JP4803641B2 - 光学式エンコーダ - Google Patents

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Description

本発明は、被検出体の位置等を検出する反射型の3重スリット方式の光学式エンコーダに関する。
従来、検出ヘッドとスケールとを備える光学式エンコーダが知られている(例えば、特許文献1参照)。図21は、特許文献1に開示された構成例を示す。検出ヘッドは、第1格子11が配置されている光源14と、第3格子30が配置されている光検出器50とから構成されている。また、スケール21には、第2格子20が形成されている。光源14から出射された光は、第1格子11と第2格子20の影響を受けて光検出器50の受光面にセルフイメージを形成する。以下、本出願において、「セルフイメージ」とは、光検出器50の受光面に形成される第2格子20と略相似な形状の光学パターンのことを意味する。そして、セルフイメージは、検出ヘッドとスケール21との相対的な移動に対応して動く。光検出器は、セルフイメージの動きを検出する。以下、適宜、このような方式を「反射型の3重スリット方式」と呼ぶ。
反射型の3重スリット方式のエンコーダでは、スケールと検出ヘッドとの間隔の変化に影響されにくい検出を行うことが望ましい。このため、検出ヘッドに含まれる第1格子と第3格子の高さを揃えて配置している。また、セルフイメージは、光学式エンコーダの構成条件により、代表的には例えば以下の2つの場合(a)、(b)に分類できる。
(a)第2格子の影絵模様と同じ空間周期を有する場合
(b)第2格子の影絵模様の1/2、1/4…の空間周期を有する場合
最も安定かつ鮮明(クリア)に結像されるのは上記(a)の場合である。このため、上記(a)の場合について以下説明する。
以下の条件式(1)を満足するときに、光検出器の受光面上で第2格子の影絵模様と同じ空間周期有するセルフイメージが観測される。
1/z1+1/z2=λ/(k×p2) (1)
ここで、
λは、光源から放射される光の中心波長、
z1は、第1格子と第2格子の光学的な距離、
z2は、第2格子と第3格子の光学的な距離、
p2は、第2格子のピッチ、
kは、自然数をそれぞれ表す。
特開2003−166856号公報
ここで、
Δz0を予め設計したz2とz1との差、
Δzを実際に製作した時のz2とz1の差、
Δzdを製造上で生じるΔz0とΔzの差(即ち予め設定したΔz0と実際に作成された時のΔzの差)と、それぞれしたとき、次式(2)が成立する。
Δz=Δz0+Δzd (2)
本出願の発明者は、後述する内容の実験を行い、光検出器で良好な信号強度を得るために必要なΔzdの公差を算出した。この実験結果によると、所定の条件下において、光検出器上で良好な信号強度、例えば、最大信号振幅が1/2になる信号強度を得るためには、Δzdの公差はおよそ±36μmであることが判明した。また、他の条件下では、光検出器上で良好な信号強度を得るためには、Δzdの公差はおよそ±33μmであることが明らかになった。
一般に、機械加工精度の公差は、±50μm〜±100μm程度である。このため、製造的な観点からは、Δzdが±36μm〜±33μm以下になるように第1格子、第2格子、及び第3格子を実装配置することは、極めて難易度が高く困難である。また、Δzdが±36μm〜±33μm以下である光学式エンコーダを実現しようとすると、光学式エンコーダの構成部材の寸法公差が厳しくなるため、安価に製造することが非常に困難になってしまう。また、上述した従来例には、Δzdを非常に小さな公差で組み立てる具体的な方法や構成は一切開示されてない。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、上述のΔzdの公差を緩和して、製造容易な公差を実現し、安価で量産可能な3重スリット方式の光学式エンコーダを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、第1の本発明によれば、変位検出される一方の部材に取り付けられたスケールと、一方の部材に対して相対移動する他方の部材に取り付けられ、かつ、スケールに対向して配置された検出ヘッドとを備え、スケールには、相対移動する方向に対して第2のピッチの光学パターンを有する第2格子が設けられており、検出ヘッドには、スケールに所定の光を照射する投光部と、投光部からスケールに照射されて第2格子により反射及び回折した光により光検出器の受光面上に形成されるセルフイメージの動きを検出する光検出部と、が設けられた光学式エンコーダであって、投光部は、光源と、光源に対してスケールに対向する側に配置された第1格子とが組み合わされて所定の光を照射するように構成され、第1格子には相対移動する方向に対して第1のピッチの光学格子が形成されており、光検出部は、光検出器と、光検出器の受光面に配置された第3格子とが組み合わされてセルフイメージの動きを検出するように構成されており、第3格子には相対移動する方向に対して第3のピッチの光学格子が形成されており、第1格子の形成面と第3格子の形成面とは、それぞれスケールに対して略平行に配置され、投光部から出射した光がスケールにより反射及び回折されて光検出部に到るまでの光路内において、スケールに対向する検出ヘッドの表面には、スケールに対して略平行かつ略平坦な光透過領域が形成され、第1格子と第3格子は別体として形成されており、さらに、第1格子は、光源の出射面に直接形成されているか、あるいは第1格子を形成した光透過性基板を光源の出射面に積層した構成であり、第3格子は、光検出器の受光面に直接形成されているか、あるいは第3格子を形成した光透過性基板を光検出器の受光面に積層した構成であるとともに、第1格子から検出ヘッドの表面に至る空間および第3格子から検出ヘッドの表面に至る空間は、光透過性基板が存在する部分を除いて屈折率が1より大きな光透過性樹脂で充填されていることを特徴とする光学式エンコーダを提供できる。
また、本発明の好ましい態様によれば、第1格子は、光源の光出射表面に直接形成した光学格子、または光源の電流注入電極を兼ねた格子状電極パターンであることが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、光源は、ベアチップ、またはベアチップをモールド封止した面発光型半導体素子であることが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、第1格子と第3格子との少なくとも一方は、光透過性基板に光学格子を形成したものであり、光透過性基板の側面は、光透過樹脂で覆われていることが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、第1格子と第3格子に対してスケールに対向する側にスケールと平行に配置された板状光透過性部材を配置し、板状光透過性部材と第1格子との間の空間、及び板状光透過性部材と第3格子との間の空間には、光透過性基板または光透過樹脂が配置されていることが望ましい。
また、第2の本発明によれば、変位検出される一方の部材に取り付けられたスケールと、一方の部材に対して相対移動する他方の部材に取り付けられ、かつ、スケールに対向して配置された検出ヘッドとを備え、スケールには、相対移動する方向に対して第2のピッチの光学パターンを有する第2格子が設けられており、検出ヘッドには、スケールに所定の光を照射する投光部と、投光部からスケールに照射されて第2格子により反射及び回折した光により光検出器の受光面上に形成されるセルフイメージの動きを検出する光検出部と、が設けられた光学式エンコーダであって、
投光部は、光源と、光源に対してスケールに対向する側に配置された第1格子とが組み合わされて所定の光を照射するように構成され、第1格子には、相対移動する方向に対して第1のピッチの光学格子が形成されており、光検出部は、光検出器と、光検出器の受光面に配置された少なくとも一つの受光素子アレイによりセルフイメージの動きを検出するように構成されており、受光素子アレイは、セルフイメージの周期的な強度分布の略整数倍のピッチを有する受光素子群により構成され、受光素子アレイ内の各々の受光素子は、相対移動する方向に対して互いに一定寸法だけずらして配置されており、第1格子の形成面と受光面は、スケールに対して略平行に配置され、投光部から出射した光がスケールにより反射及び回折され光検出部に到るまでの光路内においては、スケールに対向する検出ヘッドの表面には、スケールに対して略平行かつ略平坦な光透過領域が形成され、第1格子と受光素子アレイは別体として形成されており、さらに、第1格子は光源の出射面に直接形成されているか、あるいは第1格子を形成した光透過性基板を光源の出射面に積層した構成であり、さらに、第1格子から検出ヘッドの表面に至る空間および受光素子アレイから検出ヘッドの表面に至る空間は、光透過性基板が存在する部分を除いて屈折率が1より大きな光透過性樹脂で充填されていることを特徴とする光学式エンコーダを提供できる。
また、本発明の好ましい態様によれば、第1格子は、光源の光出射表面に直接形成した光学格子、または光源の電流注入電極を兼ねた格子状電極パターンであることが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、光源は、ベアチップまたはベアチップをモールド封止した面発光型半導体素子であることが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、第1格子は、光透過性基板に光学格子を形成したものであり、光透過性基板の側面は、光透過樹脂で覆われていることが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、第1格子と受光面に対してスケールに対向する側にスケールと平行に配置された板状光透過性部材を配置し、板状光透過性部材と第1格子との間の空間、及び板状光透過性部材と受光面との間の空間には、光透過性基板または光透過樹脂が配置されていることが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、光透過性部材と光透過性基板と光透過樹脂とは、光源が出射する所定の波長領域の光に対して所定の光透過率を有し、かつ所定の波長領域よりも長波長側の光と、所定の波長領域よりも短波長側の光との少なくとも一方の光に対しては光透過率が1/2以下になることが望ましい。
本発明に係る光学式エンコーダは、反射型の3重スリット方式のエンコーダである。そして、検出ヘッドの表面と第1格子との間の空間、及び検出ヘッドの表面と第3格子との間の空間に光透過性部材が配置されている。これにより、光透過性部材の屈折率に対応して、上述のΔzdの公差を緩和することができる。この結果、製造容易な公差を実現し、安価で量産可能な3重スリット方式の光学式エンコーダを提供することができる。
以下に、本発明に係る光学式エンコーダの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例により、この発明が限定されるものではない。
図1は、本発明の実施例1に係る光学式エンコーダ100の斜視構成を示す。図2は、実施例1に係る光学式エンコーダ100の断面構成を示す。はじめに光学式エンコーダ100の構成について説明し、次に、公差に関して本出願の発明者が行った実験について述べる。そして、その実験結果に基づいて、本実施例の作用効果を説明する。
まず、本実施例に係る光学式エンコーダ100の構成を説明する。変位検出される一方の部材として、平行平面形状のスケール121が配置されている。スケール121の検出ヘッド側の面には、第2格子120が形成されている。第2格子120は、スケール121と後述する基板160とが相対移動する方向、例えば、図1、図2においてy軸に沿った方向に対して第2のピッチp2で形成されている光学パターンである。
また、基板160上に、ベアチップLED141と光透過性基板111とが積層されている。基板160は、スケール121に対して相対移動する他方の部材に対応する。ベアチップLED141は、光源に対応する。光透過性基板111のベアチップLED141側の面には、第1格子110が形成されている。第1格子110は、スケール121と基板160とが相対移動するy軸に沿った方向に対して第1のピッチp1で形成されている光学パターンである。ベアチップLED141と第1格子110とで、投光部に対応する。また、ベアチップLED141は、例えば、波長λ=650nmの光を出射する。
また、基板160上には、光検出器150と光透過性基板131とが積層されている。光透過性基板131の光検出器150側の面には、第3格子130が形成されている。第3格子130は、スケール121と基板160とが相対移動するy軸に沿った方向に対して第3のピッチp3で形成されている光学パターンである。光検出器150と第3格子130とで、光検出部に対応する。そして、投光部と光検出部とを合わせた構成が検出ヘッドに対応する。
光検出器150と第3格子130とからなる光検出部は、投光部からスケール121に照射されて第2格子120により反射及び回折した光により光検出器150の受光面上に形成されるセルフイメージの動きを検出する。
基板160上に配置された、ベアチップLED141と光透過性基板111と光検出器150と光透過性基板131とは、光透過樹脂190で覆われるように埋められている。
第1格子110の形成面と第3格子130の形成面とは、それぞれスケール121に対して略平行に配置されている。また、投光部から出射した光がスケール121により反射及び回折されて光検出部に到るまでの光路内において、スケール121に対向する検出ヘッドの表面には、スケール121に対して略平行かつ略平坦な光透過領域が形成されている。即ち、光透過樹脂190のスケール121側の面は、スケール121に対して略平行かつ略平坦に形成されている。
また、第2格子120が形成されたスケール121は、第1格子110及び第3格子130の形成面に平行な状態で、y方向に相対移動可能に配置されている。ここで、第1格子110と、第2格子120と、第3格子130の形成面に平行な面をxy平面とする。また、y方向を第2格子120の格子ピッチ方向、x方向を第2格子120の格子ピッチ方向に対して垂直な方向、z方向をxy平面に垂直な方向とそれぞれする。
ベアチップLED141の上面には、電極パッド170が形成されている。ベアチップLED141上の電極パッド170は、導電ワイヤ171を介して、基板160上の他の電極パッド170に接続されている。なお、光源や光検出器の電気的な配線については省略する。
(格子位置の公差に関する実験)
次に、本出願の発明者が行った第1格子110、第2格子120、第3格子130の相互の位置の公差に関する実験について説明する。
光検出器150の受光面に形成される第2格子120と略相似な光学パターン、即ちセルフイメージが観測される場合を考える。光検出器150の受光面上のセルフイメージの強度分布周期p33は、
p33=p2×(z1+z2)/z1 (3)
=p2×(2+Δz/z1) (4)
となる。ここで、
Δz=z2−z1 (5)
とした。
従って、第3格子130の第3のピッチp3を、セルフイメージの強度分布周期p33に合致させること、またはその整数倍にすることが望ましい。これにより、スケール121が変位したとき、受光面上でのセルフイメージの動きを最大振幅で捉えることができる。
即ち、
p3=p33×m (6)
と設定することで、光検出器150から最大の信号振幅が得られる。ここで、mは自然数である。
さらに、第1格子110と第3格子130との光学的な対称性の関係より、セルフイメージを鮮明(クリア)に結像させるための第1格子110の最適周期p1は、
p1=p2×(z1+z2)/z2 (7)
=p2×(2−Δz/z2) (8)
である。
さらに、
Δz0を予め設計したz2とz1の差、
Δzを実際に製作した時のz2とz1の差、
Δzdを製造上で生じるΔz0とΔzの差(即ち予め設定したΔz0と実際に作成された時のΔzの差)と、それぞれしたとき、上述した式(2)が成立する。
Δz=Δz0+Δzd (2)
特に、z1=z2、即ち、従来例である図21においてΔz=0の構成では、
2/z1=λ・(n×p1) (9)
p1=p33=2×p1 (10)
となる。
このため、予めp1=p3=2×p2となるように、第1格子110の第1のピッチp1、第2格子120の第2のピッチp2、第3格子130の第3のピッチp3を設定すれば良い。このようにすると、第1格子110、第2格子120、第3格子130の各ピッチの設計が容易となる。
なお、一般的には、Δz=0、即ち、z1=z2は、必須要件ではない。この場合は、Δzd=0として、予め設定したΔz0の値に対して、(1)〜(8)式に基づいて、λ、z1、z2、p1、p2、p3の各構造パラメータを予め設定しておけば良い。
また、z1、z2が設定値とは異なる値で配置されたとき、即ち、Δzd≠0のときは、これに連動して(4)、(8)式のΔz/z1及びΔz/z2の値が変化する。このため、最適なp1、p3の値が予め設定した値からずれることとなる。これは、セルフイメージの強度分布周期p33と第3格子のピッチp3がずれると共に、セルフイメージを鮮明(クリア)に結像させる第1格子110の最適なピッチp1の値が変化するためである。
このため、Δzd≠0のとき、即ち、z1、z2が設定値からずれて配置されたときは、光検出器150からの信号振幅が低下する。従って、z1、z2を設定値に極力近づけて配置すること、即ち、製造上で生じるΔzdを極力小さくして、第1格子110と第3格子130とを設定した高さからばらつかないように製造することが高性能なエンコーダを実現するポイントになる。
本出願の発明者は、反射型の3重スリット方式の光学式エンコーダについて、上記Δzdの許容公差を調べるために、図3、図4で示す構成に対して、Δzdと光検出器150からの信号振幅の関係に関して実験を行った。
実験に用いたエンコーダの構成を図3、図4に基づいて説明する。基板161上に、光源としてのベアチップLED141と、第1格子110を形成した光透過性基板111とが積層されている。基板161とは別体の基板162上に光検出器150と、第3格子130を形成した光透過性基板131が積層されている。
一方、第2格子120が形成されたスケール121は、第1格子110及び第3格子130の形成面に平行に配置されている。ここで、第1格子110、第2格子120、第3格子130の各形成面に平行な面をxy平面とする。また、y方向を第2格子120の格子ピッチ方向と、x方向をそれに対して垂直な方向と、z方向をxy平面に垂直な方向とそれぞれする。なお、図3には光透過板105が記載されているが、これは、本実験の説明では無視して扱う。
スケール121がy方向に変位したとき、第3格子130の形成面上では、上述したセルフイメージがy方向に移動する。これにより、光検出器150から周期的な疑似正弦波状の信号が得られる。実験結果によると、光検出器150から出力される周期的な疑似正弦波状の信号振幅は、Δzdを変化させたときに図5に示すように変化した。
図5の横軸はΔzd(単位:mm)、縦軸は信号振幅(単位:任意、最大値で正規化)をそれぞれ示している。実験条件は、
λ=650nm、p2=20μm、n=1である。
また、
第1格子110の有効エリア:0.15mm×0.15mm
(図3でWx、1=Wy、1=0.15mm)
第3格子130の有効エリア:1.0mm×0.5mm
(図3でWx、3=0.5mm、Wy、3=1.0mm)
としている。
まず、Δz0=0及びΔz0=0.03mmに設定した場合の各々について、初期的にz1、z2及びp1、p3を(1)〜(8)式により決定する。次に、z1を一定にして、z2を変化させる。これにより、第1格子110と第3格子130の高さを変化させて光検出器150から得られる信号振幅を測定する。
実験結果によると、Δz0=0で最適条件となるようにp1、p3、z1、z2を設定したとき、図5において曲線L1(実線で示す)で示した結果となる。曲線L1では、信号振幅が1/2になるΔzdの公差はおよそ±36μmである。
また、Δz0=0.03mmの場合に最大振幅が得られるように設定した実験では、Δzdの公差は±33μmの値が得られている。即ち、Δz0=0.03mmの場合には、Δzの値は0.3mm±33μm程度に納める必要がある。
実験結果から明らかなように、上述の典型的な実験条件においては、Δzdが±36μm〜±33μm以下になるように第1格子110、第2構成120、第3格子130を実装配置することが必要となってしまう。
(本実施例の作用、効果)
次に、本実施例の作用、効果を説明する。このように、実験結果によれば、Δzdが±36μm〜±33μm以下になるように第1格子110、第2格子120、及び第3格子130を配置することが必要となる。これに対して、上述したように、一般的な機械加工精度の公差は、±50μm〜±100μm程度である。このため、製造的な観点からは、Δzdが±36μm〜±33μm以下になるように第1格子110、第2格子120、及び第3格子130を実装配置することは、極めて難易度が高く困難である。
まず、本実施例の効果を説明するため、図1、図2で説明した実施例1の光学式エンコーダを用いて、さらに実験を行った。光検出器150の厚さを変えて図2に示すΔz(第1格子110と第3格子130の高さ)の異なるものを用意する。そして、各々について、検出ヘッド全体を屈折率がおよそ1.6の光透過樹脂190で充填封止している。
Δz0=0で最適条件となるようにp1、p3、z1、z2を設定し、Δzの異なる検出ヘッドに対して光検出器150から得られる信号振幅を図5の曲線L2(一点鎖線で示す)で示す。図5から明らかなように、検出ヘッド全体を光透過樹脂190で充填封止したとき、信号振幅が1/2になるΔzdの公差はおよそ±62μmとなる。上述した空気中の場合(図5の曲線L1)と比較して、およそ1.7倍公差が緩和されていることがわかる。
Δzdの公差が緩和される基本原理について考察するために行った補足実験の結果を次に説明する。この補足実験においては、図4に示した構成において、光透過板105の厚さtを変化させて、Δz=0の場合に対してピッチp1、p3の最適設計を行い、信号振幅が最大となるz1(=z2)の値を測定した。
これによると、光透過板105の厚さをt、光透過板105の屈折率をnindex、空気中の屈折率を1とそれぞれすると、光透過板105が存在するときは、光透過板105が存在しないときに比較して最大振幅が得られるz1、z2の値がt×(nindex−1)だけ大きくなることを観測した。
即ち、光線の光路上の空間を屈折率がnindexの部材で満たせば、(1)、(3)、(4)、(7)、(8)式におけるz1、z2の値は、屈折率がnindexの部材である部分については、幾何学的寸法に対して1/nindex倍して考えれば良いことになる。このように、通常の光学的な光路長に対する常識(光路長は幾何学的寸法のnindex倍になる)と異なる考え方をする必要があることが判った。なお、光透過板105の有無によるスケール121の第2格子120のセルフイメージの空間的な強度分布の振幅は殆ど変化しないことを受光面上での強度分布観測により確認している。
このため、投光部から出射した光がスケール121にて反射及び回折されて光検出部に到る光路上に屈折率がnindexの光透過性部材を満たせば、(4)、(8)式により決定される最適なピッチp1、p3の値の変化率は、空気中の場合に比較して1/nindexとなると考えられる。
さて、投光部上の検出ヘッドの表面と第2格子120の形成面との間の距離をz10と、光検出部上の検出ヘッドの表面と第2格子120の形成面との間の距離をz20とそれぞれする。このとき、本実施例では、投光部から出射した光がスケール121により反射及び回折されて光検出部に到るまでの光路内において、スケール121に対向する検出ヘッドの表面には、スケール121に対して略平行かつ略平坦な光透過領域が形成されている。
このため、Z20とZ10の差は、設計値からのばらつきは非常に小さいと考えられる。従って、上述のΔzdは、以下の2つの要因(a)、(b)により決定される。
(a)第1格子110と第3格子130の高さの差の製造ばらつき
(b)投光部上の検出ヘッドの表面と第2格子120の間、及び光検出器上の検出ヘッドの表面と第1格子110の間の空間の屈折率
この結果、投光部上の検出ヘッドの表面と第2格子120の間、及び光検出器150上の検出ヘッドの表面と第1格子110の間の空間を、屈折率がnindexの部材で満たせば、第1格子110と第3格子130の高さの差の製造ばらつきの公差がnindex倍だけ大きくなる。
通常の光透過性部材は屈折率が1以上であり、例えば、ガラスなら1.5程度、光透過樹脂なら1.4〜2程度である。このため、ガラスや光透過樹脂を使ったとき、空気中の場合に比較して、第1格子110と第3格子130の高さ公差は1.4〜2倍程度緩和される。これが、検出ヘッド全体を光透過樹脂190で充填封止したとき、Δzdの公差が緩和された理由である。
本実施例では、投光部から出射した光がスケール121により反射及び回折されて光検出部に到るまでの光路内において、スケール121に対向する検出ヘッドの表面に、スケール121に対して略平行かつ略平坦な光透過領域を形成し、かつ検出ヘッドの表面と第1格子110との間の空間、及び検出ヘッドの表面と第3格子130との間の空間に光透過性部材である光透過樹脂190を配置している。従って、構成部材の寸法公差や実装公差が緩くなる。この結果、光学式エンコーダ100を安価で、大量に生産することができる。
このように、本実施例では、図1、図2で説明した構成により、公差Δzdの要求精度を緩和している。ベアチップLED141から出射した光は、第1格子110を形成した光透過性基板111を経て、スケール121上の第2格子120に照射される。第2格子120で反射及び回折された光は、第3格子130を形成した光透過性基板131を経て、光検出器150に到達する。
ここで、各要素の構成パラメータが概略値として(1)式で設定した値になると、第3格子130の形成面(以下、適宜「受光面」という。)上に(3)式で規定される空間周期p33でスケール121のセルフイメージが形成される。スケール121がy方向に相対移動すると、セルフイメージがy方向に移動する。このため、光検出器150から周期的な疑似正弦波状の信号が得られる。
基板160上に配置された各部材は、光透過樹脂190で埋められている。このため、第1格子110と第3格子130の段差の公差が光透過樹脂190の屈折率の分だけ大きくなる利点がある。
また、第1格子110、第3格子130を形成する光透過性基板110、131の側面が光透過樹脂190で埋められている。このため、図4の光線181、182で示した光透過樹脂が無い場合に発生する光ビームの側面反射が抑制され、図2の光線181、182のようになる。これにより、光源から出射した光ビームを効率的に光検出器150に導くことができる。この結果、光検出器150の信号振幅が大きくなり、センサとしてのS/Nの向上、位置検出分解能の高分解能化、ノイス゛耐性の改善等の効果を奏する。特に、図4の光線181で示すような、光源からスケール121に向かう光線と光透過性基板111の側面の成す角度、または光線182で示すスケール121から光検出器150に向かう光線と光透過性基板131の側面との成す角度が全反射角になると、この光線に沿った光成分は全く透過しない。このため、構成部材の配置条件によっては、信号振幅を顕著に改善できる。なお、光透過性基板111、131の側面において光反射が抑えられる理由は、光透過性基板111、131と光透過樹脂190の屈折率の差が、光透過性基板111、131と空気の屈折率の差より小さいためである。また、前述の全反射角は、光透過性基板111、131とそれに接する部材の屈折率差により決まり、この差が小さいほど全反射角度は大きくなり、全反射が発生しなくなる。
また、検出ヘッドを樹脂封止することにより、湿度やゴミ等に対する信頼性を向上させることができる。さらに、本実施例では、第1格子を110形成した光透過性基板111を光源に直接貼り付けることにより、投光部の製造が容易になる。さらに、光源として、ベアチップLED141を用いることで、投光部を薄く、低コストで製造できる。
(変形例)
なお、本実施例の各構成部材は、各種の変形、変更が可能である。例えば、本実施例では、光源として、ベアチップLEDの場合を示している。しかしながら、これに限定されるものではなく、一般的なLEDモールド品、面発光レーザ等、セルフイメージが形成可能なものであればよい。
また、第3格子130は、一群の格子の場合について説明したが、後述するような互いに位相をずらして複数配置し、それぞれに対して光検出器を配置する構成も含まれる。さらに、スケール121上の第2格子120及び第1格子110、第3格子130は、一定周期の構造のみを記載し、相対移動量を検出する構成について説明したが、第1格子110、第2格子120、第3格子130の各々の近傍に基準位置検出用の光学パターンを配置することもできる。また、第1格子110、第2格子120、第3格子130は、1次元の格子パターンについて説明したが、2次元の格子状に形成し、2次元的な変位を検出する構成も可能である。
また、図1、図2では、光透過性基板111に第1格子110を形成した面は、ベアチップLED141と対向する面としている。光透過性基板131に第3格子130を形成した面は、光検出器150に対向した面にした場合としている。しかしながら、これに限られるものではなく、各々の光透過性基板111、131に形成した第1格子110及び第3格子130をスケール121に対向する面に形成してもよい。
また、光透過樹脂190で検出ヘッドの周囲を覆う製法については、方法を問わない。例えば、個々の検出ヘッドに対して光透過樹脂190をディスペンスする方法、大判の基板に多数の検出ヘッドの構成部材を実装した後、大判の基板全体に光透過樹脂を塗布し、樹脂硬化後に、個別の検出ヘッドにダイシングにより分離する方法等がある。
また、光透過樹脂190のスケール121に対向する面を平坦にする方法についても、樹脂型による方法、表面張力により略平坦にする方法、塗布後に研磨する方法などあらゆる方法が適用できる。
図6は、本発明の実施例2に係る光学式エンコーダ200の斜視構成を示す。図7は、実施例2に係る光学式エンコーダ200の断面構成を示す。本実施例では、ベアチップLED141と第1格子110とを積層した投光部、及び光検出器150と第3格子130とを積層した光検出部が、各々、異なる光透過樹脂290a、290bで覆われている点が上記実施例1と異なる。上記実施例1と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
本実施例では、光透過樹脂290aは、ベアチップLED141からスケール121に至る光路を覆っている。また、光透過樹脂290bは、スケール121から光検出器150に至る光路を覆っている。このように、光透過樹脂290a、290bは、それぞれ光が透過する領域のみ平坦性が確保されていれば良い。
このため、例えば、光透過樹脂の平坦性を確保しにくい部材や製法を用いても、実施例1のような一体的に大きな光透過樹脂を形成するときに比較して、ベアチップLED141からスケール121を経て光検出器150に到る光路内において、検出ヘッドの上面を平坦に形成することが容易である。
また、光透過性基板111、131の側面は、それぞれ光透過樹脂290a、290bに覆われている。これにより、空気と接する面がベアチップLED141の光出射部分から遠くなる。この結果、ベアチップLED141から出射された光が光透過性基板111、131の側面で全反射されてしまうことを低減できるという効果を奏する。その他の作用は実施例1と同様である。なお、この実施例の各構成は、実施例1と同様に各種の変形、変更が可能である。
図8は、本発明の実施例3に係る光学式エンコーダ300の斜視構成を示す。図9は、実施例3に係る光学式エンコーダ300の断面構成を示す。本実施例では、ベアチップLED141の上面の格子状電極143に上述した第1のピッチ(周期)p1の周期的な複数の矩形状の開口が形成されている点が上記実施例1と異なる。上記実施例1と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
ベアチップLED141の格子状電極143の周期的な開口が第1格子110と同様な機能を発揮する。この構成により、実施例1の効果に加えて、ベアチップLED141と第1格子110とを積層する工程が省略でき製造が容易になる利点がある。また、投光部を薄く構成できる。なお、本実施例の各構成は、実施例1と同様に各種の変形、変更が可能である。
図10は、本発明の実施例4に係る光学式エンコーダ400の斜視構成を示す。図12は、実施例4に係る光学式エンコーダ400の断面構成を示す。本実施例では、図11で示すように光検出器を第3のピッチ(周期)p3で形成した受光素子アレイとしている点が上記実施例1と異なる。上記実施例1と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図11は、光検出器150上に形成されている受光素子アレイ151を拡大して示す。受光素子アレイ151は、例えば矩形状の4つのフォトダイオードPD1、PD2、PD3、PD4が複数組み合わされている。
フォトダイオードPD1、PD2、PD3、PD4は、それぞれ1/4×p3ずつずらして櫛歯状に配置されている。そして、それぞれのフォトダイオードPD1、PD2、PD3、PD4からの電気信号を4つの電極パッドA1、B1、A2、B2より出力する。
スケール121がy方向に相対移動すると、4つの電極パッドA1、B1、A2、B2から互いに1/4周期だけ位相が異なる疑似正弦波信号が得られる。これにより、変位の向き(移動方向の判別)の検出が可能になる。さらに、出力信号の内挿処理(変位量の内挿処理)を行うことで、スケール121に形成されている第2格子120の第2のピッチよりも大幅に細かい分解能で変位量を検出することが可能である。
実施例1においても、第3格子130と光検出器150との組を複数配置することで、原理的には同様なことが可能である。ここで、本実施例では、複数の位相の異なるフォトダイオードPD1、PD2、PD3、PD4をほぼ同じ位置に配置できる。このため、第3格子130と光検出器150との組を異なる位置に複数位置する場合と比較して、平面内の回転許容度を大幅に緩くすることができる。さらに、第3格子130を形成する光透過性基板の実装が不要である。このため、本実施例では、容易に、より低コストかつ高精度で第3格子の機能を実現できる。
なお、本実施例においても、当然、各種の変形、変更が可能である。フォトダイオードPD1、PD2、PD3、PD4のピッチは、p3の整数倍でも良い。また、各フォトダイオードPD1、PD2、PD3、PD4は、ずらし量が1/4×p3に限定されるものではなく、例えば、ずらし量1/3×p3で3群(3組のフォトダイオード群)、ずらし量3/4×p3で4群(4組のフォトダイオード群)、ずらし量1/m×p3でm群(mは自然数、m組のフォトダイオード群)など多様な形態が可能である。
図13は、本発明の実施例5に係る光学式エンコーダ500の斜視構成を示す。図14は、実施例5に係る光学式エンコーダ500の断面構成を示す。本実施例では、投光部の光源として樹脂モールドLED144を用いている。樹脂モールドLED144は、ベアチップLED141の上面の電極パッド170が、樹脂モールドLEDの下面の電極パッド170に導電ワイヤ171で接続されている。また、ベアチップLED141の他方の電極パッドは、樹脂モールドLED144の下面の電極パッド170にハンダ材等で直接接続されている。さらに、樹脂モールドLED144の上面には、第1格子110を形成した光透過性基板111が積層されている。その他の構成は、実施例4と同様である。
本実施例の基本的な作用は、上述の実施例4と同様である。ベアチップLEDを樹脂モールドLED144にすることにより、投光部の厚さや平面寸法は、やや大きくなる。しかしながら、第1格子110を形成した基板のサイズが大きくなりハンドリングが容易になること、ベアチップLEDの上面に配置された導電ワイヤのボンディングパッドが不要であること等により、樹脂モールドLED144と第1格子110を形成した光透過性基板111の実装が容易になる利点がある。
一般に、樹脂モールドLED144の高さのばらつきの公差は±60μm程度である。本実施例の構成によれば、光透過樹脂190の屈折率をnindexとしたとき、樹脂モールドLED144の高さの公差を1/nindexに低減できる。例えば、nindex=2としたとき、樹脂モールドLED144の高さのばらつきの公差は空気中に配置した場合の±30μm程度に相当する。このため、高さのばらつきの公差が±60μm程度の樹脂モールドLED144を用いるときでも、上述した実験結果の公差範囲を実現できる。
なお、本実施例の各構成は、各種の変形、変更が可能である。例えば、樹脂モールドLED144の上面は全面的に平坦である必要はなく、第1格子110を形成した光透過性
基板111の接着部が平坦になっていれば良い。
また、樹脂モールドLED144の上面の平坦な領域以外の部分にレンズ機能を有する凹凸を形成しても良い。これにより、光ビームの放射角を光検出器150に有効に導くような角度に制御することも可能である。
図15は、本発明の実施例6に係る光学式エンコーダ600の斜視構成を示す。図16は、実施例6に係る光学式エンコーダ600の断面構成を示す。本実施例では、投光部の
構成を実施例3と同一に、光検出部を実施例4と同一に形成したものである。
投光部の作用は実施例3と同一である。また、光検出部の作用は実施例4と同一である。このため、第1格子110、及び第3格子130を形成する光透過性基板111、131の実装が不要である。これにより、より低コストかつ高精度で第1格子110、及び第3格子130の機能を実現できる。なお、本実施例の各構成は、各種の変形、変更が可能である。変形例については、実施例3、実施例4と同様である。
図17は、本発明の実施例7に係る光学式エンコーダ700の断面構成を示す。本実施例では、投光部には、樹脂モールドLED144の上面に第1格子143を形成した光透過基板791が積層されており、光検出部には、受光素子アレイ151を用いている。
本実施例では、光透過樹脂で投光部及び光検出部の全体を覆うように形成する代わりに、スケール121面と平行に対向するように板状光透過性部材791を、投光部及び光検出部の上部に配置している。そして、投光部と光検出器の高さの差により発生する隙間に光透過樹脂790を配置した構成である。なお、光透過樹脂790には接着剤の機能をもたせても良い。
(変形例)
図18は、実施例7の変形例に係る光学式エンコーダ750の断面構成を示す。図17は、受光素子アレイ151(第3格子)と板状光透過性部材791との間に光透過樹脂790を配置した構造の一例である。これに対して、本変形例は、格子状電極143(第1格子)と板状光透過性部材791との間に光透過樹脂790を配置した構造の一例である。その他の構成は、実施例1と同様である。
格子状電極143(第1格子)と板状光透過性部材791との間、または受光素子アレイ151(第3格子)と板状光透過性部材791との間に光透過樹脂790を配置している。このため、格子状電極143(第1格子)、受光素子アレイ151(第3格子)の配置高さの公差を大きくとることができる。
なお、本実施例の各構成は、各種の変形、変更が可能である。光透過樹脂790で埋める空間は、必ずしも、格子状電極143(第1格子)、受光素子アレイ151(第3格子)と、投光部や光検出器の隙間に限定されない。例えば、投光部や光検出器の側面を埋める構成でもよい。その他の変形例については、例えば実施例5、実施例6と同様である。
図19は、本発明の実施例8に係る光学式エンコーダ800の断面構成を示す。本実施例では、投光部及び光検出部の構成について、ベアチップLEDの代わりに樹脂モールドLEDを用いることの他は、実施例1と同様である。
そして、光透過樹脂190を投光部と光検出部との全体を覆うように形成する代わりに、スケール121面と平行に対向するように板状光透過性部材891a、891b、891cを投光部及び光検出器150の上部に配置する。そして、投光部と光検出器150の高さの差により発生する隙間に光透過樹脂890を配置した構造である。光透過樹脂890には、接着剤の機能をもたせてもよい。
(変形例)
図20は、実施例8の変形例に係る光学式エンコーダ850の断面構成を示す。本変形例では、板状光透過性部材991a、991b、991cを配置している。本変形例は、第1格子110と板状光透過性部材991bとの間に光透過樹脂990を配置した構造の一例である。その他の構成は、実施例1と同様である。
本実施例及びその変形例では、第1格子110と板状光透過性部材991bとの間、または第3格子130と板状光透過性部材891bとの間に光透過樹脂890、990を配置している。このため、第1格子110と第3格子130の配置高さの公差を大きくとることができる。
なお、本実施例の各構成は、各種の変形、変更が可能である。光透過樹脂890、990で埋める空間は、必ずしも第1格子110、第3格子130と、投光部や光検出器の隙間に限定されない。例えば、投光部や光検出器の側面を埋める構成でもよい。その他の変形例については、例えば実施例1と同様である。
また、上記各実施例において、さらに以下の(1)、(2)、(3)の構成とすることができる。
(1)光源の波長は、紫外光または可視光領域に設定され、光透過性部材、光透過性基板、光透過樹脂は、光源波長に対して光透過性を有するが、赤外光に対して光透過率が1/2以下になること。
(2)光源の波長は、紫外光または赤外光領域に設定され、光透過性部材、光透過性基板、光透過樹脂は、光源波長に対して光透過性を有するが、可視光に対して光透過率が1/2以下になること。
(3)光源の波長は、可視光または赤外光領域に設定され、光透過性部材、光透過性基板、光透過樹脂は、光源波長に対して光透過性を有するが、紫外光に対して光透過率が1/2以下になること。
このように、光透過性部材、光透過性脂は光源波長に対して光透過性を有するものであればよく、それ以外の波長に対しては光透過性を持たなくても良い。例えば、光源の波長が紫外光または可視光領域に設定された場合は、光透過性部材、光透過性基板、光透過樹脂は、光源波長に対して光透過性を有するが、赤外光に対して光透過率が小さくてもよい。これにより、赤外光が多い環境においては、赤外光による影響を抑制したセンシングが可能となる。
また、光源の波長が、紫外光または赤外光領域に設定された場合は、光透過性部材、光透過性基板、光透過樹脂は、光源波長に対して光透過性を有するが、可視光に対して光透過率が小さくてもよい。これにより、可視光が多い環境においては、可視光による影響を抑制したセンシングが可能となる。
さらに、光源の波長が、可視光または赤外光領域に設定された場合は、光透過性部材、光透過性基板、光透過樹脂は、光源波長に対して光透過性を有するが、紫外光に対して光透過率が小さくてもよい。これにより、紫外光が多い環境においては、紫外光による影響を抑制したセンシングが可能となる。
また、上述した実施例1〜実施例8の構成を任意に組み合わせることができることはいうまでもない。このように、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変形例をとることができる。
以上のように、本発明に係る光学式エンコーダは、構成部材間の公差を緩和した反射型の3重スリット方式のエンコーダに有用である。
本発明の実施例1に係る光学式エンコーダの斜視構成を示す図である。 実施例1に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実験に用いた光学式エンコーダの斜視構成を示す図である。 実験に用いた光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実験結果を示す図である。 実施例2に係る光学式エンコーダの斜視構成を示す図である。 実施例2に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実施例3に係る光学式エンコーダの斜視構成を示す図である。 実施例3に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実施例4に係る光学式エンコーダの斜視構成を示す図である。 実施例4における受光素子アレイの構成を示す図である。 実施例4に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実施例5に係る光学式エンコーダの斜視構成を示す図である。 実施例5に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実施例6に係る光学式エンコーダの斜視構成を示す図である。 実施例6に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実施例7に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実施例7の変形例に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実施例8に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 実施例8の変形例に係る光学式エンコーダの断面構成を示す図である。 従来技術の光学式エンコーダの断面構成を示す図である。
符号の説明
100 光学式エンコーダ
105 光透過板
110 第1格子
111 光透過基板
120 第2格子
121 スケール
130 第3格子
131 光透過基板
141 ベアチップLED
143 格子状電極の開口部
150 光検出器
151 受光素子アレイ
160、161、162 基板
170 電極パッド
171 導電ワイヤ
180、181、182 光線
190 光透過性樹脂
200 光学式エンコーダ
290a、290b 光透過樹脂
300、400、500、600、700、750、800、850 光学式エンコーダ
790 光透過樹脂
791 板状光透過性部材
890、990 光透過樹脂
891a、891b、891c 板状光透過性部材
991a、991b、991c 板状光透過性部材
A1、B1、A2、B2 電極パッド
p1 第1のピッチ
p2 第2のピッチ
p3 第3のピッチ
PD1、PD2、PD3、PD4 フォトダイオード
1 光学式エンコーダ
10 光透過性基板
11 第1格子
14 光源
20 第2格子
21 スケール
30 第3格子
31 光透過性基板
50 光検出器

Claims (11)

  1. 変位検出される一方の部材に取り付けられたスケールと、前記一方の部材に対して相対移動する他方の部材に取り付けられ、かつ、前記スケールに対向して配置された検出ヘッドとを備え、前記スケールには、相対移動する方向に対して第2のピッチの光学パターンを有する第2格子が設けられており、前記検出ヘッドには、前記スケールに所定の光を照射する投光部と、前記投光部から前記スケールに照射されて前記第2格子により反射及び回折した光により前記光検出器の受光面上に形成されるセルフイメージの動きを検出する光検出部と、が設けられた光学式エンコーダであって、
    前記投光部は、光源と、前記光源に対して前記スケールに対向する側に配置された第1格子とが組み合わされて前記所定の光を照射するように構成され、前記第1格子には前記相対移動する方向に対して第1のピッチの光学格子が形成されており、前記光検出部は、光検出器と、前記光検出器の受光面に配置された第3格子とが組み合わされて前記セルフイメージの動きを検出するように構成されており、前記第3格子には前記相対移動する方向に対して第3のピッチの光学格子が形成されており、前記第1格子の形成面と前記第3格子の形成面とは、それぞれ前記スケールに対して略平行に配置され、前記投光部から出射した光が前記スケールにより反射及び回折されて前記光検出部に到るまでの光路内において、前記スケールに対向する前記検出ヘッドの表面には、前記スケールに対して略平行かつ略平坦な光透過領域が形成され、第1格子と第3格子は別体として形成されており、さらに、第1格子は、光源の出射面に直接形成されているか、あるいは第1格子を形成した光透過性基板を光源の出射面に積層した構成であり、第3格子は、光検出器の受光面に直接形成されているか、あるいは第3格子を形成した光透過性基板を光検出器の受光面に積層した構成であるとともに、第1格子から検出ヘッドの表面に至る空間および第3格子から検出ヘッドの表面に至る空間は、光透過性基板が存在する部分を除いて屈折率が1より大きな光透過性樹脂で充填されていることを特徴とする光学式エンコーダ。
  2. 前記第1格子は、前記光源の光出射表面に直接形成した光学格子、または前記光源の電流注入電極を兼ねた格子状電極パターンであることを特徴とする請求項1に記載の光学式エンコーダ。
  3. 前記光源は、ベアチップ、または前記ベアチップをモールド封止した面発光型半導体素子であることを特徴とする請求項1〜2のいずれか一項に記載の光学式エンコーダ。
  4. 前記第1格子と前記第3格子との少なくとも一方は、光透過性基板に光学格子を形成したものであり、前記光透過性基板の側面は、光透過樹脂で覆われていることを特徴とする
    請求項1に記載の光学式エンコーダ。
  5. 前記第1格子と前記第3格子に対して前記スケールに対向する側に前記スケールと平行に配置された板状光透過性部材を配置し、前記板状光透過性部材と前記第1格子との間の空間、及び前記板状光透過性部材と前記第3格子との間の空間には、光透過性基板または光透過樹脂が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光学式エンコーダ。
  6. 変位検出される一方の部材に取り付けられたスケールと、前記一方の部材に対して相対移動する他方の部材に取り付けられ、かつ、前記スケールに対向して配置された検出ヘッドとを備え、前記スケールには、前記相対移動する方向に対して第2のピッチの光学パターンを有する第2格子が設けられており、前記検出ヘッドには、前記スケールに所定の光を照射する投光部と、前記投光部から前記スケールに照射されて第2格子により反射及び回折した光により前記光検出器の受光面上に形成されるセルフイメージの動きを検出する光検出部と、が設けられた光学式エンコーダであって、
    前記投光部は、光源と、前記光源に対して前記スケールに対向する側に配置された第1格子とが組み合わされて前記所定の光を照射するように構成され、前記第1格子には、前記相対移動する方向に対して第1のピッチの光学格子が形成されており、前記光検出部は、光検出器と、前記光検出器の受光面に配置された少なくとも一つの受光素子アレイにより前記セルフイメージの動きを検出するように構成されており、前記受光素子アレイは、前記セルフイメージの周期的な強度分布の略整数倍のピッチを有する受光素子群により構成され、前記受光素子アレイ内の前記各々の受光素子は、前記相対移動する方向に対して互いに一定寸法だけずらして配置されており、前記第1格子の形成面と前記受光面は、前記スケールに対して略平行に配置され、前記投光部から出射した光が前記スケールにより反射及び回折され前記光検出部に到るまでの光路内においては、前記スケールに対向する前記検出ヘッドの表面には、前記スケールに対して略平行かつ略平坦な光透過領域が形成され、第1格子と前記受光素子アレイは別体として形成されており、さらに、第1格子は光源の出射面に直接形成されているか、あるいは第1格子を形成した光透過性基板を光源の出射面に積層した構成であり、さらに、第1格子から検出ヘッドの表面に至る空間および前記受光素子アレイから検出ヘッドの表面に至る空間は、光透過性基板が存在する部分を除いて屈折率が1より大きな光透過性樹脂で充填されていることを特徴とする光学式エンコーダ。
  7. 前記第1格子は、前記光源の光出射表面に直接形成した光学格子、または前記光源の電流注入電極を兼ねた格子状電極パターンであることを特徴とする請求項6に記載の光学式エンコーダ。
  8. 前記光源は、ベアチップまたはベアチップをモールド封止した面発光型半導体素子であることを特徴とする請求項6〜7のいずれか一項に記載の光学式エンコーダ。
  9. 前記第1格子は、光透過性基板に光学格子を形成したものであり、前記光透過性基板の側面は、光透過樹脂で覆われていることを特徴とする請求項6に記載の光学式エンコーダ。
  10. 前記第1格子と前記受光面に対して前記スケールに対向する側に前記スケールと平行に配置された板状光透過性部材を配置し、前記板状光透過性部材と前記第1格子との間の空間、及び前記板状光透過性部材と前記受光面との間の空間には、光透過性基板または光透過樹脂が配置されていることを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項に記載の光学式エンコーダ。
  11. 前記光透過性部材と前記光透過性基板と前記光透過樹脂とは、前記光源が出射する所定の波長領域の光に対して所定の光透過率を有し、かつ前記所定の波長領域よりも長波長側の光と、前記所定の波長領域よりも短波長側の光との少なくとも一方の光に対しては光透過率が1/2以下になることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の光学式エンコーダ。
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