JP4780972B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 description 92
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 26
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 20
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 11
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 7
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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Description
成膜装置101は真空槽102と、真空槽102内部に配置された複数のターゲット131a〜131eとを有している。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の成膜装置であって、前記磁界形成手段と前記補助磁界形成手段を、前記ターゲットに対して相対的に移動させる移動手段を有する成膜装置である。
ここでは、各磁界形成手段40a〜40fは対応する1つのターゲット31a〜31fの真裏位置で配置されているので、各磁界形成手段40a〜40fはターゲット13a〜31fの外周からはみ出さず、各磁界形成手段40a〜41fが2つのターゲット31a〜31fに渡って配置されてはいない。
従って、補助磁界形成手段15a、15bは、最も外側に位置するターゲット31a、31fの真裏位置よりも外側に配置されており、最も外側に位置するターゲット31a、31fの表面を通る磁力線の磁束強度は、そのターゲット31a、31fの端部位置でも弱くならない。
各ターゲット31a〜31e表面の磁束密度を測定した結果と、磁界形成手段40a〜40eの位置関係と一緒に表した図である。この場合の磁束密度は平行方向の分布は台形で、かつ垂直方向の分布はゼロを交差する点が2点以上存在する形状を示したが、磁界形成手段40a〜40f同士が隣接するため、磁界形成手段40a〜40e同士の磁場干渉により、ターゲット31a〜31eの列の両端部では磁場強度のバランスが崩れ、スパッタ源3の中央部分に比べ磁束密度が弱くなった。
上述した成膜装置1を用い、 幅1100mm、長さl250mm、厚さ0.7mmのガラス基板5を加熱せずに30秒間スパッタリングを行い、基板5表面に膜厚1000Å(100nm)のITO(インジウム錫酸化物)膜を形成した。
図5に示すように基板5面内の膜厚の偏りは小さく、膜厚分布は35点測定で士8%と良好な値が得られた。このことから、スパッタ中にはプラズマの偏りが小さかったことがわかる。また、スパッタリングの際には異常放電が見られず、放電も安定しており、成膜された膜に混入するパーティクルも殆ど見られなかった。
成膜装置として、上述した成膜装置1の磁界形成手段40a〜40fに変え、ターゲット31a〜31fよりも幅狭(130mm幅)の棒状磁石を配置し、ターゲットの幅方向に80mm揺動し、ターゲット表面磁場が時間的に変化するよう外部より制御を行った。棒状磁石の揺動速度はlOmm/secの等速反転制御を行った。
移動手段14は不図示のモータによって、ターゲット31a〜31fの表面に対して平行な面内で、ターゲット31a〜31fに対して相対的に移動するように構成されているので、各磁界形成手段40a〜40fと、各補助磁界形成手段15a、15bも、ターゲット31a〜31fの表面に対して平行な面内で移動する。
図10(a)は磁界形成手段40a〜40fが対応するターゲット31a〜31fの真裏位置に配置された初期状態を示しており、移動手段14が移動すると、図10(b)に示すように、磁界形成手段40a〜40bが対応するターゲット31a〜31fの真裏位置からずれ、列の先頭又は終わりのターゲット31a、31fの端部が磁界形成手段40a〜40fの列からはみ出した状態になるが、移動によってその端部の真下位置には補助磁界形成手段15a、15bが近づくので、結局、各ターゲット31a〜31fの表面には、移動方向の一端から他端まで磁力線が通る。
成膜終了後の基板5と新たな基板5とを交換する間に、磁界形成手段40a〜40fと補助磁界形成手段15a、15bを、上記対応するターゲット31a〜31fに隣接するターゲット31a〜31fの真裏位置に、磁界形成手段40a〜40fが入り込まない移動量Dで移動させ、新たな基板5の表面に成膜を行う際には、磁界形成手段40a〜40fと補助磁界形成手段15a、15とを、ターゲット31a〜31fに対して静止させてスパッタリングを行う。
磁界形成手段40a〜40fと補助磁界形成手段15a、15bの移動と、ターゲット31a〜31fのスパッタリングとを繰り返せば、ターゲット31a〜31fの表面が均一に膜厚減少するので、ターゲット31a〜31fの使用効率が高い。
また、磁界形成手段40a〜40fと補助磁界形成手段15a、15bを静止させ、ターゲット31a〜31fを移動させてもよいし、磁界形成手段40a〜40fと補助磁界形成手段15a、15bを互いの相対的な位置関係を変化させずに移動させると共に、ターゲット31a〜31fを移動させても良い。
Claims (2)
- 真空槽と、前記真空槽の内部に配置された複数の細長の板状ターゲットとを有し、
前記各ターゲットは長手方向の側面同士が対向するように互いに平行に配置され、
前記各ターゲットの真裏位置には、細長の磁界形成手段が前記ターゲットの長手方向に沿ってそれぞれ配置され、
前記磁界形成手段が配置された領域の外側であって、前記ターゲットの真裏位置よりも外側には、細長の補助磁界形成手段が前記ターゲットの長手方向に沿って配置された成膜装置であって、
前記磁界形成手段は、外周が前記ターゲットの外周と等しい大きさの細長のリング状磁石と、前記リング状磁石の長さよりも短い棒状磁石とをそれぞれ有し、
前記棒状磁石は、前記リング状磁石のリングの内部に前記ターゲットの長手方向に沿って配置され、
各前記リング状磁石は、同極性の磁極が前記ターゲット側に向けられ、
前記棒状磁石は、前記リング状磁石とは反対極性の磁極が前記ターゲット側に向けられ、
前記補助磁界形成手段は、前記リング状磁石の磁極と同極性の磁極が、前記リング状磁石と同じ方向に向けられ、
前記ターゲットは隣接する二個が一組にされ、電源から、前記一組中の二個の前記ターゲットの間に交流電圧が印加されるように構成された成膜装置。 - 前記磁界形成手段と前記補助磁界形成手段を、前記ターゲットに対して相対的に移動させる移動手段を有する請求項1記載の成膜装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005040668A JP4780972B2 (ja) | 2004-03-11 | 2005-02-17 | スパッタリング装置 |
TW094105312A TWI375729B (en) | 2004-03-11 | 2005-02-22 | Sputtering apparatus |
CN2005100527186A CN1667155B (zh) | 2004-03-11 | 2005-03-10 | 溅射装置 |
KR1020050020100A KR101164047B1 (ko) | 2004-03-11 | 2005-03-10 | 스퍼터링 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004069413 | 2004-03-11 | ||
JP2004069413 | 2004-03-11 | ||
JP2005040668A JP4780972B2 (ja) | 2004-03-11 | 2005-02-17 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005290550A JP2005290550A (ja) | 2005-10-20 |
JP4780972B2 true JP4780972B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=35038430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005040668A Active JP4780972B2 (ja) | 2004-03-11 | 2005-02-17 | スパッタリング装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4780972B2 (ja) |
KR (1) | KR101164047B1 (ja) |
CN (1) | CN1667155B (ja) |
TW (1) | TWI375729B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4963023B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2012-06-27 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 |
JP4320019B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2009-08-26 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
CN101528972B (zh) | 2006-10-24 | 2013-06-19 | 株式会社爱发科 | 薄膜形成方法及薄膜形成装置 |
JP4707693B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2011-06-22 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
JP5186152B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-04-17 | 株式会社アルバック | 薄膜形成方法 |
JP5322234B2 (ja) * | 2007-08-20 | 2013-10-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 |
TWI518194B (zh) * | 2007-08-20 | 2016-01-21 | Ulvac Inc | Sputtering method |
JP5291907B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-09-18 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
JP5429771B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2014-02-26 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
JP5429772B2 (ja) | 2008-06-30 | 2014-02-26 | 株式会社アルバック | 電源装置 |
WO2010090197A1 (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | シャープ株式会社 | 透明導電膜形成体及びその製造方法 |
JP5363166B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-12-11 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
KR20130041105A (ko) * | 2010-06-17 | 2013-04-24 | 울박, 인크 | 스퍼터 성막 장치 및 방착부재 |
CN102312206B (zh) * | 2010-06-29 | 2015-07-15 | 株式会社爱发科 | 溅射方法 |
JP5189674B2 (ja) | 2010-12-28 | 2013-04-24 | 出光興産株式会社 | 酸化物半導体薄膜層を有する積層構造、積層構造の製造方法、薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP5653257B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2015-01-14 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
KR20160001919U (ko) * | 2011-08-25 | 2016-06-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 스퍼터링 장치 |
JP5301021B2 (ja) | 2011-09-06 | 2013-09-25 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット |
CN102677008B (zh) * | 2012-05-14 | 2014-02-19 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 在线制备太阳能电池导电极膜层的装置 |
WO2014080815A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 株式会社 アルバック | スパッタ装置 |
JP6352194B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2018-07-04 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及び当該酸化物半導体薄膜を備える薄膜トランジスタ |
CN103184422B (zh) * | 2013-03-25 | 2015-07-22 | 肇庆市腾胜真空技术工程有限公司 | Tco透明导电膜的低温沉积装置及工艺 |
JP2014218706A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法 |
US20170204510A1 (en) * | 2014-07-31 | 2017-07-20 | Ulvac, Inc. | Substrate processing device |
CN110832108B (zh) * | 2017-06-30 | 2023-03-31 | 凸版印刷株式会社 | 膜处理方法及膜制造方法 |
KR102053400B1 (ko) * | 2017-07-07 | 2020-01-07 | 주식회사 에이치앤이루자 | 자속 블록을 갖는 스퍼터링 장치 |
CN109487225A (zh) * | 2019-01-07 | 2019-03-19 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 磁控溅射成膜装置及方法 |
CN114318269B (zh) * | 2022-01-05 | 2022-10-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种磁性粉体材料表面溅射沉积金属的装置及方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0610347B2 (ja) * | 1985-05-23 | 1994-02-09 | 日本電気株式会社 | 三極スパツタリングソ−ス |
JPH02156080A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
JP3269834B2 (ja) * | 1991-11-26 | 2002-04-02 | 旭硝子株式会社 | スパッタリング装置とスパッタリング方法 |
JPH0835064A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
JP4592852B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2010-12-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置のマグネトロンカソード |
JP2001262335A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 被膜の被覆方法 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005040668A patent/JP4780972B2/ja active Active
- 2005-02-22 TW TW094105312A patent/TWI375729B/zh active
- 2005-03-10 CN CN2005100527186A patent/CN1667155B/zh active Active
- 2005-03-10 KR KR1020050020100A patent/KR101164047B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1667155B (zh) | 2010-05-26 |
CN1667155A (zh) | 2005-09-14 |
TWI375729B (en) | 2012-11-01 |
TW200538568A (en) | 2005-12-01 |
KR101164047B1 (ko) | 2012-07-18 |
KR20060043832A (ko) | 2006-05-15 |
JP2005290550A (ja) | 2005-10-20 |
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