JP2005072571A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置は、サファイア基板101上に形成された第1の半導体層よりなる能動層(活性層)105を備えている。能動層(活性層)105には、酸化層よりなる第1の酸化領域が形成されている。
【選択図】 図1
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第5の実施形態について図8及び図9を参照しながら説明する。
以下、本発明の第6の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
以下、本発明の第7の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図12を参照しながら説明する。
102、202、302、402、502、602、702 バッファ層
103、203、303、403、503、603、703、704 アンドープ層
104、204、304、404 n型クラッド層
105、305、405 活性層
106、206、306、406 p型クラッド層
107、207、407 p型透明電極
108、208、307、408 p型電極
109、209、308、409 p型電極パッド
110、210、310、410、706 n型電極
111、211、311、411、707 n型電極パッド
112、212、312、412、710 側面に厚く形成された酸化膜
113、213、313、413、711b 結晶欠陥に深く酸化された酸化膜
205 受光能動層
314 リッジ導波路
504、505、506、604、605、606 酸化層
705 チャネル層
708 ゲート絶縁膜
709 ゲート電極
711a 素子分離酸化膜
Claims (17)
- 基板上に形成された第1の半導体層よりなる能動層を備えた半導体装置であって、
前記能動層には、酸化層よりなる第1の酸化領域が形成されていることを特徴する半導体装置。 - 前記第1の酸化領域は、前記能動層に存在する結晶欠陥の近傍に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記能動層の上に形成された第2の半導体層をさらに備えており、
前記第2の半導体層における表面及び側面のうち少なくとも一方には、酸化層よりなる第2の酸化領域が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2の半導体層における側面に形成される前記第2の酸化領域の層厚は、前記第2の半導体層における表面に形成される前記第2の酸化領域の層厚よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1の酸化領域は、前記能動層における側面にさらに形成されており、
前記能動層における側面に形成された前記第1の酸化領域の層厚は、前記第2の半導体層における側面に形成される前記第2の酸化領域の層厚よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 基板上に形成された第1の半導体層よりなる能動層と、前記能動層の上に形成された第2の半導体層とを備えた半導体装置であって、
前記能動層には、酸化層よりなる第1の酸化領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記能動層は、発光ダイオードの活性層であることを特徴とする請求項1又は6に記載の半導体装置。
- 前記能動層は、フォトダイオードの光吸収層であることを特徴とする請求項1又は6に記載の半導体装置。
- 前記能動層は、半導体レーザの活性層であることを特徴とする請求項1又は6に記載の半導体装置。
- 前記能動層は、電界効果トランジスタのチャネル層であることを特徴とする請求項1又は6に記載の半導体装置。
- 基板上に半導体層よりなる能動層を形成する工程と、
前記能動層に酸化層よりなる酸化領域を選択的に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸化領域を選択的に形成する工程は、前記能動層に存在する結晶欠陥の近傍に、前記酸化領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化領域を選択的に形成する工程は、水蒸気を含む雰囲気中での熱処理により、前記酸化領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上に第1の半導体層よりなる能動層を形成する工程と、
前記能動層の上に第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層における面方位が異なる少なくとも2つの面に、酸化層よりなる酸化領域を選択的に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸化領域を選択的に形成する工程は、前記少なくとも2つの面の各々に形成される前記酸化領域の各々の層厚が互いに異なるように、前記酸化領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記少なくとも2つの面のうちの1つの面は、前記第2の半導体層におけるc面方位を有する面であることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の半導体層における前記c面方位を有する面上に形成される前記酸化領域の層厚は、前記第2の半導体層における前記c面方位を有する面とは異なる面に形成される前記酸化領域の層厚よりも小さいことを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (3)
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JP2003288750 | 2003-08-07 | ||
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JP2004226898A JP4814500B2 (ja) | 2003-08-07 | 2004-08-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2005072571A true JP2005072571A (ja) | 2005-03-17 |
JP4814500B2 JP4814500B2 (ja) | 2011-11-16 |
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JP2008034482A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
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