JP4822457B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
H.Kondo et al., "Series Resistance in n−GaN/AlN/n−Si Heterojunction Structure"、Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45(2006)4015 H.M.Manasevit et al.,"The Use of Metalorganics in the Preparation of Semiconductor Materials",J.Electrochem.SOc.,118(1971)1864 P.Rajagopal et al.,"MOCVD AlGaN/GaN HFETs on Si:Challenges and Issues"、Material Society Symposium Proceedings, 798,61−66
図2を参照して、第1実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図2は、半導体装置の製造方法を説明するための図であり、横軸に時刻tを取って示し、縦軸に基板温度[℃]を取って示している。
図5を参照して、第2実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図5は、半導体装置の製造方法を説明するための図であり、横軸に時刻tを取って示し、縦軸に基板温度[℃]を取って示している。
Claims (7)
- 成長装置内に、FZ法で形成され抵抗率が[6kΩ・cm]以上のシリコン基板を導入する工程と、
前記成長装置内で前記シリコン基板を水素雰囲気中で、900[℃]〜1000[℃]の範囲の温度でクリーニングする工程と、
前記成長装置内を不活性ガス雰囲気にする工程と、
前記成長装置内を減圧する工程と、
前記シリコン基板の温度を成長温度である1100[℃]まで昇温する工程と、
前記成長装置内に原料ガスを導入して、前記シリコン基板上に有機金属気相成長法によりバッファ層として窒化アルミニウム層を形成する工程と
をこの順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記不活性ガス雰囲気を窒素雰囲気とする
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記成長装置内を減圧する工程では、
前記成長装置内を、6.7×103〜2.7×104[Pa]の範囲内の圧力とする
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記クリーニングを行う工程での、前記シリコン基板の温度を1000[℃]とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 成長装置内に、FZ法で形成され抵抗率が[6kΩ・cm]以上のシリコン基板を導入する工程と、
前記成長装置内で前記シリコン基板を水素雰囲気中で、900[℃]〜1000[℃]の範囲の温度でクリーニングする工程と、
前記成長装置内を減圧する工程と、
前記成長装置内に原料ガスを導入して、前記シリコン基板上に有機金属気相成長法によりバッファ層として窒化アルミニウム層を、前記シリコン基板の温度を1000[℃]で形成する工程と
をこの順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記成長装置内を減圧する工程では、
前記成長装置内を、6.7×103〜2.7×104[Pa]の範囲内の圧力とする
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記クリーニングを行う工程において、前記シリコン基板の温度を1000[℃]とすることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
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