JP4847695B2 - 不揮発性メモリ素子での電源検出装置及びその検出方法 - Google Patents
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Description
図6に示すように、従来技術の電源検出装置は高電圧発生器106a、106b、106c、タイマ108、高電圧レベル検出部110、及びパルス発生器112から構成される。また、前記電源検出装置の動作を説明するために命令レジスタ102とプログラムコントローラ104とが一緒に図示される。
また、本発明は外部電源を用いる外部電源モードのときに時間遅延なしに不揮発性メモリセルの動作が行われるようにして、時間損失及び電源損失を低減できるという効果がある。
まず、図1に示すように、本発明の実施例による電源検出装置は、第1乃至第3高電圧発生器206a、206b、206c、高電圧レベル検出部300、外部電源モード検出部400、及びパルス発生器500を含む。本発明の実施例による電源検出装置の動作を説明するために命令レジスタ202及びプログラムコントローラ204が図示されている。
内部電源モードのときのプログラムコントローラ204は、高電圧イネーブル信号VPP_enを発生し、発生した高電圧イネーブル信号VPP_enに応じて第1乃至第3高電圧発生器206a、206b、206cは要求されるレベルの電圧VPP1、VPP2、VPP3をそれぞれ発生するためにポンピング動作を行う。次いで、高電圧レベル検出部400は第1乃至第3高電圧発生器で発生し、漸次増加する電圧5のVPP1、VPP2、VPP3が要求される電圧レベルにまで到達することを検出し、その結果として発生した制御信号と内部電源モードのときに発生する内部電源モード信号Mintとに応じて第1検出信号VPP_OK2を出力する。一方、第1乃至第3高電圧発生器で発生し、漸次増加する電圧6のVPP1、VPP2、VPP3のうちいずれか一つでも予め設定された時間内に要求される電圧レベルに到達していないと、設定された時間t3の経過後に第1検出信号VPP_OK2を出力する。次いで、外部電源モード検出部400は、発生した第1検出信号VPP_OK2に応じて第2検出信号VPP_OK3を出力し、外部電源モード検出部400で出力された第2検出信号VPP_OK3がイネーブルされると、パルス発生部500で不揮発性メモリセルの動作を行うためのパルス信号HV_OKを発生する。
上記の内部電源モードの場合とは異なって、外部電源モードのときには外部電源モード検出部400で外部電源モード信号Mextが検出されると、高電圧レベル検出をせず、時間遅延なしに不揮発性メモリ素子セル動作を行うための第2検出信号VPP_OK3を出力する。次いで、外部電源モード検出部400で出力された第2検出信号VPP_OK3がイネーブルされると、パルス発生部500で不揮発性メモリセルの動作を行うためのパルス信号HV_OKを発生する。
204 プログラムコントローラ
206 高電圧発生器
208 タイマ
300 高電圧レベル検出部
400 外部電源モード検出部
500 パルス発生器
Claims (13)
- 外部電源モードのときに外部電源電圧が入力される少なくとも一つ以上の不揮発性メモリセルを備える不揮発性メモリ素子での電源検出装置において、
高電圧イネーブル信号に応じて要求されるレベルの電圧をポンピング動作により発生する高電圧発生器と、
内部電源モードのときに発生する内部電源モード信号に応じて前記発生した電圧が要求される電圧レベルに到達した場合、これを検出して第1検出信号を出力する高電圧レベル検出部と、
外部電源モードのときに発生する外部電源モード信号と前記外部電源電圧の入力に応じて、前記外部電源電圧のレベルに関わらず、時間遅延のない前記不揮発性メモリセルの動作を行うための第2検出信号を出力し、内部電源モードのときには前記第1検出信号に応じて第2検出信号を出力する外部電源モード検出部と、
を含むことを特徴とする電源検出装置。 - 前記高電圧レベル検出部は、前記発生した電圧のうちいずれか一つでも要求される電圧レベルに到達していない場合には、一定時間の経過後に第1検出信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の電源検出装置。
- 前記高電圧レベル検出部は、前記高電圧発生器で発生した電圧が要求される電圧レベルに到達した場合をそれぞれ検出して第1制御信号を提供する高電圧レベル検出器と、
前記高電圧発生器で発生した電圧のうちいずれか一つでも要求される電圧レベルに到達していない場合には、一定時間の経過後に第1制御信号を供給するタイマと、
内部電源モードのときに発生する内部電源モード信号、前記第1制御信号及び前記第2制御信号に応じて第1検出信号を出力する高電圧検出信号発生器と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の電源検出装置。 - 前記一定時間の遅延は5μs乃至15μsであることを特徴とする請求項2または3に記載の電源検出装置。
- 前記外部電源モード検出部は、
前記第1検出信号及び前記外部電源モード信号の反転信号を入力とする第1NANDゲートと、
前記外部電源モード信号及び前記外部電源電圧を入力とする第2NANDゲートと、
前記第1及び第2NANDゲートの出力を入力とし、第2検出信号を出力する第3NANDゲートと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の電源検出装置。 - 前記第2検出信号がイネーブルされるとパルス信号を発生するパルス発生器をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電源検出装置。
- 前記高電圧発生器で発生する電圧は、前記外部電源電圧よりも高いレベルを有することを特徴とする請求項1に記載の電源検出装置。
- 前記外部電源モード検出部は、外部電源電圧が入力される不揮発性メモリ装置のテストモードのときに前記外部電源モード信号に応じてテスト時間の遅延なしに前記不揮発性メモリ装置のテスト動作を行うための前記第2検出信号を発生することを特徴とする請求項1に記載の電源検出装置。
- 外部電源モードのときに外部電源電圧が入力される少なくとも一つ以上の不揮発性メモリセルを備える不揮発性メモリ素子での電源検出装置において、
高電圧イネーブル信号に応じて要求されるレベルの電圧をポンピング動作により発生する高電圧発生器と、
前記発生した電圧のうちいずれか一つでも要求される電圧レベルに到達していない場合には、一定時間の経過後に制御信号を発生するタイマと、
内部電源モードのときに発生する内部電源モード信号に応じ、前記要求されるレベルの電圧と前記制御信号とを受け入れ、前記要求されるレベルの電圧を検出するかまたは前記制御信号を検出して第1検出信号を発生する高電圧レベル検出部と、
外部電源モードのときに発生する外部電源モード信号と前記外部電源電圧の入力に応じて、前記外部電源電圧のレベルに関わらず、時間遅延のない前記不揮発性メモリセルの動作を行うための第2検出信号を出力し、内部電源モードのときには前記第1検出信号に応じて第2検出信号を出力する外部電源モード検出部と、
を含むことを特徴とする電源検出装置。 - 外部電源モードのときに外部電源電圧が入力される少なくとも一つ以上の不揮発性メモリセルを備える不揮発性メモリ素子での外部電源検出方法において、
高電圧イネーブル信号に応じて要求されるレベルの電圧をポンピング動作により発生する段階と、
内部電源モードのときに発生する内部電源モード信号に応じて前記発生された電圧が要求される電圧レベルに到達した場合に第1検出信号を出力し、前記発生された電圧が要求される電圧レベルに到達していない場合には一定時間の経過後に第1検出信号を出力する段階と、
外部電源モードのときに発生する外部電源モード信号と前記外部電源電圧の入力に応じて、前記外部電源電圧のレベルに関わらず、時間遅延のない前記不揮発性メモリセルの動作を行うための第2検出信号を出力し、内部電源モードのときには前記第1検出信号に応じて第2検出信号を出力する段階と、
を含むことを特徴とする外部電源検出方法。 - 前記第1検出信号を出力する段階は、前記発生された電圧が要求される電圧レベルに到達された場合にこれをそれぞれ検出して制御信号を提供する段階と、
前記高電圧発生器で発生した電圧が要求される電圧レベルに到達しない場合に一定時間の経過後に制御信号を提供する段階と、
内部電源モードのときに発生する内部電源モード信号、前記検出された制御信号、及びタイマから供給された制御信号に応じて第1検出信号を出力する段階と、を含むことを特徴とする請求項10に記載の外部電源検出方法。 - 前記一定時間の遅延は5μs乃至15μsであることを特徴とする請求項10または11に記載の外部電源検出方法。
- 前記第2検出信号を出力する段階は、
テストモードのときに前記外部電源モード信号を発生する段階と、
前記発生した外部電源モード信号に応じてテスト時間遅延なしに前記不揮発性メモリ装置のテスト動作を行うための前記第2検出信号を発生する段階と、
を含むことを特徴とする請求項10に記載の外部電源検出方法。
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