JP4814500B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第5の実施形態について図8及び図9を参照しながら説明する。
以下、本発明の第6の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第7の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図12を参照しながら説明する。
102、202、302、402、502、602、702 バッファ層
103、203、303、403、503、603、703、704 アンドープ層
104、204、304、404 n型クラッド層
105、305、405 活性層
106、206、306、406 p型クラッド層
107、207、407 p型透明電極
108、208、307、408 p型電極
109、209、308、409 p型電極パッド
110、210、310、410、706 n型電極
111、211、311、411、707 n型電極パッド
112、212、312、412、710 側面に厚く形成された酸化膜
113、213、313、413、711b 結晶欠陥に深く酸化された酸化膜
205 受光能動層
314 リッジ導波路
504、505、506、604、605、606 酸化層
705 チャネル層
708 ゲート絶縁膜
709 ゲート電極
711a 素子分離酸化膜
Claims (11)
- 基板上に形成された第1の半導体層よりなる能動層を備え、該能動層中に電流が流れることにより動作する半導体装置であって、
前記能動層の第1の主面から該第1の主面とは反対側の第2の主面に貫通するように結晶欠陥が存在し、
前記能動層には、前記結晶欠陥を取り囲むように該結晶欠陥の周囲に選択的に形成され、該結晶欠陥の位置において層厚の極大値を有し、前記能動層の前記第1の主面から前記第2の主面に貫通する酸化層よりなる第1の酸化領域が形成されていることを特徴する半導体装置。 - 前記能動層の上に形成された第2の半導体層をさらに備えており、
前記第2の半導体層における表面及び側面のうち少なくとも一方には、酸化層よりなる第2の酸化領域が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2の半導体層における側面に形成される前記第2の酸化領域の層厚は、前記第2の半導体層における表面に形成される前記第2の酸化領域の層厚よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記能動層における側面には酸化層よりなる第3の酸化領域が形成されており、
前記能動層における側面に形成された前記第3の酸化領域の層厚は、前記第2の半導体層における側面に形成される前記第2の酸化領域の層厚よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記能動層は、発光ダイオードの活性層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記能動層は、フォトダイオードの光吸収層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記能動層は、半導体レーザの活性層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記能動層は、電界効果トランジスタのチャネル層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板と前記能動層との間に形成された第3の半導体層をさらに備えており、
前記第1の酸化領域は、前記結晶欠陥の位置において、前記能動層を貫通して前記第3の半導体層中に到達しており、
前記第1の酸化領域の断面形状は、径が前記能動層側から前記基板側に向かって小さくなるテーパー形状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 能動層中に電流が流れることにより動作する半導体装置の製造方法であって、
基板上に半導体層よりなる前記能動層を形成する工程と、
前記能動層の第1の主面から該第1の主面とは反対側の第2の主面に貫通するように存在する結晶欠陥を取り囲むように、酸化層よりなる酸化領域を、前記能動層の前記第1の主面から前記第2の主面に貫通するように選択的に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸化領域を選択的に形成する工程は、水蒸気を含む雰囲気中での熱処理により、前記酸化領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004226898A JP4814500B2 (ja) | 2003-08-07 | 2004-08-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003288750 | 2003-08-07 | ||
JP2003288750 | 2003-08-07 | ||
JP2004226898A JP4814500B2 (ja) | 2003-08-07 | 2004-08-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005072571A JP2005072571A (ja) | 2005-03-17 |
JP4814500B2 true JP4814500B2 (ja) | 2011-11-16 |
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ID=34425253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004226898A Expired - Fee Related JP4814500B2 (ja) | 2003-08-07 | 2004-08-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4814500B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008034482A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
JP5151166B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-02-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
WO2016051857A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267555A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3786907B2 (ja) * | 2001-09-17 | 2006-06-21 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
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2004
- 2004-08-03 JP JP2004226898A patent/JP4814500B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005072571A (ja) | 2005-03-17 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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