JP4811882B2

JP4811882B2 - 基板熱処理装置

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Publication number: JP4811882B2
Application number: JP2009078160A
Authority: JP
Inventors: 康弘高木; 辰也川路; 喜輝福田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2009-03-27
Filing date: 2009-03-27
Publication date: 2011-11-09
Anticipated expiration: 2029-03-27
Also published as: KR20100108185A; KR101486598B1; JP2010232415A

Description

この発明は、例えば半導体ウエハやフラット・パネル・ディスプレー基板（ＦＰＤ基板）等の基板熱処理装置に関するものである。

一般に、フォトリソグラフィ技術においては、基板にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連の工程によって行われている。

このようなフォトリソグラフィ技術においては、レジスト塗布後の加熱処理（プリベーク）、露光後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）、現像処理後の加熱処理（ポストベーク）等の種々の加熱処理が施されている。

従来のこの種の加熱処理は、通常加熱処理装置で行われている。この加熱処理装置は、基板を載置して熱処理する熱処理板の基板載置面に、基板を吸引するための複数の吸引口を設け、各吸引口に雌ねじ部を設け、この雌ねじ部にコネクタを螺合して吸引管を接続して、吸引管を負圧発生装置等の吸引手段に接続している（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−３０００４７（段落００５１，００５２、図８）

しかしながら、特許文献１記載の熱処理装置においては、熱処理板に設けた吸引口に螺合するコネクタを介して吸引管を接続する構造であるため、熱処理板の面内の熱均一性が損なわれる懸念があり、また、コネクタの弛みによる熱伝導効率の低下の虞もある。また、複数設けられた吸引口に夫々コネクタを介して接続する吸引管を束ねて配管するため、熱処理板の歪みの要因となり、これにより熱均一性が低下する懸念もある。更には、配管構造が複雑であるため、熱処理板への配管部の組付けが面倒な上、熱処理板の点検や交換等のメンテナンス性を改善する必要がある。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、熱処理板への吸引管の接続を容易にすることができると共に、熱処理板の面内の熱均一性の維持が図れ、かつ、熱処理板の点検や交換等のメンテナンス性の向上が図れる基板熱処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、基板を載置して熱処理する熱処理板と、この熱処理板の基板載置面から裏面の厚さ方向に貫通して形成されて、上記熱板を加熱するヒータと干渉しない位置に設けられ、基板を吸引するために同心円状に設けられた複数の吸引口と、この各吸引口と吸引手段とを夫々に接続する複数の吸引管と、を具備する基板熱処理装置において、上記吸引管の一端に、上記吸引口の熱処理板下面の吸引部に密接させる断熱性及び可撓性を有する合成ゴム製の先端が蛇腹状に形成された接続部材と、上記複数の吸引管の他端と接続し、上記吸引管と連通する流路が設けられ、リング状に構成され一括して吸引するための吸引ベース部材と、上記吸引ベース部材に設けられる上記流路に連通する連通口と連通する上記吸引手段と、上記熱処理板に貫通した貫通孔を有し上下に昇降自在に構成され上記熱処理板に基板を載置させるときに基板裏面を支持する複数の支持ピンと、上記支持ピンを上下動させる昇降駆動機構と、上記吸引ベース部材のリング状の内方空間に設けられる上記支持ピンを保持する保持部材と、を備えることを特徴とする。

このように構成することにより、熱処理板に設けられた吸引口に、断熱性を有する接続部材を介して吸引管を押圧し密接することができる。また、熱処理板に設けられた複数の吸引口に複数の吸引管を同時にかつ同じ押圧状態に密接することができる。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板熱処理装置において、上記接続部材の先端に、外方に向かって拡開テーパ状の密接片が形成され、この密接片の裏面中間部に屈曲波形部が連結されると共に、この屈曲波形部の上記密接片に連結する先端波形部の肉厚を先端波形部以外の波形部の肉厚より薄く形成してなる、ことを特徴とする。

このように構成することにより、吸引手段の吸引時の負圧により、密接片の先端側が熱処理板に押圧されて密接する。

また、請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の基板熱処理装置において、上記吸引管内における上記吸引口側に、下方に向かって狭小テーパ状に形成される復元可能な可撓性を有する逆流抑制部材を配設し、上記吸引手段の吸引時の負圧により上記逆流抑制部材の開口部が拡径し、上記吸引手段の吸引停止時には開口部が復元して縮径可能に形成してなる、ことを特徴とする。

このように構成することにより、吸引手段の吸引時の負圧により逆流抑制部材の開口部が拡径し、吸引手段の吸引停止時には開口部が復元して縮径するので、吸引手段の吸引停止直後の昇華物等の吸引されたパーティクルの熱処理板側への逆流を抑制することができる。

また、請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板熱処理装置において、上記吸引管内の先端側に、吸引管内を流れる気体中に含まれるパーティクルを捕集する網目状のフィルタを嵌挿してなる、ことを特徴とする。

このように構成することにより、基板を熱処理板に吸着保持すると同時に、吸引管内を流れる気体中に含まれる例えば昇華物等の吸引されたパーティクルを網目状のフィルタによって除去することができる。

この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。

（１）請求項１記載の発明によれば、熱処理板に設けられた吸引口に、断熱性を有する接続部材を介して吸引管を押圧し密接することができるので、熱処理板への吸引管の組付けを容易にすることができると共に、熱処理板の点検・交換等を容易にすることができる。また、断熱性を有する接続部材を介して吸引管を熱処理板に押圧式に密接することにより、熱処理板の面内の熱均一性の維持が図れる。更にまた、吸引管を太いパイプ部材にて形成することができるので、吸引時の目詰まりの心配がなく、基板の吸着保持を安定させることができる。

（２）請求項２記載の発明によれば、吸引手段の吸引時の負圧により、密接片の先端側が熱処理板に押圧されて密接するので、上記（１）に加えて、更に熱処理板と吸引管との密接性の向上が図れる。

（３）請求項３記載の発明によれば、吸引手段の吸引停止直後の昇華物等の吸引されたパーティクルの熱処理板側への逆流を抑制することができるので、上記（１），（２）に加えて、更に熱処理される基板へのパーティクルの付着を抑制することができる。

（４）請求項４記載の発明によれば、基板を熱処理板に吸着保持すると同時に、吸引管内を流れる気体中に含まれる例えば昇華物等の吸引されたパーティクルを網目状のフィルタによって除去することができるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に熱処理される基板へのパーティクルの付着を抑制することができる。

（５）請求項１記載の発明によれば、熱処理板に設けられた複数の吸引口に複数の吸引管を同時にかつ同じ押圧状態に密接することができるので、上記（１）に加えて、更に熱処理板への吸引管の組付けを容易にすることができると共に、熱処理板の点検・交換等を容易にすることができる。

この発明に係る基板熱処理装置を適用したレジスト塗布・現像処理装置の一例を示す概略平面図である。上記レジスト塗布・現像処理装置の概略正面図である。上記レジスト塗布・現像処理装置の概略背面図である。この発明に係る基板熱処理装置を示す断面図である。上記基板熱処理装置の平面図である。上記基板熱処理装置の要部を示す側面図（ａ）、（ａ）のＩ部拡大断面図（ｂ）及び（ａ）のII部拡大断面図（ｃ）である。上記基板熱処理装置の要部を示す分解斜視図である。この発明における吸引管内に逆流抑制部材を配設した状態を示す断面図である。この発明における接続部材の変形例を示す拡大断面図である。この発明における吸引管内にフィルタを嵌挿した状態を示す拡大断面図である。

以下に、この発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板熱処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。

上記レジスト塗布・現像処理システム１は、図１に示すように、例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外部からレジスト塗布・現像処理システム１に対して搬入出すると共に、カセットＣに対してウエハＷを搬入出するカセットステーション２と、このカセットステーション２に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウエハＷの受け渡しをするインターフェース部４とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２は、カセット載置台５上の所定の位置に、複数のカセットＣを水平のＸ方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に沿って移動可能なウエハ搬送アーム７が設けられている。ウエハ搬送アーム７は、カセットＣに収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウエハＷに対して選択的にアクセスできるように構成されている。

また、ウエハ搬送アーム７は、Ｚ軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション３側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するトランジション装置（ＴＲＳ）３１に対してもアクセスできるように構成されている。

処理ステーション３は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。図１に示すように、処理ステーション３の正面側には、カセットステーション２側から第１の処理ユニット群Ｇ１，第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。また、処理ステーション３の背面側には、カセットステーション２側から第３の処理ユニット群Ｇ３，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４との間には、第１の搬送機構１１０が設けられている。第１の搬送機構１１０は、第１の処理ユニット群Ｇ１，第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送するように構成されている。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５との間には、第２の搬送機構１２０が設けられている。第２の搬送機構１２０は、第２の処理ユニット群Ｇ２，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送するように構成されている。

第１の処理ユニット群Ｇ１には、図２に示すように、ウエハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウエハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）１０，１１，１２、露光時の光の反射を防止するための反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３，１４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には、液処理ユニット、例えばウエハＷに現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２０〜２４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には、各処理ユニット群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室（ＣＨＭ）２５，２６がそれぞれ設けられている。

一方、第３の処理ユニット群Ｇ３には、図３に示すように、下から順に、温調ユニット（ＴＣＰ）３０、ウエハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置（ＴＲＳ）３１及び精度の高い温度管理下でウエハＷを加熱処理する熱処理ユニット（ＵＬＨＰ）３２〜３８が９段に重ねられている。

第４の処理ユニット群Ｇ４では、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）４０、レジスト塗布処理後のウエハＷを加熱処理するプリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１〜４４及び現像処理後のウエハＷを加熱処理するポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）４５〜４９が下から順に１０段に重ねられている。

第５の処理ユニット群Ｇ５では、ウエハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５０〜５３、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）５４〜５９が下から順に１０段に重ねられている。

また、第１の搬送機構１１０のＸ方向正方向側には、図１に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図３に示すように、ウエハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）８０，８１、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）８２，８３が下から順に４段に重ねられている。また、第２の搬送機構１２０の背面側には、図１に示すように、例えばウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット（ＷＥＥ）８４が配置されている。

また、図２に示すように、カセットステーション２、処理ステーション３及びインターフェース部４の各ブロックの上部には、各ブロック内を空調するための空調ユニット９０が備えられている。この空調ユニット９０により、カセットステーション２，処理ステーション３及びインターフェース部４内は、所定の温度及び湿度に調整できる。また、図３に示すように、例えば処理ステーション３の上部には、第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５内の各装置に所定の気体を供給する、例えばＦＦＵ（ファンフィルタユニット）などの気体供給手段である気体供給ユニット９１がそれぞれ設けられている。気体供給ユニット９１は、所定の温度、湿度に調整された気体から不純物を除去した後、当該気体を所定の流量で送風できる。

インターフェース部４は、図１に示すように、処理ステーション３側から順に第１のインターフェース部１００と、第２のインターフェース部１０１とを備えている。第１のインターフェース部１００には、ウエハ搬送アーム１０２が第５の処理ユニット群Ｇ５に対応する位置に配設されている。ウエハ搬送アーム１０２のＸ方向の両側には、例えばバッファカセット１０３（図１の背面側），１０４（図１の正面側）が各々設置されている。ウエハ搬送アーム１０２は、第５の処理ユニット群Ｇ５内の熱処理装置とバッファカセット１０３，１０４に対してアクセスできる。第２のインターフェース部１０１には、Ｘ方向に向けて設けられた搬送路１０５上を移動するウエハ搬送アーム１０６が設けられている。ウエハ搬送アーム１０６は、Ｚ方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット１０４と、第２のインターフェース部１０１に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーション３内のウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０２，バッファカセット１０４，ウエハ搬送アーム１０６を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０６，バッファカセット１０４，ウエハ搬送アーム１０２を介して処理ステーション３内に搬送できる。

次に、以上のように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１で行われるウエハＷの処理プロセスについて簡単に説明する。まず、未処理のウエハＷが複数枚収容されたカセットＣが載置台６上に載置されると、カセットＣからウエハＷが１枚取り出され、ウエハ搬送アーム７によって第３の処理装置群Ｇ３の温調ユニット（ＴＣＰ）３０に搬送される。温調ユニット（ＴＣＰ）３０に搬送されたウエハＷは、所定温度に温度調節され、その後第１の搬送機構１１０によってボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３に搬送されて、表面に反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウエハＷは、第１の搬送機構１１０によって熱処理ユニット３２〜３８（以下に熱処理ユニット３２で代表する）内に搬送される。

熱処理ユニット３２によって熱処理されたウエハＷは、第１のウエハ搬送機構１１０によって熱処理装置３２内から取り出された後、レジスト塗布ユニット１０に搬送されて、レジスト塗布処理が施される。レジスト処理が施されたウエハＷは、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１に搬送されて、加熱処理される。

プリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１において加熱処理の終了したウエハＷは、第２の搬送機構１２０によって周辺露光装置８４に搬送され、周辺露光処理された後、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５３に搬送される。その後、ウエハＷは、第１のインターフェース部１００のウエハ搬送体１０２によってバッファカセット１０４に搬送され、次いで第２のインターフェース部１０１のウエハ搬送アーム１０６によって図示しない露光装置に搬送される。露光処理の終了したウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０６及びウエハ搬送アーム１０２によってバッファカセット１０４を介してバッファカセット１０３に搬送される。その後ウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０２によって例えばポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）５４（以下に熱処理装置５４という）に搬送される。

熱処理装置（ＰＥＢ）５４の筐体６０内に搬送されたウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０２から冷却機能を有する受渡しアーム６１に受け渡され、受渡しアーム６１からウエハＷが後述する加熱処理板７０（以下に熱板７０という）上に載置される。そして、後述する開閉駆動機構６２の駆動によって蓋体６３が下降して、ウエハＷを処理室６４に置いた状態で、ウエハＷを例えば１００〜３５０℃に加熱処理する。

加熱処理後、開閉駆動機構６２の駆動により蓋体６３が上昇し、続いて又は同時に後述する昇降駆動機構６５の駆動により支持ピン６６が上昇して、熱板７０の上方にウエハＷを移動し、熱板７０の上方に再び移動してきた受渡しアーム６１上にウエハＷを受け渡す。ウエハＷを受け取った受渡しアーム６１は熱板７０の上方から後退移動する間、ウエハＷを冷却してウエハＷを例えば約２３℃まで冷却する。

熱処理装置（ＰＥＢ）５４における加熱処理の終了したウエハＷは、第２の搬送機構１２０によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５１、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２０、ポストベーキングユニット（ＰＥＢ）４５に順次搬送されて、各ユニットで所定の処理が施される。ポストベーキング処理の終了したウエハＷは、第１の搬送機構１１０によりトランジション装置３１に搬送され、その後ウエハ搬送アーム７によりカセットＣに戻される。このようにして、レジスト塗布・現像処理システム１における一連のウエハ処理が終了する。レジスト塗布・現像処理システム１では、複数枚のウエハＷに対し同時期に上述したようなウエハ処理が連続して行われている。

次に、この発明に係る基板熱処理装置を適用した熱処理装置５４〜５９（符号５４で代表する）について、図４〜図１０を参照して詳細に説明する。

熱処理装置５４は、図４及び図５に示すように、閉鎖可能な筐体６０内に、ウエハＷを載置して所定温度例えば１００〜３５０℃に加熱する熱板７０と、ウエハＷを載置すると共に、所定温度例えば２３℃に冷却し、かつ熱板７０に対して相対移動可能な受渡しアーム６１を収容している。また、筐体６０の給気ダクト９２側には給気口（図示せず）が設けられ、この給気口から供給された気体は、筐体６０の左右の対峙する位置に設けられた排気口６７を介して排気ダクト６８に流れるようになっている。

なお、筐体６０における受渡しアーム６１側の両側にはウエハＷの搬入出口６０ａが設けられており、この搬入出口６０ａにはシャッタ６０ｂが図示しない開閉駆動機構により開閉可能に配設されている。

受渡しアーム６１は、例えば図５に示すように、熱板７０側が円弧状に湾曲した略方形形状に形成されている。受渡しアーム６１内には、例えば冷媒が通流する図示しない冷却管が内蔵されており、この冷却管によって受渡しアーム６１は、所定の冷却温度例えば２３℃に維持される。受渡しアーム６１の側方には、例えば図４に示すように、Ｘ方向に沿ったレール６１ａが設けられている。受渡しアーム６１は、駆動手段（図示せず）によってレール６１ａ上を移動し、熱板７０上に対して相対的に移動するように構成されている。

また、受渡しアーム６１には、図５に示すように２本のスリット６１ｂが形成されている。スリット６１ｂは、受渡しアーム６１が熱板７０上に移動した時に支持ピン６６に衝突しないように、受渡しアーム６１における熱板７０側の端部から中央部付近に渡って形成されている。スリット６１ｂの下方には、図４に示すように昇降駆動機構（図示せず）によって昇降する昇降ピン６１ｃが設けられており、この昇降ピン６１ｃによって、ウエハＷを受渡しアーム６１上で昇降し、受渡しアーム６１と第２の搬送機構１２０又はウエハ搬送アーム１０２との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。

一方、熱板７０は、図４に示すように、カップ上の熱板収容部７２の上端開口部にサポートリング７１を介して保持されている。サポートリング７１と、上下動自在な蓋体６３と共働して処理室６４が形成されている。

熱板７０は、厚みのある円盤形状を有し、熱板７０の下面には、給電により発熱するヒータ７３が取り付けられている。このヒータ７３の発熱により熱板７０を所定温度例えば１００〜３５０℃に調節することができる。

また、熱板７０の上面のウエハ載置面には、ウエハＷを支持する複数のプロキシミティピン７４が設けられている。このプロキシミティピン７４により、ウエハＷと熱板７０との間に微小な隙間を形成し、熱板７０からの輻射熱によりウエハＷを非接触で加熱することができる。また、熱板７０のウエハ載置面の外縁部には、ウエハＷの外周面を支持する複数のガイドピン７５が設けられている。このガイドピン７５によりウエハＷをプロキシミティピン７４上に誘導してウエハＷの位置ずれを防止することができる。

熱板７０には、上下方向に貫通する複数例えば３個の貫通孔７０ａが設けられている。この貫通孔７０ａには、夫々支持ピン６６が昇降自在に貫挿されており、各支持ピン６６の下端部を保持する保持部材６６ａを昇降駆動機構６６ｂによって上下動することにより、支持ピン６６を熱板７０のウエハ載置面上に出没させ、ウエハＷを支持して昇降することができる。

また、熱板７０には、図４及び図６に示すように、上下方向に貫通する例えば同心円上に複数の吸引口７６が設けられている。熱板７０の下面における各吸引口７６には、断熱性及び可撓性を有する合成ゴム製の接続部材７７を介して吸引管７８が連通されている。吸引管７８は吸引手段例えば真空ポンプ７９に接続されている。なお、真空ポンプ７９に代えてエジェクタ等の負圧発生装置を用いてもよい。

この場合、吸引管７８は例えば金属製の直状のパイプ部材にて形成されている。この吸引管７８の上端には、断熱性及び可撓性を有する例えばシリコンゴム，フッ素ゴムあるいはバイトン｛商標名｝等の合成ゴム製の接続部材７７が装着されている。

接続部材７７は、図６に示すように、少なくとも先端（上端）に蛇腹部７７ａを有しており、下方側からの押圧力によって接続部材７７の先端開口部７７ｂが熱板７０の下面の吸引口７６の周辺吸引部に密接して、吸引口７６と吸引管７８を連通している。

また、吸引管７８の下端部は、例えばＯリング７８ａを介して吸引ベース部材７８ｂに接続され、吸引管７８と吸引ベース部材７８ｂの流路７８ｃとが気密状態に連通されている。この場合、吸引管７８と吸引ベース部材７８ｂはＯリング７８ａを介して気密状態に接続されているが、Ｏリング７８ａに代えて吸引管７８と吸引ベース部材７８ｂを溶接や圧入などの方法で接続してもよい。また、吸引ベース部材７８ｂの流路７８ｃに連通する連通口７８ｄに配管７８ｅを介して真空ポンプ７９が接続されている。

また、吸引ベース部材７８ｂは、熱板収容部７２の底部に配置された保持台７８ｆ上に載置され、図示しない連結部材によって熱板７０と吸引ベース部材７８ｂすなわち吸引管７８とを固定することにより熱板７０と吸引ベース部材７８ｂすなわち吸引管７８とが押圧され、接続部材７７が弾性変形し熱板７０の下面の吸引口７６部に密接する。これにより、熱板７０の吸引口７６と吸引管７８とが気密状態に連通する。

上記のように構成することにより、熱板７０に設けられた吸引口７６に、断熱性を有する接続部材７７を介して吸引管７８を押圧し密接することができるので、熱板７０への吸引管７８の組付けを容易にすることができる。また、熱板７０の点検・交換等を容易にすることができる。また、断熱性を有する接続部材７７を介して吸引管７８を熱板７０に押圧式に密接することにより、熱板７０の面内の熱均一性の維持が図れる。更にまた、吸引管７８を太いパイプ部材にて形成することができるので、吸引時の目詰まりの心配がなく、ウエハＷの吸着保持を安定させることができる。

なお、図８に示すように、吸引管７８内の任意の箇所例えば吸引口側の２箇所に、下方に向かって狭小テーパ状に形成される復元可能な可撓性を有する例えば合成ゴム又は合成樹脂製の逆流抑制部材２００を配設してもよい。なお、ここでは逆流抑制部材２００を２箇所に配設する場合について説明したが、逆流抑制部材２００を１箇所又は３箇所以上に配設してもよい。

このように構成することにより、真空ポンプ７９の吸引時の負圧により逆流抑制部材２００の開口部２０１が拡径し、真空ポンプ７９の吸引停止時には開口部２０１が復元して縮径する。したがって、真空ポンプ７９の吸引停止直後の昇華物等の吸引されたパーティクルの熱板７０側すなわち処理室６４側への逆流を抑制することができる。

また、上記接続部材７７に代えて、真空ポンプ７９の吸引時の負圧により熱板７０への密着性を強固に行えるようにした接続部材７７Ａを用いてもよい。すなわち、図９に示すように、接続部材７７Ａの先端に、外方に向かって拡開テーパ状の密接片７７ｃを形成し、この密接片７７ｃの裏面中間部に屈曲波形部７７ｄを連結すると共に、この屈曲波形部７７ｄの密接片７７ｃに連結する先端波形部７７ｄ１の肉厚を先端波形部７７ｄ１以外の波形部７７ｄ２の肉厚より薄く形成してもよい。なお、接続部材７７Ａは、接続部材７７と同様に、断熱性及び可撓性を有する例えばシリコンゴム，フッ素ゴムあるいはバイトン｛商標名｝等の合成ゴム製部材にて形成される。

このように形成することにより、真空ポンプ７９の吸引時の負圧により、密接片７７ｃの先端側が熱板７０に押圧されて密接するので、更に熱板７０と吸引管７８との密接性の向上が図れる。なお、この場合、接続部材７７Ａの熱板７０への接触は僅かな接触でよく、真空ポンプ７９の吸引により接続部材７７Ａは熱板７０に密接する。

また、図１０に示すように、吸引管７８内の先端側に、吸引管７８内を流れる気体中に含まれるパーティクルを捕集する網目状のフィルタ３００を嵌挿する構成としてもよい。この場合、吸引管７８内にフィルタ３００を嵌挿することにより、圧損が生じるので、真空ポンプ７９の吸引力を高める必要があるが、上記接続部材７７Ａを用いることで、圧損を少なくすることができる。

上記のように構成することにより、ウエハＷを熱板７０に吸着保持すると同時に、吸引管７８内を流れる気体中に含まれる例えば昇華物等の吸引されたパーティクルを網目状のフィルタ３００によって除去することができるので、熱処理されるウエハＷへのパーティクルの付着を抑制することができる。

なお、上記実施形態では、この発明に係る基板熱処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用する場合について説明したが、半導体ウエハ以外の被処理基板、例えばＦＰＤ基板，マスク基板等にも適用できる。

Ｗ半導体ウエハ（基板）
７０熱板（熱処理板）
７３ヒータ
７６吸引口
７７，７７Ａ接続部材
７７ａ蛇腹部
７７ｂ先端開口部
７７ｃ密接片
７７ｄ屈曲波形部
７７ｄ１先端屈曲波形部
７７ｄ２先端屈曲波形部以外の屈曲波形部
７８吸引管
７８ｂ吸引ベース部材
７８ｃ流路
７８ｄ連通口
７９真空ポンプ（吸引手段）

Claims

基板を載置して熱処理する熱処理板と、この熱処理板の基板載置面から裏面の厚さ方向に貫通して形成されて、上記熱板を加熱するヒータと干渉しない位置に設けられ、基板を吸引するために同心円状に設けられた複数の吸引口と、この各吸引口と吸引手段とを夫々に接続する複数の吸引管と、を具備する基板熱処理装置において、
上記吸引管の一端に、上記吸引口の熱処理板下面の吸引部に密接させる断熱性及び可撓性を有する合成ゴム製の先端が蛇腹状に形成された接続部材と、
上記複数の吸引管の他端と接続し、上記吸引管と連通する流路が設けられ、リング状に構成され一括して吸引するための吸引ベース部材と、
上記吸引ベース部材に設けられる上記流路に連通する連通口と連通する上記吸引手段と、
上記熱処理板に貫通した貫通孔を有し上下に昇降自在に構成され上記熱処理板に基板を載置させるときに基板裏面を支持する複数の支持ピンと、
上記支持ピンを上下動させる昇降駆動機構と、
上記吸引ベース部材のリング状の内方空間に設けられる上記支持ピンを保持する保持部材と、
を備えることを特徴とする基板熱処理装置。
請求項１記載の基板熱処理装置において、
上記接続部材の先端に、外方に向かって拡開テーパ状の密接片が形成され、この密接片の裏面中間部に屈曲波形部が連結されると共に、この屈曲波形部の上記密接片に連結する先端波形部の肉厚を先端波形部以外の波形部の肉厚より薄く形成してなる、ことを特徴とする基板熱処理装置。
請求項１又は２記載の基板熱処理装置において、
上記吸引管内における上記吸引口側に、下方に向かって狭小テーパ状に形成される復元可能な可撓性を有する逆流抑制部材を配設し、上記吸引手段の吸引時の負圧により上記逆流抑制部材の開口部が拡径し、上記吸引手段の吸引停止時には開口部が復元して縮径可能に形成してなる、ことを特徴とする基板熱処理装置。
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
上記吸引管内の先端側に、吸引管内を流れる気体中に含まれるパーティクルを捕集する網目状のフィルタを嵌挿してなる、ことを特徴とする基板熱処理装置。