KR20040014975A - 포토레지스트 박리제 조성물 - Google Patents

포토레지스트 박리제 조성물 Download PDF

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Abstract

아민화합물과, 식(I) 및 (II)으로 표시되는 화합물 및 식(I)에서의 R1이 알케닐기인 화합물의 중합체로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 알카놀아미드 화합물을 함유하는 포토레지스트 박리제 조성물을 개시한다.
(식중，R1, R2및 R3는 각각 상세한 설명에서 정의한 바와 같다).
상기의 박리제 조성물은 에칭후에 잔존하는 포토레지스트막 및 애싱후의 레지스트 잔사를 배선재료 등의 부식없이 극히 용이하게 박리할 수 있게 해준다.

Description

포토레지스트 박리제 조성물 {PHOTORESIST STRIPPER COMPOSITION}
반도체 집적회로는，무기질기체상에 형성된 배선재료 박막에 포토레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고，이 레지스트막을 노광，현상하여 포토레지그트 패턴을 형성하고，이어서 이 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 비마스크 영역의 배선재료 박막을 에칭하고, 미세회로를 형성한 후，상기 포토레지스트 패턴을 회로를 형성한 무기질기체로부터 박리하는 방법 혹은 동일하게 하여 미세회로를 형성한 후，애싱을 행하고, 잔존하는 레지스트 잔사를 회로를 형성한 무기질기체로부터 박리하는 방법에 의해 제조된다．
종래，상기 레지스트막，레지스트 잔사를 제거하는 레지스트 박리제로서, 특개소62-49355호공보，특개소62-95531호공보，특개평5-2737768호공보에는 물을 함유하지 않는 유기아민계 박리제가 개시되어 있다．그러나，이들의 유기아민계 박리제로는 상기의 에칭후의 레지스트막，및 에칭/애싱후의 레지스트 잔사의 박리력이 극히 낮다．
더욱이 근래，회로의 초미세화에 수반하여 배선재료의 에칭조건이 어렵게 되고 사용한 포토레지스트가 변질하는 경향에 있다．또한 에칭/플라즈마 애싱후의 레지스트 잔사도 그 조성이 복잡하고 앞서 말한 아민계 박리제로는 레지스트막, 레지스트 잔사 제거에 효과가 없다．
또，드라이에칭에 있어서는 드라이에칭에 사용하는 가스，레지스트 및 각종 배선재료와의 상호작용에 의해 레지스트 잔사의 일종인 측벽 폴리머(사이드월 폴리머라고도 불린다)가 에칭부 측벽에 발생한다．이와 같은 측벽 폴리머의 제거에 대해서도，상기 종래의 유기아민계 박리제로는 효과가 없다．
한편，특개소64-81949호，특개소64-81950호，특개평6-266119호에는 물을 함유하는 알카놀아민계 박리제가 개시되어 있다．그러나，물을 함유하는 이들 알카놀아민계 박리제라도 상기 레지스트막，레지스트 잔사 및 측벽 폴리머의 제거에는 만족할만한 효과를 얻지 못하고 있다.
또한，근래 반도체 집적회로나 액정표시 장치의 반도체소자의 재료로서 각종 재료가 사용되고 있고 여러가지의 무기질기체 및 배선체를 부식되지 않는 포토레지스트 박리제가 요구되고 있다．
본 발명은，반도체 집적회로나 액정표시 장치의 반도체소자의 배선공정 또는 전극형성 공정에 사용되는 포토레지스토 박리제 조성물，및 그것을 사용한 반도체소자의 제조방법에 관한다．
도 1은 레지스트막을 마스크로 하여 드라이에칭을 행하고, A1 합금 배선체를 형성하며 다시 산소플라즈마에 의해 회화(애싱)처리를 행한 후의 반도체장치를 나타내는 일부 단면도이다．
본 발명의 목적은，종래 기술에 있어서의 상기와 같은 박리제의 문제점을 해결하고，무기질기체상의 배선재료 박막에 도포된 포토레지스트막，배선 재료 박막을 에칭한 후에 잔존하는 포토레지스트막을 에칭하고 이어서 애싱한 후에 잔존하는 포토레지스트 잔사등을 저온으로 또한 단시간에 용이하게 박리할 수 있고，또한，여러가지 재료의 무기질기체 및 배선체를 전혀 부식하지 않고 미세가공이 가능하며，고정밀도의 회로배선을 제조할 수 있는 포토레지스트 박리제 조성물을 제공하는 것이다．
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과，에칭후에 잔존하는 포토레지스트 마스크 및 레지스트 잔사，혹은 에칭하고 이어서 애싱한 후에 잔존하는 레지스트 잔사를 용이하게 단시간에 박리할 수 있고，무기질 기판상의 배선재료나 절연막등을 전혀 부식하지 않고，고정밀도의 반도체 미세회로의 제조를 가능하게 하는 포토레지스트 박리제 조성물을 발견하였다．본 발명은 이러한 지식에 의거하여 완성되었다．
즉，본 발명은 아민화합물 및 특정한 구조를 갖는 알카놀아미드 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물에 관한다．이 포토레지스트 박리제 조성물은 유기용제，방식제 및 물의 적어도 하나를 다시 함유할 수 있다．
본 발명에 사용하는 알카놀아미드 화합물은，하기의 식(I):
(식 중 R1은 H，알킬기，히드록시 알킬기，알케닐기，아릴기 또는 아미노기; R2는 H，알킬기，히드록시 알킬기，아릴기 또는 알릴기; R3은 H，알킬기 또는 히드록시 알킬기를 나타내며 R1과 R2가 알킬기인 경우 이들은 결합하여 아미드구조와 함께 환상구조를 형성해도 된다)， 또는 하기의 식(Ⅱ):
(식중，R2는 H，알킬기，히드록시 알킬기，아릴기 또는 알릴기; R3은 H，알킬기 또는 히드록시 알킬기; 및 X는 O 또는 S를 나타낸다)로 표시되는 바와 같이，아미드 구조(-CON-) 또는 티오아미드 구조(-CSN-)와 알카놀 구조(-CR3H-OH)를 갖는 화합물이다．
또，R1이 알케닐기인 식(I)의 화합물의 중합체도 본원의 알카놀아미드 화합물에 포함된다．알카놀아미드 구조는 분자내에 하나 이상 가지고 있으면 되고，2 이상의 알카놀아미드 구조를 갖고 있어도 하등 지장이 없다．
R1이 나타내는 사슬형상 또는 고리형상 알킬기는，바람직하게는 사슬형상또는 고리형상의 C1-C12알킬기，보다 바람직하게는 메틸，에틸，n-프로필，이소프로필，n-부틸，이소부틸，t-부틸，시클로 헥실등이다．R1이 나타내는 히드록시 알킬기는，바람직하게는 히드록시(C1-CO10알킬기) 보다 바람직하게는 1-히드록시 에틸， 2-히드록시 프로필，히드록시 메틸，2-히드록시 에틸，1―히드록시-1-메틸에틸 등이다．
R1이 나타내는 알케닐기는，바람직하게는 사슬형상 또는 고리형상의 C2-C10알케닐기，보다 바람직하게는 비닐，1-메틸비닐，알릴，메타릴，시클로헥세닐이다. R1이 나타내는 아릴기는 바람직하게는 페닐，나프틸，히드록시 페닐，트릴，피리딜이며，아미노기는 바람직하게는 아미노，아미노 메틸，1-아미노 에틸，2-아미노 에틸，메틸 아미노，디메틸 아미노 등이다．
R2가 나타내는 알킬기，히드록시알킬기 및 아릴기는 R1에 관하여 기재한 것과 동일하다．
R3이 나타내는 알킬기 및 히드록시 알킬기는 R1에 관하여 기재한 것과 동일하다．
알카놀아미드 화합물의 구체예는，N-메티롤 아세트아미드，N-메티롤 포름아미드，N-(1-히드록시에틸)아세트아미드，N-(1-히드록시에틸)포름아미드，N-메티롤 우레아，N,N'-디메티롤 우레아，N-메티롤 아크릴아미드，N 메티롤 메타크릴아미드，N-메틸-N-히드록시메틸 아세트아미드，N-에틸-N-히드록시메틸 아세트아미드，N-메틸-N-히드록시메틸 포름아미드，N-에틸-N-히드록시메틸 포름아미드，N,N―디히드록시메틸 포름아미드，N,N-디히드록시메틸 아세트아미드，메티롤스테아릴 아미드，메티롤 티오우레아，메티롤 피롤리돈，N-메티롤 락트아미드，N-메티롤 2-히드록시-2-메틸 프로필아미드，N-(1-히드록시에틸)아크릴아미드，N-(1-히드록시에틸)메타크릴 아미드，N-메티롤 프로피온아미드，폴리아크릴아미드 메티롤(N-메티롤 아크릴 아미드의 중합체)，폴리메타크릴아미드 메티롤(N-메티롤 메타크릴 아미드의 중합체)등을 들 수 있다．
본 발명에 있어서 알카놀아미드 화합물은 상기의 화합물에 한정되지 않고，알카놀 아미드 구조를 적어도 분자내에 하나이상 가지고 있으면 된다．또，상기의 식(I) 또는 (II)의 R3이 H 또는 메틸기인 화합물이 다수 제조되고 있고 용이하게 입수할 수 있으므로 특히 바람직하다.
아민 화합물로서는 예를 들면，알킬아민，알킬아민，알카놀아민，폴리아민，히드록실 아민화합물 및 고리형 아민이 사용된다．
알킬아민으로서는, 메틸아민，에틸아민，n-프로필아민，이소프로필아민，n-부틸아민，s-부틸아민，이소부틸아민, t-부틸아민，펜틸아민，2-아미노펜탄，3-아미노펜탄，1-아미노-2-메틸부탄，2-아미노-2-메틸부탄，3-아미노-2-메틸부탄，4-아미노-2-메틸부탄，헥실아민，5-아미노-2-메틸펜탄，헵틸아민，옥틸아민，노닐아민,데실아민，운데실아민，도데실아민，트리데실아민，테트라데실아민，펜타데실아민,헥사데실아민，헵타데실아민，옥타데실아민 등의 제1알킬아민; 디메틸아민，디에틸아민，디프로필아민，디이소프로필아민，디부틸아민，디이소부틸아민，디-s-부틸아민，디-t-부틸아민，디펜틸아민，디헥실아민，디헵틸아민，디옥틸아민，디노닐아민，디데실아민，메틸에틸아민，메틸프로필아민，메틸이소프로필아민，메틸부틸아민，메틸이소부틸아민，메틸-s-부틸아민，메틸-t-부틸아민，메틸아밀아민，메틸이소아밀아민，에틸프로필아민，에틸이소프로필아민，에틸부틸아민，에틸이소부틸아민，에틸-s-부틸아민，에틸-t-부틸아민，에틸이소아밀아민，프로필 부틸아민，프로필이소부틸아민 등의 제２알킬아민; 및，트리메틸아민，트리에틸아민，트리프로필아민，트리부틸아민，트리펜틸아민，디메틸에틸아민，메틸디에틸아민，메틸디프로필아민 등의 제３알킬아민을 들 수 있다．
알카놀아민으로서는 에탄올아민，N-메틸에탄올아민，N-에틸에탄올아민，N-프로필에탄올아민，N-부틸에탄올아민，디에탄올아민，이소프로판올아민，N-메틸이소프로판올아민，N-에틸이소프로판올아민，N-프로필이소프로판올아민，2-아미노프로판-1-올，N-메틸-2-아미노프로판-1-올，N-에틸-2-아미노프로판-1-올, 1-아미노프로판-3-올，N-메틸-1-아미노프로판-3-올，N-에틸-1-아미노프로판-3-올，1-아미노부탄-2-올，N-메틸-1-아미노부탄-2-올，N-에틸-1-아미노부탄-2-올，2-아미노부탄-1-올，N-메틸-2-아미노부탄-1-올，N-에틸-2-아미노부탄-1-올，3-아미노부탄-1-올，N-메틸-3-아미노부탄-1-올，N-에틸-3-아미노부탄-1-올，1-아미노부탄-4-올，N-메틸-1-아미노부탄-4-올，N-에틸-1-아미노부탄-4-올，1-아미노-2-메틸프로판-2-올，2-아미노-2-메틸프로판-1-올，1-아미노펜탄-4-올，2-아미노-4-메틸펜탄-1-올，2-아미노헥산-1-올，3-아미노헵탄-4-올，1-아미노옥탄-2-올, 5-아미노옥탄-4-올，1-아미노프로판-2,3-디올，2-아미노프로판-1,3-디올，트리스(옥시메틸)아미노메탄-1,2-디아미노프로판-3-올，1,3-디아미노프로판-2-올，2-(2-아미노에톡시)에탄올 등을 들 수 있다．
폴리아민으로서는 에틸렌디아민，프로필렌디아민，트리메틸렌디아민，테트라메틸렌디아민，1,3-디아미노부탄，2,3-디아미노부탄，펜타메틸렌디아민，2,4-디아미노펜탄，헥사메틸렌디아민，헵타메틸렌디아민，옥타메틸렌디아민，노나메틸렌디아민，N-메틸에틸렌디아민，N,N-디메틸에틸렌디아민, 트리메틸에틸렌디아민，N-에틸에틸렌디아민，N,N-디에틸에틸렌디아민，트리에틸에틸렌디아민，1,2,3-트리아미노프로판，히드라진，트리스(2-아미노에틸)아민，테트라(아미노메틸)메탄，디에틸렌트리아민，트리에틸렌테트라민，테트라에틸펜타민，헵타에틸렌옥타민，노나에틸렌데카민，등을 들 수 있다．
히드록실아민 화합물으로서는, 히드록실아민，N-메틸히드록실아민，N-에틸히드록실아민，N, N-디에틸히드록실아민을 들 수 있다．
고리형 아민으로서는 피롤，2-메틸피롤，3-메틸피롤，2-에틸피롤，3-에틸 피롤，2,3-디메틸피롤,2,4-디메틸피롤，3,4-디메틸피롤，2,3,4-트리메틸피롤，2,3,5- 트리메틸피롤，2-피롤린，3-피롤린，피롤리딘，2-메틸 피롤리딘， 3-메틸피롤리딘, 피라졸,이미다졸，1,2,3-트리아졸，1,2,3,4-테트라졸，피페리딘，2-피페코린，3-피페코린，4-피페코린，2,4-루페티딘，2,6-루페티딘，3,5-루페티딘，피페라딘，2-메틸피페라딘，2, 5-디메틸피페라딘，2,6-메틸피페라딘，모르폴린 등을 들 수 있다．
본 발명에 사용되는 아민화합물은 상기의 아민에 한정됨이 없이，아민화합물이라면 하등 제약받지 않는다．또，아민화합물은 단독 혹은 복수개를 조합하여 사용된다．
상기 아민화합물 중에는，메틸아민，에틸아민，프로필아민，부틸아민，에탄올아민，N-메틸에탄올아민，N-에틸에탄올아민，디에탄올아민，이소프로판올아민，2-(2-아미노에톡시)에탄올，에틸렌디아민，프로필렌디아민，부틸렌디아민，디에틸렌트리아민，피페라딘，모르폴린이 바람직하다．
본 발명에 사용되는 유기용제는 상기의 알카놀아미드 화합물과 아민화합물의 혼합물과 혼화할 수 있으면 되며 특별한 제한이 없다．바람직하게는 수용성 유기용제이다．예로서는 에틸렌글리콜，에틸렌글리콜 모노에틸에테르，에틸렌글리콜 모노부틸에테르，디에틸렌글리콜 모노메틸에테르，디에틸렌글리콜 모노에틸에테르，디에틸렌글리콜 모노부틸에테르，프로필렌글리콜 모노메틸에테르，프로필렌글리콜 모노에틸에테르，프로필렌글리콜 모노부틸에테르，디프로필렌글리콜 모노메틸에테르，디프로필렌글리콜 모노에틸에테르，디프로필렌글리콜 모노부틸에테르，디에틸렌글리콜 디메틸에테르，디프로필렌글리콜 디메틸에테르 등의 에테르계용제，포름아미드，모노메틸 포름아미드，디메틸포름아미드，모노에틸포름아미드，디에틸포름아미드，아세트아미드，모노메틸 아세트아미드，디메틸 아세트아미드，모노에틸 아세트아미드，디에틸 아세트아미드，N-메틸 피롤리돈，N-에틸 피롤리돈 등의 아미드계 용제，메틸알코올，에틸알코올，이소프로판올，에틸렌글리콜，프로필렌글리콜 등의 알코올계 용제，디메틸 설폭시드 등의 설폭시드계 용제，디메틸술폰，디에틸술폰，비스(2-히드록시)술폰，테트라 메틸렌술폰 등의 술폰계 용제，1,3-디메틸-2-이미다졸리디논，1,3-디에틸-2-이미다졸리디논，1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논계 용제，γ-부티로락톤，δ-발레로락톤 등의 락톤계 용제등을 들 수 있다．
이들 가운데에서는，디메틸설폭시드，N,N-디메틸포름아미드，N,N-디메틸 아세트아미드，N-메틸피롤리돈，디에틸렌글리콜 모노메틸에테르，디에틸렌글리콜 모노부틸에테르，디프로필렌글리콜 모노메틸에테르，디프로필렌글리콜 모노부틸에테르가 바람직하다．
본 발명의 포토레지스트 박리제 조성물은 방식제를 포함할 수 있다．방식제로서는 1,2-프로판디아민 테트라메틸렌 포스폰산，히드록시에탄포스폰산 등의 인산화합물; 에틸렌디아민 테트라아세트산，디히드록시 에틸글리신，니트릴로트리아세트산，수산，구연산，사과산，주석산등의 카르복실산; 비피리딘, 테트라페닐포르피린，페난트로린，2,3-피리딘디올 등의 아민; 디메틸글리옥심，디페닐글리옥심 등의 옥심화합물; 소르비톨，크실리톨 등의 당알코올(alcohol); 및，페놀，크레졸，크실레놀，피로카테콜 레졸시놀 히드로퀴논，피로가롤，1,2,4-벤젠트리올，살리실알코올, p-히드록시 벤질알코올，o-히드록시 벤질알코올，p-히드록시 페네틸알콜, p-아미노페놀，m-아미노페놀，디아미노페놀，아미노레졸시놀, p-히드록시 안식향산，o-히드록시 안식향산， 2,4-디히드록시 안식향산, 2,5-디히드록시 안식향산，2,5-디히드록시 안식향산，3,4-디히드록시 안식향산, 3,5-디히드록시 안식향산，몰식자산 등의 방향족 히드록시 화합물을 들 수 있다．
이들 화합물은，단독 또는 2종 이상을 조합하여 배합할 수 있다．바람직한 방식제는 방향족 히드록시 화합물이며，카테콜이 저가이기 때문에 더욱 바람직하다.
알카놀아미드 화합물의 배합비율(중량비)은，아민화합물에 대하여 0.0001∼50，바람직하게는 0.005∼20 이다．포토레지스트 박리제 조성물 중의 아민화합물의 농도는，2∼99.99중량%，바람직하게는 5∼95중량%이다．
본 발명에 있어서 유기용제의 사용에는 제한이 없으나，포토레지스트 박리제조성물의 점도，비중 혹은 에칭，애싱조건 등을 감안하여 농도를 결정하면 된다．사용하는 경우에는，포토레지스트 박리제 조성물의 90중량%까지 사용할 수 있다．
방식제의 첨가량은 특별한 제한은 없으나，포토레지스트 박리제 조성물의 30중량% 이하가 바람직하고，15중량% 이하가 더욱 바람직하다．
본 발명의 포토레지스트 박리제 조성물은 물을 함유할 수 있다．물의 첨가량은 특별히 제한되지 않으나，에칭，애싱조건 등을 감안하여 결정된다．
물의 첨가량은 포토레지스트 박리제 조성물의 50중량% 이하가 바람직하다．
본 발명에 사용되는 무기질기체로서는 실리콘，비정질실리콘，폴리실리콘, 액정표시장치용 유리기판 등이 사용된다．배선재료로서는, 실리콘산화막，실리콘질화막，동 및 동합금，알루미늄，알루미늄합금，티탄，티탄텅스텐，질화티탄，텅스텐，탄탈륨，탄탈륨 화합물，크롬，크롬산화물，크롬합금, ITO(인듐 주석산화물) 등의 반도체 배선재료 또는 갈륨비소，갈륨인，인듐인 등의 화합물 반도체가 사용된다．
본 발명의 반도체소자의 제조방법에 있어서는，먼저 무기질기체 상에 형성된 회로형성용 도전성박막에 포토레지스트를 도포한다．형성된 포토레지스트막은 노광에 의해 패턴화된다．패턴화된 포토레지스트막을 마스크로서 사용하고，상기 도전성막의 비피복영역을 에칭제거한다．이어서，잔존하는 포토레지스트막을 상술한 포토레지스트 박리제 조성물로 제거한다．
에칭 후，원한다면 회화처리(애싱)를 하는 경우도 있다．애싱 후에 잔존하는 포토레지스트 잔사도 상술한 포토레지스토 박리제 조성물로 제거할 수 있다. 여기서 말하는 회화처리(애싱)란，예를 들면 유기고분자로 이루어지는 포토레지스트를 플라즈마 중에서 발생하는 산소플라즈마에 의해，연소 반응으로 CO，CO2로서 제거하는 것이다．
본 발명의 포토레지스트 박리제 조성물에 의한 잔존 포토레지스트막 및 포토레지스트 잔사의 제거는，잔존 포토레지스트막，포토레지스트 잔사 등을 갖는 무기질기체를，통상은 상온∼150℃로 포토레지스트 박리제 조성물에 접촉시킨다．반도체소자 재료에의 공격을 저지하기 위해서는 가능하면 낮은 온도로 접촉시키는 것이 바람직하며，본 발명의 포토레지스트 박리제 조성물은 특히 70℃이하의 낮은 온도로 잔존 포토레지스트막，포토레지스트 잔사등을 제거할 수 있다. 접촉은 스프레이，도포，침지등에 의해 행한다．접촉시간은 0.5∼60분이 바람직하다．
포토레지스트 박리제 조성물로 제거처리한 후，회로형성된 무기질기체를 알코올등의 유기용제로 린스해도 된다. 또는 물로 린스해도 되며 특별히 제한은 없다．
다음의 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명한다．단 본 발명은 이들의 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다．
도 1에서 포토레지스트막을 마스크로서 하여 드라이에칭을 행하고, A1합금
(Al-Cu)배선체(5)를 형성하고，다시 산소플라즈마에 의해 회화처리를 행한 후의 반도체장치의 부분단면도를 나타냈다．
실리콘기판(l) 위에 산화막(2)이 형성되고 산화막(2) 위에 다시 배선체인 A1합금막(5)이 형성되며，그 측벽에 레지스트 잔사(7)가 잔존한다. 또한, 배리어 메탈(barrier metal)로서 티탄막(3) 및 질화티탄막(4，6)이 마련되어 있다．
실시예1∼12，비교예1∼3
도1의 레지스트 잔사를 갖는 반도체장치를 표 1∼3에 나타내는 조성의 포토레지스트 박리제 조성물에 소정시간 침지한 후，초순수로 린스하여 건조하고，주사전자현미경(SEM)으로 관찰을 행하였다．잔존 포토레지스트막 및 레지스트 잔사의 박리상태와，알루미늄(C1)배선체의 부식상태에 대해 평가하였다．그 결과를 표 1∼3에 나타낸다．이하의 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 SEM 관찰에 의한 평가기준은 다음과 같다．
박리성
A ： 완전히 제거되었다．
B ： 거의 완전히 제거되었다．
C ： 일부 잔존물이 인정되었다．
D ： 대부분이 잔존하고 있었다．
부식성
A ： 부식은 전혀 인정되지 않았다．
B ： 부식은 거의 인정되지 않았다．
C ： 클레이터 형상 또는 피트 형상의 부식이 인정되었다．
D ： 알루미늄 배선체의 전면이 거칠고 다시 Al-Cu층의 패임이 인정되었다．
표 1
실시예
1 2 3 4 5 6
아민
종류 에탄올아민 에탄올아민 에탄올아민 에탄올아민 에탄올아민 에탄올아민
농도(중량%) 70 78 78 75 75 65
알카놀아미드
종류* MLAD MLAD MLFD MLAD HEAD MLAD
농도(중량%) 3 5 5 8 8 5
유기용제
종류* DMSO - - - - DGBE
농도(중량%) 27 - - - - 15
방식제
종류 - 카테콜 카테콜 카테콜 카테콜 카테콜
농도(중량%) - 5 5 5 5 3
H2O
농도(중량%) - 12 12 12 12 12
박리조건
온도(℃) 55 55 55 55 55 55
시간(분) 10 3 3 5 5 5
박리성 A A A A A A
부식성 A A A A A A
주:
MLAD=N-메티롤 아세트아미드
MLFD=N-메티롤 포름아미드
HEAD=N-(1-히드록시에틸)아세트아미드
DMSO=디메틸술폭시드
DGBE=디에틸렌글리콜 모노부틸에테르
표 2
실시예
7 8 9 10 11 12
아민
종류 에틸렌디아민 N-메틸 에탄올아민 에탄올아민 에탄올아민 에탄올아민 에탄올아민
농도(중량%) 50 78 65 40 73 65
알카놀아미드
종류* MLAD MLAD MLAD HEAD HEAD HEAD
농도(중량%) 5 5 5 5 10 5
유기용제
종류* DGBE - DMSO DGBE - DMAC
농도(중량%) 30 - 15 40 - 15
방식제
종류 EDTA 카테콜 카테콜 카테콜 카테콜 카테콜
농도(중량%) 3 5 3 3 5 3
H2O
농도(중량%) 12 12 12 12 12 12
박리조건
온도(℃) 50 55 55 55 55 55
시간(분) 3 10 5 10 5 10
박리성 A A A A A A
부식성 A A A A A A
주:
MLAD=N-메티롤 아세트아미드
HEAD=N-(1-히드록시에틸)아세트아미드
DGBE=디에틸렌글리콜 모노부틸에테르
DMSO=디메틸술폭시드
DMAC=디메틸아세트아미드
EDTA=에틸렌디아민 테트라아세트산
표 3
비교예
1 2 3 4
아민
종류 에탄올아민 에탄올아민 에탄올아민 N-메틸 에탄올아민
농도(중량%) 70 78 65 78
알카놀아미드
종류 - - - -
농도(중량%) - - - -
유기용제
종류* DMSO - DGBE -
농도(중량%) 30 - 15 -
방식제
종류 - 카테콜 카테콜 카테콜
농도(중량%) - 5 3 5
H2O
농도(중량%) - 17 17 17
박리조건
온도(℃) 55 55 55 55
시간(분) 10 3 5 10
박리성 C B C D
부식성 A B B A
주:
DMSO=디메틸술폭시드
DGBE=디에틸렌글리콜 모노부틸에테르
본 발명의 포토레지스트 박리제 조성물을 사용함으로써，반응성 가스를 사용한 드라이에칭, 애싱 후에 잔존하는 레지스트 잔사를 배선재료 등의 부식없이，극히 용이하게 박리할 수 있다．

Claims (11)

  1. 아민화합물과, 하기의 식(I):
    (식중，R1은 H，알킬기，히드록시알킬기，알케닐기，아릴기 또는 아미노기; R2는 H，알킬기，히드록시알킬기，아릴기 또는 알릴기; R3은 H，알킬기 또는 히드록시알킬기를 나타내고; R1과 R2가 알킬기인 경우 이들은 결합하여 아미드 구조와 함께 고리형상 구조를 형성해도 된다)로 표시되는 화합물，상기의 식(I)에서의 R1이 알케닐기인 화합물의 중합체，및 하기의 식(Ⅱ):
    (식중，R2는 H，알킬기，히드록시알킬기，아릴기 또는 알릴기; R3은 H，알킬기 또는 히드록시알킬기; 및 X는 O 또는 S를 나타낸다)로 표시되는 화합물로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 알카놀아미드 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물．
  2. 제1항에 있어서,
    상기의 식(I) 및 (II)의 R3이 H 또는 메틸기인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물．
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    알카놀아미드 화합물이 N-메티롤 아세트아미드，N-메티롤 포름아미드，N-(1-히드록시에틸)아세트아미드，N-(1-히드록시에틸)포름아미드，N-메티롤우레아，N,N'-디메티롤 우레아，N-메티롤 아크릴아미드 또는 N-메티롤 메타크릴아미드인　것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물．
  4. 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    아민화합물이 알킬아민，알카놀아민，폴리아민，히드록실아민 또는 고리형 아민인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물．
  5. 제1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    또한 유기용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물.
  6. 제1항 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    또한 방식제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물．
  7. 제6항에 있어서,
    방식제가 방향족 히드록시 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물．
  8. 제7항에 있어서,
    방식제가 카테콜인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물．
  9. 제1항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    또한 물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리제 조성물．
  10. (1) 무기질기체 상에 형성된 배선재료 박막에 포토레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정，(2) 이 레지스트막을 노광，현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정，(3) 이 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 비마스크영역의 배선재료 박막을 에칭하여 미세회로를 갖는 무기질기체를 얻는 공정，및 (4) 상기 회로형성 무기질기체를 제1항 내지 9항 중 어느 한 항에 기재된 포토레지스트 박리제 조성물에 상온∼150℃로 접촉시켜서 잔류하는 포토레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법．
  11. (1) 무기질기체 상에 형성된 배선재료 박막에 포토레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정，(2) 이 레지스트막을 노광，현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정，(3) 이 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 비마스크영역의 배선재료 박막을 에칭하여 미세회로를 갖는 무기질기체를 얻는 공정，(4) 상기 미세회로를 갖는 무기질기체를 애싱처리하는 공정，및 (5) 상기 애싱처리한 무기질기체를 제1항 내지 9항 중 어느 한 항에 기재된 포토레지스트 박리제 조성물에 상온∼150℃로 접촉시켜서 잔류하는 포토레지스 잔사를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법．
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