JP4793168B2 - 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造 - Google Patents
積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4793168B2 JP4793168B2 JP2006226553A JP2006226553A JP4793168B2 JP 4793168 B2 JP4793168 B2 JP 4793168B2 JP 2006226553 A JP2006226553 A JP 2006226553A JP 2006226553 A JP2006226553 A JP 2006226553A JP 4793168 B2 JP4793168 B2 JP 4793168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- external electrode
- multilayer capacitor
- external
- internal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 190
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 235
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 19
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Description
実験式(1)において、Esは、空間放電電界強度(kV/cm)を示し、δは相対空気密度であり、通常は1であり、dは放電距離(cm)を示す。
なお、放電電圧Vaの単位はkVとなる。
従って、前述した図3から明らかなように、放電距離が短いほど、言い換えれば第3の外部電極7A,7Bが、第1の外部電極5に近いほど、すなわち距離c1が小さいほど、沿面放電開始電圧を低下させることができる。
2…セラミック積層体
2a…上面(一方主面)
2b…下面(他方主面)
2c,2d…第1,第2の側面
2e,2f…第3,第4の側面
3…第1の内部電極
4…第2の内部電極
5…第1の外部電極
5a…第1の回り込み部
6…第2の外部電極
6a…第2の回り込み部
7…第3の外部電極
10…実装基板
11〜13…第1〜第3の電極ランド
14…サージリーク回路
21…積層コンデンサ
22…第3の外部電極
24…実装基板
25,26…第1,第2の電極ランド
27…リード線
28…サージリーク回路の電極
31…積層コンデンサ
32,33…第3の外部電極
34…積層コンデンサ
35,36…第3の外部電極
37…積層コンデンサ
38…第3の外部電極
41…積層コンデンサ
42a〜42d…高誘電率セラミック層
43…積層コンデンサ
44a、44b…高誘電率セラミック層
51…積層コンデンサ
52…セラミック積層体
52a…上面
52b…下面
52c,52d,52e,52f…第1〜第4の側面
53,54…セラミックグリーンシート
55…第1の内部電極
55a〜55d…電極引き出し部
56…第2の内部電極
56a〜56d…電極引き出し部
57,59,61,61…第1の外部電極
57a…第1の回り込み部
59,60,63,64…第2の外部電極
59a…第2の回り込み部
65…第3の外部電極
65a〜65c…外部電極部分
65d…第3の回り込み部
71…積層コンデンサ
72…セラミック積層体
72a…上面
72b…下面
72c,72d…第1,第2の側面
72e,72f…第3,第4の側面
73〜76…セラミックグリーンシート
77〜80…内部電極
77a〜80a…電極引き出し部
81,83…第1の外部電極
82,84…第2の外部電極
85…第3の外部電極
85a…第3の回り込み部
91…積層コンデンサ
92…セラミック積層体
92a…上面
92b…下面
92c〜92f…側面
93,94…第1の外部電極
95,96…第2の外部電極
96,98…第3の外部電極
111…積層コンデンサ
112…セラミック積層体
112a…上面
112b…下面
112c,112d…第1,第2の側面
112e,112f…第3,第4の側面
113…第1の内部電極
114…非接続型内部電極
115…第2の内部電極
116,117…第1,第2の外部電極
116a,117a…第1,第2の回り込み部
118A,118B…第3の外部電極
118a,118b…第3の回り込み部
121…積層コンデンサ
123…第1の内部電極
124…第1の非接続型内部電極
125…第2の非接続型内部電極
126…第2の内部電極
127A,128A…第3の外部電極
131…積層コンデンサ
132…第1の内部電極
133…第2の内部電極
134,135…ダミー電極
Claims (19)
- 対向し合っている第1,第2の主面と、第1,第2の主面を結ぶ複数の側面とを有するセラミック積層体と、
前記セラミック積層体内において、前記第1,第2の主面に平行な方向に延びるように配置された第1の内部電極と、
前記内部電極とセラミック層を介して重なり合うように配置された第2の内部電極と、
前記第1の内部電極に電気的に接続されるように設けられた第1の外部電極と、
前記第2の内部電極に電気的に接続されるように設けられた第2の外部電極とを備え、第2の外部電極は第1の外部電極とは異なる電位に接続され、前記第2の主面側から実装される、積層コンデンサであって、
前記セラミック積層体の少なくとも前記第1の主面または前記側面において、前記第1の外部電極と第2の外部電極との間に位置する部分を有するように設けられた第3の外部電極をさらに備え、第3の外部電極は、前記第1の内部電極及び第2の内部電極のいずれにも電気的に接続されないように配置されている、積層コンデンサ。 - 前記セラミック積層体の前記複数の側面が、対向し合っている第1,第2の側面と、対向し合っている第3,第4の側面とを有する、請求項1に記載の積層コンデンサ。
- 前記第1の外部電極が前記第1の側面に形成されており、前記第2の外部電極が前記第2の側面に形成されている、請求項2に記載の積層コンデンサ。
- 対向し合っている第1,第2の主面と、対向し合っている第1,第2の側面と、対向し合っている第3,第4の側面とを有するセラミック積層体と、
前記セラミック積層体内において、第1,第2の主面に平行な方向に延びるように形成された複数の内部電極と、
前記複数の内部電極の内のいずれかの内部電極に電気的に接続されるように前記セラミック積層体の第1の側面に設けられた第1の外部電極と、
前記複数の内部電極の内のいずれかの内部電極に電気的に接続されるように前記セラミック積層体の第2の側面に設けられた第2の外部電極とを備え、前記第2の外部電極は、前記第1の外部電極とは異なる電位に接続され、第2の側面側から実装されるように構成されており、前記セラミック積層体内において、異なる電位に接続される内部電極同士がセラミック層を介して重なり合うことにより、静電容量を取り出すための容量取り出しユニットが配置されている積層コンデンサであって、
前記セラミック積層体の少なくとも第1の主面または側面において、前記第1の外部電極と前記第2の外部電極との間であって、かつ、前記容量取り出しユニットの端部の内、第1,第2の外部電極によって囲まれていない容量取り出しユニットの端部が位置している部分の前記セラミック積層体外表面部分を覆うように設けられた第3の外部電極をさらに備え、前記第3の外部電極は、前記複数の内部電極のいずれにも電気的に接続されないように配置されている、積層コンデンサ。 - 前記複数の内部電極として、前記セラミック積層体の第1の側面に引き出された第1の内部電極と、前記セラミック積層体の前記第2の側面に引き出された第2の内部電極と、前記第1,第2の内部電極に対してセラミック層を介して重なり合うように配置されており、かつ前記セラミック積層体の第1,第2の側面に至っていない非接続型内部電極とを有し、前記第1の内部電極と前記非接続型内部電極とが重なり合っている部分により第1の容量取り出しユニットが構成されており、前記非接続型内部電極と前記第2の内部電極とが重なり合っている部分により第2の容量取り出しユニットが構成されている、請求項4に記載の積層コンデンサ。
- 前記複数の内部電極として、前記セラミック積層体の第1の側面に引き出された第1の内部電極と、前記セラミック積層体の第2の側面に引き出された第2の内部電極と、前記第1の内部電極にセラミック層を介して重なり合うように配置された第1の非接続型内部電極と、前記第1の非接続型内部電極及び前記第2の内部電極にセラミック層を介して重なり合うように配置された第2の非接続型内部電極とを有し、前記第1の内部電極と前記第2の非接続型内部電極とが重なり合っている領域により第1の容量取り出しユニットが構成されており、前記第1,第2の非接続型内部電極が重なり合っている部分により第2の容量取り出しユニットが構成されており、前記第2の非接続型内部電極と前記第2の内部電極とが重なり合っている部分により第3の容量取り出しユニットが構成されている、請求項4に記載の積層コンデンサ。
- 前記複数の内部電極として、前記第1の側面に引き出された第1の内部電極と、前記セラミック積層体の第2の側面に引き出された第2の内部電極とを有し、第1,第2の内部電極がセラミック積層体内において、第1,第2の側面を結ぶ方向中央において第1,第2の内部電極が重なり合っている部分により前記容量取り出しユニットが構成されており、該容量取り出しユニットの前記第1の主面側端部及び第2の主面側端部が、前記第1,第2の外部電極よりもセラミック積層体の内側に位置している、請求項4に記載の積層コンデンサ。
- 前記第1の外部電極が少なくとも前記第3の側面または前記第4の側面に回り込んだ第1の回り込み部を有し、
前記第2の外部電極が少なくとも前記第3の側面または前記第4の側面に回り込んだ第2の回り込み部を有し、
前記第3の外部電極は、前記セラミック積層体の前記第3の側面または第4の側面において、前記第1の回り込み部と前記第2の回り込み部との間に設けられていることを特徴とする、請求項3〜7のいずれか1項に記載の積層コンデンサ。 - 前記第3の外部電極が、前記第2の主面に回り込む第3の回り込み部を有し、
前記第3の回り込み部は、前記第3の側面または前記第4の側面上に位置している前記第3の外部電極部分から遠ざかるにつれて面積が小さくなるような形状であることを特徴とする、請求項8に記載の積層コンデンサ。 - 前記第3の回り込み部は、半円または半楕円形状であることを特徴とする、請求項9に記載の積層コンデンサ。
- 前記第1の外部電極として、複数の第1の外部電極を有し、前記第2の外部電極として複数の第2の外部電極を有し、
前記セラミック積層体の第1の側面に、少なくとも1つの第1の外部電極及び少なくとも1つの第2の外部電極が形成されており、
前記第2の側面に、残りの第1の外部電極及び残りの第2の外部電極が形成されており、
前記第1,第2の外部電極が、セラミック積層体の第1の主面に至っている第1,第2の回り込み部をそれぞれ有し、
前記第3の外部電極が、前記第1の主面において、前記第1,第2の回り込み部間に至るように形成されている、請求項2〜10のいずれか1項に記載の積層コンデンサ。 - 前記第3の外部電極が、前記第3の側面または前記第4の側面から前記第2の主面に回り込む第3の回り込み部を有し、
前記第3の回り込み部は、前記第3の側面または前記第4の側面上に位置している前記第3の外部電極部分から遠ざかるにつれて面積が小さくなるような形状であることを特徴とする、請求項11に記載の積層コンデンサ。 - 前記第3の回り込み部は、半円または半楕円形状であることを特徴とする、請求項12に記載の積層コンデンサ。
- 前記第3の外部電極が、前記セラミック積層体の第1の主面上のみに形成されている、請求項1〜13のいずれか1項に記載の積層コンデンサ。
- 前記セラミック積層体が、内部電極が積層されているセラミック層部分に比べて、比誘電率が相対的に高い高誘電率セラミック層を有し、該高誘電率セラミック層が、前記内部電極が積層されているセラミック層部分の積層方向外側に設けられている、請求項1〜14のいずれか1項に記載の積層コンデンサ。
- 前記高誘電率セラミック層が、前記セラミック積層体の内部電極がセラミック層を介して積層されている部分の外側であって、前記セラミック積層体の側面側にも配置されている、請求項15に記載の積層コンデンサ。
- 請求項1〜請求項16のいずれか1項に記載された積層コンデンサと、
前記積層コンデンサを実装するための実装基板とからなり、
前記実装基板は、
前記第1の外部電極と電気的に接続される第1のランド電極と、
前記第2の外部電極と電気的に接続される第2のランド電極と、
前記第3の外部電極と電気的に接続される第3のランド電極とを備えることを特徴とする、積層コンデンサの実装構造。 - 請求項1〜請求項16のいずれか1項に記載された積層コンデンサと、
前記積層コンデンサを実装するための実装基板とからなり、
前記実装基板は、
前記第1の外部電極と電気的に接続される第1のランド電極と、
前記第2の外部電極と電気的に接続される第2のランド電極と、
前記第3の外部電極と電気的に接続される第3のランド電極とを備え、
前記第3の外部電極と前記第3のランド電極とが、半田または導電性接着剤により接続されていることを特徴とする、積層コンデンサの実装構造。 - 請求項1〜16のいずれか1項に記載された積層コンデンサと、
前記積層コンデンサを実装するための実装基板とからなり、
前記実装基板は、
前記第1の外部電極と電気的に接続される第1のランド電極と、
前記第2の外部電極と電気的に接続される第2のランド電極と、
前記第3の外部電極電気的に接続される第3のランド電極とを備え、
前記第3の外部電極と前記第3のランド電極とが、ワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする、積層コンデンサの実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006226553A JP4793168B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-08-23 | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006099113 | 2006-03-31 | ||
JP2006099113 | 2006-03-31 | ||
JP2006226553A JP4793168B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-08-23 | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007294839A JP2007294839A (ja) | 2007-11-08 |
JP4793168B2 true JP4793168B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=38765127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006226553A Active JP4793168B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-08-23 | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4793168B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009130147A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Shinko Electric Ind Co Ltd | チップ状電子部品およびチップ状電子部品の実装方法 |
JP4849123B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2012-01-11 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサの製造方法 |
JP4582245B1 (ja) | 2009-06-05 | 2010-11-17 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法及び製造装置 |
CN106158367A (zh) * | 2011-03-03 | 2016-11-23 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷电容器组件的制造方法 |
KR101548769B1 (ko) * | 2011-04-29 | 2015-09-11 | 삼성전기주식회사 | 적층형 캐패시터 및 그 제조방법 |
KR20130023612A (ko) | 2011-08-29 | 2013-03-08 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
JP5620938B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2014-11-05 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
KR102086479B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2020-03-09 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자부품 |
CN103400736B (zh) * | 2013-08-02 | 2016-08-10 | 爱普科斯电子(孝感)有限公司 | 具备高续流遮断能力的气体放电管 |
JP6137069B2 (ja) * | 2013-10-01 | 2017-05-31 | 株式会社村田製作所 | コンデンサの実装構造体及びコンデンサ |
JP2014239259A (ja) | 2014-08-13 | 2014-12-18 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造体 |
KR101528432B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2015-06-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 3 단자형 콘덴서 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140918A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミックス素子、部品実装基板及び配線基板 |
JPH11144997A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-05-28 | Mitsubishi Materials Corp | 三端子コンデンサ |
JP2002252136A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層電子部品 |
JP2002270453A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層電子部品 |
JPWO2006085492A1 (ja) * | 2005-02-09 | 2008-06-26 | 松下電器産業株式会社 | 静電気保護機能付きチップ部品 |
-
2006
- 2006-08-23 JP JP2006226553A patent/JP4793168B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007294839A (ja) | 2007-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4793168B2 (ja) | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造 | |
JP6483007B2 (ja) | 表面実装電子部品及び電子部品の実装基板 | |
JP5955919B2 (ja) | 積層チップ電子部品及びその実装基板 | |
KR101434108B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판과 제조 방법 | |
JP6554833B2 (ja) | 複合電子部品および抵抗素子 | |
JP6180898B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ及び積層セラミックキャパシタの実装基板 | |
JP4525773B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
KR102584974B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 그에 포함된 인터포저 | |
JP2018041929A (ja) | 複合電子部品および抵抗素子 | |
KR101504002B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판 | |
JPWO2008044483A1 (ja) | 複合電気素子 | |
KR20180057105A (ko) | 커패시터 및 그 제조 방법 | |
JP6696121B2 (ja) | 複合電子部品および抵抗素子 | |
JP2008060214A (ja) | 積層セラミック電子部品の実装構造 | |
KR20150115184A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판 | |
JP2016076582A (ja) | セラミック電子部品 | |
JP2018041930A (ja) | 複合電子部品および抵抗素子 | |
JP3906995B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
JP5861531B2 (ja) | 積層コンデンサ | |
JP2021022725A (ja) | 電子部品及びその実装基板 | |
KR101823224B1 (ko) | 칩 전자부품 및 그 실장 기판 | |
JP2001015371A (ja) | チップ型セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP5790305B2 (ja) | コイル部品 | |
KR102126420B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판 | |
JP2005302942A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110628 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110711 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4793168 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |