JPH0835064A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH0835064A JPH0835064A JP6167800A JP16780094A JPH0835064A JP H0835064 A JPH0835064 A JP H0835064A JP 6167800 A JP6167800 A JP 6167800A JP 16780094 A JP16780094 A JP 16780094A JP H0835064 A JPH0835064 A JP H0835064A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/347—Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の矩形ターゲットを有するスパッタリン
グ電極で、大型基板に形成される薄膜の膜厚および膜質
の均一性を向上させ、さらにターゲットの高い利用効率
を持ったスパッタリング装置を提供する。 【構成】 矩形ターゲットを用いてスパッタリングを行
い、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置におい
て、ターゲット１の両側縁に沿うように、各側縁に複数
個の磁石２４を配置し、かつこれら磁石２４の極性を相
隣り合うものどうしが逆の関係になるように定めるとと
もに、ターゲット１を挟んで対向する磁石２４間の極性
を逆の関係になるように定め、少なくとも２以上のター
ゲット１をそのターゲット面と前記基板面とが３０°以
上６０°以下の角度をなすように配置したことを特徴と
する。
グ電極で、大型基板に形成される薄膜の膜厚および膜質
の均一性を向上させ、さらにターゲットの高い利用効率
を持ったスパッタリング装置を提供する。 【構成】 矩形ターゲットを用いてスパッタリングを行
い、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置におい
て、ターゲット１の両側縁に沿うように、各側縁に複数
個の磁石２４を配置し、かつこれら磁石２４の極性を相
隣り合うものどうしが逆の関係になるように定めるとと
もに、ターゲット１を挟んで対向する磁石２４間の極性
を逆の関係になるように定め、少なくとも２以上のター
ゲット１をそのターゲット面と前記基板面とが３０°以
上６０°以下の角度をなすように配置したことを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は小型スパッタリング電極
により、大型基板に薄膜を形成するマグネトロンスパッ
タリング方式のスパッタリング装置に関するものであ
る。
により、大型基板に薄膜を形成するマグネトロンスパッ
タリング方式のスパッタリング装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング法は真空蒸着法に比べ、
高融点材料や化合物の薄膜が容易に形成できる薄膜形成
技術ということで、現在広く半導体や電子部品等の工業
分野で普及している。特に永久磁石や電磁石を磁気回路
として用いてターゲット付近に磁場を形成するマグネト
ロンスパッタリング法は薄膜の形成速度が真空蒸着法に
比べ１０倍以上遅いというスパッタリング法の欠点を解
決し、スパッタリング法による薄膜形成の量産化を可能
にした。
高融点材料や化合物の薄膜が容易に形成できる薄膜形成
技術ということで、現在広く半導体や電子部品等の工業
分野で普及している。特に永久磁石や電磁石を磁気回路
として用いてターゲット付近に磁場を形成するマグネト
ロンスパッタリング法は薄膜の形成速度が真空蒸着法に
比べ１０倍以上遅いというスパッタリング法の欠点を解
決し、スパッタリング法による薄膜形成の量産化を可能
にした。
【０００３】以下、従来のマグネトロンスパッタリング
電極について図９および図１０を参照して説明する。図
９（ａ）は従来の矩形平板ターゲットを有するマグネト
ロンスパッタリング電極の平面図、図９（ｂ）はそのＡ
−Ａ’断面図、図１０はターゲットの斜視図である。１
は矩形平板ターゲットでありインジウム等の半田剤によ
りバッキングプレート２に接着され、真空シール用のＯ
リング３を介して電極本体４に設置される。前記ターゲ
ット１の裏側にはマグネトロン放電用磁気回路５が配さ
れ、この磁気回路により閉じた磁力線６を形成する。磁
力線６の一部が前記ターゲット表面で平行になるように
磁気回路５を配置する。そのため、前記ターゲット１の
表面には図１０に示すようにトロイダル型の閉じたトン
ネル状の磁場７が形成される。
電極について図９および図１０を参照して説明する。図
９（ａ）は従来の矩形平板ターゲットを有するマグネト
ロンスパッタリング電極の平面図、図９（ｂ）はそのＡ
−Ａ’断面図、図１０はターゲットの斜視図である。１
は矩形平板ターゲットでありインジウム等の半田剤によ
りバッキングプレート２に接着され、真空シール用のＯ
リング３を介して電極本体４に設置される。前記ターゲ
ット１の裏側にはマグネトロン放電用磁気回路５が配さ
れ、この磁気回路により閉じた磁力線６を形成する。磁
力線６の一部が前記ターゲット表面で平行になるように
磁気回路５を配置する。そのため、前記ターゲット１の
表面には図１０に示すようにトロイダル型の閉じたトン
ネル状の磁場７が形成される。
【０００４】以上のように構成されたマグネトロンスパ
ッタリング電極についてその動作原理を図１０及び図１
１を参照して説明する。図１１は上述したスパッタリン
グ電極を設置したスパッタリング装置の概略図である。
ッタリング電極についてその動作原理を図１０及び図１
１を参照して説明する。図１１は上述したスパッタリン
グ電極を設置したスパッタリング装置の概略図である。
【０００５】図１１においてスパッタリング電極１２は
通常、真空チャンバー９に絶縁材１０を介して設置す
る。薄膜形成を行うには、真空チャンバー９の内部を真
空ポンプ１３により１０-7Ｔｏｒｒ程度の高真空になる
まで排気し、その後、Ａｒ等の放電ガス１４を流量調整
器１５を通して導入し、チャンバー内を１０-3〜１０-2
Ｔｏｒｒ程度の圧力に保つ。この環境下で、ターゲット
１を取り付けたスパッタリング電極１２に直流あるいは
交流のスパッタリング用電源１１により負の電圧または
高周波電圧を印加すると、図１０におけるターゲット１
付近では電場と磁気回路５のトロイダル型トンネル状磁
場７の周辺でマグネトロン放電が起こり、プラズマ化し
たイオンがターゲット１に衝突し、ターゲット１がスパ
ッタされる。スパッタされた粒子が基板ホルダー１７に
設置された基板１８に堆積し薄膜が形成される。
通常、真空チャンバー９に絶縁材１０を介して設置す
る。薄膜形成を行うには、真空チャンバー９の内部を真
空ポンプ１３により１０-7Ｔｏｒｒ程度の高真空になる
まで排気し、その後、Ａｒ等の放電ガス１４を流量調整
器１５を通して導入し、チャンバー内を１０-3〜１０-2
Ｔｏｒｒ程度の圧力に保つ。この環境下で、ターゲット
１を取り付けたスパッタリング電極１２に直流あるいは
交流のスパッタリング用電源１１により負の電圧または
高周波電圧を印加すると、図１０におけるターゲット１
付近では電場と磁気回路５のトロイダル型トンネル状磁
場７の周辺でマグネトロン放電が起こり、プラズマ化し
たイオンがターゲット１に衝突し、ターゲット１がスパ
ッタされる。スパッタされた粒子が基板ホルダー１７に
設置された基板１８に堆積し薄膜が形成される。
【０００６】しかし、従来のマグネトロンスパッタリン
グ電極では、ターゲット面と平行に通る磁力線の最も強
い部分でプラズマ密度が高くなるため図１０の８の領域
ではスパッタが速く進行し、一方これ以外の領域ではス
パッタされた粒子が再付着することもあり、ターゲット
の侵食が不均一に進む。このため、ターゲットに対向し
て設置された基板上に形成される薄膜の膜厚均一性を確
保するためにはターゲットの大きさ、磁気回路、あるい
はターゲットと基板との距離を十分に調整する必要があ
る。一般には薄膜の膜厚均一性を確保するために、一辺
が基板の約２倍の大きさを有するターゲットが必要とさ
れる。
グ電極では、ターゲット面と平行に通る磁力線の最も強
い部分でプラズマ密度が高くなるため図１０の８の領域
ではスパッタが速く進行し、一方これ以外の領域ではス
パッタされた粒子が再付着することもあり、ターゲット
の侵食が不均一に進む。このため、ターゲットに対向し
て設置された基板上に形成される薄膜の膜厚均一性を確
保するためにはターゲットの大きさ、磁気回路、あるい
はターゲットと基板との距離を十分に調整する必要があ
る。一般には薄膜の膜厚均一性を確保するために、一辺
が基板の約２倍の大きさを有するターゲットが必要とさ
れる。
【０００７】そこで、これらの問題を解決するため小型
スパッタリング電極で、大型基板への薄膜形成を可能に
する取組が幅広く行われてきた。
スパッタリング電極で、大型基板への薄膜形成を可能に
する取組が幅広く行われてきた。
【０００８】その一例として、図１２に示すように複数
個の平板マグネトロンスパッタリング電極を基板１８に
対し傾斜させる方法も、大型基板での膜厚均一性の確保
には有効である。
個の平板マグネトロンスパッタリング電極を基板１８に
対し傾斜させる方法も、大型基板での膜厚均一性の確保
には有効である。
【０００９】また、図１３に示すような、平板の内周タ
ーゲットと傾斜角を持つ外周ターゲットを組み合わせ、
２種類のターゲットを独立に制御してスパッタすること
ができるスパッタリング電極も考案されている。この装
置では、内周ターゲット１９と外周ターゲット２０の２
種類のターゲットを有し、内周電磁石コイル２１と外周
電磁石コイル２２によりターゲット付近に磁場が形成さ
れる。この２つのコイルに流れる電流を磁石用電源２３
により、それぞれ独立に制御することで内周ターゲット
１９と外周ターゲット２０への磁場を最適化し、さらに
それぞれのターゲットへのスパッタ電力もスパッタリン
グ用電源１１により独立して制御することができるの
で、大型基板１８での膜厚均一性の確保が可能となる。
ーゲットと傾斜角を持つ外周ターゲットを組み合わせ、
２種類のターゲットを独立に制御してスパッタすること
ができるスパッタリング電極も考案されている。この装
置では、内周ターゲット１９と外周ターゲット２０の２
種類のターゲットを有し、内周電磁石コイル２１と外周
電磁石コイル２２によりターゲット付近に磁場が形成さ
れる。この２つのコイルに流れる電流を磁石用電源２３
により、それぞれ独立に制御することで内周ターゲット
１９と外周ターゲット２０への磁場を最適化し、さらに
それぞれのターゲットへのスパッタ電力もスパッタリン
グ用電源１１により独立して制御することができるの
で、大型基板１８での膜厚均一性の確保が可能となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１２および
図１３の構成のスパッタリング装置ではターゲットの侵
食が一様ではない。図１４は図１２の構成のスパッタリ
ング装置のターゲットの侵食の様子をターゲットの断面
からみたものであり、斜線部分は侵食された領域であ
る。図１４（ａ）は侵食の初期段階であり、図１４
（ｂ）はターゲットが使用できなくなる直前の状態であ
る。この図に示されるように、ターゲットの侵食は一様
ではなく位置によって大きく異なる。このため、ターゲ
ットにまだスパッタされていない部分が多く厚さも十分
にあるにもかかわらず、ターゲットの一部分が局所的に
厚さが薄くなるので、ターゲットが使えなくなり、高価
なターゲットの利用効率が悪いという問題点がある。
図１３の構成のスパッタリング装置ではターゲットの侵
食が一様ではない。図１４は図１２の構成のスパッタリ
ング装置のターゲットの侵食の様子をターゲットの断面
からみたものであり、斜線部分は侵食された領域であ
る。図１４（ａ）は侵食の初期段階であり、図１４
（ｂ）はターゲットが使用できなくなる直前の状態であ
る。この図に示されるように、ターゲットの侵食は一様
ではなく位置によって大きく異なる。このため、ターゲ
ットにまだスパッタされていない部分が多く厚さも十分
にあるにもかかわらず、ターゲットの一部分が局所的に
厚さが薄くなるので、ターゲットが使えなくなり、高価
なターゲットの利用効率が悪いという問題点がある。
【００１１】また、図１４に示すように侵食形状も相似
形を成していないので、基板に対するスパッタ粒子の入
射角が大きく変化する。このため、初期段階と終了段階
とでターゲット付近の磁場や電極に印加する電力を同じ
にしていたのでは、基板に形成される薄膜の膜厚均一性
が大きく損なわれるという問題点がある。
形を成していないので、基板に対するスパッタ粒子の入
射角が大きく変化する。このため、初期段階と終了段階
とでターゲット付近の磁場や電極に印加する電力を同じ
にしていたのでは、基板に形成される薄膜の膜厚均一性
が大きく損なわれるという問題点がある。
【００１２】また、図１３に示す構成を持つ装置でのタ
ーゲットの侵食の様子を図１５に示す。前記と同様、斜
線部分が侵食された領域であり、図１５（ａ）は侵食の
初期段階、図１５（ｂ）はターゲットが使用できなくな
る直前の状態を示している。
ーゲットの侵食の様子を図１５に示す。前記と同様、斜
線部分が侵食された領域であり、図１５（ａ）は侵食の
初期段階、図１５（ｂ）はターゲットが使用できなくな
る直前の状態を示している。
【００１３】図１３に示す構成を持つ装置でもターゲッ
ト侵食の様子は初期段階と終了段階では著しく異なる
が、磁石用電源２３によりコイルに流れる電流を調整す
ることにより磁界を調整することができるので、膜厚の
均一性を保つことができる。しかし、この磁界の調整は
微妙で複雑な制御が要求されるという問題点がある。
ト侵食の様子は初期段階と終了段階では著しく異なる
が、磁石用電源２３によりコイルに流れる電流を調整す
ることにより磁界を調整することができるので、膜厚の
均一性を保つことができる。しかし、この磁界の調整は
微妙で複雑な制御が要求されるという問題点がある。
【００１４】また、ターゲットの経時変化に対する膜厚
均一性は確保できても、化合物のスパッタリングや反応
性スパッタリングにおいては、基板内やロット間での膜
組成や構造など薄膜の物性の不均一性が生じるという問
題点がある。
均一性は確保できても、化合物のスパッタリングや反応
性スパッタリングにおいては、基板内やロット間での膜
組成や構造など薄膜の物性の不均一性が生じるという問
題点がある。
【００１５】本発明は上記の問題点を解決し、矩形平板
ターゲットを有する小型スパッタリング電極で、大型基
板に形成される薄膜の膜厚および膜質の均一性を向上さ
せ、さらにターゲットの高い利用効率を持ったスパッタ
リング装置を提供するものである。
ターゲットを有する小型スパッタリング電極で、大型基
板に形成される薄膜の膜厚および膜質の均一性を向上さ
せ、さらにターゲットの高い利用効率を持ったスパッタ
リング装置を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、複数の矩形ターゲットを用いてスパッタリ
ングを行い、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置
において、各ターゲットの両側縁に沿うように、各側縁
に複数個の磁石を配置し、かつこれら磁石の極性を相隣
り合うものどうしが逆の関係になるように定めるととも
に、ターゲットを挟んで対向する磁石間の極性を逆の関
係になるように定め、少なくとも２以上のターゲット
を、そのターゲット面と前記基板面とが３０°以上６０
°以下の角度をなすように配置したことを特徴とする。
成するため、複数の矩形ターゲットを用いてスパッタリ
ングを行い、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置
において、各ターゲットの両側縁に沿うように、各側縁
に複数個の磁石を配置し、かつこれら磁石の極性を相隣
り合うものどうしが逆の関係になるように定めるととも
に、ターゲットを挟んで対向する磁石間の極性を逆の関
係になるように定め、少なくとも２以上のターゲット
を、そのターゲット面と前記基板面とが３０°以上６０
°以下の角度をなすように配置したことを特徴とする。
【００１７】また、ターゲットの両側縁に配置した磁石
により発生する磁束のうち、ターゲットの両側縁部に位
置する磁束の向きがそれぞれ、ターゲットに向かうイオ
ンをターゲット中央部に導くように構成すると好適であ
る。
により発生する磁束のうち、ターゲットの両側縁部に位
置する磁束の向きがそれぞれ、ターゲットに向かうイオ
ンをターゲット中央部に導くように構成すると好適であ
る。
【００１８】また、ターゲットの両側縁に配置した磁石
により発生する磁束のうち、ターゲットの両側縁の中心
点を結ぶ中心線に対する対称位置において、磁束の向き
が逆になっている構成を有すると好適である。
により発生する磁束のうち、ターゲットの両側縁の中心
点を結ぶ中心線に対する対称位置において、磁束の向き
が逆になっている構成を有すると好適である。
【００１９】さらに、ターゲットの両側縁に配置した磁
石により発生する磁束がそれぞれ、ターゲットの側縁に
平行な中心線上において、その極性が３回以上変化する
構成を有すると好適である。
石により発生する磁束がそれぞれ、ターゲットの側縁に
平行な中心線上において、その極性が３回以上変化する
構成を有すると好適である。
【００２０】さらに、複数のターゲットのうち少なくと
も１つのターゲットを、そのターゲット面が基板面に平
行になるように配置された構成を有すると好適である。
も１つのターゲットを、そのターゲット面が基板面に平
行になるように配置された構成を有すると好適である。
【００２１】
【作用】本発明の作用を図８を用いて説明する。
【００２２】矩形平板ターゲット１に対し、図のように
磁石２４を配置すると磁場２５は図のように形成され
る。このターゲット１に向かってイオンが図のように入
射してくると、磁場２５によりターゲット面に平行かつ
ターゲットの側縁に平行な力２６を受けるので２７の様
な軌跡を描いてターゲットに衝突する。実際には螺旋運
動を行っているが、ターゲット側に負極があり、磁石に
よる磁束２５があるので、大局的には２７の様に運動す
る。中心線３０の付近では磁石２４付近に比べて磁束密
度の大きさが小さいが、これは、磁束がターゲットの上
方にまで広がっているためであり、イオンがターゲット
に衝突するまでに磁束から受ける力２６は２９の方向で
は一定になる。プラズマのイオンはランダムに運動して
いるので、イオンはターゲット１の垂直上方からターゲ
ットに侵入するとは限らないが、磁場２５により一定の
力２６を受けるので、２９の方向でのプラズマの分布は
均一になる。しかし、力２６の方向はターゲット面内で
ほぼ一定のため、図の２８の方向にプラズマが集まるこ
とになり、２８の方向にいくに従って侵食速度が大き
く、その反対方向には侵食速度が小さくなる。
磁石２４を配置すると磁場２５は図のように形成され
る。このターゲット１に向かってイオンが図のように入
射してくると、磁場２５によりターゲット面に平行かつ
ターゲットの側縁に平行な力２６を受けるので２７の様
な軌跡を描いてターゲットに衝突する。実際には螺旋運
動を行っているが、ターゲット側に負極があり、磁石に
よる磁束２５があるので、大局的には２７の様に運動す
る。中心線３０の付近では磁石２４付近に比べて磁束密
度の大きさが小さいが、これは、磁束がターゲットの上
方にまで広がっているためであり、イオンがターゲット
に衝突するまでに磁束から受ける力２６は２９の方向で
は一定になる。プラズマのイオンはランダムに運動して
いるので、イオンはターゲット１の垂直上方からターゲ
ットに侵入するとは限らないが、磁場２５により一定の
力２６を受けるので、２９の方向でのプラズマの分布は
均一になる。しかし、力２６の方向はターゲット面内で
ほぼ一定のため、図の２８の方向にプラズマが集まるこ
とになり、２８の方向にいくに従って侵食速度が大き
く、その反対方向には侵食速度が小さくなる。
【００２３】本発明によれば、ターゲットの両側縁に配
置した複数個の磁石がターゲットの両側縁に沿うように
配置され、かつ各側縁に配置された磁石の極性が相隣り
合うものどうしが逆の関係に定められているとともに、
ターゲットを挟んで対向する磁石間の極性が逆の関係に
なるように定めれられているので、図８に示す磁束２５
の方向はターゲット面全体において正逆両方向を含むも
のとなる。したがってターゲット１に向かうプラズマ中
のイオンに作用する磁場からの力も同じ方向とはなら
ず、前記イオンはターゲット面に対してほぼ均一に分布
して、スパッタリング作用を及ぼす。このため、侵食速
度はターゲット面でほぼ均一化され、ターゲットの侵食
面がスパッタ前の表面と平行な平面に近い面になるの
で、基板上に形成される膜の膜厚の不均一性の問題は解
消される。
置した複数個の磁石がターゲットの両側縁に沿うように
配置され、かつ各側縁に配置された磁石の極性が相隣り
合うものどうしが逆の関係に定められているとともに、
ターゲットを挟んで対向する磁石間の極性が逆の関係に
なるように定めれられているので、図８に示す磁束２５
の方向はターゲット面全体において正逆両方向を含むも
のとなる。したがってターゲット１に向かうプラズマ中
のイオンに作用する磁場からの力も同じ方向とはなら
ず、前記イオンはターゲット面に対してほぼ均一に分布
して、スパッタリング作用を及ぼす。このため、侵食速
度はターゲット面でほぼ均一化され、ターゲットの侵食
面がスパッタ前の表面と平行な平面に近い面になるの
で、基板上に形成される膜の膜厚の不均一性の問題は解
消される。
【００２４】さらに、ターゲットの両端縁部に位置する
磁束によって、ターゲットに向かうイオンをターゲット
中央部に導くように構成することによって、プラズマの
有効活用を図ることができ、ターゲット上のプラズマ密
度を高めることができるので、ターゲットの侵食速度が
向上する。
磁束によって、ターゲットに向かうイオンをターゲット
中央部に導くように構成することによって、プラズマの
有効活用を図ることができ、ターゲット上のプラズマ密
度を高めることができるので、ターゲットの侵食速度が
向上する。
【００２５】また、ターゲットの両側縁部に配置する磁
石により発生する磁束がそれぞれ、ターゲットの両側縁
の中点を結ぶ中心線に対する対称位置において、磁束の
向きが逆になるように構成することによって、ターゲッ
トの前記中心線を挟む両側を同様の状態に侵食させるこ
とができる。
石により発生する磁束がそれぞれ、ターゲットの両側縁
の中点を結ぶ中心線に対する対称位置において、磁束の
向きが逆になるように構成することによって、ターゲッ
トの前記中心線を挟む両側を同様の状態に侵食させるこ
とができる。
【００２６】さらに、ターゲットの側縁に平行な中心線
上において、磁束の向きが３回以上変化するように構成
することにより、侵食の均一性を向上させることができ
る。
上において、磁束の向きが３回以上変化するように構成
することにより、侵食の均一性を向上させることができ
る。
【００２７】ターゲット面と基板面が平行な場合、基板
に形成される膜厚はターゲットの中心付近で厚くなる。
この中心付近と周辺部分の膜厚の差は、小さなターゲッ
ト１つで大きな基板の薄膜を形成しようとするとき顕著
にあらわれる。また、小さなターゲット１つを基板面に
傾けて設置すると、基板面に形成される膜厚はターゲッ
ト面に近い所でも厚くなり、ターゲット面から遠い所は
薄くなる。この膜厚の薄い所を厚くするように、傾けた
ターゲットを複数個用いる。こうすることにより、基板
全面に渡って膜厚が平準化される。すなわち、小さいタ
ーゲットを複数傾けて配置することで小さいターゲット
でも大型基板に均一な膜厚で薄膜を形成することができ
る。しかし、従来例に示すターゲットの侵食の様子が一
様でないので、時間とともに不均一性が顕著になり、複
数設置の効果は余り大きくなかった。ここで本発明の上
記ターゲットを複数個用いることで大型基板に対しても
膜厚と膜質をより均一にすることができ、複雑な磁場の
制御も不要になる。
に形成される膜厚はターゲットの中心付近で厚くなる。
この中心付近と周辺部分の膜厚の差は、小さなターゲッ
ト１つで大きな基板の薄膜を形成しようとするとき顕著
にあらわれる。また、小さなターゲット１つを基板面に
傾けて設置すると、基板面に形成される膜厚はターゲッ
ト面に近い所でも厚くなり、ターゲット面から遠い所は
薄くなる。この膜厚の薄い所を厚くするように、傾けた
ターゲットを複数個用いる。こうすることにより、基板
全面に渡って膜厚が平準化される。すなわち、小さいタ
ーゲットを複数傾けて配置することで小さいターゲット
でも大型基板に均一な膜厚で薄膜を形成することができ
る。しかし、従来例に示すターゲットの侵食の様子が一
様でないので、時間とともに不均一性が顕著になり、複
数設置の効果は余り大きくなかった。ここで本発明の上
記ターゲットを複数個用いることで大型基板に対しても
膜厚と膜質をより均一にすることができ、複雑な磁場の
制御も不要になる。
【００２８】また、大きな矩形の基板に薄膜を形成させ
る場合には、基板の縁部の膜厚の不均一性が顕著にな
る。基板の縁部の膜厚を均一になるように傾けたターゲ
ットのみを配置していたのでは、基板中央部の膜厚が薄
くなる。そのため、基板中央部の薄膜を形成させるため
に、基板に平行に配置するターゲットを用い、基板の縁
部の薄膜を形成させるために基板と角度をなして配置さ
れるターゲットを用いると、膜厚の均一性を向上させる
ことができる。
る場合には、基板の縁部の膜厚の不均一性が顕著にな
る。基板の縁部の膜厚を均一になるように傾けたターゲ
ットのみを配置していたのでは、基板中央部の膜厚が薄
くなる。そのため、基板中央部の薄膜を形成させるため
に、基板に平行に配置するターゲットを用い、基板の縁
部の薄膜を形成させるために基板と角度をなして配置さ
れるターゲットを用いると、膜厚の均一性を向上させる
ことができる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の第１実施例について、図１、
図２、図３、図４および図５を参照して説明する。
図２、図３、図４および図５を参照して説明する。
【００３０】図１（ａ）は本実施例のスパッタリング電
極の平面図、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。
１は矩形平板ターゲット、２はバッキングプレート、２
４は磁場発生用の磁気回路、２４ａは左側磁気回路、２
４ｂは右側磁気回路である。
極の平面図、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。
１は矩形平板ターゲット、２はバッキングプレート、２
４は磁場発生用の磁気回路、２４ａは左側磁気回路、２
４ｂは右側磁気回路である。
【００３１】図２は図１に示す電極を用いたスパッタリ
ング装置を示す図である。本実施例では図１に示すよう
に４つの電極ユニット３１を配置し、それぞれを基板１
８に対して４５°の角度を成すように傾斜させ、絶縁材
１０を介して真空チャンバー９に設置し、全てのユニッ
ト３１にスパッタリング用電源１１を接続する。なお、
図２において、従来例と同一物には共通の符号を付して
示し、その説明は省略する。
ング装置を示す図である。本実施例では図１に示すよう
に４つの電極ユニット３１を配置し、それぞれを基板１
８に対して４５°の角度を成すように傾斜させ、絶縁材
１０を介して真空チャンバー９に設置し、全てのユニッ
ト３１にスパッタリング用電源１１を接続する。なお、
図２において、従来例と同一物には共通の符号を付して
示し、その説明は省略する。
【００３２】本実施例は４個のスパッタリング電極ユニ
ット３１から構成されており、以下の説明では先ず、図
３、図４および図５を参照して１ユニットに付いてのみ
行い、他の３ユニットに付いても同様とする。
ット３１から構成されており、以下の説明では先ず、図
３、図４および図５を参照して１ユニットに付いてのみ
行い、他の３ユニットに付いても同様とする。
【００３３】図３（ａ）は本実施例のスパッタリング電
極を構成する１ユニットの平面図、図３（ｂ）はそのＡ
−Ａ’断面図である。
極を構成する１ユニットの平面図、図３（ｂ）はそのＡ
−Ａ’断面図である。
【００３４】磁石２４はターゲット１の表面の側縁に沿
って左右２か所にこのターゲット１の長軸に平行に配置
される。左側磁気回路２４ａおよび対向する位置にある
右側磁気回路２４ｂは永久磁石の小片２４を片側で８個
設置し、隣り合う永久磁石２４の極性が逆転するような
構成になっており、左右間でＮ極からＳ極へと磁束２５
が通るように配置される。この磁束２５により、プラズ
マのイオンは力２６を受けてこの方向に移動する。
って左右２か所にこのターゲット１の長軸に平行に配置
される。左側磁気回路２４ａおよび対向する位置にある
右側磁気回路２４ｂは永久磁石の小片２４を片側で８個
設置し、隣り合う永久磁石２４の極性が逆転するような
構成になっており、左右間でＮ極からＳ極へと磁束２５
が通るように配置される。この磁束２５により、プラズ
マのイオンは力２６を受けてこの方向に移動する。
【００３５】図４に図５（ａ）のＢ−Ｂ’上で、ターゲ
ット長軸方向に対して直角、かつターゲット表面に平行
な磁力線による磁場強度を示す。磁束密度の符号は、図
３の前記左側磁気回路２４ａ（Ｎ極）から右側磁気回路
２４ｂ（Ｓ極）へと磁束が通る時を正、逆に右側（Ｎ
極）から左側（Ｓ極）へ磁力線が通る時を負と定義す
る。また、ターゲット中心からの距離はターゲット中心
線を零とし、Ｂ側を正、Ｂ’側を負とする。
ット長軸方向に対して直角、かつターゲット表面に平行
な磁力線による磁場強度を示す。磁束密度の符号は、図
３の前記左側磁気回路２４ａ（Ｎ極）から右側磁気回路
２４ｂ（Ｓ極）へと磁束が通る時を正、逆に右側（Ｎ
極）から左側（Ｓ極）へ磁力線が通る時を負と定義す
る。また、ターゲット中心からの距離はターゲット中心
線を零とし、Ｂ側を正、Ｂ’側を負とする。
【００３６】本実施例の電極は上記のように構成された
電極ユニット３１が４個で構成される電極を、図２に示
すように、電極ユニット３１が基板１８と４５°の角度
を成すように設置する。本実施例の４個のスパッタリン
グ電極ユニット３１を有するスパッタリング装置は、従
来のマグネトロンスパッタリング装置と同様、動作方法
は何等変わるところがないのでその説明は省略する。
電極ユニット３１が４個で構成される電極を、図２に示
すように、電極ユニット３１が基板１８と４５°の角度
を成すように設置する。本実施例の４個のスパッタリン
グ電極ユニット３１を有するスパッタリング装置は、従
来のマグネトロンスパッタリング装置と同様、動作方法
は何等変わるところがないのでその説明は省略する。
【００３７】本実施例においてスパッタリングを行う場
合、まず１個のユニットに着目すると、図３（ａ）の磁
石２４をターゲット表面の前方側面の左右２か所にこの
ターゲット１の長軸に平行に配置していることにより、
前記ターゲット表面全域に渡り水平でかつ長軸に垂直な
磁束２５が通る。しかもターゲット表面上で、ターゲッ
ト１の両側縁に配置した磁石により発生する磁束２５が
線Ａ−Ａ’に対称な位置において逆向きになるように、
すなわち、ターゲット１の中心点に対し点対称になるよ
うに磁石２４を調整してあるため、プラズマは一方向に
偏ることなく線Ａ−Ａ’に対して上下対称となる。図５
はターゲットの侵食の様子を図３のＢ−Ｂ’の断面図で
示したものであり、図５（ａ）は侵食の初期段階、図５
（ｂ）は侵食の終了段階を示す。この様に侵食が進行し
ても侵食前のターゲット面とほぼ平行な平面状に侵食が
進行していることがわかる。すなわち、前記ターゲット
は全面で、ほぼ均一な侵食が起こり、ターゲットの初期
と終わりとでも、侵食面の形状の大幅な変化はなく、膜
厚分布の経時変化、膜組成や構造などの薄膜物性の不均
一化をほとんど生じない。
合、まず１個のユニットに着目すると、図３（ａ）の磁
石２４をターゲット表面の前方側面の左右２か所にこの
ターゲット１の長軸に平行に配置していることにより、
前記ターゲット表面全域に渡り水平でかつ長軸に垂直な
磁束２５が通る。しかもターゲット表面上で、ターゲッ
ト１の両側縁に配置した磁石により発生する磁束２５が
線Ａ−Ａ’に対称な位置において逆向きになるように、
すなわち、ターゲット１の中心点に対し点対称になるよ
うに磁石２４を調整してあるため、プラズマは一方向に
偏ることなく線Ａ−Ａ’に対して上下対称となる。図５
はターゲットの侵食の様子を図３のＢ−Ｂ’の断面図で
示したものであり、図５（ａ）は侵食の初期段階、図５
（ｂ）は侵食の終了段階を示す。この様に侵食が進行し
ても侵食前のターゲット面とほぼ平行な平面状に侵食が
進行していることがわかる。すなわち、前記ターゲット
は全面で、ほぼ均一な侵食が起こり、ターゲットの初期
と終わりとでも、侵食面の形状の大幅な変化はなく、膜
厚分布の経時変化、膜組成や構造などの薄膜物性の不均
一化をほとんど生じない。
【００３８】しかも、図２に示すように前述のスパッタ
リング電極ユニット３１を４個、基板１８に対してター
ゲット１の表面を４５°に傾斜させて設置しているた
め、小型スパッタリング装置で、大型基板の膜厚均一性
を確保することができる。さらに、基板ホルダ−１７を
自転させることで、基板面内の膜厚および膜質均一性は
更に向上する。
リング電極ユニット３１を４個、基板１８に対してター
ゲット１の表面を４５°に傾斜させて設置しているた
め、小型スパッタリング装置で、大型基板の膜厚均一性
を確保することができる。さらに、基板ホルダ−１７を
自転させることで、基板面内の膜厚および膜質均一性は
更に向上する。
【００３９】以上のように本実施例によれば、均一に侵
食が進むターゲットを有するスパッタリング電極ユニッ
ト４個、基板に対し、最適な傾斜角度を設定して設置す
ることにより、小型スパッタリング装置でターゲットの
初期から終わりまで安定した膜厚及び膜質を有する薄膜
形成が可能となる。
食が進むターゲットを有するスパッタリング電極ユニッ
ト４個、基板に対し、最適な傾斜角度を設定して設置す
ることにより、小型スパッタリング装置でターゲットの
初期から終わりまで安定した膜厚及び膜質を有する薄膜
形成が可能となる。
【００４０】また、図３において、ターゲット６の一方
の端縁（図３の上側の端縁）付近の磁束は図３の右に向
いており、紙面手前からターゲットに接近刷るイオンは
図３の下側に向かう力を受ける。さらに、ターゲット１
の他方の端縁（図３の下側の端縁）付近の磁束は図３に
左に向いているので、紙面手前からターゲットに接近す
るイオンは図３の上側に向かう力を受ける。したがっ
て、ターゲット面上のプラズマを閉じ込め、プラズマ密
度を高めることが可能になり、侵食速度が増加し、基板
の成膜速度が上昇する。
の端縁（図３の上側の端縁）付近の磁束は図３の右に向
いており、紙面手前からターゲットに接近刷るイオンは
図３の下側に向かう力を受ける。さらに、ターゲット１
の他方の端縁（図３の下側の端縁）付近の磁束は図３に
左に向いているので、紙面手前からターゲットに接近す
るイオンは図３の上側に向かう力を受ける。したがっ
て、ターゲット面上のプラズマを閉じ込め、プラズマ密
度を高めることが可能になり、侵食速度が増加し、基板
の成膜速度が上昇する。
【００４１】以下に本発明の第２実施例について、図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００４２】図６（ａ）は本実施例のスパッタリング電
極の平面図、図６（ｂ）はその正面図である。１は矩形
平板ターゲット、２はバッキングプレート、２４は磁場
発生用の磁気回路である。本実施例は図３に示すユニッ
ト３１と同様の構成のユニット３２を３個組み合わせた
ものであり、第１実施例と同様、図７に示すように絶縁
材１０を介して真空チャンバー９に設置され、全てのユ
ニット３２にスパッタリング用電源１１が接続される。
極の平面図、図６（ｂ）はその正面図である。１は矩形
平板ターゲット、２はバッキングプレート、２４は磁場
発生用の磁気回路である。本実施例は図３に示すユニッ
ト３１と同様の構成のユニット３２を３個組み合わせた
ものであり、第１実施例と同様、図７に示すように絶縁
材１０を介して真空チャンバー９に設置され、全てのユ
ニット３２にスパッタリング用電源１１が接続される。
【００４３】本実施例においても、ほぼ全面均一に侵食
が進むターゲットを有するスパッタリング電極ユニット
３２を３個を用い、そのうち、両側のターゲット１、１
は基板１８に対し４５°の角度で傾斜し、中央のターゲ
ット１は基板１８に対し、平行に設置されている。本実
施例で用いる基板は大型矩形板であり、第１実施例のよ
うに基板を回転させることはしない。しかし、傾斜させ
たターゲットだけでは基板縁部の成膜速度が速いが、基
板中央部分の成膜速度が遅くなるので、基板に平行な電
極ユニットを設置することで、成膜速度の平準化が図ら
れる。また、各電極ユニット３２は図３に示す構成を取
っているため、個々の電極ユニット３２からスパッタさ
れる粒子のふるまいは一定であるので基板に形成される
薄膜の膜厚と膜質は始めから終わりまで安定している。
が進むターゲットを有するスパッタリング電極ユニット
３２を３個を用い、そのうち、両側のターゲット１、１
は基板１８に対し４５°の角度で傾斜し、中央のターゲ
ット１は基板１８に対し、平行に設置されている。本実
施例で用いる基板は大型矩形板であり、第１実施例のよ
うに基板を回転させることはしない。しかし、傾斜させ
たターゲットだけでは基板縁部の成膜速度が速いが、基
板中央部分の成膜速度が遅くなるので、基板に平行な電
極ユニットを設置することで、成膜速度の平準化が図ら
れる。また、各電極ユニット３２は図３に示す構成を取
っているため、個々の電極ユニット３２からスパッタさ
れる粒子のふるまいは一定であるので基板に形成される
薄膜の膜厚と膜質は始めから終わりまで安定している。
【００４４】なお、磁気回路を構成する永久磁石の数を
実施例では片側８個としたが、磁力線の強さがターゲッ
トの中心に対し左右対称で、この磁力線の方向が反対で
あれば永久磁石の個数はいくらでもよい。磁石の数も多
いほど、侵食面の均一化が図られる。また磁気回路は永
久磁石のほか、電磁石で構成してもかまわない。
実施例では片側８個としたが、磁力線の強さがターゲッ
トの中心に対し左右対称で、この磁力線の方向が反対で
あれば永久磁石の個数はいくらでもよい。磁石の数も多
いほど、侵食面の均一化が図られる。また磁気回路は永
久磁石のほか、電磁石で構成してもかまわない。
【００４５】さらに、実施例では複数個のスパッタリン
グ電極ユニットに１個のスパッタリング用電源を単純に
接続したが、各ユニット毎に独立にスパッタリング用電
源を接続したり、あるいは１個のスパッタリング用電源
で、各ユニットへの電力比を制御してスパッタリングし
ても構わない。
グ電極ユニットに１個のスパッタリング用電源を単純に
接続したが、各ユニット毎に独立にスパッタリング用電
源を接続したり、あるいは１個のスパッタリング用電源
で、各ユニットへの電力比を制御してスパッタリングし
ても構わない。
【００４６】
【発明の効果】以上のように本発明は、ターゲットの侵
食を一様にすることができ、基板の薄膜の膜質と膜厚の
均一性を向上させることができる。また、高価なターゲ
ットを十分に使い切ることができ、利用率が向上する。
食を一様にすることができ、基板の薄膜の膜質と膜厚の
均一性を向上させることができる。また、高価なターゲ
ットを十分に使い切ることができ、利用率が向上する。
【００４７】また、ターゲットを基板に対し３０度以上
６０度以下に傾けたターゲットを少なくとも２以上設け
ることで大型基板でも複雑な制御なしに上記のターゲッ
トで膜質と膜厚が均一な薄膜を形成することができ、ス
パッタリング装置の小型化、ターゲット材料の利用効率
向上にも繋がり、スパッタリング装置のコストダウン、
設置面積の縮小化が達成できる。
６０度以下に傾けたターゲットを少なくとも２以上設け
ることで大型基板でも複雑な制御なしに上記のターゲッ
トで膜質と膜厚が均一な薄膜を形成することができ、ス
パッタリング装置の小型化、ターゲット材料の利用効率
向上にも繋がり、スパッタリング装置のコストダウン、
設置面積の縮小化が達成できる。
【図１】（ａ）本発明の第１実施例におけるスパッタリ
ング電極の平面図。 （ｂ）そのＡ−Ａ’断面図。
ング電極の平面図。 （ｂ）そのＡ−Ａ’断面図。
【図２】同実施例に於けるスパッタリング電極を設置し
たスパッタリング装置の概略図。
たスパッタリング装置の概略図。
【図３】（ａ）同実施例のスパッタリング電極を構成す
る１ユニットの平面図。 （ｂ）そのＡ−Ａ’断面図。
る１ユニットの平面図。 （ｂ）そのＡ−Ａ’断面図。
【図４】図３のスパッタリング電極ユニットのターゲッ
ト上の表面磁場分布図。
ト上の表面磁場分布図。
【図５】（ａ）図３のスパッタリング電極ユニットのタ
ーゲットの侵食初期段階の断面図。 （ｂ）図３のスパッタリング電極ユニットのターゲット
の侵食終了段階の断面図。
ーゲットの侵食初期段階の断面図。 （ｂ）図３のスパッタリング電極ユニットのターゲット
の侵食終了段階の断面図。
【図６】（ａ）本発明の第２実施例におけるスパッタリ
ング電極の平面図。 （ｂ）その正面図。
ング電極の平面図。 （ｂ）その正面図。
【図７】同実施例におけるスパッタリング電極を設置し
たスパッタリング装置の概略図。
たスパッタリング装置の概略図。
【図８】磁場によりイオンが受ける力を示した原理図。
【図９】（ａ）従来マグネトロンスパッタリング電極の
平面図。 （ｂ）そのＡ−Ａ’断面図。
平面図。 （ｂ）そのＡ−Ａ’断面図。
【図１０】従来のマグネトロンスパッタリング電極の斜
視図。
視図。
【図１１】従来のマグネトロンスパッタリング電極を設
置したスパッタリング装置の概略図。
置したスパッタリング装置の概略図。
【図１２】基板に対し傾斜角を持つ平板ターゲットを有
するマグネトロンスパッタリング装置の概略図。
するマグネトロンスパッタリング装置の概略図。
【図１３】内周ターゲットと外周ターゲットを持つマグ
ネトロンスパッタリング装置の概略図。
ネトロンスパッタリング装置の概略図。
【図１４】（ａ）図１２のターゲットの侵食初期段階の
断面図。 （ｂ）図１２のターゲットの侵食終了段階の断面図。
断面図。 （ｂ）図１２のターゲットの侵食終了段階の断面図。
【図１５】（ａ）図１３のターゲットの侵食初期段階の
断面図。 （ｂ）図１３のターゲットの侵食終了段階の断面図。
断面図。 （ｂ）図１３のターゲットの侵食終了段階の断面図。
１ ターゲット １８ 基板 ２４ 磁石 ２５ 磁場
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝澤 貴博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の矩形ターゲットを用いてスパッタ
リングを行い、基板に薄膜を形成するスパッタリング装
置において、 各ターゲットの両側縁に沿うように、各側縁に複数個の
磁石を配置し、かつこれら磁石の極性を相隣り合うもの
どうしが逆の関係になるように定めるとともに、ターゲ
ットを挟んで対向する磁石間の極性を逆の関係になるよ
うに定め、 少なくとも２以上のターゲットをそのターゲット面と前
記基板面とが３０°以上６０°以下の角度をなすように
配置したことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 ターゲットの両側縁に配置した磁石によ
り発生する磁束のうち、ターゲットの両側縁部に位置す
る磁束の向きがそれぞれ、ターゲットに向かうイオンを
ターゲット中央部に導くように設定された請求項１記載
のスパッタリング装置。 - 【請求項３】 ターゲットの両側縁に配置した磁石によ
り発生する磁束のうち、ターゲットの両側縁の中心点を
結ぶ中心線に対する対称位置において、磁束の向きが逆
になっている請求項１または２記載のスパッタリング装
置。 - 【請求項４】 ターゲットの両側縁に配置した磁石によ
り発生する磁束がそれぞれ、ターゲットの側縁に平行な
中心線上において、その極性が３回以上変化するもので
ある請求項１、２または３記載のスパッタリング装置。 - 【請求項５】 複数のターゲットのうち少なくとも１つ
のターゲットを、そのターゲット面が基板面に平行にな
るように配置された請求項１、２、３または４記載のス
パッタリング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167800A JPH0835064A (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | スパッタリング装置 |
| KR1019950020867A KR100212087B1 (ko) | 1994-07-20 | 1995-07-15 | 스퍼터링 장치 |
| US08/504,516 US5626727A (en) | 1994-07-20 | 1995-07-20 | Sputtering apparatus and method |
| CN95109206A CN1072734C (zh) | 1994-07-20 | 1995-07-20 | 溅射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167800A JPH0835064A (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0835064A true JPH0835064A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15856347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6167800A Pending JPH0835064A (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | スパッタリング装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5626727A (ja) |
| JP (1) | JPH0835064A (ja) |
| KR (1) | KR100212087B1 (ja) |
| CN (1) | CN1072734C (ja) |
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| JP2002167661A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-11 | Anelva Corp | 磁性多層膜作製装置 |
| JP2005097672A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Anelva Corp | マルチカソードイオン化物理的気相成膜装置 |
| JP2009133009A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-06-18 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| JP2020152968A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 日新電機株式会社 | スパッタリング装置 |
Families Citing this family (18)
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|---|---|---|---|---|
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