JP2001266402A

JP2001266402A - 片面２層の光ディスク

Info

Publication number: JP2001266402A
Application number: JP2000084550A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Suzuki; 克己鈴木
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-03-24
Filing date: 2000-03-24
Publication date: 2001-09-28

Abstract

(57)【要約】【課題】この発明は、同時に２つのディスクの機能が
実行可能な片面２層光ディスクを提供することができ
る。【解決手段】この発明は、レーザ光の入射側の第１層
として、ＤＶＤ−ＲＷディスクの物理フォーマットを形
成した基板１１を用い、その上に記録膜としてＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系の相変化膜１３を設け、第２層として、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭの物理フォーマットを形成した基板５１を用
い、その上にＧｅＳＢＴｅ系の相変化膜５４を設け、上
記第１層と第２層とを所定の膜厚の透明な接着層６０に
よって接着して構成するようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、１層目と２層目
とに対してそれぞれ、データが記録されたり、記録され
ているデータが再生される片面２層の光ディスクに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、大容量メモリとして光ディスクが
注目をあびている。光ディスクは、ＣＤに代表される再
生専用型、ＣＤ−Ｒに代表される１回追記型、コンピュ
ータの外付けメモリに代表される書き換え可能型の３種
類に大別される。

【０００３】１回追記型の代表例としては、ＤＶＤフォ
ーラムで規格化されているブックのＶｅｒ．１．０に基
づく３．９ＧＢのＤＶＤ−ＲやブックのＶｅｒ．２．０
に基づく４．７ＧＢのＤＶＤ−Ｒディスクがある。

【０００４】いずれのディスクもポリカーボネート等の
透明で円盤状のプラスチック基板上に色素系有機膜をス
ピン塗布又はスパッタにより形成し、この色素系有機膜
にレーザ光を集光させて、記録膜に穴を形成することで
記録を行う。１度形成された穴は、塞がることは無いの
で書き換えることができないため、１回追記記録とな
る。

【０００５】更に書き換え可能型は、光磁気ディスクと
相変化ディスクに大別される。相変化光ディスクは、レ
ーザビームの照射により、非晶質と結晶との間で可逆的
の相変化する記録膜を用いて、記録マーク（非晶質）と
バックグラウンドの結晶状態の反射率の差によって再生
する。

【０００６】記録膜のレーザ照射部分が、非晶質（マー
ク）になるか結晶（消去状態）になるかは、照射された
部分が、膜を構成する材料の融点を越えるか、または結
晶化温度を越えるか、のみに依存するため、レーザビー
ムの強弱変調で走査することで、オーバライトが可能で
あるという利点がある。

【０００７】図１には、相変化光ディスクの記録媒体の
ごく一般的な層構成を示す。ポリカーボネート又はガラ
ス製の透明基板１上に、ＺｎＳ／ＳｉＯ２混合膜からな
る誘電体層３が成膜され、その上に、レーザ光等の照射
により、非晶質と結晶との間で可逆的に相変化する、例
えばＡｇＩｎＳｂＴｅの３元合金からなる相変化記録
層、又はＧｅＳｂＴｅ３元合金からなる相変化記録層４
を積層し、再度、ＺｎＳ・ＳｉＯ２混合膜からなる誘電
体層５を、更には、Ａ１Ｍｏ合金からなる金属反射層６
を積層した構成となっている。７はディスクの取り扱い
上で生ずる傷を防止するための、ＵＶ硬化樹脂保護層で
ある。

【０００８】相変化記録層４はレーザ光照射により溶融
して急冷することで非晶質化するが、この時誘電体保護
層３及び５は記録層４が蒸発して穴が明くのを防止す
る、いわゆる記録層の耐熱保護の機能を果たす。また、
下側の誘電体層３は、金属反射層６との相乗効果で信号
再生時に光学的にエンハンスするように設計されてお
り、通常その厚さは、５００−３０００Ａに設定されて
いる。

【０００９】相変化記録膜４は、レーザ光の照射により
溶融する必要から通常かなり薄く設計されており、５０
−３００Ａに設定されている。上側誘電体保護層５は、
レーザ光照射時に溶融した記録層の熱をできるだけ急冷
して非晶質化するため、金属反射層６へなるべく熱を逃
がす構成を取る必要から、通常かなり薄く設計されてお
り、典型的には５０−３００Ａ程度である。金属反射層
６は、再生信号のエンハンスと熱の逃げを良くする目的
から、その厚さは通常５００Ａ以上３０００Ａ程度の設
定となっている。

【００１０】次に、現在ＤＶＤフォーラム内で規格化が
進められているＤＶＤ−Ｒディスクについて説明する。
ユーザ容量が片面４．７ＧＢのＤＶＤーＲディスクは、
Ｒドライブで記録する。データが再生専用のＤＶＤ−Ｒ
ＯＭドライブでも再生できるように、工夫されている。

【００１１】すなわち、ディスクの内側にはＤＶＤ−Ｒ
ディスクをＤＶＤドライブにかけるとまず光学ヘッドが
読みに行くリードインＲＯＭ部があり、この部分はＤＶ
ＤのＲＯＭやＶＩＤＥＯと同じ片面４．７ＧＢ容量と同
じ物理フォーマットでエンボスピットが形成されてお
り、ＲドライブもＲＯＭドライブも最初にこのリードイ
ンＲＯＭ部の情報を読んで、このディスクが４．７ＧＢ
のＲディスクなのか、４．７ＧＢのＲＯＭディスクなの
かを判別し、更にＲディスクである場合は、最適の記録
パワー等の情報も読んで行く。

【００１２】次に、片面４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＯＭデ
ィスクと４．７ＧＢのＤＶＤ−Ｒディスクの再生互換性
について説明する。片面４．７ＧＢのＲＯＭディスク及
びＲディスクは、トラックピッチ０．７４μｍ、最短ビ
ットピッチが０．２６７μｍの８／１６変調となってお
り、全く物理的な緒言は同じである。

【００１３】但し、違うのはＲＯＭディスクがピットが
凹のエンボスで形成されているのに反して、Ｒディスク
ではデータ記録部分は連続するグルーブ（溝）になって
おり、このグルーブ上に成膜された色素系有機記録膜層
に、前述するようにレーザ光を照射して穴を形成して情
報が記録される。

【００１４】また、Ｒディスクは、その用途は主にオー
サリング用とコンシューマ用に分けられるが、データ部
分は追記可能になっており、穴あけ記録をする前は、ラ
ンド部分にエンボスによるアドレスが付けられている
が、アドレス以降の記録・再生可能部分に穴をあけてデ
ータ記録を行うとデータの頭に穴で新たにヘッダを付け
て、このヘッダはＲＯＭディスクと全く同じフォーマッ
トで付けられるため、穴あけ記録後はＲＯＭディスクと
全く互換がとれるように工夫されている。

【００１５】因みに穴あけ記録する前には、ランド部分
にエンボスのアドレスはどこに書いたら良いか見つける
ためと、データのかき始めのタイミングをとるために必
要となる。従ってＤＶＤ−Ｒディスクは穴あけ記録を行
った後は、ＤＶＤ−ＲＯＭディスクと全く同じ取り扱い
ができる。このような、ＤＶＤ−Ｒ規格Ｖｅｒ．２．０
にその物理フォーマットが規定されている。

【００１６】次に、現在ＤＶＤフォーラム内で規格化が
進められているＤＶＤ−ＲＷディスクについて説明す
る。ユーザ容量が片面４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＷディス
クは、ＲＷドライブで記録する。データが再生専用のＤ
ＶＤ−ＲＯＭドライブでも再生できるように、工夫され
ている。

【００１７】すなわち、ディスクの内側にはＤＶＤ−Ｒ
ＷディスクをＤＶＤドライブにかけるとまず光学ヘッド
が読みに行くリードインＲＯＭ部があり、この部分はＤ
ＶＤのＲＯＭやＶＩＤＥＯと同じ片面４．７ＧＢ容量と
同じ物理フォーマットでエンボスピットが形成されてお
り、ＲＷドライブもＲＯＭドライブも最初にこのリード
インＲＯＭ部の情報を読んで、このディスクが４．７Ｇ
ＢのＲＷディスクなのか、４．７ＧＢのＲＯＭディスク
なのかを判別し、更にＲＷディスクである場合は、最適
の記録パワー等の情報も読んで行く。

【００１８】次に、片面４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＯＭデ
ィスクと４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＷディスクの再生互換
性について説明する。片面４．７ＧＢのＲＯＭディスク
及びＲＷディスクは、トラックピッチ０．７４μｍ、最
短ビットピッチが０．２６７μｍの８／１６変調となっ
ており、全く物理的な緒言は同じである。

【００１９】但し、違うのはＲＯＭディスクがピットが
凹のエンボスで形成されているのに反して、ＲＷディス
クではデータ記録部分は連続するグループ（溝）になっ
ており、このグループ上に成膜された相変化記録層に、
前述するように反射率の変化としてピットが形成され
る。

【００２０】また、ＲＷディスクは、その用途は主にオ
ーサリング用とコンシューマ用に分けられるが、データ
部分は書き換えが可能になっており、そのため、相変化
による記録をする前は、ランド部分にエンボスによるア
ドレスが付けられているが、アドレス以降の記録・再生
可能部分に相変化によるデータ記録を行うとデータの頭
に相変化で新たにヘッダを付けて、このヘッダはＲＯＭ
ディスクと全く同じフォーマットで付けられるため、相
変化で記録後はＲＯＭディスクと全く互換がとれるよう
に工夫されている。

【００２１】因みに相変化記録をする前には、ランド部
分にエンボスのアドレスはとどこに書いたら良いか見つ
けるためと、データのかき始めのタイミングをとるため
に必要となる。従ってＤＶＤ−ＲＷディスクは相変化記
録を行った後は、ＤＶＤ−ＲＯＭディスクと全く同じ取
り扱いができる。このような、ＤＶＤ−ＲＷ規格Ｖｅｒ
−１．０にその物理フォーマットが規定されている。

【００２２】ＤＶＤ−ＲＷディスクは、一般に書き換え
可能な相変化記録膜としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系の３元合
金が用いられている。この３元合金は、材料の性質とし
て、レーザ光によるオーバライト記録（以後、ＯＷ記録
と記す。）を繰り返し行うと約１０００回でＯＷができ
なくなってしまうという不具合点がある。

【００２３】しかし、このＤＶＤ−ＲＷディスクは先に
も示したように主に、画像のオーサリング用途やコンシ
ューマ用途として用いられるため、繰り返しＯＷをする
回数はそれほど多くなくて良い。

【００２４】一方、このＤＶＤ−ＲＷディスクは、先ほ
ど説明したとおり、ＯＷ記録後は４．７ＧＢのＤＶＤ−
ＲＯＭと全く同じ扱いができるという点で、再生専用の
ＤＶＤ−ＶＩＤＥＯプレイヤーに掛けた時に再生互換が
取りやすいという利点がある。

【００２５】そのため、このＤＶＤ−ＲＷディスクがか
かるＤＶＤ−ＲＷドライブを画像の記録・再生が可能な
民生用の録再ＤＶＤとして応用する動向がある。言い換
えれば、このＤＶＤ−ＲＷディスクは、テレビ画像や、
個人のハンディカム等の動画像を連続記録（シーケンシ
ャル記録）するのに向いている。

【００２６】次に、ＤＶＤ−ＲＡＭ規格Ｖｅｒ．２．０
に基づく４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭディスクについて
説明する。ＤＶＤ−ＲＡＭディスクは、４．７ＧＢのデ
ータ記録容量を可能にするため、トラックピッチ０．６
１５μｍ、ビットピッチは０．２８μｍのランド／グル
ーブ記録を採用している。

【００２７】更に詳細を説明すると、４．７ＧＢのＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクでは、ランド（土手）の部分をレー
ザで走査していくと１週に１カ所、ランド（土手）から
グルーブ（溝）に自動的に切り替わる部分がある。

【００２８】そして、グルーブ（溝）部分をレーザ光で
走査して行くと、やはり１周の周方向の同じ位置で、自
動的にランド（土手）に切り替わる。即ち、通常の光デ
ィスクではランド記録かグルーブ記録のいずれかを採用
しているが、このＤＶＤ−ＲＡＭでは、ランドにもグル
ーブにもデータの記録・再生が可能なランド／グルーブ
記録（以後、Ｌ／Ｇ記録と記す。）を採用している。

【００２９】また、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクは、ランド
又はグルーブの１周が複数のセクターによって区切られ
てそのセクターの先頭部分には、ランドやグルーブの中
心線に対して１／４トラックだけずれてエンボスピット
によるヘッダが形成されている。

【００３０】１／４トラック分ずれてヘッダが形成され
ている理由は、レーザ光がランドの中心線上を走査して
いて、グループの中心線上を走査していても、ヘッダ上
を１／４だけかすめて走査することで再生が可能である
からである。このＤＶＤ−ＲＡＭは、この千鳥状の配列
されたヘッダが、ランド又はグループのデータ記録再生
部分（以後、セクターと記す。）を細かく区切ってい
る。

【００３１】言い換えると、データ記録・再生領域は、
短く区切られた多くいのセクターから形成されているた
め、コンピュータのような少量のデータをたくさん、別
々のセクターに記録する用途に向いている。また、多く
のヘッダによってセクターが区切られていることによっ
て、レーザ光によるランダムアクセスが可能であるとい
う点でもコンピュータ用として適している理由である。

【００３２】また、このＤＶＤ−ＲＡＭディスクの記録
・再生部分には、一般的にＧｅＳＢＴｅ系の相変化記録
膜が用いられている。このＧｅＳｂＴｅ系記録膜は、先
に説明したＤＶＤ−ＲＷに採用されているＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ系記録膜と比べて、ＯＷ繰り返し時に繰り返し劣化
が少なく、１０万回以上のＯＷが可能であると言う利点
がある。

【００３３】すなわち、コンピュータ用に使用される書
き換え可能媒体は、データをどこのセクターに何を記録
したかといったデータ管理領域があり、その部分は頻繁
に書き換えるため、ＯＷ書き換え回数は多い方が良く、
一般的に１０万回以上は必要とされているため、ＤＶＤ
−ＲＡＭディスクのこの意味でもコンピュータ用途に適
していると言える。

【００３４】ところで、近年、この４．７ＧＢのＤＶＤ
−ＲＷディスクとＤＶＤ−ＲＡＭディスク、ＤＶＤ−Ｒ
Ｗ規格Ｖｅｒ．１．０に基づく４．７ＧＢのＤＶＤ−Ｒ
ディスクの３ディスクに対して記録・再生可能な、ＤＶ
Ｄマルチドライブ（以後、ＤＶＤIIIと記す。）がＤＶ
Ｄフォーラムで提案されている。

【００３５】このＤＶＤIIIが製品化されると、上記、
１回追記記録も対応できるし、民生用の連続画像記録に
も対応できるし、コンピュータ用のランダムアクセスや
少量のデータを細かく区切ったセクター記録にも対応で
きる。

【００３６】しかし、上記機能は、ディスクごとに使い
分けが必要であり、同時に２つのディスクの機能を実行
できないという不具合点がある。

【００３７】

【発明が解決しようとする課題】この発明は、同時に２
つのディスクの機能が実行可能な片面２層の光ディスク
を提供することを目的としている。

【００３８】

【課題を解決するための手段】この発明の片面２層光デ
ィスクは、レーザ光の入射側の第１層として、ＤＶＤ−
ＲＷディスクの物理フォーマットを形成した基板と、そ
の上に記録膜としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化膜を設
け、第２層として、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクの物理フォ
ーマットを形成した基板を用い、その上にＧｅＳｂＴｅ
系の相変化膜を設け、上記第１層と第２層とが所定の膜
厚の透明な接着層によって接着されている。

【００３９】この発明の片面２層光ディスクは、レーザ
光の入射側の第１層として、片面４．７ＧＢから１％か
ら１２％以下の容量を削減したＤＶＤ−ＲＷディスクの
物理フォーマットを形成した基板と、その上に記録膜と
してＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化膜を設け、第２層とし
て、片面４．７ＧＢから１％から１２％以下の容量を削
減したＤＶＤ−ＲＡＭディスクの物理フォーマットを形
成した基板を用い、その上にＧｅＳｂＴｅ系の相変化膜
を設け、上記第１層と第２層とが所定の膜厚の透明な接
着層によって接着されている。

【００４０】この発明の片面２層光ディスクは、レーザ
光の入射側の第１層として、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクの
物理フォーマットを形成した基板と、その上に記録膜と
してＧｅＳｂＴｅ系の相変化膜を設け、第２層として、
ＤＶＤ−ＲＷディスクの物理フォーマットを形成した基
板を用い、その上にＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化膜を設
け、上記第１層と第２層とが所定の膜厚の透明な接着層
によって接着されている。

【００４１】この発明の片面２層光ディスクは、レーザ
光の入射側の第１層として、片面４．７ＧＢから１％か
ら１２％以下の容量を削減したＤＶＤ−ＲＡＭディスク
の物理フォーマットを形成した基板と、その上に記録膜
としてＧｅＳｂＴｅ系の相変化膜を設け、第２層とし
て、片面４．７ＧＢから１％から１２％以下の容量を削
減したＤＶＤ−ＲＷディスクの物理フォーマットを形成
した基板を用い、その上にＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化
膜を設け、上記第１層と第２層とが所定の膜厚の透明な
接着層によって接着されている。

【００４２】この発明の片面２層光ディスクは、レーザ
光の入射側の第１層として、ＤＶＤ−ＲＷディスクの物
理フォーマットを形成した基板と、その上に記録膜とし
てＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化膜を設け、第２層とし
て、ＤＶＤ−Ｒディスクの物理フォーマットを形成した
基板を用い、その上に色素系有機膜を設け、上記第１層
と第２層とが所定の膜厚の透明な接着層によって接着さ
れている。

【００４３】この発明の片面２層光ディスクは、レーザ
光の入射側の第１層として、片面４．７ＧＢから１％か
ら１２％以下の容量を削減したＤＶＤ−ＲＷディスクの
物理フォーマットを形成した基板と、その上に記録膜と
してＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化膜を設け、第２層とし
て、片面４．７ＧＢから１％から１２％以下の容量を削
減したＤＶＤ−Ｒディスクの物理フォーマットを形成し
た基板を用い、その上に色素系有機膜を設け、上記第１
層と第２層とが所定の膜厚の透明な接着層によって接着
されている。

【００４４】この発明の片面２層光ディスクは、レーザ
光の入射側の第１層として、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクの
物理フォーマットを形成した基板と、その上に記録膜と
してＧｅＳｂＴｅ系の相変化膜を設け、第２層として、
ＤＶＤ−Ｒディスクの物理フォーマットを形成した基板
を用い、その上に色素系有機膜を設け、上記第１層と第
２層とが所定の膜厚の透明な接着層によって接着されて
いる。

【００４５】この発明の片面２層光ディスクは、レーザ
光の入射側の第１層として、片面４．７ＧＢから１％か
ら１２％以下の容量を削減したＤＶＤ−ＲＡＭディスク
の物理フォーマットを形成した基板と、その上に記録膜
としてＧｅＳｂＴｅ系の相変化膜を設け、第２層とし
て、片面４．７ＧＢから１％から１２％以下の容量を削
減したＤＶＤ−Ｒディスクの物理フォーマットを形成し
た基板を用い、その上に色素系有機膜を設け、上記第１
層と第２層とが所定の膜厚の透明な接着層によって接着
されている。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、まず、すでに存在している
片面２層の相変化型ディスクに関しては、ＩＳＯＭ’９
８（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｎＯｐｔｉｃａｌＭｅｍｏｒｙ１９９８Ｏ
ｃｔｏｂｅｒ２０〜２２）、Ｔｈ−Ｎ−０５「Ｒｅ
ｗｒｉｔａｂｌｅＤｕａｌＬａｙｅｒＰｈａｓｅ
−ＣｈａｎｇｅＯｐｔｉｃａｌＤｉｓｋ」で発表さ
れている。

【００４７】この論文に記載されている片面２層ＲＡＭ
ディスクの大まかな構造としては、ポリカーボネート
（ＰＣ）基板上に第１層のＲＡＭと、別のＰＣ基板上に
第２層のＲＡＭを設けて、これを４０μｍ厚のＵＶ硬化
樹脂膜で貼り合わせたものとなっている。

【００４８】第１層は、ＰＣ基板側からＺｎＳ−Ｓｉ０
２保護膜／ＧｅＳｂＴｅ記録層／ＺｎＳ−Ｓｉ０２保護
膜の膜構成になっている。第２層は、ＵＶ硬化膜の側か
ら、Ａｕ干渉膜／ＺｎＳ−Ｓｉ０２保護膜／ＧｅＳｂＴ
ｅ記録膜／ＺｎＳ−Ｓｉ０２保護膜／Ａｌ−Ｃｒ反射膜
の膜構成となっている。

【００４９】対物レンズで集光されたレーザ光は、サー
ボ回路により、第１層の記録膜に焦点があう場合と、第
２層の記録膜に焦点があう場合に切り替えられて、各記
録膜で記録再生を行う。

【００５０】次に、上記論文で説明されている、片面２
層ＲＡＭディスクの光学設計の手法について説明する。
まず、基本設計思想であるが、対物レンズで集光された
レーザ光が、第２層の記録膜にも届くためには、第１層
は全体として高透過率でなければならない。第２層は、
第１層を透過してきた弱いレーザ光でも記録／再生が可
能である必要があるため、層全体として高感度（記
録）、高反射率（再生）である必要がある。

【００５１】また、信号処理上、第１層と第２層からの
再生信号の大きさを揃える必要がある。再生信号の大き
さは、記録マーク（非晶質部分）とその回りの消去部分
（結晶部分）との反射率の差（以下、反射率変化量と記
す。）で表される。

【００５２】第１層の反射率をｒ１、透過率をｔｌ、第
２層の反射率をｒ２とすると、第１層からの反射率変化
量△Ｒ１＝△ｒ１。第２層からの反射率変化量は、入射
光は、第１層を透過してから第２層で反射し、もう一度
第１層を透過するので、第２層からの反射率変化△ｒ２
に、第１層の透過率を２回乗じた値となる。従って第２
層からの絶対反射率変化量△Ｒ２＝△ｒ２×ｔ１×ｔ１
となる。ここで、上述したように第１層からの再生信号
の大きさと第２層からの再生信号の大きさは、信号処理
上ほぼ同じにする必要があるため△Ｒ１＝△Ｒ２。

【００５３】次に、各パラメータを定義する。第１層の
結晶の反射率をｒ１ｃ、吸収率をα１ｃ、透過率をｔ１
ｃ、非晶質の反射率をｒｌａ、吸収率をα１ａ、透過率
ｔ１ａとする。ここで、ｒ１ｃ＋α１ｃ＋ｔ１ｃ＝１００，ｒ１ａ＋α１ａ＋ｔ
１ａ＝１００である。

【００５４】上記論文では、まず第１層が未記録（結晶
状態）の状態でも電気的にサーボがかかるようにｒ１ｃ
を９％に設定する。ｒｌｃはサーボだけ考えるともっと
大きい方が良いが、前述したように第２層からの反射光
が、２回第１層を透過することから、第２層からの反射
光量が相当小さくなることを見込んで、それに合わせた
と思われる。

【００５５】次に、上述した条件で、入射光は第１層を
透過後、第２層に届かなければならないため、第１層の
透過率ｒ１ｃを５０％に設定する。透過率を５０％と大
きく設定するには、通常相変化光ディスクで冷却のため
に必要とされている金属反射膜を取る必要がある。その
ため、第１層のディスクには反射膜が設けられていな
い。透過率はあまり大きすぎると今度は第１層での吸収
率が小さくなって、第１層の記録感度が低下してしま
う。

【００５６】上記２点を設定して第１層の相変化光ディ
スクの膜構成を設計するとその他のパラメータが自動的
に決まってくる。膜設計の結果、第１層の各パラメータ
はｒ１ｃ＝９％、α１ｃ＝４１％、ｔ１ｃ＝５０％、ｒｌａ＝２％、α１ａ＝２８％、ｔ１ａ＝７０％。

【００５７】したがって、第１層からの再生信号の大き
さ：反射率変化量△ｒｌ＝ｒ１ｃ−ｒ１ａ（結晶の反射
率一非晶質の反射率）＝６％となる。

【００５８】第２層からの再生信号の大きさ＝反射率変
化量△Ｒ２＝△ｒ２×ｔ１×ｔ１＝第１層からの再生信
号の大きさ＝６％であるから、ｔ１としてｔ１ｃの０．
５（５０％）で代用すると、簡単な計算から△ｒ２は２
４％となる。

【００５９】第２層は、上述したごとく第１層を透過す
る少ない光量でも記録が可能にするため、ディスクを高
感度化する必要がある。言い換えると未記録部（結晶状
態）の吸収率を大きく設定する必要がある。また、吸収
する熱が逃げないためには、反射膜からの熱の逃げを押
さえるため、ある程度透過するくらい反射膜は薄く設定
する。

【００６０】以上のような条件を当てはめて、△ｒ２＝
２４％のもとで第２層の膜構成を設計すると、ｒ２ｃ＝１３％、α２ｃ＝６５％、ｔ２ｃ＝２２％、ｒ２ａ＝３７％、α２ａ＝３７％、ｔ２ａ＝２６％とな
る。

【００６１】ここで、ｒ１ｃ、α１ｃ，ｔ１ｃはそれぞ
れ２層の結晶状態の反射率、吸収率、透過率、ｒ１ａ、
αｌａ，ｔｌａは、それぞれ非晶質状態の射率、吸収
率、透過率を表す。第２層の反射率変化量△ｒ２ｒ＝２
ａ−ｒ２ｃ＝２４％であることは言うまでもない。

【００６２】ここで着目したいのが、第２層では、記録
マーク（非晶質部分）の反射率ｒ２ａが、消去状態（結
晶部）の反射率ｒ２ｃよりも高い、ＬｔｏＨメディ
アとなっていることである。これは、相変化ディスクを
膜設計する上で、感度を上げる＝結晶部の感度吸収率を
大きくするという条件を付けることで必然的に出てく結
果であることは、この分野に精通した技術者であれば十
分理解できる。

【００６３】従って、結論として上記論文では、１層
は、反射膜無しのＨｔｏＬメディア、第２層は、Ｌｔｏ
Ｈメディアとなっている。しかし、上記片面２層ＲＡＭ
ディスクには、以下のような欠点がある。

【００６４】すなわち、第２層の消去状態（結晶部分）
の反射率ｒ２ｃ＝１３％であるが、事実上入射光は第１
層を２回透過するため、第１層を透過後に戻って来る反
射光の絶対値は、入射光の１３×（０．５×０．５）＝
３．５％となってしまう。従って、第２層を最初に使用
するとき、全面が未記録状態であると、焦点を第２層の
合わせてサーボをかけようとすると反射光が弱すぎてサ
ーボがかからないという不具合点が生じた。（サーボが
容易にかかる反射率としては、概ね５％が限度であるこ
とが知られている。第２層の非晶質の反射率は３７％で
あり、第１層を２回透過しても９．５％であるため、記
録部分はサーボがかかる。）この第２層のようなＬｔｏ
Ｈメディアの不具合点の改善策として、我々は既に無初
期化相変化ディスクを提案している。まず、一般的な相
変化材料の特性を説明する。

【００６５】相変化光ディスクは、一般に円盤状ポリカ
ーボネイト等のプラスチック基板上にスパッタ法や蒸着
法等の真空成膜法で成膜されるが、これらの成膜方法は
一般的に原料材料が基板に付着していく過程で、高速の
原子又は分子が基板に衝突しながら付着していく。

【００６６】つまり、相変化記録材料は、高温の原材料
が基板に付着した瞬間に急冷されるため、いわゆる溶融
・急冷によるアモルファス状態になる。従って、成膜直
後の相変化光ディスクは、どの場所もアモルファスであ
るから、全面記録状態である。

【００６７】本来、光ディスクドライブで、初めのＯＷ
によって、このアモルファス状態の記録マーク（アモル
ファス）と消去状態（結晶）とが書き込めれば理想であ
るが、通常、この成膜直後のアモルファス状態は、原材
料の基板衝突時の急冷度が極めて大きいため、エネルギ
ー的に非常に安定であり、光ディスクドライブのよる１
回目のＯＷでは、結晶状態を作り出すことができない。

【００６８】上記理由から、通常、相変化光ディスクで
は、光ディスクドライブにかける前に大出力のレーザを
用いた初期結晶化装置により、全面結晶化するのが普通
である。

【００６９】初期結晶化装置は、例えば、Ａｒのガスレ
ーザ等の数Ｗクラスの出力のレーザを用い、対物レンズ
でディスク板面上に数十μｍのスポット径に集光させ
る。光ディスクのトラックピッチは通常、０．５μｍか
ら１．６μｍであるから、このようなレーザ照射し、半
径位置をずらしながらディスクの円周方向に走査するこ
とで、数十トラックを一度に結晶化しながら、ディスク
全面を結晶化することができる。

【００７０】このように通常は、初期結晶化を行わない
で光ディスクドライブの１回目のＯＷでは、結晶状態を
形成できないが、既に提案されている無初期化相変化デ
ィスクは、これを１回目のＯＷからＯＷ記録ができるよ
うにするものである。

【００７１】この無初期化相変化ディスクを第２面のＤ
ＶＤ−ＲＡＭディスクに採用することで、最初から非晶
質で反射率が高いので、光ディスクドライブによる１回
目のＯＷ時にサーボが外れてしまうことはない。

【００７２】以下、この発明の実施形態について図面を
参照にしながら説明する。

【００７３】まず、図２、図３にこの発明による片面２
層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクの第１層ディスクと第
２層ディスクの貼り合わせ前の膜構成を示す。

【００７４】第１層ディスクは、図２に示すように、
０．６ｍｍ厚の円盤状のポリカーボネート製基板１１上
にＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜１２、その上にレーザ光等の
照射により非晶質と結晶との間で可逆的に相変化するＤ
ＶＤ−ＲＷ系のＡｇＩｎＳｂＴｅ相変化記録膜１３、更
にＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜１４をこの順に積層した構成
となっている。また、このポリカーボネート基板１１
は、ＤＶＤ−ＲＷの規格バージョン１．０（以下Ｖｅ
ｒ．１．０と記す）（４．７ＧＢ）に基づいた物理フォ
ーマットが形成されており、ランドプリピットでアドレ
スが形成されている。

【００７５】前述したように、第１層は透過率を５０％
に設定するため、通常の相変化光ディスクで設けられて
いる金属反射膜は設けられていない。

【００７６】次に、第２層ディスクの膜構成を示す。す
なわち、第２層ディスクは、図３に示すように、０．６
ｍｍ厚のポリカーボネート製の透明基板１５上に、Ａｌ
Ｃｒからなる反射膜２，ＺｎＳ・ＳｉＯ２混合膜からな
る誘電体保護膜１７が成膜され、その上に、レーザ光等
の照射により、非晶質と結晶との間で可逆的に相変化す
る、ＤＶＤ−ＲＡＭ系のＧｅＳｂＴｅの３元合金からな
る相変化記録膜１８を積層し、再度ＺｎＳ・ＳｉＯ２混
合膜からなる誘電体保護膜１９を、更には、ＬｔｏＨメ
ディアにするための半透明干渉膜として、Ａｕからなる
半透明膜２０を積層した構成となっている。

【００７７】ここでポリカーボネート製基板１５は、Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭ規格バージョン２．０（以後、Ｖｅｒ．
２．０と記す。）の基づく物理フォーマットで形成され
ており、１周に１回ランドとグルーブが自動的に切り替
わるランド／グルーブ記録で、更にランドとグループの
間に千鳥状にエンボス状のヘッダが形成されている。

【００７８】相変化記録膜１８はレーザ光照射により溶
融して急冷することで非晶質化するが、この時誘電体保
護膜１７及び１９は記録膜１８が蒸発して穴が明くのを
防止する、いわゆる記録膜の耐熱保護の機能を果たす。

【００７９】また、上側の誘電体層１９は、Ａｕ半透明
層２０と金属反射層１６との相乗効果で信号再生時に光
学的にエンハンスするように設計されており、通常その
厚さは、５００−３０００Ａに設定されている。相変化
記録膜１８は、レーザ光の照射により溶融する必要から
通常かなり薄く設計されており、５０−３００Ａに設定
されている。

【００８０】下側の誘電体保護膜１７は、レーザ光照射
時に溶融した記録層の熱をできるだけ急冷して非晶質化
するため、金属反射膜１６へなるべく熱を逃がす構成を
取る必要から、薄く設計されており、典型的には５０−
３００Ａ程度である。

【００８１】また、近年、データ転送速度の高速化に伴
い、高速で記録する必要性から、ディスクの感度を上げ
る目的で急冷（熱を逃がす）でなく徐冷（熱を保持す
る）タイプの相変化光ディスクも検討されている。この
場合、この下側誘電体層１７は３００−３０００Ａに設
定される。

【００８２】金属反射膜１６は、再生信号のエンハンス
と熱の逃げを良くする目的から、その厚さは通常５００
Ａ以上３０００Ａ程度の設定となっている。但し、今回
の場合、記録感度を通常よりもかなり高く設定するため
に、熱の逃げを悪くするような場合は１００Ａから５０
０Ａに設定する場合もある。

【００８３】Ａｕ半透明膜２０は、Ａｕ膜を透過した光
と記録層からの反射光と干渉してエンハンスさせるた
め、適度に透過と反射をする必要があり、通常その膜厚
は２０Ａ−２００Ａに設定される。

【００８４】以下、この発明の片面２層ＲＷ／ＲＡＭデ
ィスクの作製方法を示す。

【００８５】この発明で第２層のＲＡＭディスクを無初
期化相変化光ディスクにするスパッタ装置を図４に示
す。

【００８６】（第１の実施例）すなわち、回転可能な円
盤状基台３１上に、直径１２０ｍｍで厚さ０．６ｍｍ
で、表面にＤＶＤ−ＲＷ規格Ｖｅｒ１．０に基づいた物
理フォーマットが形成されたポリカーボネート製ディス
ク基板３２をセットし、真空スパッタ装置３０を真空タ
ーボポンプ３４を用いて、１０−６ｔｔｏｒｒの真空に
引いた。図中、３５は排気系のバルブである。円盤状基
台３１は、電源４３からの電源電圧がスイッチ４４を介
して印加されることにより、回転可能となっている。

【００８７】まず、図２に示す第１層ディスクの作製を
説明する。回転基台３１を６０ｒｐｍで回転させなが
ら、Ａｒガス導入バルブ３３を開いて、Ａｒガスをスパ
ッタ装置３０内に導入する。排気系の能力はそのままに
して、Ａｒガスの流量を図示しないマスフローコントロ
ーラによって調整し、装置３０内の真空度が５×１０−
３ｔｏｒｒになるように設定する。

【００８８】ＲＦ電源３６を切り替えスイッチ３７によ
って、ＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂの電極３８ａ
側に倒し、ＲＦ電力６００ＷをＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲ
ットに投入する。約１分のプリスパッタの後、ターゲッ
ト３８ｂ直上のシャッター３８ｃを開にして、基板１１
上にＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜１２の成膜を開始する。
５分後ＲＦ電源３６をＯＦＦにし、シャッター３８ｃも
閉にする。基板１１上にＺｎＳ／ＳｉＯ２膜１２が５１
０Ａ、成膜された。

【００８９】バルブ３３を閉め、排気系３４を使って、
装置３０内の残留ＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ２分子を一
旦排気した後、再度。バルブ３３を開にしてＡｒガスを
導入し、スパッタ装置３０内のＡｒガス圧を５×１０
^−３ｔｏｒｒに設定する。

【００９０】切り替えスイッチ３７を、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅの化合物組成ターゲット３９ｂの電極３９ａ側へ倒
し、電源３６をＯＮにして２００ＷのパワーをＡｇＩｎ
ＳｂＴｅのターゲット３９ｂに投入する。約１分のプリ
スパッタの後、ターゲット３９ｂ直上のシャッター３９
ｃを開いて、ＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜１２上にＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ相変化記録膜１３に成膜を開始する。１５秒後
ＲＦ電源３６をＯＦＦにして、７０ＡのＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ記録膜１３をＺｎＳ／ＳｉＯ２膜１２上に成膜する。

【００９１】再度、バルブ３３を閉にして、スパッタ装
置内の残留ＡｒガスとＡｇＩｎＳｂＴｅ分子を排気した
後、バルブ３３を開いて、Ａｒガスをスパッタ装置３０
内に導入する。Ａｒガス圧が５×１０^−３ｔｏｒｒにな
るようガス流量を調整した後、切り替えスイッチ３７を
再びＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂの電極３８ａ側
に倒し、ＲＦ電源３６から６００ＷのパワーをＺｎＳ／
ＳｉＯ２ターゲット３８ｂに投入する。約１分のプリス
パッタの後で、シャッター３８ｃを再度開にして、Ｚｎ
Ｓ／ＳｉＯ２保護膜１４の成膜を開始する。

【００９２】８分後、ＲＦ電源３６をＯＦＦし、シャッ
ター３８ｃを閉にして、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録膜１３上
に８００ＡのＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜１４を積層す
る。このサンプルディスク３２をスパッタ装置３０から
取り出す。この第１層のＤＶＤ−ＲＷサンプルディスク
は、以下の実験では全て共通のため、同じプロセスを用
いて全く同じものを複数枚作製する。

【００９３】次に、第１の実施例と同じ手法による、図
３に示す第２層ディスクの作製について説明する。

【００９４】真空スパッタ装置３０を真空ターボポンプ
３４を用いて、１０^−６ｔｏｒｒの真空に引いた。回転
基台３１を６０ｒｐｍで回転させながら、Ａｒガス導入
バルブ３３を開いて、Ａｒガスをスパッタ装置３０内に
導入する。排気系の能力はそのままにして、Ａｒガスの
流量を図示しないマスフローコントローラによって調整
し、装置３０内の真空度が５×１０^−３ｔｏｒｒになる
ように設定する。切り替えスイッチ３７をＡｌＣｒのタ
ーゲット４０ｂの電極４０ａ側に倒し、ＲＦ電源３６か
ら２００ＷのパワーをＡｌＣｒターゲット４０ｂに投入
する。

【００９５】約１分のプリスパッタの後、シャッター４
０ｃを開にして、ＡｌＣｒ反射膜の成膜を開始する。５
０秒後ＲＦ電源をＯＦＦにして、シャッター４０ｃを閉
め、基板１５上にＡｌＣｒ反射膜１６を３００Ａを成膜
する。

【００９６】一旦スパッタ装置３０内のＡｒ残留ガスと
ＡｌＣｒ合金原子を排気系３４で排気した後、再度バル
ブ３３を開いて、Ａｒガスをスパッタ装置３０内に導入
し、図示しないマスフローコントローラの調整により、
スパッタ装置３０内を５×１０^−３ｔｏｒｒに設定す
る。この後、切り替えスイッチ３７をＺｎＳ／ＳｉＯ２
ターゲット３８ｂの電極３８ａ側に倒し、ＲＦ電力６０
０ＷをＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂに投入する。

【００９７】約１分のプリスパッタの後、ターゲット３
８ｂ直上のシャッター３８ｃを開にして基板１５上にＺ
ｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜１７の成膜を開始する。５分３
０秒後電源３６をＯＦＦにし、シャッター３８ｃも閉に
する。Ａ１Ｃｒ膜１６上には、ＺｎＳ・ＳｉＯ２膜１７
が５５０Ａ、成膜される。

【００９８】バルブ３３を閉め、排気系３４を使って、
装置３０内の残留ＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ２分子を一
旦排気した後、再度。バルブ３３を開にしてＡｒガスを
導入し、スパッタ装置３０のＡｒガス圧を５×１０−３
ｔｏｒｒに設定する。切り替えスイッチ３７を、ＧｅＳ
ｂＴｅの化合物組成ターゲット３９ｂ（予め、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅのターゲットからＧｅＳｂＴｅのターゲットに
交換しておいて）の電極３９ａ側へ倒し、電源３６をＯ
Ｎにして２００ＷのパワーをＧｅＳｂＴｅのターゲット
３９ｂに投入する。

【００９９】約１分のプリスパッタの後、ターゲット３
９ｂ直上のシャッター３９ｃを開いて、ディスク基板３
２上にＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜に成膜を開始する。２
０秒後、ＲＦ電源３６をＯＦＦにして、ＧｅＳｂＴｅ記
録膜１８を１００Ａ、ＺｎＳ／ＳｉＯ２膜１７上に成膜
する。

【０１００】再度、バルブ３３を閉にして、スパッタ装
置３０内の残留ＡｒガスとＧｅＳｂＴｅ分子を排気した
後、バルブ３３を開いて、Ａｒガスをスパッタ装置３０
内に導入する。Ａｒガス圧が５×１０^−３ｔｏｒｒにな
るようガス流量を調整した後、切り替えスイッチ３７を
再びＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂの電極３８ａ側
に倒し、ＲＦ電源３６から６００ＷのパワーをＺｎＳ／
ＳｉＯ２ターゲット３８ｂに投入する。約１分のプリス
パッタの後で、シャッター３８ｃを再度開にして、Ｚｎ
Ｓ／ＳｉＯ２の成膜を開始する。１０分２０秒後、ＲＦ
電源３６をＯＦＦし、シャッター３８ｃを閉にして、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録膜１８上に１０４０ＡのＺｎＳ／ＳｉＯ
２誘電体膜１９を積層する。

【０１０１】最後に再度バルブ３３を閉にして、装置３
０内のＡｒ残留ガスとＺｎＳ／ＳｉＯ２分子をスパッタ
装置３０から排した後、再度ハルブ１０を開にして、Ａ
ｒガスを導入する。Ａｒガス圧を５×１０^−３ｔｏｒｒ
に設定した後、ＲＦ電源３６を切り替えスイッチ３７に
よって、Ａｕのターゲット４１ｂの下に設けられた電極
４１ａに接続し、ＲＦ電源３６から１３．５６ＭｈＨｚ
のＲＦ電力を１５０Ｗ投入し、ＡｒガスによるＡｕター
ゲット４１ｂのスパッタを開始する。約１分のプリスパ
ッタの後、ターゲット４１ｂ直上にあるシャッター４１
ｃを開にして、ＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜１９上に１００
ＡのＡｕ光学干渉膜２０を成膜し、ＲＦ電源３６をＯＦ
Ｆにして、シャッター４１ｃを閉じる。

【０１０２】このような通常プロセスで作製する第２層
ＤＶＤ−ＲＡＭサンプルディスク９をスパッタ装置３０
から取り出す。

【０１０３】上記説明から、このディスクの膜構成は、
基板／ＡｌＣｒ（３００Ａ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ２（５５
０Ａ）／ＧｅＳｂＴｅ（１００Ａ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ
２；１０４０Ａ）／Ａｕ（１００Ａ）となっている。こ
のディスクを第２層のＤＶＤ−ＲＡＭディスクの（サン
プルＡ）と名付ける。

【０１０４】以下、この発明の第２層のＤＶＤ−ＲＡＭ
ディスクを無初期化相変化光ディスクとする製造方法を
説明する。元々成膜直後のＧｅＳｂＴｅ記録膜のアモル
ファスが非常に安定である。この理由は、ポリカーボネ
イト基板に付着する時のＧｅＳｂＴｅ分子の衝突速度が
非常に速いため、急冷度が非常に大きいアモルファスに
なることが原因と考えられる。スパッタ中の原料分子の
速度は、原料分子の平均自由工程（その分子が他の分子
と衝突しないで、自由に動き回れる平均の距離）に依存
すると思われる。

【０１０５】この原料分子の平均自由工程は、例えば、
Ａｒのガス圧を高くすることで、Ａｒ原子との衝突回数
が増えて、エネルギーが減衰することで短くなる。Ａｒ
のガス圧を上げてＧｅＳｂＴｅ記録膜を成膜して、無初
期化ディスクを作製する方法は既に提案されている。

【０１０６】また、通常スパッタは，Ａｒガスによって
原料ターゲットをたたいて、基板に原材料を付着させる
が、例えば同じ周期表でＡｒよりも１周期重い不活性ガ
スのＫｒや２周期重い不活性ガスのＸｅを用いて、更に
ガス圧を上げた状態でＧｅＳｂＴｅ記録膜を成膜すれ
ば、ＧｅＳｂＴｅの分子はより重い不活性ガスに衝突す
ることにより、より多くの運動エネルギーを失うことに
なり、その分基板に到達するときの運動エネルギーが小
さくなる。Ａｒより重い不活性ガスによるスパッタで無
初期化相変化ディスクを作製する方法も既に提案されて
いる。

【０１０７】一方、アモルファス状態から結晶化を促進
するもう１つの方法として、一般にアモルファス状態の
膜に結晶化の核を発生させる膜を隣接して設けると、こ
の結晶化の核がアモルファス膜の結晶化時に結晶核の生
成源となり、結晶化を促進することが知られている。こ
の結晶化の核生成膜として、ＧｅＮ膜が適当であること
を付きとめた。そして、上記不活性ガス高圧下での記録
膜の成膜効果とこの結晶化の核生成膜を効果の相乗効果
が、予想以上に大きいことが判明する。ＧｅＮ膜がこの
ように相変化記録膜の結晶化核発生源となる理由は、Ｇ
ｅ膜中に不活性のＮ原子が取り込まれることによりＧｅ
Ｎ膜の成膜後に膜中に応力が残留することによると推測
される。

【０１０８】（第２の実施例）図５のスパッタ装置３０
を用いて、上述した第２層のＤＶＤ−ＲＡＭディスク
（サンプルＡ）の作製方法とＧｅＳｂＴｅの相変化記録
膜１８の成膜方法以外は、全く同じ方法で、かつＡｒガ
スとＮ２ガスの混合ガスを用いて、Ｇｅターゲットにス
パッタリングすることにより、ＧｅＳｂＴｅ記録膜に隣
接してＧｅＮ膜を成膜する。

【０１０９】尚、図４と図５のスパッタ装置３０の違い
は、図４のＡｌＣｒターゲット４０ｂが図５のＧｅター
ゲット４２ｂに変わった点にある。

【０１１０】以下、その成膜方法を示す。真空スパッタ
装置３０を真空ターボポンプ３４を用いて、１０^−６ｔ
ｏｒｒの真空に引いた。回転基台３１を６０ｒｐｍで回
転させながら、Ａｒガス導入バルブ３３を開いて、Ａｒ
ガスをスパッタ装置３０内に導入する。排気系の能力は
そのままにして、Ａｒガスの流量を図示しないマスフロ
ーコントローラによって調整し、装置３０内の真空度が
５×１０^−３ｔｏｒｒになるように設定する。

【０１１１】ＲＦ電源３６を切り替えスイッチ３７によ
って、Ａｕのターゲット４１ｂの下に設けられた電極４
１ａに接続し、ＲＦ電源３６から１３．５６ＭｈＨｚの
ＲＦ電力を１５０Ｗ投入し、ＡｒガスによるＡｕターゲ
ット４１ｂのスパッタを開始する。約３分のプリスパッ
タの後、ターゲット４１ｂ直上にあるシャッター４１ｃ
を開にして、ポリカーボネイト基板５１上に３００Ａの
Ａｕ反射膜５２を成膜し、ＲＦ電源３６をＯＦＦにし
て、シャッター４１ｃを閉じた。尚、スパッタ装置３０
のターゲットの数の制約から、反射膜５２はＡｌＭｏを
用いずＡｕ膜と共用する。

【０１１２】ガス導入バルブ３３を閉にして、一旦スパ
ッタ装置３０内のＡｒ残留ガスとＡｕ原子を排気系３４
で排気した後、再度バルブ３３を開いて、Ａｒガスをス
パッタ装置３０内に導入し、図示しないマスフローコン
トローラの調整により、スパッタ装置３０内のＡｒガス
圧を５×１０−３に設定する。この後、切り替えスイッ
チ３７をＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂの電極３８
ａ側に倒し、ＲＦ電力６００ＷをＺｎＳ／ＳｉＯ２ター
ゲット３８ｂに投入する。約１分のプリスパッタの後、
ターゲット３８ｂ直上のシャッター３８ｃを開にして、
基板５１上にＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５３の成膜を開
始する。５分３０秒後ＲＦ電源３６をＯＦＦにし、シャ
ッター３８ｃも閉にする。Ａｕ膜５２上には、５５０Ａ
のＺｎＳ／ＳｉＯ２膜５３が成膜される。

【０１１３】バルブ３３を閉め、排気系３４を使って、
装置３０内の残留ＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ２分子を一
旦排気した後、ＡｒガスとＮ２ガスの比率が１：１の混
合ガスを装置３０内に導入し、混合ガスのガス圧が５×
１０^−３ｔｏｒｒになるように設定する。この後、切り
替えスイッチ３７をＧｅターゲット４２ｂの電極４０ａ
側に倒し、ＲＦ電源３６から２５０ＷのＲＦパワーをＧ
ｅターゲット４２ｂに投入する。約１分間のプリスパッ
タ後、シャッター４０ｃを開いて、ＺｎＳ／ＳｉＯ２膜
５３上にＧｅＮ膜９０の成膜を開始する。約２０秒間
後、ＲＦパワー３６をオフにして、シャッター４０ｃを
閉めて、５０ＡのＧｅＮ膜９０を成膜する。

【０１１４】バルブ３３を閉めて、ＡｒガスとＮ２ガス
及びＧｅの残留原子を排気する。後、再度バルブ３３を
開にしてＫｒガスを導入し、スパッタ装置３０内のＫｒ
ガス圧を５×１０^−２ｔｏｒｒ（通常５×１０^−３）に
設定する。切り替えスイッチ３７を、ＧｅＳｂＴｅの化
合物組成ターゲット３９ｂの電極３９ａ側へ倒し、電源
３６をＯＮにして２００ＷのパワーをＧｅＳｂＴｅのタ
ーゲット３９ｂに投入する。約１分のプリスパッタの
後、ターゲット３９ｂ直上のシャッター３９ｃを開い
て、ディスク基板３２上にＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５
４の成膜を開始する。４０秒後、ＲＦ電源３６をＯＦＦ
にして、成膜時の急冷度を落としたＧｅＳｂＴｅ記録膜
５４を１００Ａ、ＧｅＮ膜９０上に成膜する。

【０１１５】再度、バルブ３３を閉にして、スパッタ装
置３０内の残留ＫｒガスとＧｅＳｂＴｅ分子を排気した
後、バブル３３を開いて、Ａｒガスをスパッタ装置３０
内に導入する。Ａｒガス圧が５×１０^−３ｔｏｒｒにな
るようガス流量を調整した後、切り替えスイッチ３７を
再びＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂの電極３８ａ側
に倒し、ＲＦ電源３６から６００ＷのパワーをＺｎＳ／
ＳｉＯ２ターゲット３８ｂに投入する。

【０１１６】約１分のプリスパッタの後で、シャッター
３８ｃを再度開にして、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５５
の成膜を開始する。１０分２０秒後、ＲＦ電源３６をＯ
ＦＦし、シャッター３８ｃを閉にして、ＧｅＳｂＴｅ記
録膜５４上に１０４０ＡのＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５
５を積層する。

【０１１７】最後に再度バルブ３３を閉にして、装置３
０内のＡｒ残留ガスとＺｎＳ／ＳｉＯ２分子をスパッタ
装置３０から排気した後、再度バルブ３３を開にして、
Ａｒガスを導入する。Ａｒガス圧を５×１０^−３ｔｏｒ
ｒに設定した後、切り替えスイッチ３７をＡｕターゲッ
ト４１ｂの電極４１ａ側に倒し、ＲＦ電源３６から１５
０ＷのパワーをＡｕターゲット４１ｂに投入する。約１
分のブリスパッタの後シャッター４１ｃを開にして反射
膜の成膜を開始する。約１分後ＲＦ電源をＯＦＦにし
て、シャッター４１ｃを閉め、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体
５５上に１００ＡのＡｕ光学干渉膜５６を成膜する。

【０１１８】このサンプルディスク３２をスパッタ装置
３０から取り出す。最終的にＬｔｏＨ型の第２層のＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクの層構成は、図６に示すように、ポ
リカーボネイト基板５１，Ａｕ反射膜５２（３００
Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５３（５５０Ａ）、Ｇ
ｅＮ結晶化核発生膜（ＧｅＮ膜）９０（５０Ａ）、成膜
時の急冷度を下げたＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５４（１
００Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５５（１０４０
Ａ）、Ａｕ光学干渉膜５６（１００Ａ）である。この第
２層ディスクサンプルを（サンプルＢ）と名付ける。

【０１１９】全く同様に、ＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５
４の成膜時のＫｒガス圧を５×１０−１ｔｏｒｒにして
作製する。ディスクサンプルを（サンプルＣ）と名付け
る。従って（サンプルＣ）の膜構成は、ポリカーボネイ
ト基板５１，Ａｕ反射膜５２（３００Ａ）、ＺｎＳ／Ｓ
ｉＯ２誘電体膜５３（５５０Ａ）、ＧｅＮ結晶化核発生
膜９０（５０Ａ）、成膜時の急冷度を（サンプルＢ）よ
りも更に下げたＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５４（１００
Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５５（１０４０Ａ）、
Ａｕ光学干渉膜５６（１００Ａ）となっている。

【０１２０】（第３の実施例）再度、図５のスパッタ装
置３０を用いて、ＡｒガスとＮ２ガスの混合ガスを用い
て、Ｇｅターゲットにスパッタリングすることにより、
ＧｅＳｂＴｅ記録膜に隣接してＧｅＮ膜を成膜する。
尚、図４と図５のスパッタ装置３０の違いは、図４のＡ
１Ｍｏターゲット４０ｂが図５のＧｅターゲット４２ｂ
に変わった点にある。以下、その成膜方法を示す。真空
スパッタ装置３０を真空ターボポンプ３４を用いて、１
０^−６ｔｏｒｒの真空に引いた。回転基台３２を６０ｒ
ｐｍで回転させながら、Ａｒガス導入バルブ３３を開い
て、Ａｒガスをスパッタ装置３０内に導入する。排気系
の能力はそのままにして、Ａｒガスの流量を図示しない
マスフロコントローラによって調整し、装置３０内の真
空度が５×１０^−３ｔｏｒｒになるように設定する。Ｒ
Ｆ電源３６を切り替えスイッチ３７によって、Ａｕのタ
ーゲット４１ｂの下に設けられた電極４１ａに接続し、
ＲＦ電源３６から１３．５６ＭｈＨｚのＲＦ電力を１５
０Ｗ投入し、ＡｒガスによるＡｕターゲット４１ｂのス
パッタを開始する。約３分のプリスパッタの後、ターゲ
ット４１ｂ直上にあるシャッター４１ｃを開にして、ポ
リカーボネイト基板５１上に３００ＡのＡｕ反射膜５２
を成膜し、ＲＦ電源３６をＯＦＦにして、シャッター４
１ｃを閉じた。尚、スパッタ装置３０のターゲットの数
の制約から、反射膜はＡ１Ｍｏを用いずＡｕ膜と共用す
る。

【０１２１】ガス導入バルブ３３を閉にして、一旦スパ
ッタ装置３０内のＡｒ残留ガスとＡｕ原子を排気系３４
で排気した後、再度バルブ３３を開いて、Ａｒガスをス
パッタ装置３０内に導入し、図示しないマスフローコン
トローラの調整により、スパッタ装置３０内のＡｒガス
圧を５×１０^−３に設定する。後、切り替えスイッチ３
７をＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂの電極３８ａ側
に倒し、ＲＦ電力６００ＷをＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲッ
トに投入する。約１分のプリスパッタの後、ターゲット
直上のシャッター３８ｃを開にして、基板５１上にＺｎ
Ｓ／ＳｉＯ２誘電体膜５３の成膜を開始する。５分３０
秒後ＲＦ電源３６をＯＦＦにし、シャッター３８ｃも閉
にする。Ａｕ膜５２上には、５５０ＡのＺｎＳ／ＳｉＯ
２膜５３が成膜される。

【０１２２】バルブ３３を閉め、排気系３４を使って、
装置３０内の残留ＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ２分子を一
旦排気した後、再度バルブ３３を開にしてＫｒガスを導
入し、スパッタ装置３０内のＫｒガス圧を５×１０^−２
ｔｏｒｒ（通常５×１０^−３）に設定する。切り替えス
イッチ３７を、ＧｅＳｂＴｅの化合物組成ターゲット３
９ｂの電極３９ａ側へ倒し、電源３６をＯＮにして２０
０ＷのパワーをＧｅＳｂＴｅのターゲットに投入する。
約１分のプリスパッタの後、ターゲット直上のシャッタ
ー３９ｃを開いて、ディスク基板５１上にＧｅＳｂＴｅ
相変化記録膜５４の成膜を開始する。４０秒後、ＲＦ電
源３６をＯＦＦにして、成膜時の急冷度を落としたＧｅ
ＳｂＴｅ記録膜５４を１００Ａ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２膜５
３上に成膜する。

【０１２３】再度、バルブ３３を閉にして、スパッタ装
置３０内の残留ＫｒガスとＧｅＳｂＴｅ分子を排気した
後、バルブ３３を開いて、ＡｒガスとＮ２ガスの比率が
１：１の混合ガスをスパッタ装置３０内に導入し、混合
ガスのガス圧が５×１０^−３ｔｏｒｒになるように設定
する。この後、切り替えスイッチ３７をＧｅターゲット
４２ｂの電極４０ａ側に倒し、ＲＦ電源３６から２５０
ＷのＲＦパワーをＧｅターゲット４２ｂに投入する。約
１分間のプリスパッタ後、シャッター４０ｃを開いて、
ＧｅＳｂＴｅ記録膜５４上にＧｅＮ膜９１の成膜を開始
する。約２０秒間後、ＲＦパワー３６をオフにして、シ
ャッター４０ｃを閉めて、５０ＡのＧｅＮ膜９１を成膜
する。

【０１２４】バルブ３３を閉めて、スパッタ装置３０内
に残留するＡｒとＮｒの混合ガスとＧｅ原子を排気した
後、再度バルブ３３を開にし、Ａｒガスをスパッタ装置
３０内に導入し、Ａｒガス圧を５×１０^−３ｔｏｒｒに
調整する。この後、切り替えスイッチ３７を再びＺｎＳ
／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂの電極３８ａ側に倒し、Ｒ
Ｆ電源３６から６００ＷのパワーをＺｎＳ／ＳｉＯ２タ
ーゲット３８ｂに投入する。約１分のプリスパッタの後
で、シャッター３８ｃを再度開にして、ＺｎＳ／ＳｉＯ
２誘電体膜５５の成膜を開始する。１０分２０秒後、Ｒ
Ｆ電源３６をＯＦＦし、シャッター３８ｃを閉にして、
ＧｅＮ膜９１上に１０４０ＡのＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体
膜５５を積層する。

【０１２５】最後に再度バルブ３３を閉にして、装置３
０内のＡｒ残留ガスとＺｎＳ／ＳｉＯ２分子をスパッタ
装置３０から排気した後、再度バルブ３３を開にして、
Ａｒガスを導入する。Ａｒガス圧を５×１０^−３ｔｏｒ
ｒに設定した後、切り替えスイッチ３７をＡｕターゲッ
ト４１ｂの電極４１ａ側に倒し、ＲＦ電源３６から１５
０ＷのパワーをＡｕターゲット４１ｂに投入する。約１
分のプリスパッタの後、シャッター４１ｃを開にして、
Ａｕ反射膜５６の成膜を開始する。１分後ＲＦ電源をＯ
ＦＦにして、シャッター４１ｃを閉め、ＺｎＳ／ＳｉＯ
２誘電体５５上に１００ＡのＡｕ反射膜５６を成膜す
る。

【０１２６】このサンプルディスク３２をスパッタ装置
３０から取り出す。最終的にＬｔｏＨ型の第２層ディス
クの層構成は、図７に示すように、ポリカーボネイト基
板５１，Ａｕ反射膜５２（３００Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ
２誘電体膜５３（５５０Ａ）、成膜時の急冷度を下げた
ＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５４（１００Ａ）、ＧｅＮ結
晶化核発生膜９１（５０Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体
膜５５（１０４０Ａ）、Ａｕ光学干渉膜５６（１００
Ａ）となる。このディスクサンプルを（サフルＤ）と名
付ける。

【０１２７】全く同様に、ＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５
４の成膜時のＫｒガス圧を５×１０−ｌｔｏｒｒにして
作製する。第２層ディスクサンプルを（サンプルＥ）と
名付ける。従って（サンプルＥ）の膜構成は、ポリカー
ボネイト基板５１，Ａｕ反射膜５２（３００Ａ）、Ｚｎ
Ｓ／ＳｉＯ２誘電体膜５３（５５０Ａ）、成膜時の急冷
度を（サンプルＤ）よりも更に下げたＧｅＳｂＴｅ相変
化記録膜５４（１００Ａ）、ＧｅＮ結晶化核発生膜９１
（５０Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５５（１０４０
Ａ）、Ａｕ光学干渉膜５６（１００Ａ）である。

【０１２８】（第４の実施例）再度、図５のスパッタ装
置３０を用いて、ＡｒガスとＮ２ガスの混合ガスを用い
て、Ｇｅターゲットにスパッタリングすることにより、
ＧｅＳｂＴｅ記録膜に隣接してＧｅＮ膜を成膜する。以
下、その成膜方法を示す。真空スパッタ装置３０を真空
ターボポンプ３４を用いて、１０^−６ｔｏｒｒの真空に
引いた。回転基台８を６０ｒｐｍで回転させながら、Ａ
ｒガス導入バルブ３３を開いて、Ａｒガスをスパッタ装
置内に導入する。排気系の能力はそのままにして、Ａｒ
ガスの流量を図示しないマスフロコントローラによって
調整し、装置内の真空度が５×１０^−３ｔｏｒｒになる
ように設定する。ＲＦ電源３６を切り替えスイッチ３７
によって、Ａｕのターゲット４１ｂの下に設けられた電
極４１ａに接続し、ＲＦ電源３６から１３．５６ＭｈＨ
ｚのＲＦ電力を１５０Ｗ投入し、ＡｒガスによるＡｕタ
ーゲット４１ｂのスパッタを開始する。約３分のプリス
パッタの後、ターゲット４１ｂ直上にあるシャッター４
１ｃを開にして、ポリカーボネイト基板５１上に３００
ＡのＡｕ反射膜５２を成膜し、ＲＦ電源３６をＯＦＦに
して、シャッター４１ｃを閉じた。

【０１２９】ガス導入バルブ３３を閉にして、一旦スパ
ッタ装置３０内のＡｒ残留ガスとＡｕ原子を排気系３４
で排気した後、再度バルブ３３を開いて、Ａｒガスをス
パッタ装置３０内に導入し、図示しないマスフロコント
ローラの調整により、スパッタ装置３０内のＡｒガス圧
を５×１０^−３に設定する。この後、切り替えスイッチ
３７をＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂの電極３８ａ
側に倒し、ＲＦ電力６００ＷをＺｎＳ／ＳｉＯ２ターゲ
ット３８ｂに投入する。約１分のプリスパッタの後、タ
ーゲット３８ｂ直上のシャッター３８ｃを開にして、基
板５１上にＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５３の成膜を開始
する。５分３０秒後ＲＦ電源３６をＯＦＦにし、シャッ
ター３８ｃも閉にする。Ａｕ膜５２上には、５５０Ａの
ＺｎＳ／ＳｉＯ２膜５３が成膜される。

【０１３０】バルブ３３を閉め、排気系３４を使って、
装置３０内の残留ＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ２分子を一
旦排気した後、バフル１０を開いて、ＡｒガスとＮ２ガ
スの比率が１：１の混合ガスをスタッパ装置３０内に導
入する。混合ガスのガス圧が５×１０^−３ｔｏｒｒにな
るように設定した後、切り替えスイッチ３７をＧｅター
ゲット４２ｂの電極４０ａ側に倒し、ＲＦ電源３６から
２５０ＷのＲＦパワーをＧｅターゲット４２ｂに投入す
る。約１分間のプリスパッタ後、シャッター４０ｃを開
いて、ＺｎＳ・ＳｉＯ２誘電体膜５３上にＧｅＮ膜９２
の成膜を開始する。約２０秒後、ＲＦパワー３６をオフ
にして、シャッター４０ｃを閉めて、５０ＡのＧｅＮ膜
９２を成膜する。

【０１３１】バルブ３３を閉めてスタッパ装置３０内の
Ａｒ及びＮ２の混合ガス、Ｇｅの原子を排気した後、再
度バルブ３３を開にしてＫｒガスを導入し、スパッタ装
置３０内のＫｒガス圧を５×１０^−２ｔｏｒｒ（通常５
×１０^−３）に設定する。切り替えスイッチ３７を、Ｇ
ｅＳｂＴｅの化合物組成ターゲット３９ｂの電極３９ａ
側へ倒し、電源３６をＯＮにして２００ＷのパワーをＧ
ｅＳｂＴｅのターゲット３９ｂに投入する。

【０１３２】約１分のプリスパッタの後、ターゲット３
９ｂ直上のシャッター３９ｃを開いて、ディスク基板５
１上にＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５４の成膜を開始す
る。４０秒後、ＲＦ電源３６をＯＦＦにして、成膜時の
急冷度を落としたＧｅＳｂＴｅ記録膜５４を１００Ａ、
ＧｅＮ膜９２上に成膜する。

【０１３３】再度、バルブ３３を閉にして、スパッタ装
置３０内の残留ＫｒガスとＧｅＳｂＴｅ分子を排気した
後、バルブ３３を開いて、ＡｒガスとＮ２ガスの比率が
１：１の混合をスパッタ装置３０内に導入し、混合ガス
のガス圧が５×１０^−３ｔｏｒｒになるように設定す
る。この後、切り替えスイッチ３７をＧｅターゲット４
２ｂの電極４０ａ側に倒し、ＲＦ電源３６から２５０Ｗ
のＲＦパワーをＧｅターゲット４２ｂに投入する。約１
分間のプリスパッタ後、シャッター４０ｃを開いて、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録膜５４上にＧｅＮ膜９３の成膜を開始す
る。約２０秒間後、ＲＦパワー３６をオフにして、シャ
ッター４０ｃを閉めて、５０ＡのＧｅＮ膜９３を成膜す
る。

【０１３４】バルブ３３を閉めて、スパッタ装置３０内
に残留するＡｒとＮ２の混合ガスとＧｅ原子を排気した
後、再度バルブ３３を開にし、Ａｒガスをスパッタ装置
３０内に導入し、Ａｒガス圧を５×１０^−３ｔｏｒｒに
調整する。この後、切り替えスイッチ３６を再びＺｎＳ
／ＳｉＯ２ターゲット３８ｂの電極３８ａ側に倒し、Ｒ
Ｆ電源３６から６００ＷのパワーをＺｎＳ／ＳｉＯ２タ
ーゲット３８ｂに投入する。約１分のプリスパッタの後
で、シャッター３８ｃを再度開にして、ＺｎＳ／ＳｉＯ
２誘電体膜５５の成膜を開始する。１０分２０秒後、Ｒ
Ｆ電源３６をＯＦＦし、シャッター３８ｃを閉にして、
ＧｅＮ２膜上に１０４０ＡのＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜
５５を積層する。

【０１３５】最後に再度バルブ３３を閉にして、スパッ
タ装置３０内のＡｒ残留ガスとＺｎＳ／ＳｉＯ２分子を
スパッタ装置３０から排気した後、再度バルブ３３を開
にして、Ａｒガスを導入する。Ａｒガス圧を５×１０
^−３ｔｏｒｒに設定した後、切り替えスイッチ３７をＡ
ｕターゲット４１ｂの電極４１ａ側に倒し、ＲＦ電源３
６から１５０ＷのパワーをＡｕターゲット４１ｂに投入
する。約１分のプリスパッタの後、シャッター４１ｃを
開にして、Ａｕ反射膜５６の成膜を開始する。１分後Ｒ
Ｆ電源４３をＯＦＦにして、シャッター４１ｃを閉め、
ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体５５上に１００ＡのＡｕ光学干
渉膜５６を成膜する。

【０１３６】このサンプルディスク３２をスパッタ装置
３０から取り出し、最終的にＬｔｏＨ型の第２層のＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクの層構成は、図８に示すように、ポ
リカーボネイト基板５１，Ａｕ反射膜５２（３００
Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５３（５５０Ａ）、Ｇ
ｅＮ結晶化核発生膜９２（５０Ａ）、成膜時の急冷度を
下げたＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５４（１００Ａ）、Ｇ
ｅＮ結晶化核発生膜９３（５０Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２
誘電体膜５５（１０４０Ａ）、Ａｕ光学干渉膜５６（１
００Ａ）となる。

【０１３７】この第２層ディスクサンプルを（サンプル
Ｆ）と名付ける。

【０１３８】全く同様に、ＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５
４の成膜時のＫｒガス圧を５ｘ１０−１ｔｏｒｒにして
作製する第２層ディスクサンプルを（サンプルＧ）と名
付ける。

【０１３９】したがって、サンプルＧの膜構成は、ポリ
カーボネイト基板５１，Ａｕ反射膜５２（３００Ａ）、
ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５３（５５０Ａ）、ＧｅＮ結
晶化核発生膜９２（５０Ａ）、成膜時の急冷度を（サン
プルＦ）よりも更に下げたＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５
４（１００Ａ）、ＧｅＮ結晶化核発生膜９３（５０
Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５５（１０４０Ａ）、
Ａｕ光学干渉膜５６（１００Ａ）である。

【０１４０】第２層ディスク（サンプルＡ）から（サン
プルＧ）までの膜の性質の違いを整理して図９に示す。

【０１４１】すなわち、サンプルＡは、下側ＧｅＮ結晶
化核発生膜無しＧｅＳｂＴｅの冷却度急冷上側
ＧｅＮ結晶化核発生膜無しであり、サンプルＢは、下
側ＧｅＮ結晶化核発生膜有りＧｅＳｂＴｅの冷却度
中冷上側ＧｅＮ結晶化核発生膜無しであり、サン
プルＣは、下側ＧｅＮ結晶化核発生膜有りＧｅＳｂ
Ｔｅの冷却度徐冷上側ＧｅＮ結晶化核発生膜無し
であり、サンプルＤは、下側ＧｅＮ結晶化核発生膜無
しＧｅＳｂＴｅの冷却度中冷上側ＧｅＮ結晶化核
発生膜有りであり、サンプルＥは、下側ＧｅＮ結晶化
核発生膜無しＧｅＳｂＴｅの冷却度徐冷上側Ｇｅ
Ｎ結晶化核発生膜有りであり、サンプルＦは、下側Ｇ
ｅＮ結晶化核発生膜有りＧｅＳｂＴｅの冷却度中
冷上側ＧｅＮ結晶化核発生膜有りであり、サンプル
Ｇは、下側ＧｅＮ結晶化核発生膜有りＧｅＳｂＴｅ
の冷却度徐冷上側ＧｅＮ結晶化核発生膜有りであ
る。

【０１４２】上記第１の実施例で作製した第２層のＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクサンプルと上述した第１の実施例で
作製した第１層のＤＶＤ−ＲＷディスクとをＵＶ硬化樹
脂を用いて、図１０のような片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／Ｒ
ＡＭディスクとして貼り合わせる。ＵＶ硬化樹脂６０
は、図示しないスピナーによって、第１層ＲＷディスク
のＺｎＳ／ＳｉＯ２保護膜１４上に４０μｍの厚さに全
面均一に塗布して、その後、（サンプルＡ）から（サン
プルＧ）までの第２層ＲＡＭディスクのＡｕ干渉膜５６
側がＵＶ硬化樹脂６０に接するように重ね合わせて、そ
の後、第１層ＲＷディスクの基板１１側から８００Ｗの
ＵＶ光を２０秒照射して、ＵＶ硬化樹脂６０を硬化させ
る。

【０１４３】上記第２の実施例で作製した第２層のＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクサンプルと上述した第１の実施例で
作製した第１層のＤＶＤ−ＲＷディスクとをＵＶ硬化樹
脂を用いて、図１１のような片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／Ｒ
ＡＭディスクとして貼り合わせる。ＵＶ硬化樹脂６０
は、図示しないスピナーによって、第１層ＲＷディスク
のＺｎＳ／ＳｉＯ２保護膜１４上に４０μｍの厚さに全
面均一に塗布して、その後、（サンプルＡ）から（サン
プルＧ）までの第２層ＲＡＭディスクのＡｕ干渉膜５６
側がＵＶ硬化樹脂６０に接するように重ね合わせて、そ
の後、第１層ＲＷディスクの基板１１側から８００Ｗの
ＵＶ光を２０秒照射して、ＵＶ硬化樹脂６０を硬化させ
る。

【０１４４】また、第３、第４の実施例で作製した第２
層ディスクサンプルも上記同様に上述したディスクの作
製方法で作製した第１層のＤＶＤ−ＲＷディスクと貼り
合わせることができる。

【０１４５】このように、図１０、図１１のように貼り
合わせた片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクのサン
プルも、それぞれ便宜上（サンプルＡ）〜（サンプル
Ｇ）と呼ぶことにする。

【０１４６】上記試作した相変化光ディスクサンプルを
図１２に示す光ディスクドライブ装置にかけて、特に第
２層ディスクの初期化の性能に注目して評価する。

【０１４７】まず、図１２の光ディスクドライブ装置の
説明を行う。サンプルディスク６１は、スピンドルモー
タ６２によって、所定の回転数にまで回転する。今回、
２層目は４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭであるので、ディ
スク６１と光学ヘッド６３の相対速度はＤＶＤ−ＲＡＭ
規格Ｖｅｒ．２．０に基づいて、８．２ｍ／Ｓとなる様
に、ディスクの半径位置で回転数は逐次変化する、線速
度一定方式とする。

【０１４８】入力装置６６から所定の信号が入力され、
変調回路６５によって、例えばＤＶＤ−ＲＡＭの場合８
／１６変調で１，０の信号にデジタル化される。変調さ
れたデジタル信号はレーザドライバ６７へ送られ、光学
ヘッド６３のレーザのオン、オフを行うことで、ディス
クサンプル６１上にデータを書き込んで行く。

【０１４９】相変化光ディスクの場合、図１３に示すよ
うに、記録したい部分に対しては、レーザパワーは高く
して（Ｐｗ）記録膜を溶融急冷してアモルファスにす
る、また、データを消去したい部分に対しては、レーザ
パワーを中位（Ｐｅ）にして記録膜の結晶化温度以上に
上げて結晶化させる。ここでＰｒは、再生時の再生パワ
ーである。サンプルディスクに書き込まれたデータ（ア
モルファスのマーク）は、回りの結晶部分とは、再生時
の反射率が異なるので、弱い一定のパワーディスクを走
査すると反射光量の差として信号を検出する事ができ
る。

【０１５０】再生された信号は、プリアンプ６８で増幅
され、２値化回路６９でアナログ信号が１，０のデジタ
ル信号になり、更に復調回路７０で８／１６変調に基づ
き復調されアナログ信号として出力装置７１へ出力され
る。図１２中、７３は制御系で、レーザによる記録時に
レーザドライバ６７を制御したり、また、記録・再生時
に例えば、リニアモータ６４は制御系を介してリニアモ
ータ駆動制御系７６により、所定の半径位置にアクセス
する。又、フォーカス駆動制御系７４やトラック駆動制
御系７５を介して光学ヘッド６３に具備された対物レン
ズアクチュエータを制御して、記録・再生時にディスク
の面振れやトラックの偏心に追従するように制御する。

【０１５１】次に、サンプルディスクの評価方法につい
て説明する。今回試作した片面２層ＲＡＭディスクは、
第２層ディスクサンプルが初期結晶化を不要にするため
に作製するため、初期結晶化装置は使わずに、ディスク
作製後ドライブにかけ、図１３に示す記録・消去のレー
ザパルスをディスクのトラックに沿って照射する。この
場合、成膜直後のアモルファスが安定であれば、あるほ
ど、図１３の消去パワーＰｅでは結晶化ができないの
で、同じ部分に何度も何度もレーザを照射しなければな
らない。

【０１５２】記録の信号は、線速度が８．２ｍ／ｓ一定
の時の８／１６変調、マークエッジ記録では、最短マー
クピッチは０．２８μｍとなるため、最短マークの３Ｔ
のみを形成するためには、周波数９．７ＭＨｚのデュー
ティ５０％で記録すれば良い。記録後の再生時にスペク
ロラムアナライザでＣ／Ｎ（ＣａｒｒｉｒｔｏＮｏｉｓ
ｅＲａｔｉｏ）を測れば、その値によって、初期化せず
記録ができたかどうか判定することができる。

【０１５３】Ｃ／Ｎ値が低すぎる場合は、成膜直後のア
モルファスの記録膜が、Ｐｅのレーザ照射によって充分
に結晶化されていないと判断して、ディスクの同じ部分
の上記同じレーザパルスを繰り返し照射し、大きな再生
Ｃ／Ｎが得られるまでこの操作を繰り返する。この時、
Ｐｗは１４ｍＷ，Ｐｅは５ｍＷの設定で記録し、再生時
はＰｒは１ｍＷの設定の連続光で走査する。

【０１５４】因みに、今回作製した第２層ディスクサン
プルはＬｔｏＨ記録用であるから成膜直後の初期状態は
全面アモルファスであり、その反射率は初めに説明した
片面２層ＲＡＭのｒ２ａであるから３７％ある。入射光
は第１層を２回透過し、第１層の透過率が５０％である
ことを考えると、第２層の全面アモルファスから絶対反
射率は３７×Ｏ．５×０−５＝９．２５％となり、第１
層（ＨｔｏＬメディア）の結晶（Ｈ）の絶対反射率９％
とほぼ同じになる。

【０１５５】このため、初期のアモルファス状態からオ
ーバライドによる書き込みが可能であれば、第２層から
の反射率によるサーボも問題なくかかる。（第１層の結
晶からの反射率が９％でサーボがかかるので、第２層の
アモルファスからの絶対反射率９．２５％でもサーボは
全く問題ない。）これに対して、第２層のＬｔｏＨメディアを初期結晶化
装置を用いて全面初期化してしまうと、ｒ２ａは初めに
説明したとおり１３％となるため、絶対反射利率は１３
×０−５×０．５＝３．２５％となって、記録をする以
前にサーボがかからないものとなる。

【０１５６】したがって、第２層ディスクは、まず初期
化無しで全面アモルファスの状態で、サーボがかかるこ
とが大前提で、それ以後、アモルファスに対するドライ
ブ装置での１回目のオーバライトで記録が可能、言い換
えれば無初期化が達成できれば、この発明の目的が達成
されたことになる。

【０１５７】以下、サンプルディスクの評価結果を説明
する。まず、サンプルＡに対して、サーボを切り替え
て、第２層のレーザの焦点が集光するようにして、上記
方法でＯＷ（オーバライト）記録を行った。再生Ｃ／Ｎ
は、１回目のＯＷ記録ではほとんど９．７ＭＨｚのスペ
クトルが出なかった。

【０１５８】従って、記録膜の成膜直後のアモルファス
が極めて安定であることが証明される。第２層の同じ部
分を同じ周波数で６回レーザ照射して後の再生で、Ｃ／
Ｎが４０ｄＢとなった。更に９回のＯＷ（合計１５回の
ＯＷ）を行い、再生Ｃ／Ｎを測定したところ５２ｄＢま
で信号が大きくなった。

【０１５９】同じ実験を（サンプルＢ）でも試みた。結
果は、１回目のＯＷで４５ｄＢを越える再生Ｃ／Ｎが得
られた。また、同じトラックを３回ＯＷした後で再生Ｃ
／Ｎが５２ｄＢになった。次に（サンプルＣ）を評価し
た１回目のＯＷは、再生Ｃ／Ｎで５１ｄＢとなり、２回
目のＯＷでＣ／Ｎは５２ｄＢとなった。従って、ＧｅＳ
ｂＴｅ記録膜の下側に設けたＧｅＮ結晶化核発生膜とｋ
ｒの高圧化でＧｅＳｂＴｅ記録膜を冷却度を下げた効果
の相乗効１果が確認された。

【０１６０】更に（サンプルＤ）の評価では、１回目の
ＯＷでＣ／Ｎ４５ｄＢ，３回目のＯＷで５２ｄＢであっ
た、同様に（サンプルＥ）では、１回目ＯＷでＣ／Ｎは
５１ｄＢ、２回目のＯＷでＣＮ５２ｄＢであった。従っ
て、ＧｅＳｂＴｅ記録膜の上側に設けたＧｅＮ結晶化核
発生膜にも下側と同じ結晶化促進力があることが判明し
た。

【０１６１】同様に（サンプルＦ）、（サンプルＧ）を
評価したところ、両サンプルとも１回目のＯＷでＣ／Ｎ
は５２ｄＢに達する。

【０１６２】以上の結果を総合すると、第２層もＤＶＤ
−ＲＡＭディスクの記録膜成膜時にＫｒガスのガス圧を
あげればそれだけ、成膜時のＧｅＳｂＴｅの運動エネル
ギーを下げることになり、急冷度を緩和できる。

【０１６３】また、第２層のＧｅＳｂＴｅ記録膜の片面
に接してＧｅＮ結晶化核発生膜を設けることで、結晶化
は促進される。そのことは記録膜の両面にＧｅＮ膜を設
けたことで、１回のＯＷでＣ／Ｎが５２ｄＢに達するこ
とで証明される。

【０１６４】この発明の各実施例では、Ａｒと同じ原子
周期で質量が重い希ガスとしてＫｒを用いたがＸｅガス
を用いた実験でも同様な効果が確認されている。

【０１６５】また、上記実施例では、ＧｅＮ結晶化核発
生膜は、ＡｒガスとＮ２ガスを１：１で混合する混合ガ
スによるＧｅターゲットのスパッタリングで作製したＡ
ｒガスとＮ２ガスの流量比は、Ｇｅ膜中にＮがどれだけ
取り込まれるかで、一義的に決定されるが、ＧｅＮ膜が
結晶化核発生源となるためには、ある程度Ｇｅ膜中にＮ
原子が取り込まれることで膜中に応力が発生し、これが
核発生源となっていると思われる。

【０１６６】また、純Ｇｅは半導体であるから、所定の
光学バンドギャップを有するため、赤色の半導体レーザ
をある程度吸収してしまう。このため、Ｇｅ膜にＮを添
加することで光学バンドギャップを広げて、赤色レーザ
の吸収を無くすることも必要である。

【０１６７】また、実験結果によれば、Ｇｅ膜中に取り
込まれるＮ原子は、成膜時に投入するＲＦパワーにも依
存するが、Ｎ２ガス／Ａｒガス流量比が０．３以上であ
れば概ねＧｅＮ膜の光学バンドギャップが２ｅＶより広
くなり、赤レーザの吸収が無くなるとともに、膜中に応
力残留して結晶化核発生源となり得ることが別の実験に
より判明する。

【０１６８】次に、第１層としてＤＶＤ−ＲＷディスク
を用いて、第２層としてＤＶＤ−ＲＡＭディスクを用い
た、片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクの利便性を
示す。ＤＶＤIII１に対応するドライブを用いて、この
ドライブを一方はパソコンと接続し、同時にテレビとも
接続する。

【０１６９】例えば、パソコンの外部メモリとして使用
する場合は、ＤＶＤIIIドライブを第２面をサーチする
ようにサーボを切り替えた。そして、データのやりとり
はランダムアクセスを行い、コンピュータ用途として使
用する。

【０１７０】また、テレビの長時間番組の録画をする時
には、ＤＶＤIIIドライブを第１面にサーボがかかるよ
うに設定し、連続記録で画像を録画する。

【０１７１】このように、パソコン用とテレビ録画用の
切り替えは、ＤＶＤIIIドライブのサーボ面の切り替え
のみで行い、ディスクの出し入れの操作が無く、便利な
ものなっている。

【０１７２】この実施例では、片面２層のＤＶＤ−ＲＷ
／ＲＡＭディスクの第２層ディスクとしてＬｔｏＨのＤ
ＶＤ−ＲＡＭメディアの例で説明するＨｔｏＬメディア
であっても、無初期化ディスクとすることで全面初期化
の工程を省略できるという利点がある。

【０１７３】また、上記実施例では、第１層のＤＶＤ−
ＲＷディスクにおける基板１１が、ＤＶＤ−ＲＷの規格
バージョン１．０（片面４．７ＧＢ）に基づいた物理フ
ォーマットが形成され、第２層のＤＶＤ−ＲＡＭディス
クにおける基板５１が、ＤＶＤ−ＲＡＭの規格バージョ
ン２．０（片面４．７ＧＢ）に基づいた物理フォーマッ
トが形成されているものであったが、これに限らず、基
板１１がＤＶＤ−ＲＷの規格バージョン１．０に基づき
１％から１２％以下の容量を削減した物理フォーマット
が形成され、基板５１がＤＶＤ−ＲＡＭの規格バージョ
ン２．０に基づき１％から１２％以下の容量を削減した
物理フォーマットが形成されているものであっても良
い。

【０１７４】この場合、マージンを持たせることができ
る。

【０１７５】この際、記録の信号は、線速度が８．２ｍ
／ｓ一定の時の８／１６変調、記録容量４．７ＧＢのマ
ークエッジ記録では、最短マークピッチは０．２８μｍ
となるため、データ容量も１０％削減したディスクの最
短マークピッチは０．３１μｍとなる。最短マーク３Ｔ
のみを形成するためには、周波数８．７ＭＨｚのデュー
ティ５０％で記録すれば良い。

【０１７６】また、上記実施例では、第１層目がＤＶＤ
−ＲＷディスクで、第２層目がＤＶＤ−ＲＡＭディスク
の場合の片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクで、Ｄ
ＶＤIIIドライブの機能切り替えの説明を行ったが、第
２層目のＲＡＭディスクの無初期化効果を説明するが、
第１層目がＲＡＭディスクで、第２層目がＲＷディスク
であっても、ＲＡＭ／ＲＷディスクの用途による切り替
え操作や第２層目の無初期化の効果が全く同じである。

【０１７７】この場合、図１４、図１５にこの発明によ
る片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクの第１層ディ
スクと第２層ディスクの貼り合わせ前の膜構成を示す。

【０１７８】第１層ディスクは、図１４に示すように、
０．６ｍｍ厚の円盤状のポリカーボネート製基板１１上
にＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜１２、その上にレーザ光等の
照射により非晶質と結晶との間で可逆的に相変化するＤ
ＶＤ−ＲＡＭ系のＧｅＳｂＴｅの３元合金からなる相変
化記録膜５４、更にＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜１４をこの
順に積層した構成となっている。

【０１７９】また、第２層ディスクは、図１５に示すよ
うに、ポリカーボネイト基板５１，Ａｕ反射膜５２（３
００Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５３（５５０
Ａ）、ＧｅＮ結晶化核発生膜９０（５０Ａ）、ＤＶＤ−
ＲＷ系のＡｇＩｎＳｂＴｅ相変化記録膜１３（１００
Ａ）、ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５５（１０４０Ａ）、
Ａｕ光学干渉膜５６（１００Ａ）を積層した構成となっ
ている。

【０１８０】したがって、上記第２層のＤＶＤ−ＲＷデ
ィスクと第１層のＤＶＤ−ＲＡＭディスクとをＵＶ硬化
樹脂６０を用いて、図１６のような片面２層ＤＶＤ−Ｒ
Ｗ／ＲＡＭディスクとして貼り合せた構成となってい
る。

【０１８１】またこの発明では、片面２層ＤＶＤ−ＲＷ
／ＲＡＭディスクでこの発明の効果を説明するが、この
ような片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクをレーザ
の入射と反対側の面を貼り合わせた、両面４面ディスク
であっても全く同様の効果が期待できる。

【０１８２】なお、上記実施例では、片面２層のＤＶＤ
−ＲＷ／ＲＡＭディスクの場合について説明したが、こ
れに限らず、片面２層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＡＭディスク、片
面２層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷディスクの場合も同様に実施で
きる。

【０１８３】この片面２層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＡＭディスク
は、第１層目がＤＶＤ−Ｒディスクで、第２層目がＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクであり、第１層ディスクと第２層デ
ィスクの貼り合わせ前の膜構成を図１７、図６に示す。

【０１８４】第１層ディスクは、図１７に示すように、
０．６ｍｍ厚の円盤状のポリカーボネート製基板８１上
にレーザ光等の照射により穴を形成するシアニン系の有
機色素膜８２がスピン塗布されている。また、このポリ
カーボネート基板８１は、ＤＶＤーＲの規格バージョン
２．０（以下Ｖｅｒ．２．０と記す）の基づいた記憶容
量４．７ＧＢの物理フォーマットが形成されており、ラ
ンドプリピットでアドレスが形成されている。第１層は
透過率を５０％に設定するため、通常この色素系有機膜
の厚さや吸収係数が調節されている。また、透過率を良
くするため金属反射膜は設けられていない。

【０１８５】この第１層ディスクは図示しないスピン塗
布装置を用いて作製されている。このスピン塗布装置の
円盤状回転基台上に、直径１２０ｍｍで厚さ０．６ｍｍ
で、表面にＤＶＤーＲ規格Ｖｅｒ２．０に基づいた物理
フォーマットが形成されたポリカーボネート製ディスク
基板をセットし、シアニン系の有機色素膜を約４μｍの
厚さでスピン塗布したものである。

【０１８６】第２層ディスクは、図６に示すＤＶＤ−Ｒ
ＡＭディスクの層構成と同一のため説明を省略する。

【０１８７】したがって、上記第２層のＤＶＤ−ＲＡＭ
ディスクと第１層のＤＶＤ−ＲディスクとをＵＶ硬化樹
脂６０を用いて、図１８のような片面２層ＤＶＤ−Ｒ／
ＲＡＭディスクとして貼り合せた構成となっている。

【０１８８】上記片面２層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷディスク
は、第１層目がＤＶＤ−Ｒディスクで、第２層目がＤＶ
Ｄ−ＲＷディスクであり、第１層ディスクと第２層ディ
スクの貼り合わせ前の膜構成を図１７、図１５に示す。

【０１８９】したがって、上記第２層のＤＶＤ−ＲＷデ
ィスクと第１層のＤＶＤ−ＲディスクとをＵＶ硬化樹脂
６０を用いて、図１９のような片面２層ＤＶＤ−Ｒ／Ｒ
Ｗディスクとして貼り合せた構成となっている。

【０１９０】したがって、第１層としてＤＶＤ−Ｒディ
スクを用いて、第２層としてＤＶＤ−ＲＡＭディスクを
用いた、片面２層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＡＭディスクの利便性
を示す。ＤＶＤIIIに対応するドライブを用いて、この
ドライブをパソコンと接続した場合について説明する。

【０１９１】例えば、パソコンの外部メモリとして使用
する場合は、ＤＶＤIIIドライブを第２面をサーチする
ようにサーボを切り替えた。そして、データのやりとり
はランダムアクセスに行い、必要に応じてＲＡＭディス
クにデータを書き込んだ。しかし、何回かのデータの修
正があったため、その度に第２層目ＲＡＭディスクのデ
ータをオーバライトして書き換えた後、最終データを保
存するため、今度は、第１層のＤＶＤ−Ｒディスクにサ
ーボ面を切り替えてＤＶＤーＲディスクに永久保存す
る。

【０１９２】したがって、１枚のディスクで頻繁に書き
換えるときには、第２層目のＤＶＤ−ＲＡＭディスクに
サーボをかけて、最終の保存を行う場合には第１層目の
ＤＶＤーＲディスクにサーボを切り替えるだけで、ディ
スクを差し替えることなく、使い方を自由に変えること
ができる。

【０１９３】この実施例では、片面２層のＤＶＤ−Ｒ／
ＲＡＭディスクの第２層ディスクとしてＬｔｏＨのＤＶ
Ｄ−ＲＡＭメディアの例で説明したが、ＨｔｏＬメディ
アであっても、無初期化ディスクとすることで全面初期
化の工程を省略できるという利点がある。

【０１９４】また、上記実施例では、第１層のＤＶＤ−
Ｒディスクにおける基板８１が、ＤＶＤ−Ｒの規格バー
ジョン２．０（片面４．７ＧＢ）に基づいた物理フォー
マットが形成され、第２層のＤＶＤ−ＲＡＭディスクに
おける基板５１が、ＤＶＤ−ＲＡＭの規格バージョン
２．０（片面４．７ＧＢ）に基づいた物理フォーマット
が形成されているものであったが、これに限らず、基板
８１がＤＶＤ−Ｒの規格バージョン２．０に基づき１％
から１２％以下の容量を削減した物理フォーマットが形
成され、基板５１がＤＶＤ−ＲＡＭの規格バージョン
２．０に基づき１％から１２％以下の容量を削減した物
理フォーマットが形成されているものであっても良い。

【０１９５】この場合、マージンを持たせることができ
る。

【０１９６】この際、記録の信号は、線速度が８．２ｍ
／ｓ一定の時の８／１６変調、記録容量４．７ＧＢのマ
ークエッジ記録では、最短マークピッチは０．２８μｍ
となるため、データ容量も１０％削減したディスクの最
短マークピッチは０．３１μｍとなる。最短マーク３Ｔ
のみを形成するためには、周波数８．７ＭＨｚのデュー
ティ５０％で記録すれば良い。

【０１９７】また、上記実施例では、第１層目がＤＶＤ
−Ｒディスクで、第２層目がＤＶＤ−ＲＷディスクであ
る場合も、同様なＲ／ＲＷディスクの用途による切り替
え操作や第２層目の無初期化の効果が全く同じである。

【０１９８】また、上記実施例では、第１層のＤＶＤ−
Ｒディスクにおける基板８１が、ＤＶＤ−Ｒの規格バー
ジョン２．０（片面４．７ＧＢ）に基づいた物理フォー
マットが形成され、第２層のＤＶＤ−ＲＷディスクにお
ける基板５１が、ＤＶＤ−ＲＷの規格バージョン１．０
（片面４．７ＧＢ）に基づいた物理フォーマットが形成
されているものであったが、これに限らず、基板８１が
ＤＶＤ−Ｒの規格バージョン２．０に基づき１％から１
２％以下の容量を削減した物理フォーマットが形成さ
れ、基板５１がＤＶＤ−ＲＷの規格バージョン１．０に
基づき１％から１２％以下の容量を削減した物理フォー
マットが形成されているものであっても良い。

【０１９９】この場合、マージンを持たせることができ
る。

【０２００】この際、記録の信号は、線速度が８．２ｍ
／ｓ一定の時の８／１６変調、記録容量４．７ＧＢのマ
ークエッジ記録では、最短マークピッチは０．２８μｍ
となるため、データ容量も１０％削減したディスクの最
短マークピッチは０．３１μｍとなる。最短マーク３Ｔ
のみを形成するためには、周波数８．７ＭＨｚのデュー
ティ５０％で記録すれば良い。

【０２０１】また、上記実施例では、片面２層ＤＶＤ−
Ｒ／ＲＡＭディスクで本発明の効果を説明したが、この
ような片面２層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＡＭディスクをレーザの
入射と反対側の面を貼り合わせた、両面４面ディスクで
あっても全く同様の効果が期待できる。

【０２０２】また、上記実施例では、ＤＶＤ−Ｒディス
クとＤＶＤ−ＲＡＭ又はＤＶＤ−ＲＷディスクの利便性
は、第１層目がＲディスクで、第２層目がＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ又はＤＶＤ−ＲＷディスクの場合に関して説明した
が、利便性に限って言うと第１層目がＤＶＤ−ＲＡＭ或
いはＤＶＤ−ＲＷディスクで、第２層目がＤＶＤ−Ｒデ
ィスクであっても全く同様の効果が期待できる。

【０２０３】

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、同時に２つのディスクの機能が実行可能な片面２層
の光ディスクを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】相変化光ディスクの一般的な層構成を示す図。

【図２】片面２層ＲＡＭディスクの張り合わせ前の第１
層ディスク層構成を示す図。

【図３】片面２層ＲＡＭディスクの張り合わせ前の第２
層ディスク層構成を示す図。

【図４】第２層のＲＡＭディスクを無初期化相変化光デ
ィスクにするスパッタ装置の概略構成を示す図。

【図５】第２層のＲＡＭディスクを無初期化相変化光デ
ィスクにするスパッタ装置の概略構成を示す図。

【図６】片面２層ＲＡＭディスクの第２層ディスクを無
初期化相変化光ディスクにした層構成を示す図。

【図７】片面２層ＲＡＭディスクの第２層ディスクを無
初期化相変化光ディスクにした層構成を示す図。

【図８】片面２層ＲＡＭディスクの第２層ディスクを無
初期化相変化光ディスクにした層構成を示す図。

【図９】第２層ディスク（サンプルＡ）から（サンプル
Ｇ）までの膜の性質の違いを整理して示す図。

【図１０】片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクの膜
構成を示す図。

【図１１】片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクの膜
構成を示す図。

【図１２】光ディスクドライブ装置の概略構成を示す
図。

【図１３】相変化光ディスクのＯＷ時におけるレーザパ
ルスを説明するための図。

【図１４】片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクの第
１層ディスクの貼り合わせ前の膜構成を示す図。

【図１５】片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクの第
２層ディスクの貼り合わせ前の膜構成を示す図。

【図１６】片面２層ＤＶＤ−ＲＷ／ＲＡＭディスクの膜
構成を示す図。

【図１７】片面２層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＡＭディスクの第１
層ディスクの貼り合わせ前の膜構成を示す図。

【図１８】片面２層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＡＭディスクの膜構
成を示す図。

【図１９】片面２層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＡＭディスクの膜構
成を示す図。

【符号の説明】

１１…基板１２…ＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜１３…ＡｇＩｎＳｂＴｅ相変化記録膜１４…ＺｎＳ・ＳｉＯ２保護膜５１…基板５２…Ａｕ反射膜５３…ＺｎＳ／ＳｉＯ２膜５４…ＧｅＳｂＴｅ相変化記録膜５５…ＺｎＳ／ＳｉＯ２誘電体膜５６…Ａｕ光学干渉膜６０…ＵＶ硬化樹脂膜９０…ＧｅＮ膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/30 Ｇ１１Ｂ 7/30 Ｚ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光の入射側の第１層として、ＤＶ
Ｄ−ＲＷディスクの物理フォーマットを形成した基板
と、その上に記録膜としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化
膜を設け、第２層として、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクの物
理フォーマットを形成した基板を用い、その上にＧｅＳ
ｂＴｅ系の相変化膜を設け、上記第１層と第２層とが所
定の膜厚の透明な接着層によって接着されていることを
特徴とする片面２層の光ディスク。
【請求項２】レーザ光の入射側の第１層として、片面
４．７ＧＢから１％から１２％以下の容量を削減したＤ
ＶＤ−ＲＷディスクの物理フォーマットを形成した基板
と、その上に記録膜としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化
膜を設け、第２層として、片面４．７ＧＢから１％から
１２％以下の容量を削減したＤＶＤ−ＲＡＭディスクの
物理フォーマットを形成した基板を用い、その上にＧｅ
ＳｂＴｅ系の相変化膜を設け、上記第１層と第２層とが
所定の膜厚の透明な接着層によって接着されていること
を特徴とする片面２層の光ディスク。
【請求項３】レーザ光の入射側の第１層として、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクの物理フォーマットを形成した基板
と、その上に記録膜としてＧｅＳｂＴｅ系の相変化膜を
設け、第２層として、ＤＶＤ−ＲＷディスクの物理フォ
ーマットを形成した基板を用い、その上にＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ系の相変化膜を設け、上記第１層と第２層とが所定
の膜厚の透明な接着層によって接着されていることを特
徴とする片面２層の光ディスク。
【請求項４】レーザ光の入射側の第１層として、片面
４．７ＧＢから１％から１２％以下の容量を削減したＤ
ＶＤ−ＲＡＭディスクの物理フォーマットを形成した基
板と、その上に記録膜としてＧｅＳｂＴｅ系の相変化膜
を設け、第２層として、片面４．７ＧＢから１％から１
２％以下の容量を削減したＤＶＤ−ＲＷディスクの物理
フォーマットを形成した基板を用い、その上にＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系の相変化膜を設け、上記第１層と第２層とが
所定の膜厚の透明な接着層によって接着されていること
を特徴とする片面２層の光ディスク。
【請求項５】レーザ光の入射側の第１層として、ＤＶ
Ｄ−ＲＷディスクの物理フォーマットを形成した基板
と、その上に記録膜としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化
膜を設け、第２層として、ＤＶＤ−Ｒディスクの物理フ
ォーマットを形成した基板を用い、その上に色素系有機
膜を設け、上記第１層と第２層とが所定の膜厚の透明な
接着層によって接着されていることを特徴とする片面２
層の光ディスク。
【請求項６】レーザ光の入射側の第１層として、片面
４．７ＧＢから１％から１２％以下の容量を削減したＤ
ＶＤ−ＲＷディスクの物理フォーマットを形成した基板
と、その上に記録膜としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化
膜を設け、第２層として、片面４．７ＧＢから１％から
１２％以下の容量を削減したＤＶＤ−Ｒディスクの物理
フォーマットを形成した基板を用い、その上に色素系有
機膜を設け、上記第１層と第２層とが所定の膜厚の透明
な接着層によって接着されていることを特徴とする片面
２層の光ディスク。
【請求項７】レーザ光の入射側の第１層として、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクの物理フォーマットを形成した基板
と、その上に記録膜としてＧｅＳｂＴｅ系の相変化膜を
設け、第２層として、ＤＶＤ−Ｒディスクの物理フォー
マットを形成した基板を用い、その上に色素系有機膜を
設け、上記第１層と第２層とが所定の膜厚の透明な接着
層によって接着されていることを特徴とする片面２層の
光ディスク。
【請求項８】レーザ光の入射側の第１層として、片面
４．７ＧＢから１％から１２％以下の容量を削減したＤ
ＶＤ−ＲＡＭディスクの物理フォーマットを形成した基
板と、その上に記録膜としてＧｅＳｂＴｅ系の相変化膜
を設け、第２層として、片面４．７ＧＢから１％から１
２％以下の容量を削減したＤＶＤ−Ｒディスクの物理フ
ォーマットを形成した基板を用い、その上に色素系有機
膜を設け、上記第１層と第２層とが所定の膜厚の透明な
接着層によって接着されていることを特徴とする片面２
層の光ディスク。