JP4791119B2 - 窒化物系半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
サファイア単結晶基板はGaNとは格子定数が10%以上も異なるが、AlNやAlGaNなどのバッファ層を形成することにより、その上に良好な窒化物半導体が形成でき、一般的に広く用いられている。サファイア単結晶基板を用いた場合、n型半導体層、発光層、p型半導体層がこの順で積層される。サファイア基板は絶縁体であるので、その素子構造は一般的に、p型半導体層上に形成された正極と、n型半導体層上に形成された負極が存在することになる。この種の発光素子には、ITOなどの透明電極を正極に使用しp型半導体側から光を取り出すフェイスアップ方式、Agなどの高反射膜を正極に使用してサファイア基板側から光を取り出すフリップチップ方式の2種類が知られている。
更に、導電性基板を接着させるのではなく、メッキにより基板を作成する方法が開示されている。(特許文献2参照)
この方法であると接着面は極めて平滑であることが要求されパーティクルなどの異物があると、その部分が浮いてしまい、接着が良好にできないなど、均一な接着面を形成することが難しい問題がある。
メッキによってメッキ金属支持基板を作成する場合、最終的に素子にするためにはダイシングによって素子に分割する必要性がある。ダイシングはセラミックスやSiなどの脆性の高いものには極めて有効であるが、金属などの粘性の高い材質には、ダイシングブレードに削られた金属が付着してしまい良好な分割をすることができない問題がある。
即ち本発明は以下に関する。
基板上に少なくともバッファ層、n型半導体層、発光層、p型半導体層を積層し、これらの積層体を基板上で素子分割して発光素子部を形成し、その後に前記分割された個々の発光素子部上にそれぞれ金属膜層とメッキ金属板を積層し、次いで発光素子部間に脆性透光性絶縁体部を充填し、
この後に前記基板とバッファ層を除去して前記n型半導体層表面を露出させ、前記発光素子部単位で前記脆性透光性絶縁体部をダイシングして分割することを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
(2) 前記基板をレーザにより除去することを特徴とする前項(1)に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
(3) 前記メッキ金属板を無電解メッキ法により形成することを特徴とする前項(1)または(2)に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
(4) 前記メッキ金属板を形成後、100℃〜300℃で熱処理することを特徴とする前項(1)〜(3)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
(5) 前記n型半導体層表面を露出させた後、前記n型半導体層に接続する負電極を形成するとともに、前記メッキ基板に接続する正電極を形成することを特徴とする前項(1)〜(4)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
本発明において脆性透光性絶縁体部としての透光性とは、350nm〜550nmの波長範囲で光の透過性を有することを意味する。窒化物半導体発光素子として光取り出し性を良好にするためには、脆性透光性絶縁体部として透光性を80%以上とすることが好ましい。
図1は、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子の一例の断面模式図を示すもので、この例の窒化物半導体発光素子Aは、n型半導体層1、発光層2、p型半導体層3からなる発光素子部5を備え、更にp型半導体層3上にオーミックコンタクト層7と反射層8からなる金属膜層4を形成し、更に前記反射層8上に密着層9とメッキ密着層10とメッキ基板11を形成し、n型半導体層1からメッキ基板11までの積層体31の側面全部を脆性透光性絶縁体部6にて覆って概略構成され、更に、前記n型半導体層1の下面側に負極12が形成され、前記メッキ基板11の上面側に正極13が形成された上下電極配置構造されている。
なお、前記n型半導体層1〜メッキ基板11までの積層体31の平面形状は4角型、丸形あるいはその他の形状で差し支えないが、脆性透光性絶縁体部6は前記積層体31の側面全部を覆っていることが好ましい。しかし、本願発明において脆性透光性絶縁体部6が積層体31の側面全部を完全に覆っていることを要するものではない。
例えば、基板19上に図2に示す如くバッファ層20を形成する。
ここで基板19にはサファイア単結晶(Al2O3;A面、C面、M面、R面)、スピネル単結晶(AgAl2O4)、ZnO単結晶、LiAlO2単結晶、LiGaO2単結晶、MgO単結晶などの酸化物単結晶、Si単結晶、SiC単結晶、GaAs単結晶などの公知の基板材料を何ら制限無く用いることができる。
また、SiCなどの導電性基板を用いれば、正極と負極を上下に配置させた窒化物半導体発光素子Aの作成は基板剥離をしなくとも可能であるが、その場合、絶縁体であるバッファ層を使用することができなくなるので、その上に成長する窒化物系半導体層(n型半導体層21、発光層22、p型半導体層23の結晶が劣化してしまい良好な発光素子を形成することができない。本発明においては、導電性のSiC、Siを用いた場合でも基板剥離を実施することが好ましい。
本実施の形態において窒化物系半導体は、例えばn型半導体層21、発光層22、p型半導体層23からなるヘテロ接合構造で構成される。窒化物系半導体層としては一般式AlxInyGa1−x−yN(0≦x<1、0≦y<1、x+y<1)で表される半導体が多数知られており、本発明においても一般式AlxInyGa1−x−yN(0≦x<1、0≦y<1、x+y<1)で表される窒化物系半導体が何ら制限なく用いられる。
MOCVD法では、キャリアガスとして水素(H2)または窒素(N2)、III族原料であるGa源としてトリメチルガリウム(TMG)またはトリエチルガリウム(TEG)、Al源としてトリメチルアルミニウム(TMA)またはトリエチルアルミニウム(TEA)、In源としてトリメチルインジウム(TMI)またはトリエチルインジウム(TEI)、V族原料であるN源としてはアンモニア(NH3)、ヒドラジン(N2H4)などが用いられる。また、ドーパントとしては、n型にはSi原料としてモノシラン(SiH4)またはジシラン(Si2H6)を、Ge原料としてゲルマン(GeH4)を用い、p型にはMg原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム((EtCp)2Mg)を用いる。
図3に素子分離する場合の各積層体の平面形状の一例を示すが、この例においては基板19上に正方形状の積層体を4つ形成した状態を示した。
なお、図2に示す積層構造において反射層28、密着層29、メッキ密着層30は必要に応じて設ける層であるので、これらの層の内、いずれかを略しても良い。
オーミックコンタクト層7の厚さは、低接触抵抗を安定して得るために0.1nm以上とすることが好ましい。さらに好ましくは1nm以上であり、均一な接触抵抗が得られる。
オーミックコンタクト層27および反射層28の成膜方法については、特に制限されることはなく公知のスパッタ法や蒸着法を用いることができる。
更に、メッキ基板31との密着性を向上させるためにメッキ密着層30を形成しても良い。メッキ密着層30の材料は、使用するメッキによって異なってくるが、メッキ成分に主に含まれる物質を含んでいたほうが密着性を向上させる。例えば、NiPメッキを用いる場合、メッキ密着層30にはNi系合金を用いることが好ましい。さらに好ましくはNiPを用いることである。
密着層29、メッキ密着層30の成膜方法については、特に制限されることはなく公知のスパッタ法や蒸着法を用いることができる。スパッタ法はスパッタ粒子が高エネルギーを持って基板表面に衝突して成膜されるので、密着性の高い膜を得ることができる。したがって、スパッタ法を用いる方がさらに好ましい。
ここでメッキは、導電性の部分に積層されていくので、素子分割した部分はメッキにより埋まらない。ただし、n型半導体層21はキャリー密度が高いためにメッキが成長してしまう可能性もある。これを防ぐためにn型半導体層21、発光層22、p型半導体層23の側面に絶縁性の保護層を設けても良い。
メッキ基板31を形成するためのメッキには無電解メッキを用いることができる。無電解メッキの場合、材料としてはNiP合金メッキを用いることが好ましい。
メッキの厚さは、基板としての強度を保つために10μm以上とすることが好ましい。厚くなるとメッキの剥離が起こりやすくなり、かつ生産性も低くなるので200μm以下であることが好ましい。
NiPメッキなどのメッキ処理方法としては、メッキ浴として、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケルなどのニッケル源と、次亜リン酸塩などのリン源を含むものを用いた無電解メッキ処理法を採用することができる。無電解メッキ法に用いられるメッキ浴として好適な市販品としては、上村工業製のニムデンHDXなどがある。無電解メッキ処理を行う際のメッキ浴のpHは4〜10、温度は30〜95℃とすることが好ましい。
このようにして得られたメッキ層からなるメッキ基板31の密着性を向上させるために熱処理することが好ましい。熱処理温度は100〜300℃が密着性向上のために好ましい。これ以上温度を上げると密着性はさらに向上するかもしれないが、オーミック性が低下してしまう危険性がある。
前述の如くメッキ層のメッキ基板31を形成した場合、メッキ基板31は素子間の分離溝18側には形成されないので、脆性透光性絶縁体26を素子間の分離溝18に充填形成することがでできる。
脆性透光性絶縁体26を充填するには、露出した分離溝18に後述するSOG(スピン・オン・グラス)などの液体塗布材料を充填して脆性透光性絶縁体部26を形成する。
ついで、基板19の剥離を実施し、さらにバッファ層20を除去する。その後、正電極13、負電極12を形成する。最終的にはメッキ基板を脆性透光性絶縁体部26の部分で分割することにより発光素子が形成される。
SOG材料としては、メチルシロキサン系、ハイメチルシロキサン系、水素化メチルメチルシロキサン系、燐ドープシリケート系、ポリシラザン系など透光性を有してる絶縁体であれば公知の材料を何ら制限なく用いることが出来る。
SOG材料の塗布後に加湿条件で処理することが、シリカガラスへの転化が容易に進むために好ましい。
SOG材料の塗布後に100℃〜500℃でベークすることが、剛性向上やSOG中に含まれる水分や有機成分の除去のために好ましい。
SOG材料の塗布には、スピンコート法、スプレー法、ディップコート法など公知の方法を何ら制限無く用いることができるが、生産性の観点からスピンコート法を用いることが好ましい。
基板19を剥離した後、研磨法、エッチング法などによりバッファ層20を除去し、n型半導体層21を露出させる。次いで、n型半導体層21上に負極12を形成する。負極12としては、各種組成および構造の負極が公知であり、これら公知の負極を何ら限なく用いることが出来る。
正極はAu,Al,NiおよびCu等の材料を用いた各種構造が公知であり、これら公知の材料を何ら制限なく用いることが出来る。
素子への最終的な分割はダイシングを用いて、脆性透光性絶縁体26の部分に沿って切削することにより容易に実施することができる。
メッキ基板31を分割して窒化物系半導体発光素子Aをメッキ基板31から素子単位で分離する際、脆性透光性絶縁体部26の部分は他の積層膜の部分に比べて切削やエッチング、レーザ切断による分離が容易であるので、メッキ基板31の分割は極めて容易に行うことができる。
(実施例1)
本実施例では図1に示す断面構造の窒化物系半導体発光素子を図2を基に先に説明した手順に基づいて作製した。
図2を基に先に説明した場合と同様に、サファイアからなる2インチ基板上に、AlNからなるバッファ層(厚さ10nm)を介して、厚さ5μmのSiドープn型GaNコンタクト層、厚さ30nmのn型In0.1Ga0.9Nクラッド層、厚さ30nmのSiドープGaN障壁層、および、厚さ2.5nmのIn0.2Ga0.8N井戸層を5回積層し、最後に障壁層を設けた多重井戸構造の発光層、厚さ50nmのMgドープp型Al0.07Ga0.93Nクラッド層、厚さ150nmのMgドープp型GaNコンタクト層を順に積層して窒化物半導体に必要な積層膜を得た。
窒化物系半導体のp型コンタクト層上に厚さ1.5nmのPt層をオーミックコンタクト層として図2に示すようにスパッタ法により成膜した。その上に反射層としてAg層を厚さ20nmになるようにスパッタ法により成膜した。Pt、Agのパターンは、公知のフォトリソグラフィー技術およびリフトオフ技術を用いた。
その後、密着層としてCrを厚さ20nmになるようにスパッタ法により成膜し、その上にメッキ密着層としてNiP合金(Ni:80at%、P:20at%)を厚さ30nmになるようにスパッタ法により成膜した。
次いでNiP合金膜表面を硝酸水溶液(5N)に浸漬し、温度25℃、時間30秒処理し酸化皮膜を除去した。
次いで、メッキ浴(上村工業製、ニムデンHDX−7G)を用いて、NiP合金膜上に厚さ50μmのNiP合金からなる無電解メッキを形成し、メッキ(金属)基板を得た。この際の、処理条件はpH4.6、温度90℃、時間3時間とした。この状態においてメッキ基板が形成されるが、先に形成した分離溝はメッキ材料及びその他の成膜材料で埋められることはなく、分離溝はバッファ層の上からメッキ基板まで達していた。
次いで、このメッキ金属基板を水洗、乾燥した後、クリーンオーブンを用いて250℃の条件下で1時間処理した。
次いで、サファイアの基板およびバッファー層をレーザリフトオフ法により剥離しn型半導体層を露出させた。
次いで、n型半導体層表面にITO(SnO2:10wt%)を厚さ400nmになるように蒸着により成膜した。次いで、ITO表面上の中央部にCr(40nm)、Ti(100nm)、Au(1000nm)からなる負極を蒸着法により成膜した。負電極のパターンは、公知のフォトリソグラフィー技術およびリフトオフ技術を用いた。
次いで、ダイシングによりSOGの部分を分割し350μm角の窒化物系半導体発光素子を得た。ここでのダイシングは、SOGの部分が脆いために容易に行うことができた。
本比較例では、図4に示す断面構造の窒化物半導体発光素子を作製した。
即ち、サファイアからなる2インチ基板41上に、AlNからなるバッファ層(厚さ10nm)42を介して、厚さ5μmのSiドープn型GaNコンタクト層43を形成し、更に厚さ30nmのn型In0.1Ga0.9Nクラッド層、厚さ30nmのSiドープGaN障壁層および厚さ2.5nmのIn0.2Ga0.8N井戸層を5回積層し、最後に障壁層を設けた多重井戸構造の発光層44を形成し、厚さ50nmのMgドープp型Al 0.07Ga0.93Nクラッド層、厚さ150nmのMgドープp型GaNコンタクト層を順に積層してp型半導体層45とした。
次に厚さ30nmのNiP合金(Ni:80at%、P:20at%)(メッキ密着層48)をスパッタ法により成膜してメッキ基板た。
NiP合金膜表面を硝酸水溶液(5N)に浸漬し、温度25℃、時間30秒処理し酸化皮膜を除去した。
次いで、サファイアの基板41およびバッファー層42を研磨法により剥離しn型半導体層43を露出させた。
n型半導体層43の表面にITO(SnO2:10wt%)を400nm蒸着により成膜した。次いで、ITO表面上の中央部にCr(40nm)、Ti(100nm)、Au(1000nm)からなる負極を蒸着法により成膜した。負電極のパターンは、公知のフォトリソグラフィー技術およびリフトオフ技術を用いた。
p型半導体表面上にはAu(1000nm)からなる正極を蒸着法により成膜した。
以上の製造方法により、図5に断面構造を示し、透明電極51上にn型半導体層53、発光層54、p型半導体層55、オーミックコンタクト層56、反射層57、メッキ密着層58、メッキ金属板59、正電極60が積層されるとともに、透明電極51の下面側に負電極52が形成された窒化物系半導体発光素子を得た。
実施例1においては加工良品率は98%、比較例1においては加工収率41%と実施例1が優れた特性を示した。
1、21 n型半導体層
2、22 発光層
3、23 p型半導体層
4、24 金属膜層
5、25 発光素子部
6、26 脆性透光性絶縁体部
7、27 オーミックコンタクト層
8、28 反射層
9、29 密着層
10、30 メッキ密着層
11、31 メッキ基板
12 負極
13 正極
19 基板
20 バッファ層
Claims (5)
- 少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層が積層されて発光素子部が構成され、前記n型半導体層、発光層、p型半導体層の発光素子部の周囲に脆性透光性絶縁体部が設けられてなる窒化物系半導体発光素子を製造するに際し、
基板上に少なくともバッファ層、n型半導体層、発光層、p型半導体層を積層し、これらの積層体を基板上で素子分割して発光素子部を形成し、その後に前記分割された個々の発光素子部上にそれぞれ金属膜層とメッキ金属板を積層し、次いで発光素子部間に脆性透光性絶縁体部を充填し、
この後に前記基板とバッファ層を除去して前記n型半導体層表面を露出させ、前記発光素子部単位で前記脆性透光性絶縁体部をダイシングして分割することを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。 - 前記基板をレーザにより除去することを特徴とする請求項1に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記メッキ金属板を無電解メッキ法により形成することを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記メッキ金属板を形成後、100℃〜300℃で熱処理することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記n型半導体層表面を露出させた後、前記n型半導体層に接続する負電極を形成するとともに、前記メッキ基板に接続する正電極を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
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