JP4854410B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 101000860430 Homo sapiens Versican core protein Proteins 0.000 description 2
- 102100028437 Versican core protein Human genes 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
- G01J5/22—Electrical features thereof
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
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- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
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Description
前記フォロワ型トランジスタの出力電圧を受け、出力が、前記バイアストランジスタとともに、前記積分器に接続されたキャンセラトランジスタと、を含む構成としてもよい。
2 バイアス回路
3 バイアスキャンセル回路
4 積分オペアンプ
5 ボロメータ素子
6 第1入力電圧配線
7 第2入力電圧配線
8 バイアストランジスタ
9 ソースフォロワ回路
10 第1VGS除去電圧発生回路
14、20 オペアンプ
15 VB1入力端子
16 抵抗
17 キャンセラトランジスタ
18 ソースフォロワ回路
19 第2VGS除去電圧発生回路
21 VB2入力端子
22 積分コンデンサ
23 スイッチ
24、25 クリップダイオード
26 オペアンプ
27 スイッチ
28 スイッチ
101 画素スイッチ
102 熱電変換素子
103 水平スイッチ
104 NchMOSFET
105 オペアンプ
106 スイッチ
107 バイパスコンデンサ
108 バイアス電圧
109 バイアスキャンセル抵抗
110 スイッチ
111 PchMOSFET
112 オペアンプ
113 スイッチ
114 バイアスキャンセル電圧
115 スイッチ
116 積分器
117 非反転入力端子
118 スイッチA2
119 積分/ホールドコンデンサ
120 スイッチA1
121 スイッチB2
122 積分/ホールドコンデンサ
123 スイッチB1
124 電圧VCC/2
125 リセットスイッチ
126 出力電圧A
127 出力電圧B
128 ソースフォロワ1A
129 ソースフォロワ1B
130 出力選択スイッチ
131 積分サンプルホールド(S/H)回路
132 ソースフォロワ2
133 ソースフォロワ3
134 読み出し回路
135 マルチプレクサスイッチ
136 出力バッファ
137 ソースフォロワ1C
138 ソースフォロワ2C
139 ソースフォロワ3C
140 出力端子
141 バイアス回路
142 バイアスキャンセル回路
201 画素スイッチ
202 熱電変換素子
203 信号線
204 水平スイッチ
205 垂直シフトレジスタ
206 読み出し回路
207 マルチプレクサスイッチ
208 水平シフトレジスタ
209 出力バッファ
210 出力端子
211 走査線
301 抵抗アレイ
302 読み出し回路
303 コンデンサ
304 トランジスタ
305 オペアンプ
306 抵抗
307 トランジスタ
308 オペアンプ
309 オペアンプ
310 定電圧
311 リセットスイッチ
312 サンプルホールド回路
313 第1のスイッチ
314 第2のスイッチ
315 第1の多値電圧バス
316 第2の多値電圧バス
317 第1の多値電圧発生器
318 第2の多値電圧発生器
319 第1の電圧発生器
320 第2の電圧発生器
322 デコーダ
323 メモリ
324 マルチプレクサ
326 シフトレジスタ
Claims (6)
- ボロメータ素子にバイアス電圧を与えるバイアス回路と、
前記ボロメータ素子のオフセット電流を除去するバイアスキャンセル回路と、
前記バイアス回路と前記バイアスキャンセル回路の接続点に入力端が接続された積分器と、
を含む読み出し回路を複数有し、
前記バイアス回路は、
第1の入力電圧配線の電圧を入力として受け、入力した前記電圧に追従した電圧を出力する第1のフォロワ型トランジスタと、
前記第1のフォロワ型トランジスタの出力電圧を受け、前記ボロメータ素子の一端にバイアス電圧を与えるバイアストランジスタと、
を含み、
前記バイアスキャンセル回路は、
第2の入力電圧配線の電圧を入力として受け、入力した前記電圧に追従した電圧を出力する第2のフォロワ型トランジスタと、
前記第2のフォロワ型トランジスタの出力電圧を受け、出力が、前記バイアストランジスタとともに、前記積分器の入力端に接続されたキャンセラトランジスタと、
を含み、
前記第1、第2のフォロワ型トランジスタは、第1、第2のソースフォロワ回路をそれぞれ構成し、
前記バイアストランジスタは、ゲートが、前記第1のソースフォロワ回路の出力に接続され、ソースが前記ボロメータ素子の一端に接続される第1導電型のMOSトランジスタよりなり、
前記キャンセラトランジスタは、ゲートが、前記第2のソースフォロワ回路の出力に接続され、ソースが、抵抗及びスイッチを介して、電源に接続され、ドレインが、前記バイアストランジスタのドレインに接続された第2導電型のMOSトランジスタよりなり、
入力された第1の入力電圧に対して前記バイアストランジスタのゲート・ソース間電圧に対応する電圧を加えた電圧を、前記第1の入力電圧配線に供給する第1のVGS除去電圧発生回路と、
入力された第2の入力電圧に対して、前記キャンセラトランジスタのゲート・ソース間電圧に対応する電圧を加えた電圧を、前記第2の入力電圧配線に供給する第2のVGS除去電圧発生回路と、
を備えている、ことを特徴とする半導体装置。 - ボロメータ素子にバイアス電圧を与えるバイアス回路と、
前記ボロメータ素子のオフセット電流を除去するバイアスキャンセル回路と、
前記バイアス回路と前記バイアスキャンセル回路の接続点に入力端が接続された積分器と、
を含む読み出し回路を複数有し、
前記バイアス回路は、
第1の入力電圧配線の電圧を入力として受け、入力した前記電圧に追従した電圧を出力する第1のフォロワ型トランジスタと、
前記第1のフォロワ型トランジスタの出力電圧を受け、前記ボロメータ素子の一端にバイアス電圧を与えるバイアストランジスタと、
を含み、
前記バイアスキャンセル回路は、
第2の入力電圧配線の電圧を入力として受け、入力した前記電圧に追従した電圧を出力する第2のフォロワ型トランジスタと、
前記第2のフォロワ型トランジスタの出力電圧を受け、出力が、前記バイアストランジスタとともに、前記積分器の入力端に接続されたキャンセラトランジスタと、
を含み、
前記第1、第2のフォロワ型トランジスタは、第1、第2のソースフォロワ回路をそれぞれ構成し、
前記バイアストランジスタは、ゲートが、前記第1のソースフォロワ回路の出力に接続され、ソースが前記ボロメータ素子の一端に接続される第1導電型のMOSトランジスタよりなり、
前記キャンセラトランジスタは、ゲートが、前記第2のソースフォロワ回路の出力に接続され、ソースが、抵抗及びスイッチを介して、電源に接続され、ドレインが、前記バイアストランジスタのドレインに接続された第2導電型のMOSトランジスタよりなり、
第1の入力電圧を非反転入力端子に受ける第1のオペアンプと、
前記第1のオペアンプの出力電圧を入力として受ける第3のソースフォロワ回路と、
前記第3のソースフォロワ回路の出力電圧をゲートに受け、ドレインが所定電圧に接続され、ソースがボロメータ素子の一端と前記オペアンプの反転入力端子に接続された第1導電型のMOSトランジスタを含み、
前記第1のオペアンプの出力端子が前記第1の入力電圧配線に接続されてなる、第1のVGS除去電圧発生回路と、
第2の入力電圧を非反転入力端子に受ける第2のオペアンプと、
前記第2のオペアンプの出力電圧を入力として受ける第4のソースフォロワ回路と、
前記第4のソースフォロワ回路の出力電圧をゲートに受け、ドレインが所定電圧に接続され、ソースが、抵抗及びスイッチを介して電源に接続されるとともに、前記オペアンプの反転入力端子に接続された第2導電型のMOSトランジスタを含み、
前記第2のオペアンプの出力が前記第2の入力電圧配線に接続されてなる、第2のVGS除去電圧発生回路を備えている、ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1、第2のVGS除去電圧発生回路を、前記複数の読み出し回路に対して1組備えている、ことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- ボロメータ素子にバイアス電圧を与えるバイアス回路と、
前記ボロメータ素子のオフセット電流を除去するバイアスキャンセル回路と、
前記バイアス回路と前記バイアスキャンセル回路の接続点に入力端が接続された積分器と、
を含む読み出し回路を複数有し、
前記バイアス回路は、
第1の入力電圧配線の電圧を入力として受け、入力した前記電圧に追従した電圧を出力するフォロワ構成のオペアンプと、
前記オペアンプの出力電圧を受け、前記ボロメータ素子の一端にバイアス電圧を与えるバイアストランジスタと、
を含み、
前記バイアスキャンセル回路は、
第2の入力電圧配線の電圧を入力として受け、入力した前記電圧に追従した電圧を出力するフォロワ型トランジスタと、
前記フォロワ型トランジスタの出力電圧を受け、出力が、前記バイアストランジスタとともに、前記積分器の入力端に接続されたキャンセラトランジスタと、
を含み、
前記フォロワ型トランジスタは、ソースフォロワ回路を構成し、
前記バイアストランジスタは、ゲートが、前記オペアンプの出力に接続され、ソースが前記ボロメータ素子の一端に接続される第1導電型のMOSトランジスタよりなり、
前記キャンセラトランジスタは、ゲートが、前記ソースフォロワ回路の出力に接続され、ソースが、抵抗及びスイッチを介して、電源に接続され、ドレインが、前記バイアストランジスタのドレインに接続された第2導電型のMOSトランジスタよりなり、
第2の入力電圧に対して、前記キャンセラトランジスタのゲート・ソース間電圧に対応する電圧を加えた電圧を、前記第2の入力電圧配線に供給するVGS除去電圧発生回路を備えている、ことを特徴とする半導体装置。 - ボロメータ素子にバイアス電圧を与えるバイアス回路と、
前記ボロメータ素子のオフセット電流を除去するバイアスキャンセル回路と、
前記バイアス回路と前記バイアスキャンセル回路の接続点に入力端が接続された積分器と、
を含む読み出し回路を複数有し、
前記バイアス回路は、
第1の入力電圧配線の電圧を入力として受け、入力した前記電圧に追従した電圧を出力するフォロワ構成のオペアンプと、
前記オペアンプの出力電圧を受け、前記ボロメータ素子の一端にバイアス電圧を与えるバイアストランジスタと、
を含み、
前記バイアスキャンセル回路は、
第2の入力電圧配線の電圧を入力として受け、入力した前記電圧に追従した電圧を出力するフォロワ型トランジスタと、
前記フォロワ型トランジスタの出力電圧を受け、出力が、前記バイアストランジスタとともに、前記積分器の入力端に接続されたキャンセラトランジスタと、
を含み、
前記フォロワ型トランジスタは、ソースフォロワ回路を構成し、
前記バイアストランジスタは、ゲートが、前記オペアンプの出力に接続され、ソースが前記ボロメータ素子の一端に接続される第1導電型のMOSトランジスタよりなり、
前記キャンセラトランジスタは、ゲートが、前記ソースフォロワ回路の出力に接続され、ソースが、抵抗及びスイッチを介して、電源に接続され、ドレインが、前記バイアストランジスタのドレインに接続された第2導電型のMOSトランジスタよりなり、
第2の入力電圧を非反転入力端子に入力する第2のオペアンプと、
前記第2のオペアンプの出力を受ける第2のソースフォロワ回路と、
前記第2のソースフォロワ回路の出力電圧をゲートに受け、ドレインが所定電圧に接続され、ソースが、抵抗及びスイッチを介して電源に接続されるとともに、前記オペアンプの反転入力端子に接続された第2導電型のMOSトランジスタを含み、
前記第2のオペアンプの出力が前記第2の入力電圧配線に接続されてなる、VGS除去電圧発生回路を備えている、ことを特徴とする請求項4記載の半導体装置。 - 前記VGS除去電圧発生回路を前記複数の読み出し回路に対して1組備えている、ことを特徴とする請求項4又は5記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006194337A JP4854410B2 (ja) | 2006-07-14 | 2006-07-14 | 半導体装置 |
US11/826,086 US7663088B2 (en) | 2006-07-14 | 2007-07-12 | Bolometer-type infrared imaging apparatus including a one or two dimensional sensor array semiconductor device |
US12/649,981 US7994466B2 (en) | 2006-07-14 | 2009-12-30 | Bolometer-type infrared imaging apparatus including a one or two dimensional sensor array semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006194337A JP4854410B2 (ja) | 2006-07-14 | 2006-07-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008022457A JP2008022457A (ja) | 2008-01-31 |
JP4854410B2 true JP4854410B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=39078064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006194337A Expired - Fee Related JP4854410B2 (ja) | 2006-07-14 | 2006-07-14 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7663088B2 (ja) |
JP (1) | JP4854410B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200849790A (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-16 | Himax Tech Ltd | Negative voltage detection circuit for synchronous rectifier MOSFET |
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CN103575401A (zh) * | 2012-07-20 | 2014-02-12 | 中国科学院电工研究所 | 一种功率半导体模块的温度分布特性测试*** |
KR101400395B1 (ko) | 2012-07-27 | 2014-05-27 | 주식회사 실리콘핸즈 | 비냉각형 적외선 센서 검출회로 |
CN103308184B (zh) * | 2013-05-13 | 2015-08-05 | 浙江大立科技股份有限公司 | 红外成像***及校正方法 |
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WO2016085586A2 (en) | 2014-10-16 | 2016-06-02 | Flir Systems, Inc. | Low cost and high performance bolometer circuitry and methods |
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JP7063651B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2022-05-09 | エイブリック株式会社 | 信号検出回路及び信号検出方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-07-14 JP JP2006194337A patent/JP4854410B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-12 US US11/826,086 patent/US7663088B2/en active Active
-
2009
- 2009-12-30 US US12/649,981 patent/US7994466B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US7663088B2 (en) | 2010-02-16 |
US20100102231A1 (en) | 2010-04-29 |
US7994466B2 (en) | 2011-08-09 |
US20080048763A1 (en) | 2008-02-28 |
JP2008022457A (ja) | 2008-01-31 |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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