JP2003229413A

JP2003229413A - ドライエッチング方法

Info

Publication number: JP2003229413A
Application number: JP2002026280A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Yamada; 篤志山田; Takeshi Sugawara; 岳菅原; Toshiya Yokogawa; 俊哉横川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-02-04
Filing date: 2002-02-04
Publication date: 2003-08-15
Anticipated expiration: 2022-02-04
Also published as: JP3812452B2

Abstract

(57)【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチ
ングにおけるエッチングストップ層の開発が切望されて
いる。また、ドライエッチング工程ではエッチングされ
た面にダメージが入ることがあり、これが素子の特性を
劣化させる原因となっていることがあり、ダメージの無
いあるいは少ないドライエッチング方法の開発が望まれ
ている。【解決手段】窒化物半導体においてＩｎを含む層をエ
ッチングストップ層として用い、塩素系のガスを含むエ
ッチングガスによりドライエッチングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は窒化物半導体の半導
体素子とその製造に用いられるドライエッチング方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｉｎ
ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓＰなどの
窒化ガリウム系化合物半導体は、高い絶縁耐圧、高い熱
伝導度、高い飽和電子速度を有していることから、高周
波のパワートランジスタ用材料として有望である。Ａｌ
ＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造を用いたＨＥＭＴ構造にお
いては、ＧａＮ膜中のヘテロ界面近傍に高い濃度の２次
元電子ガス（２ＤＥＧ）が蓄積される。この２次元電子
ガスはＡｌＧａＮ膜にドーピングされたドナー不純物と
空間的に分離され蓄積されるため高い電子移動度を示す
ことから、低いソース抵抗が得られる。またこの２次元
電子ガスは高電界領域においても高い飽和電子速度を有
しているので、高い遮断周波数などの高周波特性が期待
されている。

【０００３】また上記の窒化ガリウム系化合物半導体は
直接遷移型のバンド構造を有しており、ＧａＩｎＮＡｓ
を用いれば長波長では赤外まで、ＡｌＧａＮを用いれば
短波長では紫外までの発光が得られる広い範囲のバンド
ギャップエネルギを取ることが可能であり、窒化ガリウ
ム系化合物半導体を用いた発光素子や半導体レーザに関
する研究も盛んに行われている。

【０００４】すでに、窒化ガリウム系化合物半導体をサ
ファイア基板上に積層した高輝度青色ＬＥＤが実用化さ
れており、また同様に青紫色半導体レーザも発表等での
寿命は５０００時間を越え実用化に近いところまで来て
いる。青紫色窒化物半導体レーザが実用化されれば、光
ディスクの記録容量を片面単層２５ＧＢ以上に高めるこ
とができることから実用化と高信頼化が求められてい
る。また、紫外の発光をする素子も、蛍光体の励起用と
して紫外ＬＥＤを用いた白色光源等が提案されているこ
とから、潜在的な需要は大きく活発な研究が行われてい
る。光通信用である波長１．５５μｍの発光をする窒化
ガリウム系化合物半導体レーザは、閾値電流の温度依存
性を表す特性温度が現在実用化されているＩｎＰ系のも
のにくらべて向上すると言われており学会等で精力的に
発表されている。

【０００５】この様に窒化ガリウム系化合物半導体は発
光デバイス、電子デバイスどちらから見ても有用な材料
系であり、窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャ
ル成長、プロセス、評価等の技術の開発が強く望まれて
いる。プロセス技術の点では窒化ガリウム系化合物半導
体は化学的に安定であり、ウェットエッチングが困難で
ある事が知られている。よって、窒化ガリウム系化合物
半導体を用いた素子の作成プロセス中のエッチングには
主にドライエッチングが用いられる。ドライエッチング
の際にはエッチングガスとして一般に塩素系のガス、例
えば塩素Ｃｌ₂、四塩化炭素ＣＣｌ₄、四塩化珪素ＳｉＣ
ｌ₄、三塩化ホウ素ＢＣｌ₃等が用いられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】窒化ガリウム系化合物
半導体におけるドライエッチングでは、現在まで有効な
エッチングストッパー層が見出されていない。そのた
め、ドライエッチング工程でのエッチング厚みの制御は
時間制御が用いられてきた。時間制御ではÅ単位の制御
性のあるエッチングができず、そのため作成される素子
の性能も不安定になる。

【０００７】実際、窒化物半導体レーザの製作における
リッジストライプの形成の際にはｐ型クラッド層を１０
００Å残す様にエッチングする必要があり、その際には
高精度のエッチング厚み制御が求められる。しかし、現
状の技術では時間制御の為にエッチング厚みに設計との
差異またはロット間でのばらつきが生じ、これが原因と
なって閾値電流の増大や電流−電圧特性の劣化と言った
弊害をもたらす。

【０００８】また、エッチングチャンバ内のエッチング
ガスの気流や試料の異方性などによっても、試料の面内
でのエッチング厚みのばらつきが生じる。この試料面内
のエッチング厚みのばらつきも、おなじく閾値の増大や
電流−電圧特性の劣化を引き起こし素子の歩留まりを下
げることになる。

【０００９】この様な事情から膜厚を精度良く制御する
ために窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング
におけるエッチングストップ層の開発が切望されてい
る。また、ドライエッチング工程ではエッチングされた
面にダメージが入ることがあり、これが素子の特性を劣
化させる原因となっていることがあり、ダメージの無い
あるいは少ないドライエッチング方法の開発が望まれて
いる。

【００１０】本発明では膜厚を精度良く制御するための
エッチングストップ層とダメージの少ないエッチング方
法と、それらにより実現される半導体素子を提供するも
のである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に記載のドライエ
ッチング方法は、上記問題点を克服するものである。Ｉ
ｎを含む層をエッチングストップ層として用い、塩素系
のエッチングガスを用いることを特徴とする窒化物半導
体のドライエッチング方法である。以下、本発明を詳細
に説明する。

【００１２】ドライエッチングにおけるエッチングスト
ップ層が有効に機能する場合の原理としては、エッチン
グ進行中にエッチングストップ層と主にエッチングガス
との反応において生成される反応生成物がエッチングス
トップ層以外とエッチングガスとの反応生成物よりも安
定な物質であることを利用する場合、もしくはエッチン
グストップ層のエッチングに対するエネルギ的なしきい
値の高さを利用する場合の２つが良く利用される。本発
明では前者の反応生成物が安定であることを利用する。

【００１３】塩素系のガス、例えば塩素Ｃｌ₂、四塩化
炭素ＣＣｌ₄、四塩化珪素ＳｉＣｌ₄、三塩化ホウ素ＢＣ
ｌ₃等による窒化物半導体のエッチング中の反応式は以
下のように表せる。

【００１４】６Ｃｌ＋２Ｍ^*Ｎ → ２Ｍ^*Ｃｌ₃＋Ｎ₂ ここで塩素の供給形態は用いたガスの種類やエッチング
時の条件により変化するが、簡便のためにただＣｌとだ
け表記した。Ｍ^*はIII族の金属、この場合は主にＡｌ、
Ｇａ、Ｉｎのいずれかを表す。

【００１５】この式は塩素と窒化物半導体の反応により
III族元素の塩化物が生成され、気化してエッチング表
面から脱離することをあらわしている。Ｉｎと塩素の化
合物であり、塩素系のガスを用いたドライエッチング中
に生成されるＩｎＣｌ₃はＡｌやＧａの塩素化合物Ａｌ
Ｃｌ₃、ＧａＣｌ₃と比べて高い沸点を有している。具体
的にはＩｎＣｌ₃が５８３℃、ＡｌＣｌ₃が１８０℃、Ｇ
ａＣｌ₃が２０１℃である。

【００１６】これはＩｎの塩素化合物の蒸気圧が低いと
いうことであり、よってエッチング中に生成されるＩｎ
の塩化物であるＩｎＣｌ₃は蒸気圧が低いことから、上
記の塩素との反応そして気化脱離という化学的なエッチ
ング機構中においての気化の部分が起こりにくく、イオ
ンによるアシストや物理的なスパッタリングの効果を利
用しなければ他のＡｌとＧａの塩素化物と比べて本来エ
ッチングされにくい。したがってＩｎを含む層において
塩素系のガスを用いたエッチング中に表面に形成される
Ｉｎの塩素化合物は他のエッチング生成物に比べてエッ
チングに対して安定な層を形成することができる。

【００１７】しかし窒化物半導体に対して行われている
通常のエッチング条件ではＩｎを含む層も問題無くエッ
チングされる。これは窒化物半導体に対して行われてい
る通常のエッチング条件ではＩｎＣｌ₃の気化脱離が容
易に行われていることを示している。またＩｎを含む層
のエッチングレートがＩｎを含まない層のエッチングレ
ートよりも大きいとする本発明と逆の結果も報告されて
いる。これらは窒化物半導体のIII族と窒素の結合エネ
ルギが高いことから、通常のドライエッチングプロセス
ではまずこのIII族と窒素の結合を切るために低い圧力
や試料への高いバイアスといった厳しいエッチング条件
が設定されているために生じる結果である。

【００１８】我々は窒化物半導体のエッチングとＩｎを
含む層をエッチングストップ層として用いることを両立
させることが可能であることを見出したので、これを用
いて高い膜厚制御性を有したドライエッチング方法を提
供する。

【００１９】具体的にはIII族と窒素の結合を切ること
ができ、ＩｎＣｌ₃が気化脱離しにくい条件でエッチン
グを行えば良い。そのような条件とは反応生成物の気化
脱離を防ぐという観点から圧力は高いほうが望ましく、
試料は冷却することが望ましい。また試料に印加するバ
イアスは低い方がよい。図１にエッチングガスの圧力に
対するＧａＮとＧａＩｎＮのエッチングレート依存性を
示した。図１中においてある圧力を境にＧａＮとＧａＩ
ｎＮのエッチングレートが入れ替わっている、この点よ
り圧力の高い部分においてはＧａＮよりもＧａＩｎＮの
エッチングレートの方が小さく、選択比が１より大きく
なりＧａＮに対してＧａＩｎＮ層をエッチングストップ
層として利用することが可能である。このエッチングレ
ートの差は試料を冷却することにより大きくなるので、
より大きな選択比を得ることができるため試料は冷却し
た方が良い。また印加するバイアスが低い方が、物理的
なスパッタリングの効果が抑制されるので選択比が大き
くなる。

【００２０】なお、これらの条件のもとではエッチング
レートが減少するので、エッチングストップ層から離れ
た部分では通常の条件でエッチングを行い、エッチング
ストップ層の近傍のみでこれらの条件を採用したエッチ
ングを行うことでエッチング時間を現実的な範囲に収め
ることができ、スループットと制御性や素子の性能の両
方を満足することができる。

【００２１】また、エッチングの際にプラズマを立てや
すくする為にエッチングガス中に塩素に加えて希ガス
（Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎｅ）を添加する事があるが、本
発明においては物理的なスパッタリング効果を抑制する
という観点から望ましくない。

【００２２】以上のことを利用すればＩｎを含む層をエ
ッチングストップ層として用いることが出来る。

【００２３】なお説明の中ではＶ族の元素としてＮのみ
を取り上げたが、III族とＰ、Ａｓとの結合エネルギは
Ｎとの結合エネルギに比べて低く、エッチングは問題な
く進行するためＮに加えてＰ、Ａｓを含有する系におい
ても本発明は問題無く適応できる。

【００２４】なおエッチングストップ層中のＩｎの組成
は高いほうが良く出来れば２０％以上が望ましい、しか
しＩｎの組成の高いＧａＩｎＮではＧａＮ上あるいは、
ＡｌＧａＮ上の格子整合条件から外れてしまい格子の不
整合を生じ、欠陥やクラックの要因となり好ましくな
い。そのため、エッチングストップ層をＩｎＧａＮでは
なく格子不整合を小さくするようにＡｌをくわえＡｌＧ
ａＩｎＮ層とすることにより欠陥やクラックの発生を抑
制することもできる。

【００２５】また、本発明によるエッチング方法を用い
れば、通常のドライエッチングに比べて緩やかな条件で
エッチングを行っているため、ドライエッチングによる
ダメージを低減することができる。

【００２６】また、他の窒化物系半導体のエッチングス
トップ層として酸化物膜を形成するようなドライエッチ
ング方法もあるが、その場合酸化物膜が強固であるため
にドライエッチング後の酸化物膜の除去が困難であった
り、新たなダメージ源となったりすることがある。本発
明におけるエッチング方法では生成されるＩｎＣｌ₃は
酸化物と比べると格段に除去しやすい、例えば真空中で
加熱処理を施すことにより除去することが可能である、
このためドライエッチング工程でのダメージを極力低減
することができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】（実施例１）図２は本発明の電子
デバイスに対する適応の１実施例である、ＡｌＧａＮ／
ＧａＮへテロ構造を用いたＨＥＭＴ構造の電界効果トラ
ンジスタの断面図である。図２に示すように、炭化珪素
またはサファイアからなる基板２０１上に、５０ｎｍ厚
のＡｌＮバッファ層２０２を介して、１５００ｎｍ厚の
ＧａＮチャンネル層２０３、１５ｎｍ厚のｎ型ＡｌＧａ
Ｎ電子供給層２０５、ｎ型ＧａＩｎＮエッチングストッ
プ層２２０、ｎ型ＧａＮキャップ層２０６が順次形成さ
れている。ＡｌＧａＮ電子供給層２０５のＡｌ組成は例
えば０．２であり、ｎ型ＧａＩｎＮエッチングストップ
層２２０のＩｎ組成は０．２である。このＡｌＧａＮ電
子供給層２０５におけるＳｉのｎ型不純物濃度は例えば
２×１０¹⁸ｃｍ^-3程度添加されている。ＡｌＧａＮ電子
供給層２０５上のｎ型ＧａＮキャップ層２０６における
Ｓｉのｎ型不純物濃度は例えば５×１０¹⁸ｃｍ^-3程度添
加されている。またｎ型ＧａＮキャップ層２０６の所定
の領域にエッチングを施し凹部を形成し、その凹部内に
ゲート電極２０７が形成されている。またｎ型ＧａＮキ
ャップ層２０６上のゲート電極２０７両側にソース電極
２０８およびドレイン電極２０９が形成されている。

【００２８】本実施例においては、ｎ型ＧａＮキャップ
層２０６をエッチングするがキャップ層の膜厚が薄いの
で、エッチングレートは遅いが制御性を優先しＩｎを含
む層がエッチングストップ層として働く条件でエッチン
グを行う。

【００２９】エッチング後も残したい部分にフォトリソ
グラフィー手法を用いてマスクを形成し、ＩＣＰエッチ
ング装置にてドライエッチングを行う。エッチングチャ
ンバは試料導入前に本番と同条件でプリエッチングして
おき、不純物の混入を避けるために２×１０^-4［Ｐａ］
以下まで真空に引いてからエッチングチャンバ内に試料
を導入する。エッチングガスとして塩素を用い全流量は
１００ｓｃｃｍとし、エッチング中のチャンバ内圧力は
３［Ｐａ］とした。チャンバ内に導入した試料はエッチ
ングストップ層に対する選択比を高める為に−３０〜２
０℃程度に冷却した。エッチング時間は通常のエッチン
グレートで計算されるよりも長めに行った。塩素による
エッチング終了後、エッチングにより生成されたＩｎＣ
ｌ₃を除去するためにＡｒとＮ₂の混合ガスによりドライ
エッチングを行った。

【００３０】上述のように本発明のドライエッチングに
よってｎ型ＧａＮキャップ層２０６に対してエッチング
を行って、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層２０５とｎ型Ｇａ
ＩｎＮエッチングストップ層２２０のヘテロ界面までゲ
ート領域となる凹部をＦＥＴのゲート長が０．５μｍ程
度となるよう形成した。この凹部にニッケルと金とを積
層し、リフトオフ法を用いてゲート電極２０７を形成し
た。

【００３１】本実施例においては、ＧａＮチャンネル層
２０３とｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層２０５とのヘテロ界
面近傍に高濃度の２次元電子ガス（２ＤＥＧ）２０４が
形成される。したがってゲート電極２０７に電圧を印加
することにより２次元電子ガス２０４の濃度を制御する
ことによってＦＥＴのスイッチング動作が実現できる。
このときゲート電極２０７と２次元電子ガス２０４が形
成されるヘテロ界面との距離は、その２次元電子ガスの
濃度を決め、その結果ＦＥＴの閾値電圧Ｖ_thおよび一定
のゲートバイアス下におけるドレイン電流を決定する。
しかし、本発明のドライエッチングにおいては、エッチ
ングがｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層２０５上のｎ型ＧａＩ
ｎＮエッチングストップ層２２０において制御性よく停
止することができるため、上述のヘテロ界面とゲート電
極２０７との距離がばらつくことなく良好に深さを制御
できる、よってウエハ面内またはロット間の閾値電圧Ｖ
_thおよびＦＥＴのドレイン電流のばらつきを小さくする
ことが可能となる。

【００３２】（実施例２）図３は本発明の一実施例によ
る半導体レーザ素子の断面をあらわしている。以下詳細
に説明する。サファイアＣ面基板上３０１に、ＭＯＣＶ
Ｄ（有機金属気相成長法）をもちいて以下の構造を順次
積層する。なおＭＢＥ（分子線エピタキシー）やＨＶＰ
Ｅ（ハイドライド気相成長法）等の他の結晶成長方法を
用いて以下の構造を積層しても問題はない。また、基板
は本実施例ではサファイアＣ面基板を使用したが、選択
成長基板、炭化珪素基板、ＧａＮ基板、もしくはＡｌＧ
ａＮ基板等他の基板を使用しても何ら問題はない。

【００３３】ｎ型ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層３
０２、ｎ型ＧａＮ層３０３、ｎ型Ｇａ_0.8Ｉｎ_0.2Ｎエッ
チングストップ層３５１、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎクラ
ッド層３０４、ｎ型ＧａＮ光ガイド層３０５、ＧａＩｎ
Ｎ／ＧａＮ多重量子井戸活性層３０６、ｐ型ＧａＮ光ガ
イド層３０７、第一ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎクラッド層
３５２、ｐ型Ｇａ_0.8Ｉｎ_0.2Ｎエッチングストップ層３
５３、第二ｐ型Ａｌ_0. ₀₇Ｇａ_0.93Ｎクラッド層３５４、
ｐ型ＧａＮコンタクト層３０９を順次積層する。第一ｐ
型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎクラッド層３５２の膜厚は光の閉
じ込めを考慮し１０００Å程度が良い。

【００３４】Ａｌを含むクラッド層の中間にＩｎを含む
エッチングストップ層を形成するのは成長温度が異なる
ためにＩｎ組成を高くするのが比較的難しいため本実施
例ではＩｎ組成を２０％とした。

【００３５】次にｐ型層の活性化の為に７００〜９００
℃で２０分間のアニールを行う。続いて窒化物半導体上
にドライエッチング用のマスクを積層する、エッチング
用のマスクとしてはＳｉＯ₂、ＳｉＮ、フォトレジスト
等が挙げられる。積層したマスクを通常のフォトリソグ
ラフィー技術によりストライプ状にパタン化しマスクと
して使用する。マスクを形成した後にＩＣＰドライエッ
チング装置を用いてエッチングする。エッチングガスと
して塩素を用いる。

【００３６】ドライエッチングの際にまずは塩素のみに
て途中までエッチングを行う。第二ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ
_0.93Ｎクラッド層３５４の厚みは４０００Åとしてお
り、塩素のみによるドライエッチングのエッチングレー
トが１５００Å／ｍｉｎの場合、レートのばらつきを考
慮し第二ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎクラッド層３５４を５
００Å程度残してエッチングしたいため１４０秒間エッ
チングを行う。１４０秒経過した時点で試料に加えてい
るＲＦバイアスを下げ、圧力を上げる、これによりエッ
チングレートは減少するがＩｎを含む層がエッチングス
トップ層として働く条件に変更する。なお、この変化は
段階的もしくは連続的に行っても良い。前述したように
エッチングストップ層に到達した後エッチングされた面
にＩｎＣｌ₃が形成されエッチングが停止する。エッチ
ング後にはエッチング表面にエッチング表面全面を覆う
ようにＩｎＣｌ₃が形成されている。このＩｎＣｌ₃は引
き続きエッチングチャンバ中で加熱を行うことにより除
去して次の工程に影響が出ないようにする。その結果所
望の膜厚を有した第一ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎクラッド
層３５２上にリッジストライプが形成される。

【００３７】続いて絶縁膜３１１の形成、ｐ電極３１０
とｎ電極３１２の形成、素子分離等の工程を経て半導体
レーザ素子が完成する。得られた半導体レーザ素子はロ
ット間、あるいはロット内でも第一ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ
_0.93Ｎクラッド層３５２の膜厚は均一で設計値通りの厚
みを有しており、光の閉じ込めと電流の狭窄が安定化さ
れていることから、エッチングストップ層を用いない素
子に比べて閾値電流の低下が観察された。またウエハ面
内でのばらつきが押さえられているため歩留まりも向上
していた。

【００３８】

【発明の効果】本願発明によれば、ドライエッチング工
程ではエッチングされた面にダメージが入ることがほと
んどなく（あるいは少なく）、その結果、素子の特性を
劣化させる原因となることがない（あるいは殆どな
い）。

【図面の簡単な説明】

【図１】圧力に対するエッチングレートの依存性を示す
図

【図２】本発明の一実施例によるエッチングストップ層
を持つＦＥＴ構造の断面図

【図３】本発明の一実施例によるエッチングストップ層
を持つレーザ構造の断面図

【符号の説明】

２０１基板２０２ＡｌＮバッファ層２０３ＧａＮチャンネル層２０４２ＤＥＧ２０５ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層２０６ｎ型ＧａＮキャップ層２０７ゲート電極２０８ソース電極２０９ドレイン電極２２０ｎ型ＧａＩｎＮエッチングストップ層３０１サファイア基板３０２ｎ型ＡｌＧａＮバッファ層３０３ｎ型ＧａＮ層３０４ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎクラッド層３０５ｎ型ＧａＮ光ガイド層３０６ＧａＩｎＮ／ＧａＮ多重量子井戸活性層３０７ｐ型ＧａＮ光ガイド層３０８ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎクラッド層３０９ｐ型ＧａＮコンタクト層３１０ｐ電極３１１絶縁膜３１２ｎ電極３５１ｎ型Ｇａ_0.8Ｉｎ_0.2Ｎエッチングストップ層３５２第一ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎクラッド層３５３ｐ型Ｇａ_0.8Ｉｎ_0.2Ｎエッチングストップ層３５４第二ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎクラッド層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者横川俊哉大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5F004 DA04 DA05 DA11 DA13 DA22 DA23 DB19 EA06 EA07 EA10 EA23 EA28 EA34 FA07 5F073 AA04 AA45 AA53 AA74 CA07 CB05 DA05 DA16 DA22 DA24 EA29 5F102 GB01 GC01 GD01 GJ10 GK04 GL04 GM04 GM08 GN04 GQ01 GR04 GR10 GT03 HC15 HC19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】窒化物半導体においてＩｎを含む層をエ
ッチングストップ層として用い、塩素系のガスを含むエ
ッチングガスによりドライエッチングを行うことを特徴
とする窒化物半導体のドライエッチング方法。
【請求項２】エッチング後の表面にＩｎ塩化物が形成
されていることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導
体のドライエッチング方法。
【請求項３】エッチング後の表面に形成されたＩｎ塩
化物をウェットエッチングにより除去することを特徴と
する請求項１記載の窒化物半導体のドライエッチング方
法。
【請求項４】エッチング後の表面に形成されたＩｎ塩
化物を真空中あるいは不活性ガス中での処理により除去
することを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体のド
ライエッチング方法。
【請求項５】エッチング後の表面に形成されたＩｎ塩
化物を真空中あるいは不活性ガス中での加熱処理により
除去することを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体
のドライエッチング方法。
【請求項６】エッチング後の表面に形成されたＩｎ塩
化物を真空中あるいは不活性ガス中でのドライエッチン
グ処理により除去することを特徴とする請求項１記載の
窒化物半導体のドライエッチング方法。
【請求項７】 III族元素としてＡｌ、Ｇａ、Ｉｎのう
ち少なくとも一つを含み、Ｖ族元素としてＮもしくはＮ
に加えてＰ、Ａｓの少なくとも一つを含む窒化物半導体
によりなる半導体素子であって、基板上に少なくとも３
層以上の窒化物半導体層が積層されており、その層の内
の少なくとも一つ以上の層がその前後の層よりも高いＩ
ｎ組成を有しており、その高いＩｎ組成を有する層がエ
ッチングストップ層として働くことを特徴とする半導体
素子。