を取り付け、
    レーザー光を発生する光源と、各移動ステージに取り付けられた反射手段と、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定するレーザー干渉計とを有する第2のレーザー測長系を用い、各反射手段を各移動ステージの第2のステージに取り付け、レーザー干渉計を台に設置して、主ステージベース上での各移動ステージのY方向(又はX方向)の位置を検出し、
    検出結果に基づいて、各移動ステージによる基板の位置決めを制御することを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の露光方法。
  10. 第2のレーザー測長系の各反射手段を、ほぼ各移動ステージが搭載するチャックの高さに取り付けることを特徴とする請求項9に記載の露光方法。
  11. 各チャックに反射手段を取り付け、
    各反射手段の変位をそれぞれ複数のレーザー変位計で測定して、各チャックのθ方向の傾きを検出し、
    検出結果に基づいて、各移動ステージによる基板の位置決めを制御することを特徴とする請求項7乃至請求項10のいずれか一項に記載の露光方法。
  12. 複数のレーザー変位計を各移動ステージの第1のステージに設置することを特徴とする請求項11に記載の露光方法。
  13. 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
  14. 請求項7乃至請求項12のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
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US12/175,233 US20090033899A1 (en) 2007-07-30 2008-07-17 Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing display panel substrate
CN2008101321004A CN101359185B (zh) 2007-07-30 2008-07-28 曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100971323B1 (ko) * 2008-08-21 2010-07-20 주식회사 동부하이텍 노광공정에서 레티클의 회전량 및 시프트량의 다중보정을 위한 레티클 스테이지 및 이를 이용한 다중보정방법
JP5349093B2 (ja) * 2009-03-16 2013-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5441800B2 (ja) * 2010-04-08 2014-03-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法、並びに光学式変位計を用いた微小角度検出方法
JP2012032666A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012103584A (ja) * 2010-11-12 2012-05-31 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5611016B2 (ja) * 2010-12-07 2014-10-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
CN102819195B (zh) * 2011-06-10 2015-01-07 恩斯克科技有限公司 曝光装置和曝光方法、以及曝光单元及使用该单元的曝光方法
KR101350760B1 (ko) * 2011-06-30 2014-01-13 내셔널 포모사 유니버시티 제조 공정 장비
JP5687165B2 (ja) 2011-09-19 2015-03-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR101383916B1 (ko) * 2011-12-22 2014-04-09 주식회사 아라온테크 멀티 노광장치
KR20140114500A (ko) 2013-03-14 2014-09-29 삼성전자주식회사 스테이지 장치 및 이의 구동 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP4362862B2 (ja) 2003-04-01 2009-11-11 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP2005044867A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Nikon Corp ステージ制御方法及び装置並びに露光方法及び装置
JP5080009B2 (ja) * 2005-03-22 2012-11-21 日立ビアメカニクス株式会社 露光方法
JP2007033882A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Hitachi Via Mechanics Ltd 露光装置及び露光方法並びに配線基板の製造方法
JP2008021748A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Canon Inc 露光装置

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