KR100955116B1 - 수차측정방법 및 코마수차측정방법 - Google Patents

수차측정방법 및 코마수차측정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100955116B1
KR100955116B1 KR1020080028681A KR20080028681A KR100955116B1 KR 100955116 B1 KR100955116 B1 KR 100955116B1 KR 1020080028681 A KR1020080028681 A KR 1020080028681A KR 20080028681 A KR20080028681 A KR 20080028681A KR 100955116 B1 KR100955116 B1 KR 100955116B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical system
projection optical
illumination condition
aberration
reticle
Prior art date
Application number
KR1020080028681A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080088480A (ko
Inventor
히로노리 마에다
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20080088480A publication Critical patent/KR20080088480A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100955116B1 publication Critical patent/KR100955116B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02—Testing optical properties
    • G01M11/0242—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
    • G01M11/0257—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested
    • G01M11/0264—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested by using targets or reference patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02—Testing optical properties
    • G01M11/0242—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
    • G01M11/0271—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by using interferometric methods
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

본 발명은 원판 상에 형성된 패턴의 상을 투영광학계를 통해서 기판에 전사하는 노광장치의 투영광학계의 구면수차 또는 코마수차의 측정방법에 관한 것이다. 상기 구면수차의 측정방법은 제 1 측정조건하에서 상기 투영광학계의 초점위치를 구하는 스텝, 상기 제 1 측정조건과는 다른 제 2 측정조건하에서 상기 투영광학계의 초점위치를 구하는 스텝, 및 상기 제 1 및 제 2 측정조건하에서 구한 초점위치 간의 차이에 의거해서, 상기 투영광학계의 구면수차를 측정하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

수차측정방법 및 코마수차측정방법{SPHERICAL ABERRATION MEASUREMENT METHOD AND COMA ABERRATION MEASUREMENT METHOD}
본 발명은 반도체소자나 액정표시소자 등의 디바이스를 제조하는 리소그래피 공정에 사용되는 노광장치의 투영광학계의 수차를 측정하는 방법, 및 상기 수차를 노광장치에 포함된 검출계를 사용해서 측정할 수 있는 노광장치에 관한 것이다.
반도체소자, 액정표시소자 또는 박막자기헤드 등의 미세패턴을 가지는 디바이스는 포토리소그래피 기술을 사용해서 제조된다. 예를 들면, 디바이스 등의 제조에 투영노광장치가 종래부터 사용되고 있다. 상기 투영노광장치는 레티클 또는 포토마스크 등의 원판에 형성된 패턴을 투영광학계에 의해 웨이퍼 등의 기판에 전사하기 위해 사용된다. 투영노광장치는 기판 상에 미리 형성된 패턴에 대해서, 투영광학계에 의해 형성되는 원판의 패턴의 투영상을 해당 장치에 탑재된 얼라인먼트 검출계에 의해 위치 맞춤을 실시한 후에, 웨이퍼 등의 기판의 노광을 실시한다. 위치 맞춤으로서는, 원판의 패턴과 기판의 패턴의 얼라인먼트 뿐만 아니라 패턴의 포커싱이 있다.
투영노광장치에 있어서는 집적회로의 미세화 및 고밀도화에 따라서, 높은 해 상력으로 레티클의 패턴을 웨이퍼에 전사하는 것이 요구되고 있다. 투영노광장치에 의해 전사할 수 있는 최소의 선폭(해상도)은 노광에 사용하는 광의 파장에 비례하고 투영광학계의 개구수(NA)에 반비례하므로, 광원의 파장을 짧게 함으로써 더 높은 해상도가 달성될 수 있다.
따라서, 최근 포토리소그래피의 광원은 종래의 초고압 수은램프에 의해 생성된 g선(파장 약 436nm) 또는 i선(파장 약 365nm) 대신에, 파장 약 248nm의 불화크립톤(KrF) 엑시머레이저 또는 파장 약 193nm의 불화아르곤(ArF) 엑시머레이저로 변경되고 있다. 또한, 파장 약 157nm의 F2레이저가 개발되고 있다. 장래에는, 파장이 수nm 내지 백nm의 극자외광(EUV광)을 채용하는 노광장치의 달성이 전망되고 있다.
또한, 노광장치의 해상도를 한층 더 향상시키기 위해 액침노광장치가 개발되어 있다. 이 액침노광장치에서는, 투영광학계와 웨이퍼의 사이의 공간의 적어도 일부에 굴절률이 1보다 큰 액체를 충전해서 NA를 증가시킨다. 한층 더 정밀하게 하기 위해서는, 웨이퍼와 투영광학계의 웨이퍼측 첨단면 사이의 공간에, 포토레지스트층의 굴절률에 가까운 굴절률을 가지는 액체가 충전된다. 이와 같이, 웨이퍼측에서 투영광학계의 유효 개구수를 증가시켜서, 해상도를 향상시킬 수 있다.
이 종류의 노광장치에서는, 레티클 상에 형성된 패턴을 소정의 배율(축소율)을 사용하여 고정밀도로 웨이퍼 상에 전사한다. 따라서, 결상성능이 향상되고 수차가 억제된 투영광학계를 사용하는 것이 중요해진다. 그러나 오늘날의 집적회로의 미세화 요구가 증가함에 따라서, 투영광학계에는 노광 면적의 확대와 고NA화가 요 청되고 있고, 따라서 투영광학계의 수차의 보정이 보다 어렵게 되고 있다.
이러한 투영광학계의 수차의 감소에 대한 요청이 강해지는 상태에서, 노광장치 내에 탑재된 투영광학계의 수차를 측정해서 조정하는 노광장치에 대한 요구가 증가되고 있다. 경시적인 조건변화, 또는 노광처리 중의 열의 영향으로 인해 수차의 변화가 발생된다. 따라서, 노광장치 상에서 일정 간격으로 간단하게 투영광학계의 수차상태의 측정을 가능하게 할 필요가 있다. 즉, 실제의 사용상태와 일치하는 정밀한 렌즈조정은 고집적도의 디바이스에 필수적이다. 이러한 조정은 노광장치 상에서 투영광학계의 수차를 측정할 때에 가능해진다.
그러나, 종래, 노광장치 내에 탑재된 투영광학계의 수차를 구하기 위해 사용된 방법은, 실제로 패턴을 노광하고, 현상해서, 패턴 시프트나 형상을 주사형전자현미경(SEM) 등에 의해 측정한 다음에, 수차량을 추정에 의해 구한다. 이와 같이, 종래의 방법에 의하면, 투영광학계의 수차의 양을 구할 때에는, 실제로 패턴을 노광, 현상해서, SEM 등에 의해 패턴 시프트를 측정할 필요가 있다. 다음에, 상기 구해진 수차량에 의거하여, 투영광학계를 조정한다. 또한, 이러한 순서를 투영광학계의 조정시에 재차 반복해야 한다. 이러한 기술은, 예를 들면, 일본국 특개평 8－22951호 공보에 논의되어 있다.
상기와 같이 패턴을 노광, 현상해서, 수차의 양을 구할 때에, 패턴 시프트나 형상을 측정하는 방법은 상당한 시간이 소요되어, 상기 장치의 스루풋에 관한 문제가 되고 있다. 또한, 레지스트처리나 현상처리에 있어서의 수차의 영항을 주는 요인을 결정하는 것이 어렵다. 게다가, 측정된 수차의 양이 작업자에 따라 변동되기 쉬운 경향이 있다.
한편, 파면수차를 측정할 수 있는 간섭계를 사용해서 투영광학계의 수차를 구할 수도 있다. 간섭계는 일반적으로 제조단계에서 투영광학계를 검사하기 위해서 사용된다. 그러나, 그것은 일반적으로 노광장치에 탑재되는 것은 아니다. 이것은 간섭계를 포함하고 있는 노광장치가 대형화되어 코스트가 증가되기 때문이다.
본 발명은 노광장치 상에서 종래의 검출계를 사용하여 투영광학계의 수차를 간단한 방법으로 측정할 수 있는 기술을 확립하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은 노광장치 상에서 직접, 투영광학계의 구면수차와 코마수차를 분리해서 측정하는 것이 가능한 측정기술, 및 상기 측정결과에 의거하여 상기 투영광학계의 상기 수차를 조정하는 데 유용한 조정기능을 구비한 노광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 1 측면에 의하면, 원판 상에 형성된 패턴의 상을 투영광학계를 통해서 기판에 전사하는 노광장치의 상기 투영광학계의 구면수차의 측정방법은, 제 1 조명조건 및 제 2 조명조건 각각 하에서의 상기 투영광학계의 초점위치와, 상기 투영광학계의 구면수차 간의 관계를 나타내는 초점위치 데이터를 취득하는 스텝; 상기 제 1 조명조건 하에서 상기 투영광학계의 초점위치를 계측하는 제 1 계측 스텝; 상기 제 2 조명조건 하에서 상기 투영광학계의 초점위치를 계측하는 제 2 계측 스텝; 상기 제 1 조명조건 하에서 계측한 상기 초점위치와 상기 제 2 조명조건 하에서 계측한 상기 초점위치 간의 차이를 취득하는 스텝; 및 상기 초점위치 데이터로부터, 상기 초점위치들 간의 상기 차이에 대응하는 상기 투영 광학계의 구면 수차를 취득하는 스텝을 포함하고, 상기 제 1 조명조건은, 상기 투영광학계의 구면수차의 변화에 따라 상기 투영 광학계의 초점위치가 둔감하게 변화하는 조건이고, 상기 제 2 조명조건은, 상기 투영광학계의 구면수차의 변화에 따라 상기 투영 광학계의 초점위치가 민감하게 변화하는 조건인 것을 특징으로 한다. 본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기 노광장치의 투영광학계의 코마수차의 측정방법은, 제 1 조명조건 하에서 상기 투영광학계의 초점위치에서의 상기 원판측에 배치된 마크와 상기 기판측에 배치된 마크의 상대위치와, 상기 투영광학계의 코마수차 간의 관계를 나타내는 제 1 시프트위치 데이터를 취득하는 스텝; 제 2 조명조건 하에서 상기 초점위치로부터 디포커스한 위치에서의 상기 상대위치와, 상기 투영광학계의 코마수차 간의 관계를 나타내는 제 2 시프트위치 데이터를 취득하는 스텝; 상기 초점위치에 있어서의 상기 상대위치를, 상기 제 1 조명조건 하에서 상기 투영광학계를 개재하여 계측하는 제 1 계측 스텝; 상기 초점위치로부터 디포커스한 위치에 있어서의 상기 상대위치를, 상기 제 2 조명조건 하에서 상기 투영광학계를 개재하여 계측하는 제 2 계측 스텝; 상기 제 1 계측 스텝에서 계측한 상기 상대위치와, 상기 제 2 계측 스텝에서 계측한 상기 상대위치 간의 차이를 취득하는 스텝; 및 상기 제 1 시프트위치 데이터 및 제 2 시프트위치 데이터로부터, 상기 상대위치들 간의 상기 차이에 대응하는 상기 투영광학계의 코마수차를 취득하는 스텝을 포함하고, 상기 제 1 조명 조건은, 상기 투영광학계의 코마수차의 변화에 따라 상기 상대위치가 둔감하게 변화하는 조건이고, 상기 제 2 조명 조건은, 상기 투영광학계의 코마수차의 변화에 따라 상기 상대위치가 민감하게 변화하는 조건인 것을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징 및 측면은 첨부된 도면을 참조한 다음의 전형적인 실시예의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
명세서에 포함되고, 그 일부를 구성하는 첨부도면은 본 발명의 전형적인 실시예, 특징, 및 양상을 나타내고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 기능을 한다.
본 발명에 의하면, 노광장치 상에서 종래의 검출계를 사용하여 투영광학계의 수차를 간단한 방법으로 측정할 수 있는 기술을 확립할 수 있다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 각종 전형적인 실시예, 특징, 및 양상에 대해 설명한다. 제 1 및 제 2 실시예는 투영광학계의 구면수차의 측정에 사용되는 기술을 설명한다. 또한, 제 3 실시예는 코마수차의 측정에 사용되는 기술을 설명한다.
［실시예 1］
도 1은 본 발명의 하나의 전형적인 실시예에 의한 노광장치의 구성예를 나타낸다.
도 1에서, 노광장치는 레티클(1)을 지지하는 레티클스테이지(2), 웨이퍼(3)를 지지하는 웨이퍼스테이지(4), 및 레티클(1)을 노광광에 의해 조명하는 조명광학계(5)를 구비하고 있다. 또한, 노광광을 사용하여 레티클(1)의 레티클 패턴상을 웨이퍼(3)에 전사하는 투영광학계(6) 및 노광장치 전체의 동작을 제어하는 제어장치(도시하지 않음)를 구비하고 있다.
본 실시예에 의하면, 주사형 노광장치를 노광장치의 예로서 든다. 상기 주사형 노광장치는 레티클(1)과 웨이퍼(3)를 주사 방향으로 서로 동기하여 이동하면서 레티클(1)에 형성된 레티클패턴을 통해서 웨이퍼(3)에 투영한다. 본 발명은 레티클(1)을 고정해서 레티클패턴을 웨이퍼(3)에 스텝 앤드 리피트 투영에 의해 전사하는 노광장치에도 적용할 수 있는 것에 유의한다.
이하의 설명에 있어서는, 투영광학계(6)의 광축방향과 일치하는 방향을 Z축방향으로 부르고, Z축방향과 수직인 평면 내에서 레티클(1)이 웨이퍼(3)와 동기하여 이동하는 주사방향을 Y축방향으로 부르고, Z축방향 및 Y축방향과 수직인 비주사 방향을 X축방향으로 부른다. 또한, X축, Y축, 및 Z축 주위의 회전방향을 각각, θX, θY, 및 θZ방향으로 부른다.
레티클(1) 상의 소정의 조명영역은 조명광학계(5)에 의해 균일한 조도분포의 노광광에 의해 조명된다. 조명광학계(5)에는 조명조건의 절환에 사용되는 조명조리개(도시하지 않음)를 포함하고 있다. 따라서, 필요에 따라 조명조건을 절환할 수 있다. 조명광학계(5)로부터 사출되는 노광광으로서는, 주류로 사용되었던 수은램프의 대체물로서 사용되는 KrF 엑시머레이저가 있다. 한층 더 짧은 파장의 ArF 엑시머 레이저나 F2레이저의 실용화가 현재 진행되고 있다. 더 나아가서는, 노광광으로서 파장이 수nm 내지 백nm의 EUV광을 사용한 노광장치가 개발되고 있다.
레티클스테이지(2)는, 레티클(1)을 지지하는 것으로서, XY평면 내에서, 즉 투영광학계(6)의 광축에 수직인 평면 내에서 이동가능하고, 또한 θZ방향으로 미세하게 회전가능하다. 레티클스테이지(2)는 1축 방향으로만 구동가능하지만, 6축방향으로 구동되는 것이 바람직하다. 레티클스테이지(2)는 리니어모터 등의 레티클스테이지 구동장치(도시하지 않음)에 의해 구동된다. 레티클스테이지 구동장치는 상기 제어장치에 의해 제어된다.
레티클스테이지(2) 상에는 레티클스테이지미러(7)가 설치되어 있고, 상기 레티클스테이지미러(7)에 대향하는 위치에는 레이저간섭계(9)가 설치되어 있다. 레티클스테이지(2) 상의 레티클(1)의 XY방향의 위치 및 그 회전각(θZ)은 상기 레이저간섭계(9)에 의해 리얼타임으로 측정되고 측정결과는 제어장치에 출력된다. 제어 장치는 상기 레이저간섭계(9)로부터 얻어진 측정결과에 의거해서 레티클스테이지 구동장치를 구동함으로써 레티클스테이지(2)에 의해 지지를 받고 있는 레티클(1)의 위치결정을 실시한다.
투영광학계(6)는 복수의 광학 소자로 구성되어 있고, 레티클(1)의 레티클패턴을 소정의 투영배율(β)로 웨이퍼(3)에 투영노광한다. 본 실시예에 의하면, 투영광학계(6)는 투영배율 β, 예를 들면, 1/4 또는 1/5의 축소투영광학계이다.
웨이퍼스테이지(4)는 웨이퍼(3)를 지지하고, 웨이퍼(3)를 웨이퍼척을 개재해서 유지하는 Z스테이지, Z스테이지를 지지하는 XY스테이지, 및 XY스테이지를 지지하는 베이스를 구비하고 있다. 웨이퍼스테이지(4)는 리니어모터 등의 웨이퍼스테이지 구동장치(도시하지 않음)에 의해 구동된다. 웨이퍼스테이지 구동장치는 제어장치에 의해 제어된다.
또한, 웨이퍼스테이지(4) 상에는 웨이퍼스테이지 미러(8)가 배치되어 있고, 이 웨이퍼스테이지 미러(8)는 웨이퍼스테이지(4)와 함께 이동한다. 상기 웨이퍼스테이지미러(8)에 대향하는 위치에는 레이저간섭계(10) 및 레이저간섭계(12)가 배치되어 있다. 웨이퍼스테이지(4)의 XY방향의 위치 및 그 회전각(θZ)은 레이저간섭계(10)에 의해 리얼타임으로 측정되고, 그 측정결과는 제어장치에 출력된다. 웨이퍼스테이지(4)의 Z방향의 위치 및 그 회전각(θX),(θY)은 상기 레이저간섭계(12)에 의해 리얼타임으로 측정되고, 그 측정결과는 제어장치에 출력된다. 레이저간섭계(10) 및 (12)로부터 얻어진 측정결과에 의거해서 웨이퍼스테이지 구동장치에 의해 X, Y 및 Z 스테이지를 구동해서 X, Y, 및 Z 방향에 있어서의 웨이퍼(3)의 위치 를 조정한다. 이와 같이, 제어장치는 웨이퍼스테이지(4)에 의해 지지 되는 웨이퍼(3)의 위치결정을 실시한다.
레티클(1)과 웨이퍼(3)의 위치맞춤은 레티클마크(도시하지 않음)와 레티클얼라인먼트 기준마크(17)(도 2)를 상대적으로 위치맞춤함으로써 실시된다. 레티클마크와 레티클얼라인먼트 기준마크(17)의 양자 모두는 복수의 슬릿을 가진다. 얼라인먼트 기준마크(17)는 레티클마크에 투영광학계(6)의 배율을 곱한 크기를 가진다.
레티클마크는 레티클(1) 상에 형성되거나, 또는 레티클스테이지(2) 상에 탑재된 레티클 기준플레이트(13) 상에 형성되어 있다. 레티클얼라인먼트 기준마크(17)는 웨이퍼스테이지(4) 상에 탑재된 스테이지 기준플레이트(11) 상에 형성되어있다. 보다 구체적으로는, 조명광학계(5)로부터의 노광광이 투영광학계(6)를 통해 레티클마크와 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 조사해서, 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 투과한 광을 레티클얼라인먼트 검출계(14)에 의해 검출한다.
레티클얼라인먼트 검출계(14)는 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 투과한 광을 검출하기 위해 사용된 광강도센서를 포함하고 있다. 웨이퍼스테이지(4)를 X방향, Y방향, 및 Z방향으로 이동시키면서 투과광의 광강도를 측정함으로써, 웨이퍼스테이지(4)는 각각의 방향의 위치맞춤이 가능하다. 즉, 레티클(1) 상에, 또는 레티클스테이지(2) 상에 탑재된 레티클기준플레이트(13) 상에 형성된 레티클마크와 레티클얼라인먼트 기준마크(17)가 X방향, Y방향으로 위치맞춤이 가능하거나, 또는 Z방향으로 포커스를 맞출 수 있다.
도 9는 웨이퍼스테이지(4)를 X방향, Y방향, 및 Z방향 중의 어느 한 방향으로 구동시켰을 때의 위치를 횡축 상에, 각 위치의 투과광의 광강도를 종축 상에 플롯한 그래프이다. 도 9에 도시된 바와 같이 웨이퍼스테이지(4)의 각 위치에서의 광강도의 데이타를 수집하고, 상기 데이터를 함수 피팅(fitting)이나 중심 처리 등에 의해 얻어진 광강도가 최대가 되는 위치를, 그 구동 방향에 있어서의 레티클(1)과 웨이퍼(3)를 위치맞춤한 위치로서 간주한다. 또한, Z방향으로 위치맞춤된 위치를 본 발명에 의한 투영광학계(6)의 베스트 포커스위치라고 정의한다.
도 1 및 도 2에 있어서, 웨이퍼스테이지(4)의 하나의 코너에 있는 스테이지 기준플레이트(11)는 웨이퍼(3) 표면과 실질적으로 동일한 높이에 배치되어 있다. 상기 스테이지 기준플레이트(11)는 웨이퍼 얼라인먼트 검출계(16)에 의해 검출된 웨이퍼얼라인먼트 검출용 기준마크(18)와 레티클얼라인먼트 검출계(14)에 의해 검출된 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 포함하고 있다.
스테이지 기준플레이트(11)는 웨이퍼스테이지(4)의 복수의 코너에 배치되어 있어도 된다. 또한, 1개의 스테이지 기준플레이트(11)가 복수의 레티클얼라인먼트 기준마크(17) 및 웨이퍼얼라인먼트 검출용기준마크(18)를 포함하고 있어도 된다. 레티클얼라인먼트 기준마크(17)와 웨이퍼얼라인먼트 검출용기준마크(18)의 XY방향의 위치관계는 주어지는 것으로 가정한다. 상기 레티클얼라인먼트 기준마크(17)와 웨이퍼얼라인먼트 검출용기준마크(18)에 공통의 마크를 사용하여도 된다.
포커스검출계(15)는 검출광을 웨이퍼(3) 표면에 투사하는 광투사계와 그 웨이퍼(3)에 의해 반사된 광을 수광하는 수광계를 포함하고 있다. 포커스검출계(15)의 검출결과는 제어장치에 출력된다. 제어장치는 포커스검출계(15)의 검출결과에 의거해서 Z스테이지를 구동해서 Z스테이지에 의해 유지된 웨이퍼(3)의 Z축방향에 있어서의 포커스위치 및 웨이퍼(3)의 경사각을 조정하는 것이 가능하다.
웨이퍼얼라인먼트검출계(16)는 검출광을 웨이퍼(3) 상의 웨이퍼 얼라인먼트 마크(19) 및 스테이지기준플레이트(11) 상의 웨이퍼얼라인먼트 검출용기준마크(18)에 투사하는 투사계를 포함하고 있다. 상기 웨이퍼얼라인먼트검출계(16)는 상기 웨이퍼얼라인먼트마크(19) 및 상기 웨이퍼얼라인먼트 검출용기준마크(18)에 의해 반사된 광을 수광하는 수광계도 포함하고 있다. 웨이퍼얼라인먼트검출계(16)의 검출결과는 제어장치에 출력된다. 제어장치는 웨이퍼 얼라인먼트검출계(16)에 의해 얻어진 검출결과에 의거해서 웨이퍼스테이지(4)를 XY방향으로 구동하여 웨이퍼스테이지(4)에 의해 유지된 웨이퍼(3)의 XY방향에 있어서의 위치를 조정한다.
다음에, 투영광학계(6)의 구면수차의 측정방법에 대해서 설명한다. 본 실시예에 의하면, 복수의 조명조건하에서 투영광학계(6)의 베스트 포커스위치(결상 위치)를 측정함으로써, 투영광학계(6)의 구면수차를 측정할 수 있다.
우선 투영광학계의 구면수차와 베스트 포커스위치의 관계의 일례에 대해서, 각 조명조건마다 설명한다. 도 3은 2개의 다른 조명조건하에서 투영광학계의 구면수차에 대한 베스트 포커스위치의 변화를 나타낸 것이다. 도 3의 점선(20)은 조명광학계(5) 내의 조명조리개가 원형형상이고 조명 조리개값 σ = 0.3일 때의 데이터를 플롯한 그래프이다. 상기 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 구면수차의 양에 대해서 베스트 포커스위치가 일차적으로 변화한다. 여기서, 조명 조리개값 σ는 투영광학계(6)의 동공크기와 조명광학계(5)의 동공크기의 비이며, σ = (조명광학계 의 동공／투영광학계의 동공)로 정의된다.
한편, 도 3의 실선(21)은 조명광학계(5) 내의 조명조리개가 중심에 차광부가 있는 윤대 조리개를 가지는 때의 베스트 포커스위치를 플롯한 그래프이다. 상기 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 구면수차의 양에 대해서 베스트 포커스위치는 일정하다. 즉 2개의 조명조건이 존재한다. 하나는 투영광학계의 구면수차에 대해서 베스트 포커스위치가 일차적으로 변화하는 구면수차에 대해서 민감한 조명조건(도 3의 점선(20))이다. 다른 하나는 투영광학계의 구면수차에 대해서 베스트 포커스위치가 일정한 구면수차에 대해서 둔감한 조명조건(도 3의 실선(21))이다.
구면수차가 전혀 존재하지 않는 이상적인 투영광학계이면, 베스트 포커스위치는, 조명조건에 의존하지 않고, 도 3에 도시된 점(22)에 일치한다. 또한, 투영광학계의 베스트 포커스위치는 코마수차에 의존하지 않으므로, 도 3의 점선(20)과 실선(21)의 관계는 투영광학계의 코마수차량에는 의존하지 않는다.
다음에, 도 11을 참조하면서, 조명조건의 수차에의 영향에 대해서 설명한다. 도 11은 렌즈(34)를 통과하는 광선(35) 및 (37)이 초점(36) 및 (38)에 집광되는 것을 나타낸 도면이다. 렌즈(34)의 중심 부근을 지나는 광선(35)은 초점(36)에 집광하지만, 렌즈(34)의 중심으로부터 떨어진 점을 지나는 광선(37)은 초점 (36)으로부터 벗어나서 초점(38)에 집광한다. 이것은 광선(35)에 비해서 광선(37)이 렌즈(34)의 구면수차의 영향을 크게 받기 때문이다.
따라서, 도 11에 도시된 바와 같이, 렌즈(34)의 광선(35)만을 추출하는 조명조건(A)하에서의 렌즈(34)의 초점과, 광선(37)만을 추출하는 조명조건(B)하에서의 렌즈(34)의 초점 간의 차이(39)가 발생된다. 상기 초점 간의 차이(39)는 렌즈(34)의 구면수차의 양에 의존하는 것이 알려져 있다. 따라서, 2개의 조명조건(A) 및 (B)하에서의 2개의 초점 간의 차이로부터 렌즈(34)의 구면수차의 양을 구할 수 있다. 이와 같이, 렌즈(34)의 구면수차의 양은 상기 조명조건들을 변경하여 얻어진 상기 초점 간의 차이로부터 추정할 수 있다.
통상, 노광장치 내에 탑재된 투영광학계의 수차는 제조단계에서 간섭계로 부터 얻어진 파면수차 데이터에 의거하여 조정한다. 그러나, 제조단계에서 투영광학계의 파면수차를 정밀하게 조정한 경우에도, 투영광학계를 노광장치에 탑재할 때에는 수차가 증가될 수 있다. 또한, 미세화 패턴이 요구되는 상태에서, 노광시에 발생하는 열이나 외부환경(지진 등)의 영향으로 투영광학계의 수차가 경시변화하는 것이 문제가 되고 있었다. 예를 들면 노광장치가 설치된 때에 도 3의 점(22)에 의해 나타나는 바와 같이 구면수차의 양이, 경시변화에 따라 점(23)으로 점차 이동될 수 있다. 상기 이유에 의해, 노광장치 상에서 투영광학계의 수차를 측정, 조정하는 간단한 방법이 강력하게 요구되고 있었다.
본 실시예에 의하면, 상기와 같이 경시 변화에 따라서 투영광학계의 구면수차가 변화되었다고 해도, 투영광학계의 구면수차를 측정할 수 있다. 투영광학계의 구면수차는, 구면수차에 대해서 베스트 포커스위치가 항상 일정한 조명조건하에서의 베스트 포커스위치와, 구면수차에 대해서 베스트 포커스위치가 일차적으로 변화하는 구면수차 측정용의 조명조건하에서의 베스트 포커스위치 간의 차분으로부터 구할 수 있다.
예를 들면, 투영광학계의 구면수차가 도 3의 점(23)에 의해 도시되는 바와 같은 양을 가지면, 실선(21)으로 나타낸 베스트 포커스위치를 가진 기준 조명조건하에서의 베스트 포커스위치와, 점선(20)으로 나타낸 베스트 포커스위치를 가진 구면수차측정용의 조명조건하에서의 베스트 포커스위치로부터 베스트 포커스위치 간의 차분(24)을 구할 수 있다. 상이한 조명조건하에서의 베스트 포커스위치의 변화의 데이터를 미리 수집함으로써, 차분(24)에 대응하는 구면수차량을 산출할 수 있다. 따라서, 노광장치 상에서 얻어진 구면수차의 양에 의거하여, 투영광학계의 수차를 조정할 수 있어서, 고정밀도이고, 고집적도인 디바이스를 제조할 수 있다.
상술한 바와 같이, 2개의 측정조건하에서 베스트 포커스위치를 측정함으로써 구면수차를 구할 수 있다. 측정 조건이란, 예를 들면, 조명조건이다. 본 실시예에 의하면, 제 1 조명조건은 투영광학계의 구면수차에 대해서 베스트 포커스위치가 항상 일정하므로 기준조명조건으로 간주되는 조명조건(이하, "기준조명조건"으로 칭함)이다. 제 2 조명조건은 투영광학계의 구면수차에 대해서 베스트 포커스위치가 일차적으로 변화하는 구면수차 측정용의 조명조건(이하, "구면수차측정용 조명조건"으로 칭함)이다. 이들 2개의 조명조건하에서 구해진 2개의 베스트 포커스위치 간의 차분에 따라서, 해당 광학계의 구면수차를 구하고, 조정할 수 있어서, 항상 노광장치 상에서 이상적인 투영광학계의 상태를 유지할 수 있다.
도 4는 본 실시예에 의한 투영광학계의 구면수차측정방법의 순서에 대해 설명한 흐름도이다.
우선, 프로세스를 스텝 200에서 개시한다. 다음에, 스텝 201에서, 투영광학 계의 기준 조명조건 및 구면수차측정용 조명조건을 포함한 조명조건하에서 구면수차에 대해서 베스트 포커스위치에 관한 데이터를 취득한다. 노광장치 내에 포함된 구면수차 조정기구를 구동시킴으로써, 상기 2개의 조명조건하에서 투영광학계의 각 구면수차에 대한 베스트 포커스위치에 관한 데이터를 취득한다. 이와 같이, 미리, 도 3의 점선(20) 및 실선(21)에 대응하는 구면수차에 대한 베스트 포커스위치의 데이터를 취득한다.
다음에 투영광학계의 구면수차가 조정이 필요한 경우에는, 스텝 202에서, 기준 조명조건하에서의 베스트 포커스위치를 측정한다. 스텝 203에서, 구면수차측정용 조명조건하에서의 베스트 포커스위치를 측정한다. 스텝 202 및 203의 순서는 역으로 실행해도 된다. 또한, 상기 기준 마크의 높이가 확보되어 있는 경우는, 스텝 202의 기준조명조건하에서의 베스트 포커스위치는 구면수차에 대해서 불변이므로, 스텝 202는 생략하여도 된다.
스텝 204에서는, 스텝 203에서 얻어진 구면수차 측정용조명 조건하에서의 베스트 포커스위치와, 스텝 202에서 얻어진 기준조명 조건하에서의 베스트 포커스위치 또는 스텝 201에서 구한 기준조명 조건하에서의 베스트 포커스위치 간의 베스트 포커스위치의 차분을 구한다. 이와 같이, 도 3의 차분(24)에 대응하는 데이터를 구할 수 있다.
스텝 205에서는, 스텝 204에서 얻어진 베스트 포커스위치의 차분에 대응하는 구면수차량을, 스텝 201에서 구한 각 조명조건하에서의 구면수차의 베스트 포커스위치에 관한 데이터에 의거하여 구한다. 이와 같이, 도 3의 차분(24)에 대응하는 구면수차의 양(23)으로서 투영광학계의 구면수차의 양을 구할 수 있다.
마지막으로, 스텝 206에서는, 스텝 205에서 구한 상기 투영광학계의 구면수차에 의거하여, 투영광학계를 조정한다.
본 실시예에 의하면, 도 3의 점선(20)에 의해 나타낸 베스트포커스위치에 대한 조명조건의 조명값(σ)이 0.3이고, 실선(21)에 의해 나타낸 베스트포커스위치에 대한 조명조건이 윤대조리개의 조명조건이다. 그러나, 본 발명은 당연히 이러한 조명조건으로 한정되는 것은 아니다. 투영광학계의 구면수차량에 대해서 도 3에 나타낸 차분(24)과 같은 차분이 생기는 조명조건이면, 어떠한 조명값(σ) 또는 윤대비의 조명조건이어도 된다.
본 실시예에 의하면, 투과형검출계인 레티클얼라인먼트 검출계(14)는 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 투과한 광을 검출하는데 사용된다. 그러나, 본 발명은 이러한 검출계로 한정되는 것은 아니고, 투영광학계의 구면수차와 코마수차를 분리해 측정할 수 있는 한, 검출계는 어떤 형태도 사용할 수 있다. 예를 들면, 본 실시예에서는 도 15에 나타낸 반사형의 레티클얼라인먼트 검출계(33)를 사용해도 된다.
이 반사형의 레티클얼라인먼트 검출계(33)는 실제로 웨이퍼(3)를 노광하는 광원과 동일한 광원을 사용한다. 반사형의 레티클얼라인먼트 검출계(33)는 투영광학계(6)를 통해서 레티클마크(도시하지 않음)와 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 조사한다. 레티클마크는 레티클(1) 상 또는, 레티클스테이지(2) 상의 레티클 기준플레이트(13) 상에 형성되어있다. 레티클얼라인먼트 기준마크(17)는 웨이퍼스테이지 상에 배치된 스테이지 기준플레이트(11) 상에 형성되어있다. 또한, 반사형의 레티클얼라 인먼트 검출계(33)는 그 반사광을 검출하기 위해 광전변환소자(예를 들면 CCD 카메라)를 탑재하고 있다.
［실시예 2］
실시예 1에서는, 조명광학계(5) 내의 조명조리개(도시하지 않음)를 절환함으로써, 다른 2개의 조명조건하에서의 베스트 포커스위치의 차분으로부터 구면수차를 구하는 방법을 설명했다. 그러나, 본 발명은 도 3의 점선(20)과 실선(21)에 의해 도시된 바와 같이 구면수차에 대해서 베스트 포커스위치 간의 차이를 형성하는 한 계측조건은 조명조건의 절환에만 한정되지 않는다. 예를 들면, 동일한 조명조건(즉, 조명광학계(5) 내의 동일한 조명조리개(도시하지 않음)), 레티클(1)상 또는 레티클 기준플레이트(13) 상에 형성된 레티클마크(도시하지 않음)의 피치를 변경하여도 된다. 이 경우, 2개의 측정 조건(즉, 2개의 다른 피치)하에서 구면수차에 대한 베스트 포커스위치의 차이에 의해 구면수차를 구한다.
레티클마크의 피치를 변경하여 회절광의 분포를 변경함으로써, 회절광이 렌즈로부터 받는 수차의 영향이 변경된다. 렌즈의 상기 수차의 양은 상기 렌즈로부터의 회절광의 영향의 차이에 의해 구할 수 있다.
도 12는 노광장치의 개략도이다. 조명광학계(5)로부터 조사된 조명광이 레티클(1), 투영광학계(6)를 통하여 측정센서(40)에 도달한다. 예를 들면, 레티클 마크 (A) 및 레티클마크(A)의 피치의 반을 가진 레티클마크(B)가 레티클(1) 상에 형성된다. 이 경우에, 레티클마크(A)로부터 2개의 회절광(41) 및 (42)이 발생한 상태에서, 레티클마크(A)의 피치의 반을 가진 레티클마크(B)는 같은 조명조건하에서 회절 광(42) 만을 발생시킨다.
이와 같이, 마크 피치가 다른 레티클마크를 사용함으로써, 회절광에 의해 다른 광분포를 나타낸다. 동일한 조명조건하에서도, 투영광학계(6)에서의 수차의 영향이 달라서, 측정센서(40)에 의해 측정된 양이 차이를 나타낸다. 이 측정의 차이는 투영광학계의 수차량에 의존한다. 따라서, 2개의 다른 레티클마크 간의 차이를 측정센서(40)에 의해 측정함으로써, 투영광학계의 수차량을 알 수 있다.
다음에, 피치가 다른 레티클마크를 사용한 구면수차측정에 대해서, 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 5에 도시된 레티클마크(25)는 레티클(1) 상 또는 레티클 기준플레이트(13) 상에 형성된 라인-앤드-스페이스 레티클마크이다. 상기 레티클마크(25)는 레티클얼라인먼트 기준마크(17)와 동일한 라인-앤드-스페이스 피치를 가진다.
예를 들면, 조명광학계(5) 내의 조명 조리개를 σ = 0.3으로 설정하고, 이 레티클마크(25)를 사용해서 구면수차에 대한 베스트 포커스위치 간의 차이를 측정하면, 도 3의 점선(20)에 의해 나타낸 데이터를 얻을 수 있다. 한편, 동일한 조명조건(σ=0.3)하에서, 레티클마크(25)보다 라인-앤드-스페이스가 좁은 레티클마크(26)를 사용하면, 구면수차에 대한 베스트 포커스위치 간의 차이를 도 3의 실선(21)에 의해 나타낸다.
이것은, 조명광학계(5) 내의 조명조리개(도시하지 않음)가 고정되고, 동일한 조명조건에서도, 다른 피치를 가진 레티클마크를 사용함으로써 투영광학계의 구면수차측정이 가능해진다. 이 레티클마크의 피치차이를 사용하여 투영광학계의 수차 를 측정하는 경우, 도 5의 레티클마크(25)가 도 4의 구면수차측정용 조명조건에 상당하고, 레티클마크(26)가 도 4의 기준 조명조건에 상당한다.
상술의 설명에서는, 동일한 조명조건하에서 마크를 웨이퍼 상에 고정한 상태에서 레티클마크의 피치가 다른 2개의 레티클마크를 사용한다. 그러나, 고정된 레티클 마크에 의해, 고정된 조명조건하에서 피치가 다른 2개의 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 측정 조건으로서 사용해도 된다.
［실시예 1 및 2의 변형예］
상술한 방법으로 측정된 투영광학계의 구면수차는 투영광학계의 구면수차 조정기구에 설치된 구동장치(도시하지 않음)에 의해 자동적으로 조정될 수 있다. 상기 자동구면수차 조정은 노광장치의 정기 메인티넌스시나 장치에 문제가 발생했을 때에 실시하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 투영광학계의 구면수차가 검출되었을 경우, 실제로 패턴을 노광하고, 현상하여, 패턴 시프트나 형상을 주사형 전자현미경(SEM) 등에 의해 측정함으로써 수차량을 추정하여 보다 고정밀도로 수차를 측정하고, 조정하여도 된다. 이 방법은 본 발명에 의한 투영광학계의 구면수차측정을 수차 검출용으로 사용해서, 상기 측정값이 임계값을 초과한 때에만 패턴을 실제로 노광하고 현상해서 투영광학계의 수차를 조정한다.
［실시예 3］
실시예 1 및 2에 의하면, 2개의 다른 측정조건하에서 투영광학계의 구면수차를 조정한다. 본 실시예에 의하면, 2개의 다른 조명조건하에서 투영광학계의 코마 수차를 조정한다. 본 실시예에 사용된 노광장치의 예를 도 1에 예시한다.
본 실시예에서는 실시예 1 및 2와 마찬가지로, 조명광학계(5)로부터의 광이 투영광학계(6)를 통해서 레티클마크와 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 조사해서, 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 통과한 광을 레티클얼라인먼트 검출계(14)에 의해 검출한다.
실시예 1 및 2에 의하면, 웨이퍼 스테이지(4)를 Z방향으로 이동시키면서 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 통과한 광을 검출함으로써, 투영광학계의 포커스위치를 측정하였다.
본 실시예에서는, 웨이퍼스테이지(4)를 X 또는 Y방향으로 이동시키면서 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 통과한 광을 검출한다. 즉, 레티클마크와 레티클얼라인먼트 기준마크(17)의 X 또는 Y방향의 상대위치를 측정한다. 측정조건의 변화에 의한 상기 상대위치의 시프트로부터 투영광학계의 코마수차를 구한다.
우선, 투영광학계의 코마수차와 시프트 위치의 관계에 대해서 각 조명조건 에 따라서 설명한다.
도 6은 투영광학계의 베스트 포커스위치에 있어서의, 2개의 다른 조명조건하에서의 투영광학계의 코마수차에 대한 시프트 위치의 변화를 나타낸 것이다. 도 6의 실선(27)은 조명광학계(5) 내의 조명 조리개가 윤대 조리개를 가질 때의 시프트위치를 플롯한 그래프이다. 상기 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 코마수차에 대해서 시프트 위치는 일정하다. 한 편, 도 6의 점선(28)은 조명값(σ)이 0.3 일 때의 시프트 위치를 플롯한 그래프이다. 상기 그래프로부터 알수 있는 바와 같이, 코마수차에 대해서 이들 시프트 위치도 일정하다. 즉, 도 6의 투영광학계의 베스트 포커스위치에 있어서의 2개의 다른 조명조건하에서, 코마수차에 대한 시프트차이가 발생하지 않기 때문에(또는 발생하여도 시프트 차이가 작기 때문에), 상기 시프트차이로부터 투영광학계의 코마수차를 측정할 수 없게 된다.
다음에, 투영광학계의 베스트 포커스위치로부터 디포커스된 포커스 위치(이하, "코마수차측정용 디포커스위치"라고 칭함)에서의 코마수차에 대한 시프트 위치의 변화에 대해 설명한다. 도 7의 점선(29)은 조명값 σ가 0.3인 때의 투영광학계의 코마수차측정용 디포커스 위치에서의 코마수차에 대한 시프트 위치의 변화를 나타낸 그래프이다. 즉, 점선(29)은 도 6의 점선(28)의 디포커스판이다. 도 7의 점선(29)으로부터 알 수 있는 바와 같이, 코마수차에 대해서 시프트위치 차이가 발생된다. 따라서, 실선(27)에 대한 시프트 차분을 검출함으로써 투영광학계의 코마수차를 구할 수 있다. 즉, 투영광학계의 코마수차측정용 디포커스위치에서, 투영광학계의 코마수차에 대해서 시프트 위치가 일차적으로 변화할 수 있는 조명조건이 존재한다. 이 조명조건(도 7중의 점선(29))은 코마수차에 대해서 민감하다.
본 실시예에 의하면, 투영광학계의 코마수차측정용 디포커스위치에서의 코마수차에 대해서 시프트 민감도를 가지는 조명조건과, 코마수차에 대해서 시프트 민감도를 가지지 않는 조명조건하에서, 투영광학계의 코마수차를 구한다. 도 7의 점(30)은 코마수차가 조정된 점이다.
통상, 노광장치 내에 탑재되는 투영광학계의 수차는 제조단계에서 간섭계로부터 구한 파면수차 데이터에 의거하여 조정된다. 그러나, 제조단계에서 투영광학 계의 파면수차를 고정밀도로 조정했다고 해도, 투영광학계가 노광장치에 탑재될 때에 수차가 변화할 수 있다. 또한, 디바이스의 미세화가 요구되는 상태에서, 노광 시에 발생하는 열이나 외부환경(예를 들면, 지진) 등의 영향에 의해 투영광학계의 수차가 경시 변화하는 것이 문제로 되어있다. 따라서, 노광장치 상에서의 투영광학계의 수차측정 수법의 확립이 강하게 요구되고 있다.
본 발명의 전형적인 실시예에 의하면, 상기와 같이 경시 변화에 의해 투영광학계의 코마수차가 발생하여도, 투영광학계의 코마수차를 측정할 수 있다. 코마수차에 대해서 시프트 위치가 항상 일정한 조명조건하에서의 기준위치와, 코마수차에 대해서 시프트위치가 일차적으로 변화하는 코마수차측정용의 조명조건하에서의 시프트위치 사이의 차분으로부터 투영광학계의 코마수차를 측정할 수 있다. 본 실시예에 의하면, 코마수차에 대해서 시프트 위치가 일차적으로 변화하는 코마수차측정용의 조명조건은 투영광학계의 코마수차측정용 디포커스위치에서 코마수차를 측정하는 조명조건이다.
예를 들면, 투영광학계의 구면수차의 양이 도 7의 점(31)에 의해 도시된 바와 같은 것인 경우에는, 실선(27)에 의해 도시된 시프트위치의 기준조명조건하에서의 시프트 위치와, 점선(29)에 의해 도시된 시프트 위치의 코마수차측정용의 조명조건하에서의 시프트 위치로부터, 시프트 위치 간의 차분(32)을 구할 수 있다. 다른 조명조건하에서의 시프트 위치에 관한 데이터를 미리 수집함으로써, 상기 차분(32)에 대응하는 코마수차의 양을 구할 수 있다. 노광장치 상에서 코마수차의 양을 구하면, 투영광학계의 수차를 조정할 수 있어서, 보다 고정밀이고 고집적도의 디바이스의 생산이 가능해진다.
상술한 바와 같이, 2 종류의 조명조건하에서의 2개의 시프트 위치 간의 차분으로부터 투영광학계의 코마수차를 구함으로써, 해당 투영광학계의 코마수차를 조정할 수 있고, 항상 노광장치 상에서 이상적인 투영광학계의 상태를 유지할 수 있다. 본 실시예에 의하면, 제 1 조명조건(이하, "기준조명조건"으로 칭함)은 투영광학계의 코마수차에 대해서 시프트 위치가 항상 불변인 조명조건이고, 따라서 기준조명조건으로서 간주할 수 있다. 제 2 조명조건(이하, "코마수차측정용 조명조건"으로 칭함)은 투영광학계의 코마수차에 대해서 시프트 위치가 일차적으로 변화하는 코마수차측정용의 조명조건이다.
도 8은 본 실시예에 의한 투영광학계의 코마수차의 측정방법을 나타낸 순서도이다. 본 발명에 의하면, 코마수차측정용 조명조건하에서의 코마수차에 대한 시프트 위치의 변화에 관한 데이터는 투영광학계의 코마수차측정용 디포커스위치에서 측정된다.
우선 프로세스를 스텝 300에서 개시한다. 다음에, 스텝 301에서, 투영광학계의 베스트 포커스위치에서, 기준 조명조건하에서의 코마수차에 대해서 시프트 위치에 관한 데이터를 취득한다.
스텝 302에서, 투영광학계의 코마수차측정용 디포커스위치에서, 코마수차측정용 조명조건하에서의 코마수차에 대해서 시프트 위치에 관한 데이터를 취득한다.이 방법으로, 도 7의 실선(27)과 점선(29)에 대응하는 데이터를 취득할 수 있다. 스텝 301 및 스텝 302의 순서는 역으로 되어도 된다.
스텝 303에서, 투영광학계의 베스트 포커스위치에서, 기준 조명조건하에서의 시프트 위치를 측정한다.
스텝 304에서, 투영광학계의 코마수차측정용 디포커스위치에서, 코마수차측정용 조명조건하에서의 시프트 위치를 측정한다. 스텝 303 및 스텝 304의 순서는 역으로 되어도 된다. 또한, 스텝 303의 기준 조명조건하에서의 시프트 위치는 코마수차에 대해서 불변이기 때문에, 스텝 303은 생략할 수 있다.
스텝 305에서는, 코마수차측정용 조명조건하에서의 스텝 304에서 측정된 시프트 위치와 기준조명조건하에서의 스텝 303에서 측정된 시프트 위치 또는 기준조명조건하에서의 스텝 301에서 구한 시프트 위치로부터 시프트 위치의 차분을 구한다. 이 방법으로, 도 7의 차분(32)에 대응하는 시프트 차분을 구할 수 있다.
스텝 306에서는, 스텝 305에서 구한 차분에 대응하는 코마수차를, 스텝 301 및 302에서 구한 2개의 다른 조명조건하에서의 코마수차에 대해서 시프트 위치에 대한 데이터로부터 구한다. 이 방법으로, 도 7의 차분(32)에 대응하는 투영광학계의 코마수차의 양(31)을 구할 수 있다.
마지막으로, 스텝 307에서는, 스텝 306에서 구한 투영광학계의 코마수차에 의거하여 투영광학계를 조정한다.
본 실시예에 의하면, 도 7의 점선(29)에 의해 나타낸 시프트 위치에 대한 조명조건의 조명값 σ=0.3이고, 실선(27)에 의해 나타낸 시프트 위치에 대한 조명조건은 윤대조리개를 통과한 광의 조명조건이다. 그러나, 본 발명은 이러한 조명조건에 한정되는 것은 아니다. 조명조건이 도 7에 나타낸 차분(32)과 같은 차이를 생성 하면, 조명조건은 어떠한 조명 σ값 또는 윤대비를 가져도 된다.
본 실시예에 의하면, 레티클얼라인먼트 기준마크(17)를 투과한 광을 검출하는 투과형의 레티클얼라인먼트 검출계(14)를 사용한다. 그러나, 본 발명은 이러한 검출계에 한정되지 않고, 투영광학계의 구면수차와 코마수차를 분리해 측정할 수 있으면, 어떠한 종류의 검출계도 사용할 수 있다. 예를 들면, 도 15에 나타낸 반사형의 레티클얼라인먼트 검출계(33)를 본 실시예에서 사용해도 된다.
상기 반사형의 레티클얼라인먼트 검출계(33)는 실제로 웨이퍼(3)를 노광하는 광원과 동일한 광원을 사용한다. 상기 반사형의 레티클얼라인먼트 검출계(33)는 투영광학계(6)를 통하여 레티클마크(도시하지 않음) 상에 또한 레티클얼라인먼트 기준마크(17) 상에 광을 조사한다. 상기 레티클마크는 레티클(1) 상에 또는 레티클스테이지(2) 상의 레티클 기준플레이트(13) 상에 형성된다. 레티클얼라인먼트 기준마크(17)는 웨이퍼스테이지가 배치된 스테이지 기준플레이트(11) 상에 형성된다. 그 반사광은 광전변환소자(예를 들면, CCD 카메라)에 의해 검출된다.
상기 방법으로 측정된 투영광학계의 코마수차는 투영광학계의 코마수차 조정기구에 포함된 구동장치(도시하지 않음)에 의해 자동적으로 조정할 수 있다. 상기 자동조정은 노광장치의 정기 메인티넌스시에 또는 상기 장치에 트러블이 발생한 때에 실시하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 상기 투영광학계의 코마수차가 검출되었을 경우, 실제로 패턴을 노광하고, 현상하여, 패턴 시프트나 형상을 주사형 전자현미경(SEM) 등으로 측정함으로써 수차량을 추정하여 보다 고정밀도로 수차를 측정하고, 조정하여도 된 다. 이 방법은 본 발명에 의한 투영광학계의 코마수차측정을 수차 검출용으로 사용해서, 상기 측정값이 임계값을 초과한 때에만 패턴을 실제로 노광하고 현상해서 투영광학계의 수차를 조정한다.
상술한 실시예에 의하면, 복수의 측정조건하에서의 베스트 포커스위치의 차이나 시프트 차이를 측정한다. 이 방법으로, 투영광학계의 구면수차나 코마수차를 종래부터 노광장치에 설치되어 있는 구성요소를 사용해서 측정할 수 있고, 상기 투영광학계를 단순한 방법으로 조정할 수 있다. 또한, 상기 기술을 사용한 투영노광장치에서는 노광장치 상에서 투영광학계의 수차상태를 조정할 수 있기 때문에, 상기 수차가 전자 회로패턴 상(像)에 끼치는 악영향을 최소화할 수 있다. 이것은 항상 고해상도의 전자 회로패턴 상을 얻는 것에 도움이 된다.
또한, 상기의 기술은 투영광학계의 상기 수차 측정에 SEM 등의 현미경을 사용할 필요가 없기 때문에, 상기 수차측정은 전담 오퍼레이터를 필요로 하지 않는다. 또한, 종래의 SEM 등의 현미경을 사용하는 측정과 비교해서 측정시간이 현저하게 감소된다. 또한, 노광장치 상에서의 투영광학계의 자동 수차측정, 자동조정이 용이하게 실행될 수 있으므로, 항상 미세한 회로패턴을 가진 디바이스를 생산하는 것이 가능해진다.
다음에, 도 13 및 도 14를 참조하면서, 상술의 투영노광장치를 사용한 디바이스의 제조방법의 실시예를 설명한다. 도 13은 반도체 디바이스(예를 들면, 집적회로(IC), 대규모집적회로(LSI), 및 전하결합소자(CCD)) 또는 액정표시장치(LCD)등의 디바이스의 제조를 설명하기 위한 흐름도이다. 여기에서는, 반도체 칩의 제조방 법을 예로 설명한다.
스텝 S1은 반도체 디바이스의 회로를 설계하는 회로설계 공정이다. 스텝 S2는 설계된 회로패턴에 의거해서 원판 또는 레티클이라고도 부르는 마스크를 제작하는 공정이다. 스텝 S3는 실리콘 또는 유사한 재료로부터, 기판이라고도 부르는, 웨이퍼를 제조하는 공정이다. 스텝 S4는 전공정으로 부르며, 리소그래피 기술을 이용해서 상기 마스크에 의해 노광장치를 사용하여 웨이퍼에 실제의 회로를 형성하는 웨이퍼 프로세스이다. 스텝 S5는 후공정으로 부르며, 스텝 4에서 제작된 웨이퍼를 사용하여 반도체칩을 형성하는 조립공정이다. 상기 후공정은 어셈블리 공정(예를 들면, 다이싱, 본딩 등), 패키징 공정(칩 밀봉)을 포함한다. 스텝 S6는 스텝 5에서 제작된 반도체 디바이스를 검사하는 검사공정이다. 상기 검사공정은 동작확인 테스트, 내구성테스트가 포함된다. 스텝 S7은 상기 공정을 거쳐서 완성된 반도체 디바이스를 출하하는 출하공정이다.
도 14는 도 13의 스텝 S4의 웨이퍼 프로세스의 상세한 흐름도이다. 스텝 S4의 웨이퍼프로세스는 웨이퍼의 표면을 산화시키는 산화스텝 S11, 웨이퍼의 표면에 절연막을 형성하는 화학증착(CVD)스텝 S12, 및 웨이퍼 상에 전극을 증착에 의해 형성하는 전극형성스텝 S13을 포함하고 있다. 또한, 스텝 S4의 웨이퍼프로세스는, 웨이퍼에 이온을 주입하는 이온주입스텝 S14, 웨이퍼에 감광제를 도포하는 레지스트처리스텝 S15, 및 상기 노광장치를 사용하여 회로패턴을 가진 마스크에 의해 레지스트 처리된 웨이퍼를 노광하는 노광스텝 S16을 포함하고 있다. 또한, 스텝 S4의 웨이퍼프로세스는, 상기 노광스텝 S16에서 노광된 노광한 웨이퍼를 현상하는 현상 스텝 S17, 현상스텝 S17에서 현상된 레지스트 상 이외의 부분을 에칭하는 에칭스텝 S18, 및 에칭스텝 S18 후에 잔류하는 불필요한 레지스트를 제거하는 레지스트박리스텝 S19를 포함하고 있다. 상기 스텝을 반복하는 처리에 의해 웨이퍼 상에 다중 회로패턴을 형성할 수 있다.
본 발명은 전형적인 실시예를 참조하면서 설명하였지만, 본 발명은 개시된 전형적인 실시예로 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다음의 특허청구의 범위는 이러한 모든 변형, 동등한 구성 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 전형적인 일 실시예에 의한 투영노광장치의 구성예를 나타낸 도면;
도 2는 웨이퍼와 웨이퍼 얼라인먼트마크의 예를 나타내는 도면;
도 3은 구면수차에 대한 베스트 포커스위치의 변화를 나타낸 도면;
도 4는 본 발명의 전형적인 일 실시예에 의한 구면수차의 측정처리의 예를 나타내는 흐름도;
도 5는 본 발명의 전형적인 일 실시예에 의한 레티클 상의 마크를 나타낸 도면;
도 6은 코마수차에 대한 베스트 포커스위치의 변화를 나타낸 도면;
도 7은 코마수차에 대한 소정의 디포커스위치의 변화를 나타낸 도면;
도 8은 본 발명의 전형적인 일 실시예에 의한 코마수차의 측정처리의 예를 나타낸 흐름도;
도 9는 웨이퍼스테이지의 위치에 대한 광량 변화를 나타낸 도면;
도 10은 윤대 조리개를 나타낸 도면;
도 11은 조명조건에 의한 수차의 영향을 나타낸 도면;
도 12는 레티클마크에 의한 수차의 영향을 나타낸 도면;
도 13은 본 발명의 전형적인 일 실시예에 의한 노광장치를 사용한 반도체 디바이스의 전형적인 제조공정을 설명하기 위한 흐름도;
도 14는 도 11에 도시된 (흐름도에 있어서의 스텝 4의) 제조공정의 웨이퍼 프로세스의 상세한 흐름도;
도 15는 본 발명의 전형적인 일 실시예에 의한 투영노광장치의 구성예를 나타낸 도면.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
1: 레티클 2: 레티클스테이지
3: 웨이퍼 4: 웨이퍼스테이지
5: 조명광학계 6: 투영광학계
8: 미러 10, 12 레이저간섭계
13: 레티클기준플레이트 14: 레티클얼라인먼트 검출계
15: 포커스검출계 16: 웨이퍼 얼라인먼트 검출계
17: 레티클얼라인먼트 기준마크 18: 웨이퍼얼라인먼트검출용 기준마크

Claims (10)

  1. 원판 상에 형성된 패턴의 상을 투영광학계를 통해서 기판에 전사하는 노광장치의 상기 투영광학계의 구면수차의 측정방법이며,
    제 1 조명조건 및 제 2 조명조건 각각 하에서의 상기 투영광학계의 초점위치와, 상기 투영광학계의 구면수차 간의 관계를 나타내는 초점위치 데이터를 취득하는 스텝;
    상기 제 1 조명조건 하에서 상기 투영광학계의 초점위치를 계측하는 제 1 계측 스텝;
    상기 제 2 조명조건 하에서 상기 투영광학계의 초점위치를 계측하는 제 2 계측 스텝;
    상기 제 1 조명조건 하에서 계측한 상기 초점위치와 상기 제 2 조명조건 하에서 계측한 상기 초점위치 간의 차이를 취득하는 스텝; 및
    상기 초점위치 데이터로부터, 상기 초점위치들 간의 상기 차이에 대응하는 상기 투영 광학계의 구면 수차를 취득하는 스텝
    을 포함하고,
    상기 제 1 조명조건은, 상기 투영광학계의 구면수차의 변화에 따라 상기 투영 광학계의 초점위치가 둔감하게 변화하는 조건이고,
    상기 제 2 조명조건은, 상기 투영광학계의 구면수차의 변화에 따라 상기 투영 광학계의 초점위치가 민감하게 변화하는 조건인, 구면수차의 측정방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 계측 스텝에서는, 상기 원판 측에 배치한 마크와 상기 기판 측에 배치한 마크를 통과한 광의 광량에 의거하여 상기 투영 광학계의 초점위치를 계측하는, 구면수차의 측정방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 원판 상에 형성된 패턴의 상을 투영광학계를 통해서 기판에 전사하는 노광장치의 상기 투영광학계의 코마수차의 측정방법이며,
    제 1 조명조건 하에서 상기 투영광학계의 초점위치에서의 상기 원판측에 배치된 마크와 상기 기판측에 배치된 마크의 상대위치와, 상기 투영광학계의 코마수차 간의 관계를 나타내는 제 1 시프트위치 데이터를 취득하는 스텝;
    제 2 조명조건 하에서 상기 초점위치로부터 디포커스한 위치에서의 상기 상대위치와, 상기 투영광학계의 코마수차 간의 관계를 나타내는 제 2 시프트위치 데이터를 취득하는 스텝;
    상기 초점위치에 있어서의 상기 상대위치를, 상기 제 1 조명조건 하에서 상기 투영광학계를 개재하여 계측하는 제 1 계측 스텝;
    상기 초점위치로부터 디포커스한 위치에 있어서의 상기 상대위치를, 상기 제 2 조명조건 하에서 상기 투영광학계를 개재하여 계측하는 제 2 계측 스텝;
    상기 제 1 계측 스텝에서 계측한 상기 상대위치와, 상기 제 2 계측 스텝에서 계측한 상기 상대위치 간의 차이를 취득하는 스텝; 및
    상기 제 1 시프트위치 데이터 및 제 2 시프트위치 데이터로부터, 상기 상대위치들 간의 상기 차이에 대응하는 상기 투영광학계의 코마수차를 취득하는 스텝
    을 포함하고,
    상기 제 1 조명 조건은, 상기 투영광학계의 코마수차의 변화에 따라 상기 상대위치가 둔감하게 변화하는 조건이고,
    상기 제 2 조명 조건은, 상기 투영광학계의 코마수차의 변화에 따라 상기 상대위치가 민감하게 변화하는 조건인, 코마수차의 측정방법.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 조명조건은 윤대의 조명조건인, 구면수차의 측정방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 조명조건은 윤대의 조명조건인, 코마수차의 측정방법.
KR1020080028681A 2007-03-29 2008-03-28 수차측정방법 및 코마수차측정방법 KR100955116B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-00086469 2007-03-29
JP2007086469A JP5013921B2 (ja) 2007-03-29 2007-03-29 収差計測方法、露光装置及びデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080088480A KR20080088480A (ko) 2008-10-02
KR100955116B1 true KR100955116B1 (ko) 2010-04-28

Family

ID=39793703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080028681A KR100955116B1 (ko) 2007-03-29 2008-03-28 수차측정방법 및 코마수차측정방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8345220B2 (ko)
JP (1) JP5013921B2 (ko)
KR (1) KR100955116B1 (ko)
TW (1) TWI405043B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5013921B2 (ja) * 2007-03-29 2012-08-29 キヤノン株式会社 収差計測方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP4600576B2 (ja) * 2008-05-08 2010-12-15 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP6025346B2 (ja) 2012-03-05 2016-11-16 キヤノン株式会社 検出装置、露光装置及びデバイスを製造する方法
US10451564B2 (en) * 2017-10-27 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Empirical detection of lens aberration for diffraction-limited optical system
EP4075115A1 (en) * 2021-04-16 2022-10-19 Dynamic Optics S.r.l. Method for detecting optical aberrations and apparatus for detecting optical aberrations

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010112637A (ko) * 2000-06-14 2001-12-20 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 광학 결상 시스템 작동방법, 리소그래피 투영장치,디바이스 제조방법, 및 그것에 의해 제조된 디바이스
JP2006332561A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Nikon Corp ベストフォーカス位置測定方法及び非点隔差測定方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3218478B2 (ja) * 1992-09-04 2001-10-15 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
US6078380A (en) * 1991-10-08 2000-06-20 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure
JP3344592B2 (ja) * 1992-10-02 2002-11-11 株式会社ニコン 収差計測方法
JP3291818B2 (ja) * 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3254916B2 (ja) * 1994-07-06 2002-02-12 キヤノン株式会社 投影光学系のコマ収差を検出する方法
JPH0949781A (ja) * 1995-08-08 1997-02-18 Nikon Corp 光学系の検査装置および該検査装置を備えた投影露光装置
JPH10281934A (ja) * 1997-04-07 1998-10-23 Nikon Corp 投影光学系の結像特性計測方法、及び該方法を使用する投影露光装置
JP3274396B2 (ja) * 1997-11-07 2002-04-15 株式会社東芝 パターン測定方法
JP3256678B2 (ja) * 1998-02-19 2002-02-12 株式会社東芝 レンズの収差測定方法
JP4032501B2 (ja) * 1998-04-22 2008-01-16 株式会社ニコン 投影光学系の結像特性計測方法及び投影露光装置
WO2000017916A1 (fr) * 1998-09-17 2000-03-30 Nikon Corporation Procede pour regler un systeme de projection optique
US6248486B1 (en) * 1998-11-23 2001-06-19 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
JP3742242B2 (ja) * 1999-03-15 2006-02-01 株式会社東芝 収差評価方法
JP2001250760A (ja) * 2000-03-06 2001-09-14 Nikon Corp 収差計測方法、該方法を使用するマーク検出方法、及び露光方法
JP3927774B2 (ja) * 2000-03-21 2007-06-13 キヤノン株式会社 計測方法及びそれを用いた投影露光装置
JP4143614B2 (ja) * 2000-03-21 2008-09-03 キヤノン株式会社 計測方法
JP4436029B2 (ja) * 2001-02-13 2010-03-24 株式会社ニコン 投影光学系の製造方法及び調整方法、露光装置及びその製造方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータシステム
US6787789B2 (en) 2001-08-23 2004-09-07 Asml Netherlands B.V. Method of measuring aberration of a projection system of a lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1422562B1 (en) * 2001-08-31 2013-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Reticle and optical characteristic measuring method
JP3673783B2 (ja) * 2001-10-01 2005-07-20 キヤノン株式会社 収差計測方法及び投影露光装置
US6960415B2 (en) * 2001-10-01 2005-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Aberration measuring method and projection exposure apparatus
JP3605064B2 (ja) * 2001-10-15 2004-12-22 株式会社ルネサステクノロジ フォーカスモニタ用フォトマスク、フォーカスモニタ方法、フォーカスモニタ用装置および装置の製造方法
WO2003088329A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Reticle and optical characteristic measuring method
JP3796464B2 (ja) * 2002-04-24 2006-07-12 キヤノン株式会社 投影光学系の収差計測方法
JP2005175407A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Canon Inc 計測方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法
JP4455129B2 (ja) * 2004-04-06 2010-04-21 キヤノン株式会社 収差計測方法及びそれを用いた投影露光装置
JP4588368B2 (ja) * 2004-06-15 2010-12-01 富士通セミコンダクター株式会社 露光計測方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法
CN100533661C (zh) * 2004-07-12 2009-08-26 株式会社尼康 曝光条件的决定方法、曝光方法及装置、组件制造方法
TWI396225B (zh) * 2004-07-23 2013-05-11 尼康股份有限公司 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置
US7262831B2 (en) * 2004-12-01 2007-08-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
JP2008186912A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Nikon Corp 収差評価方法、調整方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP5013921B2 (ja) * 2007-03-29 2012-08-29 キヤノン株式会社 収差計測方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP4912205B2 (ja) * 2007-04-18 2012-04-11 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010112637A (ko) * 2000-06-14 2001-12-20 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 광학 결상 시스템 작동방법, 리소그래피 투영장치,디바이스 제조방법, 및 그것에 의해 제조된 디바이스
JP2006332561A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Nikon Corp ベストフォーカス位置測定方法及び非点隔差測定方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8345220B2 (en) 2013-01-01
TW200903182A (en) 2009-01-16
US20120206701A1 (en) 2012-08-16
TWI405043B (zh) 2013-08-11
JP5013921B2 (ja) 2012-08-29
KR20080088480A (ko) 2008-10-02
US20080239271A1 (en) 2008-10-02
US8345221B2 (en) 2013-01-01
JP2008244386A (ja) 2008-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7221431B2 (en) Exposure apparatus
US7498596B2 (en) Exposure method that obtains, prior to exposure, reticle surface form data and measurement position error, for scanning control
JP5036429B2 (ja) 位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法及び調整方法
KR20010085449A (ko) 광학 결상 시스템에서의 광행차 측정 방법
KR20060043246A (ko) 측정장치를 탑재한 노광장치
US20070285671A1 (en) Measurement method and apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN113196177B (zh) 量测传感器、照射***、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法
KR20020085840A (ko) 리소그래피장치의 교정방법, 리소그래피장치의 교정에사용하는 마스크, 리소그래피장치, 디바이스제조방법,이것에 의해 제조된 디바이스
KR100819240B1 (ko) 노광장치의 조명광학계의 유효광원분포 측정장치 및 그것을 가지는 노광장치
KR100955116B1 (ko) 수차측정방법 및 코마수차측정방법
US20070252968A1 (en) Exposure apparatus
JP3774590B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
KR20090098741A (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN114616523A (zh) 用于推断诸如焦距的处理参数的方法和相关联装置和制造方法
JP2007294934A (ja) 計測方法及び装置、露光装置及び方法、調整方法、並びに、デバイス製造方法
US7623219B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method
US7710543B2 (en) Scanning exposure apparatus and device manufacturing method
JP2007207822A (ja) 計測方法、露光方法、デバイス製造方法、計測用マーク、及びマスク
US20050270509A1 (en) Measuring apparatus, exposure apparatus having the same, and device manufacturing method
KR20050090429A (ko) 조명 시스템의 성능 측정 방법, 그를 실행하는 시스템,측정 디바이스, 테스트 객체, 디바이스 제조 공정,리소그래피 투사 장치 및 디바이스
JP5518124B2 (ja) 収差計測方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2006080444A (ja) 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法
JP3313932B2 (ja) 投影露光装置
KR20080080442A (ko) 측정장치, 노광장치 및 디바이스의 제조방법
JP6226525B2 (ja) 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130320

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140326

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160324

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170324

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180326

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190422

Year of fee payment: 10