JP4826864B2 - 超純水製造装置 - Google Patents

超純水製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4826864B2
JP4826864B2 JP2001114263A JP2001114263A JP4826864B2 JP 4826864 B2 JP4826864 B2 JP 4826864B2 JP 2001114263 A JP2001114263 A JP 2001114263A JP 2001114263 A JP2001114263 A JP 2001114263A JP 4826864 B2 JP4826864 B2 JP 4826864B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water
membrane
gas
pure water
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001114263A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002307080A (ja
Inventor
求 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kurita Water Industries Ltd
Original Assignee
Kurita Water Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kurita Water Industries Ltd filed Critical Kurita Water Industries Ltd
Priority to JP2001114263A priority Critical patent/JP4826864B2/ja
Publication of JP2002307080A publication Critical patent/JP2002307080A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4826864B2 publication Critical patent/JP4826864B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
  • Physical Water Treatments (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は超純水製造装置に係り、特に、ウエハ洗浄水として好適な、溶存酸素(DO)濃度はきわめて低いが、適度な溶存ガスを含有する超純水を製造するための超純水製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体のウエハ洗浄水として用いられている超純水は、図2に示すように前処理システム1、一次純水システム2及びサブシステム3から構成される超純水製造装置で原水(工業用水、市水、井水等)を処理することにより製造されている。即ち、凝集、加圧浮上(沈殿)、濾過装置等よりなる前処理システム1で、原水中の懸濁物質やコロイド物質を除去した後、逆浸透膜分離装置、脱気装置及びイオン交換装置(混床式又は4床5塔式)を備える一次純水システム2で、原水中のイオンや有機成分を除去し、熱交換器、低圧紫外線酸化装置、イオン交換純水装置及び限外濾過膜分離装置を備えるサブシステム3で、水の純度をより一層高めて超純水が製造される。このサブシステム3において、低圧紫外線酸化装置では、低圧紫外線ランプより出される185nmの紫外線によりTOCを有機酸さらにはCOまで分解する。生成した有機酸及びCOは後段のイオン交換樹脂で除去される。限外濾過膜分離装置では、微小粒子が除去されイオン交換樹脂の流出粒子も除去される。
【0003】
このような超純水製造装置では、製造された超純水をウエハ洗浄水として使用するために、可能な限りDOを除去することが求められており、超純水製造における最終工程のサブシステムに更に脱気装置を設置することが多くなってきている。例えば特開平9−29251号公報には、イオン交換純水装置の後段に膜式脱気装置を設けてDO濃度を低減することが記載されている。膜式脱気装置は、ガス透過膜で隔てられた気室及び水室を有し、水室に水を流し、気室を真空ポンプで吸引して、水中のDO等の溶存ガスをガス透過膜を透過させて気室に移行させて除去するものであり、水中の溶存ガスを極低濃度にまで除去することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
膜式脱気装置をサブシステムに設けた場合、DOのみならず他の溶存ガスをも除去することになる。このため、DO低減化の目的は達成できるが、DO以外の溶存ガス濃度も低下した超純水となる。
【0005】
ところで、ウエハの超音波洗浄においては、洗浄水として用いる超純水中の溶存ガスのキャビテーション効果で洗浄効果が高められている。このため、膜式脱気装置を設けたサブシステムで製造された、溶存ガス濃度の低下した超純水では、ウエハの超音波洗浄において、キャビテーションの発生が不足し、洗浄効果が不十分となることがある。
【0006】
また、サブシステムに膜式脱気装置が配置されていない装置でも、一次純水システムに脱気装置が配置され、密閉系で一次純水がサブシステムに供給される系では、サブシステムで溶存ガス濃度が著しく低い超純水が製造される場合があり、上記のような問題が発生する。
【0007】
本発明は上記従来の問題点を解決し、DO濃度がきわめて低く、一方で適度な溶存ガス濃度を有し、ウエハの超音波洗浄に使用した場合に、良好なキャビテーション効果を得ることができる超純水を製造することができる超純水製造装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の超純水製造装置は、サブシステムによって純水を処理して超純水を製造する超純水製造装置において、該サブシステムは、ガス透過膜を介して気室と水室とが仕切られた膜式脱気装置と、該膜式脱気装置の後段に配置された、ガス透過膜によって隔てられた気室及び水室を有した膜式ガス溶解装置を備え、純水を該膜式脱気装置に通水した後該膜式ガス溶解装置に通水する超純水製造装置であって、該膜式脱気装置の水室に純水を通水し、かつ、該膜式脱気装置の気室に窒素ガスを供給すると共に減圧して、該純水中の溶存ガスをガス透過膜を透過させて気室側に移行させて除去し、該膜式ガス溶解装置の気室に窒素ガスを水室側圧力以上で供給すると共に、該膜式ガス溶解装置の水室に純水を通水して、該純水にガスを溶解させるようにしたことを特徴とする。
【0009】
本発明の超純水製造装置では、サブシステムに膜式ガス溶解装置を設け、純水に酸素以外のガスを溶解させて所望の溶存ガス濃度に調整することができる。このため、DOを低く抑えた上で溶存ガス濃度を上げてウエハ洗浄に好適な超純水を製造することができる。
【0010】
本発明においては、サブシステムは、膜式脱気装置を備え、この膜式脱気装置の後段に膜式ガス溶解装置が配置されているため、膜式脱気装置によりDOを極低濃度にまで除去した後、膜式ガス溶解装置でガスを溶解させて、目的とする極低DO濃度で所定溶存ガス濃度の超純水を製造することができる。
【0011】
即ち、一次純水システムからサブシステムに供給される純水のDOが10mg/L以上である場合、或いはサブシステムにおいてDOが10mg/L以上になる恐れがある場合、サブシステムには、特開平9−29251号公報記載のように、膜式脱気装置を配置するのが好ましい。通常、サブシステムには紫外線酸化装置、イオン交換純水装置が設けられることが多いが、紫外線の過剰照射は、イオン交換純水装置でのDO発生原因となるので、サブシステムに膜式脱気装置を設けることが好ましい。この場合、膜式脱気装置によりDOのみならず他の溶存ガスも除去されるが、その後段に膜式ガス溶解装置を設けることにより、超純水中の溶存ガス濃度を所望の値に高めることができる。
【0012】
また、本発明においては、膜式ガス溶解装置の気室に供給される、窒素ガスの流量G(Nm/hr)に対する、膜式ガス溶解装置の水室に通水される純水の通水量L(m/hr)の割合であるL/G比が20以下となるように、該ガス及び一次純水を膜式ガス溶解装置に導入することが好ましい。
【0013】
このような本発明の超純水製造装置では、ウエハの超音波洗浄に好適な、DO濃度10μg/L以下で、溶存ガス濃度5mg/L以上の超純水を製造することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して本発明の超純水製造装置の実施の形態を詳細に説明する。
【0015】
図1(a),(b)は参考例に係る超純水製造装置のサブシステムを示す系統図であり、図1(c)は本発明の超純水製造装置のサブシステムの実施の形態を示す系統図である。
【0016】
本発明において、サブシステムで処理する純水は、図2に示す如く、原水(工業用水、市水、井水等)を凝集、加圧浮上(沈殿)、濾過装置等よりなる前処理システム1及び一次純水システム2で処理して得られた純水(一次純水)である。前処理システム及び一次純水システムの構成には特に制限はなく、一次純水システムとしては、逆浸透膜分離装置、イオン交換装置、非再生式電気脱塩装置などの脱塩装置;活性炭、合成吸着樹脂などの吸着装置;紫外線酸化装置などの酸化装置、膜式脱気装置、真空式脱気装置、触媒式脱気装置などの脱気装置を任意の順で配置したものを用いることができる。
【0017】
このような一次純水システムにより、好ましくは比抵抗10MΩ・cm以上の純水を製造し、サブシステムに導入する。
【0018】
本発明において、純水を処理して超純水を製造するサブシステムの膜式脱気装置及び膜式ガス溶解装置以外の構成にも特に制限はない。一般に、サブシステムには、サブタンク、熱交換器、紫外線酸化装置、イオン交換純水装置、膜分離装置などがこの順で設けられるが、配置順序の変更も任意であり、更に、逆浸透膜分離装置、電気脱塩装置などが追加される場合もある。
【0019】
図1(a)に示すサブシステムは、純水を低圧紫外線酸化装置11、膜式ガス溶解装置12、イオン交換純水装置13及び限外濾過膜分離装置14で順次処理するものである。
【0020】
低圧紫外線酸化装置11としては、波長170nm以上、好ましくは180〜200nmの紫外線を照射して純水中のTOCを分解するものであれば良く、特に制限はない。また、イオン交換純水装置13及び限外濾過膜分離装置14としても、特に制限はなく、通常のサブシステムに用いられているものを使用することができる。
【0021】
膜式ガス溶解装置12は、その構成自体は通常の膜式脱気装置と同様の構成とされており、ガス透過膜を介して気室と水室とが仕切られたものである。この膜式ガス溶解装置12では、水室に低圧紫外線酸化装置11で処理した純水を通水すると共に、気室に、実質的に酸素を含有しないガスを水室側圧力以上で供給することにより、該ガスをガス透過膜を透過させて水側へ移行させることにより、水の溶存ガス濃度を高める。膜式ガス溶解装置12の気室の圧力が水室側圧力よりも低いと水側へのガスの移行が十分に行われないため、気室は水室側圧力以上、好ましくは水室側圧力よりも0.01〜0.2MPa高い圧力、より好ましくは水室側圧力よりも0.02〜0.05MPa程度高い圧力の加圧条件とする。
【0022】
膜式ガス溶解装置12の気室に供給する、実質的に酸素を含まないガスとしては、得られた超純水をウエハの洗浄に使用した場合特に洗浄効果に影響しないガス、例えば、窒素(N)、アルゴンなどの不活性ガスや、洗浄に使用した場合、洗浄効果を向上させる有用ガス、例えば水素、アンモニアなどが挙げられるが、不活性ガスであれば、製造した超純水を任意の洗浄工程に使用することができ好ましい。このガスは、酸素を含まないことが好ましいが、得られる超純水のDO濃度を目的とする低濃度に抑えられる程度であれば、微量の酸素を含んでいてもよい。
【0023】
膜式ガス溶解装置12に供給するガスとしては、特に純度99.9%以上のNガスが好ましい。
【0024】
この膜式ガス溶解装置12のL/G比は、20以下、好ましくは10〜20とする。この範囲よりもL/G比が小さいと、供給ガス量が多くなり不経済であり、多いとガス量が不足して溶存ガス濃度を十分に高めることができない場合がある。
【0025】
このような膜式ガス溶解装置12はサブシステムの任意の箇所に設けられる。図1(a)に示すサブシステムは、低圧紫外線酸化装置11、膜式ガス溶解装置12、イオン交換純水装置13及び限外濾過膜分離装置14で順次処理するものであるが、図1(b)に示す如く、低圧紫外線酸化装置11、イオン交換純水装置13、膜式ガス溶解装置12及び限外濾過膜分離装置14で順次処理するものであっても良い。ただし、膜式ガス溶解装置12の後段にイオン交換純水装置13を設けた場合には、膜式ガス溶解装置12から溶出した微量イオンをイオン交換純水装置13で除去することができ、好ましい。
【0026】
また、前述の如く、サブシステムに膜式脱気装置を設ける場合があるが、この場合には、膜式ガス溶解装置は膜式脱気装置の後段に設ける。図1(c)は、膜式脱気装置15を設けたサブシステムの例を示し、このサブシステムでは、純水は、低圧紫外線酸化装置11、膜式脱気装置15、膜式ガス溶解装置12、イオン交換純水装置13及び限外濾過膜分離装置14で順次処理される。この場合にも、膜式脱気装置15及び膜式ガス溶解装置12の後段にイオン交換純水装置13が設けられているため、膜式脱気装置15及び膜式ガス溶解装置12から溶出した微量イオンをイオン交換純水装置13で除去することができ好ましい。
【0027】
膜式脱気装置15は、膜式ガス溶解装置12と同様にガス透過膜を介して気室と水室とが仕切られたものであり、この膜式脱気装置15では、水室に低圧紫外線酸化装置11で処理した純水を通水すると共に、気室を真空ポンプ(図示せず)により20〜100Torr(2.7×10−3〜1.3×10−2MPa)程度の真空度に吸引して、水中のDO等の溶存ガスをガス透過膜を透過させて気室側に移行させて除去する。
【0028】
この膜式脱気装置15の気室には、必要に応じて、N、アルゴン等の不活性ガスを供給しても良い。膜式脱気装置15の気室にガスを供給することにより、脱気効率を高めることができる。この場合、不活性ガスの供給量は、多過ぎると気室の真空度が上がらず、少な過ぎると脱気効率の向上効果を十分に得ることができないことから、L/G比で20〜40程度とするのが好ましい。
【0029】
なお、本発明において、膜式ガス溶解装置及び膜式脱気装置に用いられるガス透過膜としては、O,N等のガスは通過するが水は透過しない膜であれば良く、例えば、ポリプロピレン系、シリコンゴム系、ポリテトラフルオロエチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系等がある。また、膜形式についても特に制限はなく、中空糸、スパイラル型等の各種のものを用いることができるが、特に中空糸型が好適である。このガス透過膜としては市販の各種のものを用いることができる。
【0030】
本発明において、ウエハの超音波洗浄水の用途においては、このようなサブシステムにより、DO100ppb以下、N等のDO以外の溶存ガス濃度5mg/L以上、好ましくはDOが10ppb以下で溶存ガス濃度が5〜12mg/L程度の超純水を製造することが好ましい。
【0031】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
【0032】
実施例1
市水(電導度:1.1ms/m,DO濃度:7.2mg/L,N(溶解N)濃度:12.1mg/L)を逆浸透膜分離装置、混床式イオン交換純水装置及び膜式脱気装置で順次処理して得られた、比抵抗17MΩ・cm,DO濃度:100μg/L,N濃度:2.5mg/Lの純水を図1(c)に示すサブシステムに1.5m/hrで通水して処理する超純水製造装置において、膜式ガス溶解装置によるガス溶解効果を調べた。
【0033】
低圧紫外線酸化装置(日本フォトサイエンス(株)製;OXL型ランプ4本)11に通水した後の純水を膜式脱気装置(セルガード社製、4インチガス透過膜)15に通水した後膜式ガス溶解装置(セルガード社製、4インチガス透過膜)12に通水した。
【0034】
膜式脱気装置15の気室にはNガスを0.05Nm/hr(L/G比=30)で供給すると共に、真空ポンプで60Torr(8.0×10−3MPa)の真空度に減圧した。
【0035】
また、膜式ガス溶解装置12の気室には水室側と同圧力(大気圧よりも0.01MPa高い圧力)でNを0.075Nm/hrで供給した(L/G比=20)。
【0036】
得られた超純水のDO濃度とN濃度を調べ、結果を表1に示した。
【0037】
実施例2
実施例1において、膜式ガス溶解装置12の気室の圧力を水室側よりも0.05MPa高い条件としたこと以外は同様にして処理を行い、得られた超純水のDO濃度とN濃度を調べ、結果を表1に示した。
【0038】
比較例1
実施例1において、膜式ガス溶解装置12の代りに膜式脱気装置(セルガード社製、4インチガス透過膜)を設けて、2段膜脱気を行ったこと以外は同様にして処理を行い、得られた超純水のDO濃度とN濃度を調べ、結果を表1に示した。
【0039】
なお、この2段目の膜式脱気装置も1段目の膜式脱気装置と同様に、気室にNガスを0.05Nm/hrで供給すると共に、真空ポンプで60Torrに減圧した。
【0040】
【表1】
Figure 0004826864
【0041】
表1より明らかなように、本発明によれば、DO濃度がきわめて低く、N濃度が適度に高い超純水を製造することができる。
【0042】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の超純水製造装置によれば、DO濃度が著しく低く、かつ十分な溶存ガス濃度の超純水を製造することができる。本発明の超純水製造装置により製造された超純水は、ウエハの超音波洗浄水として、良好なキャビテーション効果で高い洗浄効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1(a),(b)は参考例に係る超純水製造装置のサブシステムを示す系統図であり、図1(c)は本発明の超純水製造装置のサブシステムの実施の形態を示す系統図である。
【図2】 従来の超純水製造装置を示す系統図である。
【符号の説明】
1 前処理システム
2 一次純水システム
3 サブシステム
11 低圧紫外線酸化装置
12 膜式ガス溶解装置
13 イオン交換純水装置
14 限外濾過膜分離装置
15 膜式脱気装置

Claims (3)

  1. サブシステムによって純水を処理して超純水を製造する超純水製造装置において、
    該サブシステムは、ガス透過膜を介して気室と水室とが仕切られた膜式脱気装置と、該膜式脱気装置の後段に配置された、ガス透過膜によって隔てられた気室及び水室を有した膜式ガス溶解装置を備え、純水を該膜式脱気装置に通水した後該膜式ガス溶解装置に通水する超純水製造装置であって、
    該膜式脱気装置の水室に純水を通水し、かつ、該膜式脱気装置の気室に窒素ガスを供給すると共に減圧して、該純水中の溶存ガスをガス透過膜を透過させて気室側に移行させて除去し、
    該膜式ガス溶解装置の気室に窒素ガスを水室側圧力以上で供給すると共に、該膜式ガス溶解装置の水室に純水を通水して、該純水にガスを溶解させるようにしたことを特徴とする超純水製造装置。
  2. 請求項1において、該膜式ガス溶解装置の気室に供給される、前記窒素ガスの流量(Nm/hr)に対する、該膜式ガス溶解装置の水室に通水される純水の通水量(m/hr)の割合であるL/G比が20以下となるように、該ガス及び純水が該膜式ガス溶解装置に導入されることを特徴とする超純水製造装置。
  3. 請求項1又は2において、溶存酸素濃度10μg/L以下で、溶存ガス濃度5mg/L以上の超純水を製造することを特徴とする超純水製造装置。
JP2001114263A 2001-04-12 2001-04-12 超純水製造装置 Expired - Fee Related JP4826864B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001114263A JP4826864B2 (ja) 2001-04-12 2001-04-12 超純水製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001114263A JP4826864B2 (ja) 2001-04-12 2001-04-12 超純水製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002307080A JP2002307080A (ja) 2002-10-22
JP4826864B2 true JP4826864B2 (ja) 2011-11-30

Family

ID=18965362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001114263A Expired - Fee Related JP4826864B2 (ja) 2001-04-12 2001-04-12 超純水製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4826864B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4470101B2 (ja) * 2004-03-24 2010-06-02 栗田工業株式会社 窒素溶解超純水の製造方法
JP4756327B2 (ja) * 2005-06-21 2011-08-24 栗田工業株式会社 窒素ガス溶解水の製造方法
JP5320665B2 (ja) * 2006-09-29 2013-10-23 栗田工業株式会社 超純水製造装置および方法
JP5663410B2 (ja) * 2011-06-10 2015-02-04 オルガノ株式会社 超純水製造方法及び装置
JP6819175B2 (ja) 2016-09-20 2021-01-27 栗田工業株式会社 希釈薬液製造装置及び希釈薬液製造方法
JP6268660B1 (ja) * 2017-05-18 2018-01-31 三菱重工環境・化学エンジニアリング株式会社 生物処理装置、生物処理方法、及びプログラム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3192610B2 (ja) * 1996-05-28 2001-07-30 キヤノン株式会社 多孔質表面の洗浄方法、半導体表面の洗浄方法および半導体基体の製造方法
JP3332323B2 (ja) * 1996-10-29 2002-10-07 オルガノ株式会社 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置
JP3856558B2 (ja) * 1997-03-31 2006-12-13 忠弘 大見 超純水の殺菌方法及び殺菌超純水供給システム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002307080A (ja) 2002-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5045099B2 (ja) 超純水製造装置及び超純水製造装置の運転方法
TWI648093B (zh) 超純水製造裝置以及超純水製造方法
KR100687361B1 (ko) 오존 용해수의 제조장치
US20050263458A1 (en) Process for removing organics from ultrapure water
JP2005538827A (ja) 水からの有機不純物除去方法
JP2004000919A (ja) 脱塩水製造装置
JP4826864B2 (ja) 超純水製造装置
JP4552327B2 (ja) 超純水製造装置
JP2017127875A (ja) 超純水製造装置及び超純水製造方法
JP4119040B2 (ja) 機能水製造方法及び装置
JP4447212B2 (ja) 超純水の製造方法及び超純水製造装置
JP6629383B2 (ja) 超純水製造方法
JPH0929251A (ja) 超純水製造装置
JP5061410B2 (ja) 超純水製造装置及び超純水製造方法
JP2002336886A (ja) 超純水製造装置及び超純水製造方法
JP2002355683A (ja) 超純水製造方法及び超純水製造装置
JP6417734B2 (ja) 超純水製造方法
JP3543435B2 (ja) 超純水の製造方法
JP2002001069A (ja) 純水製造方法
JP3645007B2 (ja) 超純水製造装置
JP3992996B2 (ja) 排水処理方法及び装置
US20230242419A1 (en) Ultrapure water production system and ultrapure water production method
JPH05138167A (ja) 超純水供給装置
JP2003010849A (ja) 二次純水製造装置
JP3617468B2 (ja) 脱炭酸方法及び純水製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110531

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110728

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110818

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110831

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4826864

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees