JP4825060B2 - 露光方法 - Google Patents
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Description
ストパターンの溶解不良を抑制できる。
従来方法でダマシン構造による配線構造を形成する一連のプロセスを図3A−3Jを用いて以下に説明する。
(1)半導体基板101上にエッチングストッパ121を挟むようにポーラスシリカ膜でできた層間膜102を500nm形成する。なお、層間膜102は、無機シロキサンまたは有機シロキサンであってもよい。
(2)ノボラック樹脂等からなる有機系の反射防止膜104を80nmと有機系のポジ型化学増幅型のレジスト105を250nm塗布する(図3B)。
(3)ホールパターンを露光・現像し、レジストパターン106が形成される(図3C)。図3Cは、図2Bのホールパターン8上を通る線分A0−A1を半導体基板に投影した位置において基板に垂直な方向に切断し、図2Bの矢印方向に対応する方向から見た断面を表している。
(4)レジストパターン106をマスクにして、フルオロカーボンのエッチングガス(図示せず)を用いて反射防止膜104をエッチングする(図3D)。
(5)さらに、フルオロカーボンに酸素を添加したエッチングガス(図示せず)を用いてマスク薄膜103をエッチングする(図3E)。
(6)窒素あるいはアルゴンを用いたアッシングによりレジスト105および反射防止膜104を除去する(図3F)。
(7)こうしてマスク薄膜103に形成されたパターンをマスクとして、フルオロカーボンに酸素、一酸化炭素を添加したエッチングガス(図示せず)を用いて層間膜102をエッチングする(図3G)。エッチングストッパ121までエッチングし、ホール層107が形成される。
(8)ノボラック樹脂等からなる有機系の反射防止膜104を80nmと有機系のポジ型化学増幅型のレジスト105を250nm塗布する(図3H)。
(9)配線パターン(図示せず)を露光・現像してレジストパターン109を形成する。しかし、その際に本来溶解すべきレジスト105のうち、レジストパターン109の部分が残存して、開口不良110が生じることがある(図3I参照)。この開口不良110はレジストポイゾニングと呼ばれ、これが発生するとエッチングで所望の配線パターンが形成できなくなる。レジストポイゾニングが生じると、半導体装置の歩留まり低下や信頼性低下を生じるという問題がある。
立したパターン(ビア)近傍にダミーパターンを形成する方法が知られている。しかし、この方法では、個々の半導体基板上に実際にダミーパターンを生成する必要があり、かつ、密に配列したパターンで発生するレジストポゾニングを防ぐことができない。
本発明にしたがい、デュアルダマシン構造を作製する工程を以下に示す。
露光装置として開口率;0.80のレンズを有したArFエキシマレーザ(波長;193nm)を光源とする、縮小率1/4倍(マスクパターン寸法:転写した結像面上パターン寸法=4:1)の縮小投影系を使用した。ここでは、100nmサイズのパターン形成結果を例示する。本実施形態で提示する寸法は結像面上パターン寸法である。また、波長は、193nmに限定されるものではない。例えば、波長が250nmよりも短い紫外線による露光において、本実施形態の工程を適用できる。
ホールが存在する部分近傍を露光する際の露光量を増加させている。
は、無機シロキサンまたは有機シロキサンであってもよい。
(1)図7に示したホールが存在する部分の配線パターンサイズを大きくしたマスクパターン、
(2)図8に示したホール配列の外側部分に位置する配線パターンのサイズのみ変更したマスクパターン、
(3)図9に示したようなサイズの変更箇所を配線の片側(ホール存在箇所)に限定したマスクパターン、
(4)図10に示したような解像しない程度の補助パターン14が形成されているマスクパターン、
(5)図11に示したようなホールが存在しない配線の内部にレジストが解像しない程度の補助パターン15が形成されたマスクパターン、
(6)図12に示したようなホールが存在しない部分の配線パターン近傍の遮光部16の透過率T16とホールが存在する部分の配線パターン近傍の遮光部17の透過率T17を変えたマスクパターン、
(7)図16に示すような2重露光用のマスクパターン、のうち2以上のパターンの組合せ、あるいは、2重露光を適用してパターンを形成すればよい。このようにして、ホールから離間した位置での配線パターンの露光量に比べて、ホール直上またはその近傍の配線パターンの露光量を相対的に増加させることができる。したがって、ホールの形成時に下地に取り込まれた塩基性物質によって化学増幅型レジスト中のプロトン(H+)が消失される現象を抑制でき、パターンサイズの変動、あるいは、パターンの開口不良を低減できる。
図17−27に孤立ホールが存在する場合に、本発明を適用した実施例を示す。図17は、ホール層を露光するマスク9を示している。マスク9は、ホールパターンの箇所以外は、遮光層(ハッチング箇所、例えば、クロムである)で被覆されている。図18は、図17のマスク9によって形成されるホール層の上層に形成されるべき配線層を露光するマスク10を示している。マスク10は、配線パターンの箇所以外は、遮光層(ハッチング箇所、例えば、クロムである)で被覆されている。
ホールが存在する部分(ホール直上付近)の配線パターンサイズを大きくして、露光量が補正されている(符号31の配線箇パターン参照)。すなわち、図20の改良マスクでは、孤立ホール直上を露光する部分に、配線パターンよりも線幅の大きい矩形パターンが付加され、突起形状が付加されている。これにより、孤立ホール直上の配線パターン露光時の露光量が増加する。
iOC、SiOCNまたはSiN膜で形成すればよい。また、層間膜は、無機シロキサンまたは有機シロキサンであってもよい。
上記手順では、ホール直上またはその近傍の配線部分の露光量が大きくなるように、マスク上の配線のパターンサイズ(線幅)を変更した。また、ホール配列の外側部分上層の配線部分の露光量が大きくなるように、マスク上の配線のパターンサイズ(線幅)を変更した。また、配線パターンの近傍に補助パターンを設けて露光量を制御した。あるいは、マスクの配線部分、あるいはマスクの遮光部分の光の透過量を変更した。
図28の半導体装置製造プロセスでは、露光後に、例えば、レーザー等を用いて、ホール層114の存在する領域(図5の18)のみを加熱した。このような手順に代えて、あ
るいは、上記局所的な加熱とともに、ホールパターン形成後に、化学増幅型レジスト中のプロトン(H+)の発生を抑止する物質(以下、溶解阻止物質(例えば、アミン等の塩基性物質)を放射線照射により分解してもよい。すなわち、レジスト塗付前に、事前に化学増幅型レジストの溶解抑止物質を除去しておけばよい。
以上の通り、本発明に係る実施形態による工程では、ホールから離間した位置での配線パターンの露光量に比べて、ホール直上またはその近傍の配線パターンの露光量を相対的に増加させることができる。また、ホールから離間した位置での配線パターンに比べて、ホール直上またはその近傍の配線パターンを加熱させることができる。また、ホールの形成時に下地に取り込まれた塩基性物質を分解できる。その結果、本工程では、レジストポゾニングを防ぎ、開口不良のないデュアルダマシン構造を精度よく形成できる。
本実施形態は、以下の態様(付記と呼ぶ)を開示する。これらの態様の2以上を組み合わせて構成してもよい。
(付記1)
半導体装置の基板にホールが加工された後に実行される露光方法であり、
露光によってマスク上のパターンを前記ホールの上層に転写し、配線溝を形成する露光工程を有し、
前記ホール直上の配線溝または前記ホール近傍の配線溝を露光する露光量が、前記ホール直上から離間した位置の配線溝を露光する露光量よりも多い露光方法。(1)
(付記2)
付記1において、前記露光工程では、前記配線溝を露光するパターンに露光量を調整する補助パターンが付加されたマスクが用いられる露光方法。(2)
(付記3)
付記2において、前記ホールの密度が所定値より高い密ホール領域上層の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の、前記配線溝を露光するパターンと分離された開口である露光方法。(3)
(付記4)
付記2において、前記ホールの密度が所定値より高い密ホール領域上層の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の、前記配線溝を露光するパターンからの突起である露光方法。(4)
(付記5)
付記2から4のいずれかにおいて、前記ホールの密度が所定値より低い粗ホール領域で前記ホール直上の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法で、かつ、前記配線溝を露光するパターンと分離された開口、または、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法で、かつ、前記配線溝を露光するパターンからの突起である、露光方法。(5)
(付記6)
付記2において、前記補助パターンは、前記配線溝を露光するパターン内部に設けられ、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の多角形である露光方法。(6)
(付記7)
付記1から6のいずれかにおいて、前記露光工程で用いられるマスクはハーフトーンマスクである露光方法。
(付記8)
付記1において、前記露光工程では、前記ホール直上の配線溝またはその近傍の配線溝を露光する被転写パターン部分の光透過率が、前記ホール直上から離間した位置の配線溝を露光する被転写パターン部分の光透過率よりも高い露光用マスクが用いられる露光方法。(7)
(付記9)
付記8において、前記露光工程で用いられるマスクはトリトーンマスクである露光方法。
(付記10)
付記1において、前記露光工程では、一の露光箇所を2度繰り返して露光する2重露光工程を含む露光方法。(8)
(付記11)
付記10において、前記2重露光工程は、前記配線溝を露光する被転写パターンを有する第1のマスクと、少なくともホール直上部分の配線溝を露光するパターン近傍に、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の開口を有する第2のマスクを用いる露光方法。
(付記12)
付記11において、露光マスクはハーフトーンマスクである露光方法。
(付記13)
付記1において、前記ホール直上の配線溝またはその近傍領域の露光量は、その配線溝または近傍領域下層のビアホールの密度に応じて設定され、前記密度が第1の密度より高い領域での露光量は、前記密度が前記第1の密度よりも低い領域での露光量よりも大きい露光方法。(9)
(付記14)
付記1において、露光用光源波長は約250nmよりも短い露光方法。
(付記15)
付記1において、前記ホールは、空孔の存在によって誘電率が低下した絶縁膜と、少なくともハードマスク層、エッチングストッパ層とを貫通する露光方法。
(付記16)
付記15において、絶縁膜は、無機シロキサンまたは有機シロキサンである露光方法。(付記17)
付記15において、ハードマスク層は少なくともSiO、SiC、SiOC、SiOCNまたはSiN膜からなる露光方法。
(付記18)
半導体装置の基板にホールが加工された後に化学増幅型のレジストに配線溝のパターンを露光する工程と、
摂氏100度から200度の温度で前記基板を加熱する工程と、
前記ホールの直上で配線溝のパターンが露光されたレジスト部分をさらに加熱する工程を有するレジストパターンの形成方法。(10)
(付記19)
付記18において、少なくともホール直上部分の加熱は、波長が約250nmよりも長い光によるレジストパターンの形成方法。
(付記20)
ホールを含む半導体装置の製造方法であり、
半導体装置の基板にホールが加工された後に放射線を照射する工程と、
放射線の照射後に化学増幅型のレジストを塗付する工程とを有する半導体装置の製造方法。
(付記21)
付記20において、放射線は、波長が約250nmよりも短い紫外線である半導体装置の製造方法。
(付記22)
付記20において、放射線は、水素を含むガスのプラズマから放射される半導体装置の製造方法。
(付記23)
ホールを含む半導体装置の製造方法であり、
半導体装置の基板にホールが加工された後に前記基板を摂氏100度から400度にて加熱するとともに放射線を照射する工程と、
前記加熱および放射線の照射後に化学増幅型のレジストを塗付する工程とを有する半導体装置の製造方法。
(付記24)
付記20または23において、前記ホールは、空孔の存在によって誘電率が低下した絶縁膜と、少なくともハードマスク層、エッチングストッパ層とを貫通している半導体装置の製造方法。
(付記25)
付記24において、絶縁膜は、無機シロキサンまたは有機シロキサンである半導体装置の製造方法。
(付記26)
付記24において、ハードマスク層は少なくともSiO、SiC、SiOC、SiOCNまたはSiN膜からなる半導体装置の製造方法。
11、12、13 配線パターン
14、15 補助パターン
101 半導体基板
102 層間膜
103 マスク薄膜(ハードマスク層)
121 エッチングストッパ
116 レジスト
117 配線パターン
118 開口不良
119 配線パターン
Claims (10)
- 半導体装置の基板にホールが加工された後に実行される露光方法であり、
露光によってマスク上のパターンを前記ホールの上層に転写し、配線溝を形成する露光工程を有し、
前記ホール直上の配線溝または前記ホール近傍の配線溝のレジストパターンを形成する露光量が、前記ホール直上から離間した位置の配線溝のレジストパターンを形成する露光量よりも多い露光方法。 - 請求項1において、前記露光工程では、前記配線溝を露光するパターンに露光量を調整する補助パターンが付加されたマスクが用いられる露光方法。
- 請求項2において、前記ホールの密度が所定値より高い密ホール領域上層の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の、前記配線溝を露光するパターンと分離された開口である露光方法。
- 請求項2において、前記ホールの密度が所定値より高い密ホール領域上層の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の、前記配線溝を露光するパターンからの突起である露光方法。
- 請求項2から4のいずれかにおいて、前記ホールの密度が所定値より低い粗ホール領域で前記ホール直上の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法で、かつ、前記配線溝を露光するパターンと分離された開口、または、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法で、かつ、前記配線溝を露光するパターンからの突起である、露光方法。
- 請求項2において、前記補助パターンは、前記配線溝を露光するパターン内部に設けられ、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の多角形である露光方法。
- 請求項1において、前記露光工程では、前記ホール直上の配線溝またはその近傍の配線
溝を露光する被転写パターン部分の光透過率が、前記ホール直上から離間した位置の配線溝を露光する被転写パターン部分の光透過率よりも高い露光用マスクが用いられる露光方法。 - 請求項1において、前記露光工程では、一の露光箇所を2度繰り返して露光する2重露光工程を含む露光方法。
- 請求項1において、前記ホール直上の配線溝またはその近傍領域の露光量は、その配線溝または近傍領域下層のビアホールの密度に応じて設定され、前記密度が第1の密度より高い領域での露光量は、前記密度が前記第1の密度よりも低い領域での露光量よりも大きい露光方法。
- 半導体装置の基板にホールが加工された後に化学増幅型のレジストにレジストパターンを形成する露光量で配線溝のパターンを露光する工程と、
摂氏100度から200度の温度で前記基板を加熱する工程と、
前記ホールの直上で配線溝のレジストパターンを形成する露光量で露光されたレジスト部分をさらに加熱する工程を有するレジストパターンの形成方法。
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