JP4835921B2 - 計測方法、露光方法、デバイス製造方法、及びマスク - Google Patents
計測方法、露光方法、デバイス製造方法、及びマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP4835921B2 JP4835921B2 JP2006022081A JP2006022081A JP4835921B2 JP 4835921 B2 JP4835921 B2 JP 4835921B2 JP 2006022081 A JP2006022081 A JP 2006022081A JP 2006022081 A JP2006022081 A JP 2006022081A JP 4835921 B2 JP4835921 B2 JP 4835921B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- line
- measurement
- mask
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
本発明は斯かる点に鑑み、所定マークの投影像の位置ずれ量を計測する際に、デバイス用のパターンの像の位置ずれ量に近い計測値を得ることができる計測技術、及びこの計測技術を用いた露光技術を提供することを目的とする。
次に、本発明による露光方法は、第1デバイスパターンが形成された一の層の上に他の層を設け、当該他の層に第2デバイスパターン(32X)の像を露光する際の重ね合わせを管理するための露光方法において、前記一の層に第1マーク(41A)を形成しておき、前記他の層に、前記第2デバイスパターンとともに第2マーク(33A)が形成されたマスクパターンの像を投影する第1工程と、前記一の層の前記第1マークと前記第2マークの像との位置ずれ量を計測する第2工程とを有し、前記第2マークは、透過率が周囲の部分より低い複数のライン部(36D,36E)を備え、所定の境界部(38A)に対して内側の前記ライン部の幅が前記境界部の外側の前記ライン部の幅よりも広いものである。
次に、本発明による第1のマスクは、投影像の位置を計測するために使用される計測用マークが形成されたマスクであって、前記計測用マークは、透過率が周囲の部分より低い複数のライン部(36D,36E)を備え、所定の境界部(38A)に対して内側の前記ライン部の幅が前記境界部の外側の前記ライン部の幅よりも広いものである。
また、本発明による別のマスクは、一の層の上の他の層にデバイスパターンの像を露光する際の重ね合わせの管理に用いられるマスクであって、前記デバイスパターンの投影像の位置を計測するための計測用マークが形成され、前記計測用マークは、透過率が周囲の部分より低い複数のライン部(36D,36E)を備え、所定の境界部(38A)に対して内側の前記ライン部の幅が前記境界部の外側の前記ライン部の幅よりも広いものである。
本発明のマスクを用いて、本発明の計測方法又は露光方法を使用できる。
図1は、本例のスキャニングステッパーよりなる走査露光型の投影露光装置(露光装置)の概略構成を示し、この図1において、その投影露光装置は、露光光源6、照明光学系5、レチクルステージ系、投影光学系PL、及びウエハステージ系を備えている。露光光源6としてはArFエキシマレーザ光源(波長193nm)が使用されている。なお、露光光源としては、KrFエキシマレーザ光源(波長247nm)、F2 レーザ光源(波長157nm)などの紫外パルスレーザ光源、YAGレーザの高調波発生光源、固体レーザ(半導体レーザなど)の高調波発生装置、又は水銀ランプ(i線等)なども使用することができる。
先ず、その重ね合わせ誤差計測に使用できるマスクとしてのレチクルRのパターンにつき図2、図4を参照して説明する。
図6(A)、(B)は、図2(B)の1本のラインマーク34Aを90°回転したマーク、即ち従来型のマークの像強度分布を示し、横軸は投影像の位置(nm)、縦軸は像強度(任意単位)である。また、図6(A)、(B)はそれぞれデフォーカス量が0、100nmの場合の像強度を示す。
Claims (18)
- 物体上の第1マークに、マスクに形成された第2マークの像を重ねて露光し、前記第1マークと前記第2マークの像との位置ずれ量を計測する計測方法において、
前記マスクに形成された前記第2マークは、透過率が周囲の部分より低い複数のライン部を備え、
所定の境界部に対して内側の前記ライン部の幅が前記境界部の外側の前記ライン部の幅よりも広いことを特徴とする計測方法。 - 前記複数のライン部の配列ピッチが互いに等しいことを特徴とする請求項1に記載の計測方法。
- 前記複数のライン部の幅が、前記境界部の内側では前記境界部に向かって次第に広くなり、前記境界部の外側では前記境界部に向かって次第に狭くなることを特徴とする請求項1又は2に記載の計測方法。
- 前記境界部は、前記第2マークの中心を計測方向に挟むように2箇所に設定され、
前記第2マークの像を露光する際に、前記計測方法に対応する方向に離れた2箇所の2次光源からの照明光で前記第2マークを照明することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の計測方法。 - 前記物体上の前記第1マークに重ねて露光された前記第2マークの像は、前記マスクに形成された前記第2マークのうち、前記境界部の外側の前記ライン部の像を有さないことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の計測方法。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載の計測方法を用いて異なる層に形成されるデバイスパターンの重ね合わせ誤差の補正情報を求める工程と、
一の層のデバイスパターンに重ね合わせて他の層にデバイスパターンを形成するために、前記補正情報に基づいて前記一の層及び他の層を含む感光体上にデバイス用のパターンを転写する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 - 第1デバイスパターンが形成された一の層の上に他の層を設け、当該他の層に第2デバイスパターンの像を露光する際の重ね合わせを管理するための露光方法において、
前記一の層に第1マークを形成しておき、前記他の層に、前記第2デバイスパターンとともに第2マークが形成されたマスクパターンの像を投影する第1工程と、
前記一の層の前記第1マークと前記第2マークの像との位置ずれ量を計測する第2工程とを有し、
前記第2マークは、透過率が周囲の部分より低い複数のライン部を備え、
所定の境界部に対して内側の前記ライン部の幅が前記境界部の外側の前記ライン部の幅よりも広いことを特徴とする露光方法。 - 前記複数のライン部の配列ピッチが互いに等しいとともに、
前記第2デバイスパターン中に前記配列ピッチと実質的に等しいピッチのライン・アンド・スペースパターンが含まれていることを特徴とする請求項7に記載の露光方法。 - 前記境界部は、前記第2マークの中心を計測方向に挟むように2箇所に設定され、
前記複数のライン部の幅が、前記境界部の内側では前記境界部に向かって次第に広くなり、前記境界部の外側では前記境界部に向かって次第に狭くなり、
前記他の層に前記マスクパターンの像を露光する際に、前記計測方法に対応する方向に離れた2箇所の2次光源からの照明光で前記マスクパターンを照明することを特徴とする請求項7又は8に記載の露光方法。 - 前記マスクパターンは投影光学系を介して前記他の層に投影され、
前記第2工程の計測結果に基づいて、前記投影光学系のディストーション又は前記第1デバイスパターンと前記第2デバイスパターンの像との重ね合わせ誤差を求める第3工程を含むことを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の露光方法。 - 請求項7から10のいずれか一項に記載の露光方法を用いてデバイス用のパターンを感光体上に転写する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
- 投影像の位置を計測するために使用される計測用マークが形成されたマスクであって、
前記計測用マークは、透過率が周囲の部分より低い複数のライン部を備え、
所定の境界部に対して内側の前記ライン部の幅が前記境界部の外側の前記ライン部の幅よりも広いことを特徴とするマスク。 - 前記複数のライン部の配列ピッチが互いに等しいとともに、
前記複数のライン部の幅が、前記境界部の内側では前記境界部に向かって次第に広くなり、前記境界部の外側では前記境界部に向かって次第に狭くなることを特徴とする請求項12に記載のマスク。 - 前記境界部は、前記計測用マークの中心を計測方向に挟むように2箇所に設定されたことを特徴とする請求項12又は13に記載のマスク。
- デバイスパターンが形成されたマスクにおいて、
前記デバイスパターンとともに、前記デバイスパターンの投影像の位置を計測するための計測用マークが形成され、
前記計測用マークは、透過率が周囲の部分より低い複数のライン部を備え、所定の境界部に対して内側の前記ライン部の幅が前記境界部の外側の前記ライン部の幅よりも広いことを特徴とするマスク。 - 一の層の上の他の層にデバイスパターンの像を露光する際の重ね合わせの管理に用いられるマスクであって、
前記デバイスパターンの投影像の位置を計測するための計測用マークが形成され、
前記計測用マークは、透過率が周囲の部分より低い複数のライン部を備え、所定の境界部に対して内側の前記ライン部の幅が前記境界部の外側の前記ライン部の幅よりも広いことを特徴とするマスク。 - 前記計測用マークは、前記デバイスパターンの露光工程とは異なる前記重ね合わせ管理のための露光工程で用いられることを特徴とする請求項16に記載のマスク。
- 前記複数のライン部の配列ピッチが互いに等しいとともに、
前記デバイスパターン中に前記配列ピッチと実質的に等しいピッチのライン・アンド・スペースパターンが含まれていることを特徴とする請求項15から17のいずれか一項に記載のマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006022081A JP4835921B2 (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 計測方法、露光方法、デバイス製造方法、及びマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006022081A JP4835921B2 (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 計測方法、露光方法、デバイス製造方法、及びマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007207822A JP2007207822A (ja) | 2007-08-16 |
JP4835921B2 true JP4835921B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=38487049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006022081A Expired - Fee Related JP4835921B2 (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 計測方法、露光方法、デバイス製造方法、及びマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4835921B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5696079B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2015-04-08 | 株式会社東芝 | マスクおよび半導体装置の製造方法 |
CN103869604B (zh) * | 2012-12-10 | 2017-03-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光罩及其设计方法 |
KR20230110835A (ko) * | 2015-04-21 | 2023-07-25 | 케이엘에이 코포레이션 | 기울어진 디바이스 설계를 위한 계측 타겟 설계 |
CN111508825B (zh) * | 2020-04-29 | 2021-07-30 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3511552B2 (ja) * | 1996-08-07 | 2004-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 重ね合わせ測定マークおよび測定方法 |
JP3630269B2 (ja) * | 1997-08-18 | 2005-03-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 重ね合わせマ−クおよびこの重ね合わせマークを使用した半導体装置の製造方法 |
JP2003224049A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Sony Corp | 位置ずれ検査マーク及びフォトマスク |
JP2007019307A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 半導体ウエーハのおける位置精度検証用マークの形成方法、及びアライメント用マークの形成方法 |
-
2006
- 2006-01-31 JP JP2006022081A patent/JP4835921B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007207822A (ja) | 2007-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4979746B2 (ja) | マスク・パターン、マーカ構造、リトグラフ投影装置におけるマーカ構造の提供方法、およびリトグラフ装置におけるマーカ構造の位置関係決定方法 | |
US8440375B2 (en) | Exposure method and electronic device manufacturing method | |
US7879514B2 (en) | Lithographic method and patterning device | |
US8023103B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device | |
WO1999034255A1 (fr) | Procede et appareil de fabrication de photomasque et procede de fabrication de l'appareil | |
US20090042115A1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and electronic device manufacturing method | |
US7209215B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
US20090042139A1 (en) | Exposure method and electronic device manufacturing method | |
WO2010134487A1 (ja) | 波面計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
JP2002198303A (ja) | 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法 | |
JPH0822951A (ja) | 投影光学系のコマ収差を検出する方法 | |
WO2005008754A1 (ja) | フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク | |
JPH09199406A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
CN113196177B (zh) | 量测传感器、照射***、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法 | |
JP2001166454A (ja) | マスク、露光方法、線幅測定方法、並びに半導体デバイスの製造方法 | |
JP4835921B2 (ja) | 計測方法、露光方法、デバイス製造方法、及びマスク | |
KR100955116B1 (ko) | 수차측정방법 및 코마수차측정방법 | |
US7623219B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method | |
WO2004066371A1 (ja) | 露光装置 | |
JP2006030021A (ja) | 位置検出装置及び位置検出方法 | |
JP2006080444A (ja) | 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2007173689A (ja) | 光学特性計測装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2003318095A (ja) | フレア計測方法及びフレア計測装置、露光方法及び露光装置、露光装置の調整方法 | |
JP2006287103A (ja) | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 | |
JPH11233424A (ja) | 投影光学装置、収差測定方法、及び投影方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110617 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110812 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110901 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110914 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |