JP4783914B2 - 半導体力学量センサおよび半導体力学量センサの製造方法 - Google Patents
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Description
以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説明する。
次に、第2実施例を第1実施例との相違点を中心に説明する。
次に、第3実施例を第1実施例との相違点を中心に説明する。
次に、第4実施例を第3実施例との相違点を中心に説明する。
2 SiO2膜(絶縁膜)
3 トレンチ(溝)
6 ポリシリコン膜
8 単結晶シリコン基板
9 SiO2膜(絶縁膜)
10 信号処理回路
13 片持ち梁
Claims (8)
- シリコン材料から形成された第1層と、該第1層の下面側に絶縁部材を介して配置されたシリコン材料から形成された第2層とを備え、
前記第1層は、
力学量に応じて水平方向に変位する可動電極を有し、前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された支持梁と、
前記支持梁を形成するために前記第1層を貫通して設けられた絶縁溝と、
前記絶縁溝を挟んで前記支持梁の側方に設けられ、前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された固定電極と、
前記支持梁及び前記固定電極の周囲に配置され、前記絶縁部材上に形成され前記支持梁及び前記固定電極から絶縁溝で電気的に分離された周縁部と、から構成され、
前記第1層の上面から下面に対する方向の前記可動電極の厚みは、前記固定電極の厚みよりも薄いことを特徴とする半導体力学量センサ。 - シリコン材料から形成された第1層(42)と、該第1層の下面側に絶縁部材(41)を介して配置されたシリコン材料から形成された第2層(40)とを備え、
前記第1層は、
力学量に応じて水平方向に変位する可動電極を有し、前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された支持梁(13)と、
前記支持梁を形成するために前記第1層を貫通して設けられた絶縁溝(35、45)と、
前記絶縁溝を挟んで前記支持梁の側方に設けられ、前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された固定電極(14、15、16、17)と、
前記支持梁及び前記固定電極の周囲に配置され、前記絶縁部材上に形成され前記支持梁及び前記固定電極から絶縁溝で電気的に分離された周縁部と、から構成され、
前記第1層と前記絶縁部材との間において、前記絶縁溝に至る箇所には凹部(31、47)が設けられることを特徴とする半導体力学量センサ。 - 前記第1層と前記第2層とは前記絶縁部材により互いに電気的に絶縁されており、
前記第1層は、前記固定電極および前記支持梁の周囲に前記絶縁部材を介して前記第2層に固定された周縁部(10)を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体力学量センサ。 - 前記可動電極の下方には、前記絶縁部材が配置されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体力学量センサ。
- 前記絶縁部材は、SiO2であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体力学量センサ。
- 前記絶縁溝は、前記支持梁の全周に設けられていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体力学量センサ。
- シリコン材料から形成された第1層の主表面に凹部(47)を形成する第1工程と、
絶縁部材を有するシリコン材料から形成された第2層の該絶縁部材側と、前記第1層の前記凹部が形成された側とを接合する第2工程と、
前記第1層をエッチングして前記凹部(47)に至るトレンチを形成し、支持梁を画定する第3工程とを備えたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。 - 前記第3工程の後、さらに前記トレンチを充填物で充填するとともに該充填物を平滑化する第4工程と、
前記第1層に回路を形成する第5工程と、
前記充填物を除去する第6工程とを有することを特徴とする請求項7に記載の半導体力学量センサの製造方法。
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